JP2009033209A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1の絶縁膜10上に配線20を形成する工程と、第1の絶縁膜10上及び配線20上に、第2の絶縁膜30を形成する工程と、第2の絶縁膜30に、配線20上に位置する接続孔30aを形成する工程と、接続孔30aの底に位置する配線20をスパッタリングすることにより、接続孔30aの側面に被覆膜31を形成する工程と、第2の絶縁膜30上及び被覆膜31上にバリア膜41を形成する工程と、接続孔30aに導電膜42を埋め込む工程とを具備する。
【選択図】 図1
Description
また、接続孔の側壁に島状の酸化物が付着していると、バリア膜が接続孔の側壁から剥離し、接続孔での配線信頼性(例えばストレスマイグレーション特性又はエレクトロマイグレーション特性)が低下することがある。
前記第1の絶縁膜上及び前記配線上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜に形成され、前記配線上に位置する接続孔と、
前記接続孔の側壁を覆い、前記接続孔の底に位置する前記配線をスパッタリングすることにより形成されている被覆膜と、
前記被覆膜上及び前記接続孔の底面に設けられたバリア膜と、
前記接続孔の中に埋め込まれた導電体とを具備する。
前記第1の絶縁膜上及び前記配線上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜に形成され、前記配線上に位置する接続孔と、
前記接続孔の側壁を覆い、下から上に行くにつれて薄くなる被覆膜と、
前記被覆膜上及び前記接続孔の底面に設けられたバリア膜と、
前記接続孔の中に埋め込まれた導電体とを具備する。
前記第1の絶縁膜上及び前記配線上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜に、前記配線上に位置する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔の底に位置する前記配線をスパッタリングすることにより、前記接続孔の側面に被覆膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上及び前記被覆膜上にバリア膜を形成する工程と、
前記接続孔に導電膜を埋め込む工程とを具備する。
前記第2の絶縁膜は例えば酸化シリコン膜であり、前記導電膜は例えばタングステン膜である。この場合、タングステン膜を形成するための原料ガスには、フッ化タングステンが含まれる。
本実施形態によっても第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。
Claims (13)
- 第1の絶縁膜上に形成された配線と、
前記第1の絶縁膜上及び前記配線上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜に形成され、前記配線上に位置する接続孔と、
前記接続孔の側壁を覆い、前記接続孔の底に位置する前記配線をスパッタリングすることにより形成された被覆膜と、
前記被覆膜上及び前記接続孔の底面に設けられたバリア膜と、
前記接続孔の中に埋め込まれた導電体と、
を具備する半導体装置。 - 前記配線は、Al合金膜、Ti膜及びTiN膜をこの順に積層した構造を有しており、
前記被覆膜は前記TiN膜をスパッタリングすることにより形成されている請求項1に記載の半導体装置。 - 前記配線は、Al合金膜、Ti膜及びTiN膜をこの順に積層した構造を有しており、
前記被覆膜は、前記TiN膜及び前記Ti膜をスパッタリングすることにより形成されている請求項1に記載の半導体装置。 - 前記接続孔の底に位置している前記配線は、Al合金膜及びTi膜をこの順に積層した構造を有しており、
前記被覆膜は、前記Ti膜及び前記Al合金膜をスパッタリングすることにより形成されている請求項1に記載の半導体装置。 - 前記接続孔の底に位置している前記配線は、上面にAl合金膜が露出しており、
前記被覆膜は前記Al合金膜をスパッタリングすることにより形成されている請求項1に記載の半導体装置。 - 第1の絶縁膜上に形成された配線と、
前記第1の絶縁膜上及び前記配線上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜に形成され、前記配線上に位置する接続孔と、
前記接続孔の側壁を覆い、下から上に行くにつれて薄くなる被覆膜と、
前記被覆膜上及び前記接続孔の底面に設けられたバリア膜と、
前記接続孔の中に埋め込まれた導電体と、
を具備する半導体装置。 - 前記被覆膜にはTi及びOが含まれている請求項6に記載の半導体装置。
- 前記被覆膜にはAl及びOが含まれている請求項6に記載の半導体装置。
- 前記被覆膜は、前記接続孔のうち、下側の2/3以上の領域を覆っており、
前記被覆膜が形成されていない前記接続孔の側壁は、前記バリア膜で覆われている請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記導電体はタングステンプラグである請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 第1の絶縁膜上に配線を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上及び前記配線上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜に、前記配線上に位置する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔の底に位置する前記配線をスパッタリングすることにより、前記接続孔の側面に被覆膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上及び前記被覆膜上にバリア膜を形成する工程と、
前記接続孔に導電膜を埋め込む工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記導電膜を埋め込む工程は、
前記接続孔中及び前記第2の絶縁膜上に、前記導電膜をCVD法により形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上に位置する前記導電膜を除去する工程と、
を具備する請求項11に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の絶縁膜は酸化シリコン膜であり、
前記導電膜はタングステン膜であり、フッ化タングステンを原料ガスに含むCVDにより形成される請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2008288208A JP2009033209A (ja) | 2008-11-10 | 2008-11-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09199593A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-07-31 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005033182A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-02-03 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2008
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Patent Citations (2)
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