JP2009030165A - 円筒形スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ITOまたはAZOからなる円筒形ターゲット材1の相対密度が90%以上であり、外周面の研削方向2と円筒軸に平行な直線3とのなす角度(前記角度のうち、0°以上90°以下のものを示すθとする)が、45°<θ≦90°またはtanθ>πR/L(Rは円筒形ターゲット材1の外径、Lは円筒形ターゲット材1の長さ)であり、かつ、前記円筒形ターゲット材1の外周面の表面粗さRaが3μm以下である円筒形スパッタリングターゲット。
【選択図】図1
Description
外径152mmφ、内径128mmφ、長さ202mm、アルキメデス法での測定による相対密度が99.5%の円筒形ITOターゲット材1個と、外径128mmφ、内径122mmφ、長さ400mmのSUS304製円筒形バッキングチューブ1個を用意した。円筒形ITOターゲット材は外径150mmφ、内径130mmφ、長さ200mmとなるように加工し、その際外周面に関しては、最終的に円筒形ターゲット材の外周面の研削方向と、円筒軸に平行な直線とのなす角度θ1、θ2が89°(tanθ2=57.3>πR/L=2.4)となるように、円筒形ターゲット材の回転速度と研削工具の送り速度を調整し、旋盤で研削した。研削後の表面粗さRaは1.2μmであった。この円筒形ITOターゲット材を円筒形バッキングチューブにインジウム半田を用いて接合し、円筒形ITOスパッタリングターゲットを得た。
円筒形ターゲット材の外周面の研削方向と円筒軸に平行な直線とのなす角度θ1、θ2が90°(tanθ2=∞>πR/L=2.4)となるように旋盤で研削し、更に外周面をサンドペーパー(#800)でθ1が90°となるように研削を施した以外は実施例1と同様にして、円筒形ITOスパッタリングターゲットを作製した。この表面粗さRaは0.1μmであった。この円筒形ITOスパッタリングターゲットの放電評価を実施例1と同様に行った結果、割れは認められなかった。
円筒形ターゲット材の相対密度が90.2%であること以外は実施例2と同様にし、円筒形ITOスパッタリングターゲットを作製した。この表面粗さRaは0.7μmであった。この円筒形ITOスパッタリングターゲットの放電評価を実施例1と同様に行った結果、割れは認められなかった。
相対密度が99.2%の円筒形AZOターゲット材を用いたこと以外は実施例1と同様にして、円筒形AZOスパッタリングターゲットを作製した。この表面粗さRaは1.3μmであった。この円筒形AZOスパッタリングターゲットの放電評価を実施例1と同様に行った結果、割れは認められなかった。
円筒形ITOターゲット材の外周面を、円筒軸に平行な方向に研削して、即ち円筒形ターゲット材の外周面の研削方向と円筒軸に平行な直線とのなす角度θ1、θ2が0°(tanθ2=0<πR/L=2.4)となるようにマシニングセンターを用いて研削したこと以外は実施例1と同様にして、円筒形ITOスパッタリングターゲットを作製した。この円筒形ITOスパッタリングターゲットの放電評価を実施例1と同様に行った結果、割れが発生した。
サンドペーパーを#60とすること以外は実施例2と同様にして円筒形ITOスパッタリングターゲットを作製した。表面粗さRaは3.1μmであった。この円筒形ITOスパッタリングターゲットの放電評価を実施例1と同様に行った結果、割れが発生した。
円筒形ITOターゲット材の外周面を、円筒形ターゲット材の外周面の研削方向と円筒軸に平行な直線とのなす角度θ1、θ2が90°(tanθ2=∞>πR/L=2.4)となるように円筒研削盤を用いて研削し、その後、円筒形ターゲット材の外周面の研削方向と円筒軸に平行な直線とのなす角度θ1、θ2が0°(tanθ2=0<πR/L=2.4)となるようにマシニングセンターを用いて研削したこと以外は実施例1と同様にして、円筒形ITOスパッタリングターゲットを作製した。このとき最終的に残った研削痕は、円筒形ターゲット材の外周面の研削方向と円筒軸に平行な直線とのなす角度θ1、θ2が0°(tanθ2=0<πR/L=2.4)のもののみであった。この円筒形ITOスパッタリングターゲットの放電評価を実施例1と同様に行った結果、割れが発生した。
2.研削方向
3.円筒軸に平行な直線
4.円筒形ターゲット材
5.研削方向
6.円筒軸に平行な直線
7.円筒形ターゲット材の外径R
8.円筒形ターゲット材の長さL
Claims (4)
- セラミックス材料からなる円筒形ターゲット材の外周面の研削方向と円筒軸に平行な直線とのなす角度θ1(前記角度のうち、0°以上90°以下のものをθ1とする)が、45°<θ1≦90°であり、かつ、前記円筒形ターゲット材の外周面の表面粗さRaが3μm以下であることを特徴とする、円筒形スパッタリングターゲット。
- セラミックス材料からなる円筒形ターゲット材の外周面の研削方向と円筒軸に平行な直線とのなす角度θ2(前記角度のうち、0°以上90°以下のものをθ2とする)が、tanθ2>πR/L(Rは円筒形ターゲット材の外径、Lは円筒形ターゲット材の長さ)であり、かつ、前記円筒形ターゲット材の外周面の表面粗さRaが3μm以下であることを特徴とする、円筒形スパッタリングターゲット。
- 円筒形ターゲット材がITOまたはAZOからなることを特徴とする、請求項1又は2に記載の円筒形スパッタリングターゲット。
- ITOまたはAZOからなる円筒形ターゲット材の相対密度が90%以上であることを特徴とする、請求項3に記載の円筒形スパッタリングターゲット。
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