JP5891753B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
基板の上に、シード膜を形成する工程と、
前記シード膜の上に、開口が設けられたレジスト膜を形成する工程と、
前記開口の側面に、暫定膜を形成する工程と、
前記暫定膜を形成した後、前記開口内の少なくとも一部を埋め込むように配線を形成する工程と、
前記配線を形成した後、前記暫定膜を除去する工程と、
前記暫定膜を除去した後、前記配線の側面及び上面を覆うように、第1のバリア膜を形成する工程と、
前記第1のバリア膜を形成した後、前記レジスト膜を除去する工程と、
前記レジスト膜を除去することによって露出した前記シード膜を除去する工程と
を有し、
前記暫定膜を除去した後、前記第1のバリア膜を形成する前に、前記暫定膜を除去することによって露出した前記シード膜を除去する工程を、さらに有し、
前記第1のバリア膜を形成する工程において、前記配線の下に残っている前記シード膜の側面を覆うように、前記第1のバリア膜を形成し、
前記第1のバリア膜を形成する工程において、前記レジスト膜の下に残っている前記シード膜の側面を覆うように、前記第1のバリア膜を形成し、前記配線の下に残っている前記シード膜の側面を覆う前記第1のバリア膜と、前記レジスト膜の下に残っている前記シード膜の側面を覆う前記第1のバリア膜とが連続しないように、前記第1のバリア膜を形成する半導体装置の製造方法が提供される。
図1A〜図1Qを参照して、実施例1による半導体装置の製造方法について説明する。
図3A〜図3Fを参照して、実施例2による半導体装置の製造方法について説明する。以下、実施例1との相違点に着目して説明し、同一の構成については説明を省略する。各構成部分には、実施例1の対応する構成部分に付された参照符号と同一の参照符号が付されている。
図4A〜図4Dを参照して、実施例3による半導体装置の製造方法について説明する。以下、実施例1との相違点に着目して説明し、同一の構成については説明を省略する。各構成部分には、実施例1の対応する構成部分に付された参照符号と同一の参照符号が付されている。
図5A〜図5Eを参照して、実施例4による半導体装置の製造方法について説明する。以下、実施例3との相違点に着目して説明し、同一の構成については説明を省略する。各構成部分には、実施例3の対応する構成部分に付された参照符号と同一の参照符号が付されている。
図6A及び図6Bを参照して、実施例5による半導体装置の製造方法について説明する。以下、実施例1との相違点に着目して説明し、同一の構成については説明を省略する。各構成部分には、実施例1の対応する構成部分に付された参照符号と同一の参照符号が付されている。
11 半導体チップ
12 充填部材
13 電極パッド
14 導電プラグ
15 層間絶縁膜
20 下地基板
25 下部バリア膜
26 シード膜
27 レジスト膜
28 開口
29 暫定膜
30 配線
31 隙間
33 上部バリア膜
35 配線構造体
36 層間絶縁膜
37 多層配線層
40 電極パッド
41 パッシベーション膜
50 付着物
51 異物
55 上部バリア膜
56 突出した部分
Claims (3)
- 基板の上に、シード膜を形成する工程と、
前記シード膜の上に、開口が設けられたレジスト膜を形成する工程と、
前記開口の側面に、暫定膜を形成する工程と、
前記暫定膜を形成した後、前記開口内の少なくとも一部を埋め込むように配線を形成する工程と、
前記配線を形成した後、前記暫定膜を除去する工程と、
前記暫定膜を除去した後、前記配線の側面及び上面を覆うように、第1のバリア膜を形成する工程と、
前記第1のバリア膜を形成した後、前記レジスト膜を除去する工程と、
前記レジスト膜を除去することによって露出した前記シード膜を除去する工程と
を有し、
前記暫定膜を除去した後、前記第1のバリア膜を形成する前に、前記暫定膜を除去することによって露出した前記シード膜を除去する工程を、さらに有し、
前記第1のバリア膜を形成する工程において、前記配線の下に残っている前記シード膜の側面を覆うように、前記第1のバリア膜を形成し、
前記第1のバリア膜を形成する工程において、前記レジスト膜の下に残っている前記シード膜の側面を覆うように、前記第1のバリア膜を形成し、前記配線の下に残っている前記シード膜の側面を覆う前記第1のバリア膜と、前記レジスト膜の下に残っている前記シード膜の側面を覆う前記第1のバリア膜とが連続しないように、前記第1のバリア膜を形成する半導体装置の製造方法。 - 前記暫定膜を形成する工程が、
前記レジスト膜の上面、前記開口の側面と底面に、前記暫定膜を形成する工程と、
前記暫定膜を異方性エッチングすることにより、前記レジスト膜の上面及び前記開口の底面を覆っている前記暫定膜を除去し、前記開口の側面を覆っている前記暫定膜を残す工程と
を含む請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記配線を形成した後、前記暫定膜を除去する前に、前記配線の上面に、第2のバリア膜を形成する工程を、さらに有する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011263777A JP5891753B2 (ja) | 2011-12-01 | 2011-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
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Family
ID=48712599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2011263777A Active JP5891753B2 (ja) | 2011-12-01 | 2011-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
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2011
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