JP2007227970A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007227970A JP2007227970A JP2007140060A JP2007140060A JP2007227970A JP 2007227970 A JP2007227970 A JP 2007227970A JP 2007140060 A JP2007140060 A JP 2007140060A JP 2007140060 A JP2007140060 A JP 2007140060A JP 2007227970 A JP2007227970 A JP 2007227970A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- forming
- metal layer
- barrier metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/03—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/02165—Reinforcing structures
- H01L2224/02166—Collar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01022—Titanium [Ti]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
- H01L2924/0504—14th Group
- H01L2924/05042—Si3N4
Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜8上にバリアメタル層14を形成する工程と、パッド開孔部の下に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部を除去する工程と、前記除去する工程により露出した層間絶縁膜8及び前記バリアメタル層14の上に第2のAl合金膜15を形成する工程と、第2のAl合金膜及び前記バリアメタル層をパターニングすることにより、前記層間絶縁膜上にボンディングパッド部17aを形成する工程と、前記ボンディングパッド部及び前記層間絶縁膜の上にパッシベーション膜18を形成する工程と、前記パッシベーション膜に、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部を形成する工程と、を具備する。
【選択図】 図1
Description
前記ボンディングパッド部及び前記絶縁膜の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成された、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部と、
を具備し、
前記ボンディングパッド部は、バリアメタル層と、該バリアメタル層上に形成された導電膜と、を有しており、
前記パッド開孔部の下に位置し且つ前記絶縁膜と前記導電膜との間に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部が除去されている。
前記絶縁膜に形成された、前記配線上に位置する接続孔と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上に形成されたバリアメタル層と、
前記接続孔内のバリアメタル層上に形成された金属プラグと、
前記金属プラグ及び前記バリアメタル層の上に形成されたボンディングパッド部と、
前記ボンディングパッド部及び前記絶縁膜の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成された、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部と、
を具備し、
前記ボンディングパッド部は、バリアメタル層と、該バリアメタル層上に形成された導電膜と、を有しており、
前記パッド開孔部の下に位置し且つ前記絶縁膜と前記導電膜との間に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部が除去されている。
前記絶縁膜に形成された、前記配線上に位置する接続孔と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上に形成されたバリアメタル層と、
前記接続孔の内側面に前記バリアメタル層を介して形成されたサイドウォールと、
前記サイドウォール上、前記接続孔内及び前記バリアメタル層上に形成されたボンディングパッド部と、
前記ボンディングパッド部及び前記絶縁膜の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成された、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部と、
を具備し、
前記ボンディングパッド部は、前記バリアメタル層と、該バリアメタル層上に形成された導電膜と、を有し、前記接続孔内に埋め込まれた導電膜、サイドウォール及びバリアメタル層を介して前記配線に電気的に接続されており、
前記パッド開孔部の下に位置し且つ前記絶縁膜と前記導電膜との間に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部が除去されている。
パッド開孔部の下に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部を除去する工程と、 前記除去する工程により露出した絶縁膜及び前記バリアメタル層の上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜及び前記バリアメタル層をパターニングすることにより、前記絶縁膜上にボンディングパッド部を形成する工程と、
前記ボンディングパッド部及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部を形成する工程と、
を具備する。
前記絶縁膜に、前記配線上に位置する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にバリアメタル層を形成する工程と、
前記バリアメタル層上及び前記接続孔内に金属膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に存在する前記金属膜を除去することにより、前記接続孔内に金属プラグを形成する工程と、
パッド開孔部の下に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部を除去する工程と、 前記除去する工程により露出した絶縁膜、前記バリアメタル層及び前記金属プラグの上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜及び前記バリアメタル層をパターニングすることにより、前記絶縁膜上にボンディングパッド部を形成する工程と、
前記ボンディングパッド部及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部を形成する工程と、
を具備する。
前記絶縁膜に、前記配線上に位置する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にバリアメタル層を形成する工程と、
前記接続孔の内側面に前記バリアメタル層を介してサイドウォールを形成する工程と、
パッド開孔部の下に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部を除去する工程と、
前記除去する工程により露出した絶縁膜上、前記バリアメタル層上及び前記接続孔内に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜及び前記バリアメタル層をパターニングすることにより、前記絶縁膜上にボンディングパッド部を形成する工程と、
前記ボンディングパッド部及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部を形成する工程と、
を具備する。
前記絶縁膜に、前記配線上に位置する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にバリアメタル層を形成する工程と、
前記バリアメタル層上及び前記接続孔内に金属膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に存在する前記金属膜を除去することにより、前記接続孔内に金属プラグを形成する工程と、
パッド開孔部の下に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部を除去する工程と、 前記除去する工程により露出した絶縁膜、前記バリアメタル層及び前記金属プラグの上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜及び前記バリアメタル層をパターニングすることにより、前記絶縁膜上にボンディングパッド部を形成する工程と、
前記ボンディングパッド部及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記ボンディングパッド部上に位置し且つ前記金属プラグ上に位置しないパッド開孔部を形成する工程と、
を具備する。
配線上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記配線上に位置する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にバリアメタル層を形成する工程と、
前記バリアメタル層上及び前記接続孔内に金属膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に存在する前記金属膜と前記バリアメタル膜を除去することにより、前記接続孔内に金属プラグを形成する工程と、
前記除去する工程により露出した絶縁膜上及び前記金属プラグの上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングすることにより、前記絶縁膜上にボンディングパッド部を形成する工程と、
前記ボンディングパッド部および前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に前記ボンデイングパッド部上に位置するパッド開孔部を形成する工程と、
を具備する。
配線上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記配線上に位置する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にバリアメタル層を形成する工程と、
前記接続孔の内側面に前記バリアメタル層を介してサイドウォールを形成する工程と、
前記絶縁膜上に存在する前記バリアメタル層を除去する工程と、
前記除去する工程により露出した絶縁膜上及び前記接続孔内に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングすることにより、前記絶縁膜上にボンディングパッド部を形成する工程と、
前記ボンディングパッド部および前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部を形成する工程と、
を具備する。
配線上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記配線上に位置する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にバリアメタル層を形成する工程と、
前記バリアメタル層上及び前記接続孔内に金属膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に存在する前記バリアメタル層を除去する工程と、
前記除去する工程により露出した絶縁膜上及び前記金属プラグの上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングすることにより、前記絶縁膜上にボンデイングパッド部を形成する工程と、
前記ボンディングパッド部および前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に前記ボンデイングパッド部上に位置し且つ前記金属プラグ上に位置しないパッド開孔部を形成する工程と、
を具備する。
また、本実施の形態では、ビアホールの内側面にW膜からなるサイドウォール21を形成しているため、ビアホール内に第2のAl合金膜15を埋め込む際、このサイドウォール21によりAl合金膜の流動性が良くなり、第2のAl合金膜をボイドが発生することなく埋め込むことができる。従って、ビアホール内のボイド等による接続抵抗の増加や接続不良が発生することを抑制できる。
また、本実施の形態では、Wプラグ9上にパッド開孔部を形成せずに、Wプラグ上の隣又は近傍に配置しているため、ボンディングパッド部17aの上面又は下面の面積を第1の実施の形態に比べて大きくとることができる。このため、ボンディングパッド部17aと層間絶縁膜8との密着力を向上させることができる。従って、ボンディング接続した際、ボンディングパッド部のパッド剥がれを抑制することができる。
図10(A)に示すようにバリアメタル層14及びビアホール(接続孔)内にW膜9aをCVD法により堆積する。
この後、図11(D)に示すように、第2のAl配線層127b及びボンディングパッド部127aをパターニングにより形成する。
Claims (14)
- 絶縁膜上に形成されたボンディングパッド部と、
前記ボンディングパッド部及び前記絶縁膜の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成された、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部と、
を具備し、
前記ボンディングパッド部は、バリアメタル層と、該バリアメタル層上に形成された導電膜と、を有しており、
前記パッド開孔部の下に位置し且つ前記絶縁膜と前記導電膜との間に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部が除去されている半導体装置。 - 配線上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された、前記配線上に位置する接続孔と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上に形成されたバリアメタル層と、
前記接続孔内のバリアメタル層上に形成された金属プラグと、
前記金属プラグ及び前記バリアメタル層の上に形成されたボンディングパッド部と、
前記ボンディングパッド部及び前記絶縁膜の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成された、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部と、
を具備し、
前記ボンディングパッド部は、バリアメタル層と、該バリアメタル層上に形成された導電膜と、を有しており、
前記パッド開孔部の下に位置し且つ前記絶縁膜と前記導電膜との間に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部が除去されている半導体装置。 - 前記パッド開孔部は前記金属プラグ上に位置していない請求項2に記載の半導体装置。
- 配線上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された、前記配線上に位置する接続孔と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上に形成されたバリアメタル層と、
前記接続孔の内側面に前記バリアメタル層を介して形成されたサイドウォールと、
前記サイドウォール上、前記接続孔内及び前記バリアメタル層上に形成されたボンディングパッド部と、
前記ボンディングパッド部及び前記絶縁膜の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成された、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部と、
を具備し、
前記ボンディングパッド部は、前記バリアメタル層と、該バリアメタル層上に形成された導電膜と、を有し、前記接続孔内に埋め込まれた導電膜、サイドウォール及びバリアメタル層を介して前記配線に電気的に接続されており、
前記パッド開孔部の下に位置し且つ前記絶縁膜と前記導電膜との間に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部が除去されている半導体装置。 - 前記バリアメタル層は、Ti膜と、該Ti膜上に形成されたTiN膜と、を有するものである請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜はSiを含む材料からなる膜である請求項1〜5のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
- 絶縁膜上にバリアメタル層を形成する工程と、
パッド開孔部の下に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部を除去する工程と、 前記除去する工程により露出した絶縁膜及び前記バリアメタル層の上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜及び前記バリアメタル層をパターニングすることにより、前記絶縁膜上にボンディングパッド部を形成する工程と、
前記ボンディングパッド部及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部を形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 配線上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記配線上に位置する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にバリアメタル層を形成する工程と、
前記バリアメタル層上及び前記接続孔内に金属膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に存在する前記金属膜を除去することにより、前記接続孔内に金属プラグを形成する工程と、
パッド開孔部の下に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部を除去する工程と、
前記除去する工程により露出した絶縁膜、前記バリアメタル層及び前記金属プラグの上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜及び前記バリアメタル層をパターニングすることにより、前記絶縁膜上にボンディングパッド部を形成する工程と、
前記ボンディングパッド部及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部を形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 配線上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記配線上に位置する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にバリアメタル層を形成する工程と、
前記接続孔の内側面に前記バリアメタル層を介してサイドウォールを形成する工程と、
パッド開孔部の下に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部を除去する工程と、
前記除去する工程により露出した絶縁膜上、前記バリアメタル層上及び前記接続孔内に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜及び前記バリアメタル層をパターニングすることにより、前記絶縁膜上にボンディングパッド部を形成する工程と、
前記ボンディングパッド部及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部を形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 配線上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記配線上に位置する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にバリアメタル層を形成する工程と、
前記バリアメタル層上及び前記接続孔内に金属膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に存在する前記金属膜を除去することにより、前記接続孔内に金属プラグを形成する工程と、
パッド開孔部の下に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部を除去する工程と、 前記除去する工程により露出した絶縁膜、前記バリアメタル層及び前記金属プラグの上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜及び前記バリアメタル層をパターニングすることにより、前記絶縁膜上にボンディングパッド部を形成する工程と、
前記ボンディングパッド部及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記ボンディングパッド部上に位置し且つ前記金属プラグ上に位置しないパッド開孔部を形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 配線上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記配線上に位置する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にバリアメタル層を形成する工程と、
前記バリアメタル層上及び前記接続孔内に金属膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に存在する前記金属膜と前記バリアメタル膜を除去することにより、前記接続孔内に金属プラグを形成する工程と、
前記除去する工程により露出した絶縁膜上及び前記金属プラグの上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングすることにより、前記絶縁膜上にボンディングパッド部を形成する工程と、
前記ボンディングパッド部および前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に前記ボンデイングパッド部上に位置するパッド開孔部を形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 配線上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記配線上に位置する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にバリアメタル層を形成する工程と、
前記接続孔の内側面に前記バリアメタル層を介してサイドウォールを形成する工程と、
前記絶縁膜上に存在する前記バリアメタル層を除去する工程と、
前記除去する工程により露出した絶縁膜上及び前記接続孔内に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングすることにより、前記絶縁膜上にボンディングパッド部を形成する工程と、
前記ボンディングパッド部および前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部を形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 配線上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記配線上に位置する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にバリアメタル層を形成する工程と、
前記バリアメタル層上及び前記接続孔内に金属膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に存在する前記バリアメタル層を除去する工程と、
前記除去する工程により露出した絶縁膜上及び前記金属プラグの上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングすることにより、前記絶縁膜上にボンデイングパッド部を形成する工程と、
前記ボンディングパッド部および前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に前記ボンデイングパッド部上に位置し且つ前記金属プラグ上に位置しないパッド開孔部を形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記導電膜の最下層は、Ti膜ではない請求項11〜13のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007140060A JP2007227970A (ja) | 2003-02-28 | 2007-05-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003054002 | 2003-02-28 | ||
JP2007140060A JP2007227970A (ja) | 2003-02-28 | 2007-05-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004023936A Division JP4001115B2 (ja) | 2003-02-28 | 2004-01-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007227970A true JP2007227970A (ja) | 2007-09-06 |
Family
ID=38549383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007140060A Withdrawn JP2007227970A (ja) | 2003-02-28 | 2007-05-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007227970A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018037434A (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP7387338B2 (ja) | 2019-08-30 | 2023-11-28 | キヤノン株式会社 | 電気接続部付き基板の製造方法及び液体吐出ヘッド用基板の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05299467A (ja) * | 1992-02-17 | 1993-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | ボンディングパッドを備えた半導体装置およびその製造方法 |
JPH08191104A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JPH08293521A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH10303196A (ja) * | 1997-04-24 | 1998-11-13 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004282034A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-10-07 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-05-28 JP JP2007140060A patent/JP2007227970A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05299467A (ja) * | 1992-02-17 | 1993-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | ボンディングパッドを備えた半導体装置およびその製造方法 |
JPH08191104A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JPH08293521A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH10303196A (ja) * | 1997-04-24 | 1998-11-13 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004282034A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-10-07 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018037434A (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN107799500A (zh) * | 2016-08-29 | 2018-03-13 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体装置以及制造该半导体装置的方法 |
US11594489B2 (en) | 2016-08-29 | 2023-02-28 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
CN107799500B (zh) * | 2016-08-29 | 2023-08-18 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体装置以及制造该半导体装置的方法 |
JP7387338B2 (ja) | 2019-08-30 | 2023-11-28 | キヤノン株式会社 | 電気接続部付き基板の製造方法及び液体吐出ヘッド用基板の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008294335A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8633107B2 (en) | Method of producing a semiconductor device and semiconductor device having a through-wafer interconnect | |
JP2009188250A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4001115B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006287211A (ja) | 半導体装置、積層半導体装置およびそれらの製造方法 | |
KR100691051B1 (ko) | 반도체 디바이스 및 본드 패드 형성 프로세스 | |
JP2006041552A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2002222811A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4248355B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2007227970A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2004247522A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2002367956A (ja) | 半導体装置の電極パッド及びその製造方法 | |
JP2007281289A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
JP2006228977A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2006203025A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3719672B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007027234A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2010192481A (ja) | 半導体基板と半導体パッケージおよび半導体基板の製造方法 | |
JP2007073808A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JPH11251433A (ja) | 半導体装置およびその製法 | |
JP2005019696A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4483116B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008041783A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009033209A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2003309120A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070626 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070626 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20101201 |