JP2016176148A - 円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】作製中の割れの発生をさらに抑制し得る円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法は、外周面研削工程と、内周面研削工程と、仕上研削工程と、を含む。外周面研削工程では、セラミックス製のスパッタリングターゲット材の外周面を研削する。内周面研削工程では、スパッタリングターゲット材の内周面を研削する。仕上研削工程では、外周面研削工程および内周面研削工程の少なくとも一方において、２以上の研削方向で研削する。
【選択図】図５
【解決手段】実施形態に係る円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法は、外周面研削工程と、内周面研削工程と、仕上研削工程と、を含む。外周面研削工程では、セラミックス製のスパッタリングターゲット材の外周面を研削する。内周面研削工程では、スパッタリングターゲット材の内周面を研削する。仕上研削工程では、外周面研削工程および内周面研削工程の少なくとも一方において、２以上の研削方向で研削する。
【選択図】図５
Description
開示の実施形態は、円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法に関する。
円筒形のターゲット材の内側に磁場発生装置を有し、このターゲット材を内側から冷却しつつ、さらにこのターゲット材を回転させながらスパッタリングを行うマグネトロン型回転カソードスパッタリング装置が知られている。このようなスパッタリング装置では、ターゲット材の外周表面の全面がエロージョンとなり均一に削られる。このため、従来の平板型マグネトロンスパッタリング装置では使用効率が２０〜３０％であるのに対し、マグネトロン型回転カソードスパッタリング装置では７０％以上の格段に高い使用効率が得られる。
また、マグネトロン型回転カソードスパッタリング装置では、ターゲット材を回転させながらスパッタリングを行うことにより、平板型マグネトロンスパッタリング装置に比べて単位面積当たりに大きなパワーを投入できることから、高い成膜速度が得られる。
このような回転カソードスパッタリング方式は、円筒形状への加工が容易で機械的強度が強い金属製のターゲット材で広く普及している。これに対し、セラミックス製のターゲット材は、金属製のターゲット材に比べて機械的強度が低くて脆いという特性を有している。
さらに、セラミックス材料の熱膨張係数は、円筒形バッキングチューブとして使用される金属材料の熱膨張係数よりも小さいので、スパッタ中に円筒形ターゲット材とバッキングチューブとの熱膨張量の違いに起因してターゲット材に割れが発生しやすくなる。このため、セラミックス製の円筒形ターゲット材に関しては、これらの課題を克服する対策が検討されてきた（例えば、特許文献１、２参照）。
しかしながら、上記した従来技術では依然として、割れに十分に強いターゲット材が得られておらず、さらなる改善の余地がある。
実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、作製中の割れの発生をさらに抑制し得る円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法を提供することを目的とする。
実施形態に係る円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法は、外周面研削工程と、内周面研削工程と、仕上研削工程と、を含む。外周面研削工程では、セラミックス製のスパッタリングターゲット材の外周面を研削する。内周面研削工程では、前記スパッタリングターゲット材の内周面を研削する。仕上研削工程では、前記外周面研削工程および前記内周面研削工程の少なくとも一方において、２以上の研削方向で研削する。
実施形態の一態様によれば、作製中の割れの発生をさらに抑制し得る円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
まず、実施形態に係る円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法により作製された円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材を適用し得る円筒形スパッタリングターゲットについて、図１Ａ、図１Ｂを用いて説明する。
図１Ａは、円筒形スパッタリングターゲットの構成の概要を示す模式図であり、図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ’断面図である。なお、説明を分かりやすくするために、図１Ａおよび図１Ｂには、鉛直上向きを正方向とし、鉛直下向きを負方向とするＺ軸を含む３次元の直交座標系を図示している。かかる直交座標系は、後述の説明に用いる他の図面でも示す場合がある。
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、円筒形スパッタリングターゲット（以下、「円筒形ターゲット」と称する）１は、セラミック製の円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材（以下、「円筒形ターゲット材」と称する）２と、バッキングチューブ３とを備える。円筒形ターゲット材２およびバッキングチューブ３は、接合材４により接合される。
ここで、円筒形ターゲット材２は、円筒形状に加工されたセラミックス製材料で構成されており、後述する製造方法により作製される。かかる円筒形ターゲット材２を作製することができるセラミックス製材料としては、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）、ＩＧＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３−ＺｎＯ）およびＡＺＯ（Ａｌ２Ｏ３−ＺｎＯ）などを例示することができるが、これらに限定されない。
また、バッキングチューブ３としては、従来使用されているものを適宜選択して使用することができる。たとえば、ステンレス、チタン、チタン合金等を適用することができるが、これらに限定されない。
また、接合材４としては、従来使用されているものを適宜選択して使用することができる。たとえば、インジウムやインジウム−スズ合金等が挙げられるが、これらに限定されない。
なお、上記では、円筒形ターゲット１は、１つのバッキングチューブ３の外側に、１つの円筒形ターゲット材２が接合された例について説明したが、これに限定されない。たとえば、１または２以上のバッキングチューブ３の外側に２以上の円筒形ターゲット材２を同一軸線上に並べて接合されたものを円筒形ターゲット１として使用してもよい。
次に、セラミックス製の円筒形ターゲット材２の製造方法の一例について説明する。円筒形ターゲット材２は、セラミックス原料粉末および有機添加物を含有するスラリーを造粒し、顆粒体を作製する造粒工程と、この顆粒体を成形し、円筒形の成形体を作製する成形工程と、この成形体を焼成して焼成体を作製する焼成工程とを経て作製される。なお、焼成体の作製方法は、上記したものに限定されず、いかなる方法であってもよい。
上記した焼成工程において得られる焼成体は、円筒形ターゲット材２として予め設計された寸法よりも長さおよび外径は大きく、また内径は小さくなるように作製される。そして、焼成体の長さ方向についてはたとえば切断により、外径および内径については研削により、それぞれ設計された寸法となるように加工される。
また、実施形態に係る円筒形ターゲット材２の製造方法は、外周面研削工程と、内周面研削工程と、仕上研削工程と、端面加工工程と、をさらに含む。かかる各工程により、焼成体の外径、内径および長さが、予め設計された寸法に加工される。以下では、まず、外周面研削工程および内周面研削工程の一例について、図２Ａ、図２Ｂを用いて順に説明する。
図２Ａ、図２Ｂは、実施形態に係る円筒形ターゲット材２の製造方法のうち、特に研削工程の概要を示す説明図である。まず、外周面研削工程について以下に説明する。
外周面研削工程は、円筒形ターゲット材２を製造するためのセラミックス製の焼成体（ターゲット材）１２の外周面を研削して外径を予め定められた寸法に調整する工程である。図２Ａ、図２Ｂに示すように、焼成体１２は、円筒軸（図示せず）を回転軸として回転可能に支持される。また、外周面１２ａを研削するための砥石５ａが、焼成体１２の外周面１２ａに向かい合うように配置されている。
砥石５ａは、焼成体１２の円筒軸と平行となるように配置されたシャフト５ｂを回転軸として回転しつつ、このシャフト５ｂに対して平行、すなわち、焼成体１２の円筒軸に平行な方向への進退移動が可能となるように構成される。なお、以下の説明では、便宜上、砥石５ａが、焼成体１２の端部ｅ１側から端部ｅ２側に向かって移動することを「前進」、端部ｅ２側から端部ｅ１側に向かって移動することを「後退」と規定する。
このような構成において、円筒軸を回転軸としてある一定の速度で回転する焼成体１２の外周面１２ａに対し、砥石５ａによる焼成体１２の外周面１２ａの研削は、次のようにして行われる。すなわち、シャフト５ｂを回転軸として高速回転する砥石５ａを焼成体１２側に移動させて、焼成体１２の円筒軸との距離が狭くなるように調整すると、調整された砥石５ａの配置に応じて焼成体１２の外周面１２ａ側がある定められた厚み（深さ）だけ研削される。このとき研削される焼成体１２の厚みを、切り込み量（または切り込み深さ）という。
ところで、円筒形ターゲット材２となる焼成体１２の外周面１２ａを研削する手法として、トラバース研削およびプランジ研削の２つの方式がある。以下ではまず、トラバース研削について、図３Ａ〜図４Ｂを用いて説明する。
図３Ａは、トラバース研削の一例を示す説明図である。なお、図３Ａにおける焼成体１２および砥石５ａの配置や回転方向については、図２Ａおよび図２Ｂと同様である。
トラバース研削とは、焼成体１２の円筒軸と平行な方向に砥石５ａを移動させながら研削する方式である。図３Ａに示すように、焼成体１２に対する切り込み量を一定にして砥石５ａを前進移動させると、円筒軸を回転軸として回転する焼成体１２の外周面１２ａは、焼成体１２の回転および砥石５ａの前進移動に対応して研削される。
このとき、焼成体１２の外周面１２ａに、砥石５ａによる焼成体１２の研削に伴う研削スジｄが残される。この研削スジｄは、砥石５ａによる研削方向を示す痕跡であるとみなすことができる。すなわち、焼成体１２の回転速度および砥石５ａの前進移動の速度をそれぞれ一定にして研削を行うと、焼成体１２の外周面１２ａに研削スジｄとして残される研削方向は直線状となる。以下に、この点について図３Ｂを用いてさらに説明する。
図３Ｂは、図３Ａに示す領域６を拡大視した図である。図３Ｂに示すように、焼成体１２の外周面１２ａの一部である領域６を拡大視すると、研削スジｄは、円筒軸に平行な直線Ｌ１と垂直な直線Ｌ２に対し、プラスの角度θ１（ただし、０°＜θ１＜９０°）を有する。ここで「プラスの角度」とは、図３Ｂに示すように、領域６において、円筒軸に平行な直線Ｌ１を横軸とし、この直線Ｌ１と研削スジｄとの交点Ｐを通り、直線Ｌ１に垂直な直線Ｌ２を縦軸とする平面を規定したときに、研削スジｄが右回り（時計回り）の傾きを有することをいう。これに対し、円筒軸に平行な直線Ｌ１と垂直な直線Ｌ２に対して研削スジｄが「マイナスの角度」、すなわち左回り（反時計回り）を有するように形成させることもできる。かかる場合の一例について、図４Ａ、図４Ｂを用いて以下に説明する。
図４Ａは、トラバース研削の別の一例を示す説明図であり、図４Ｂは、図４Ａに示す領域６を拡大視した図である。図４Ａ、図４Ｂの構成は、砥石５ａを後退移動させたことを除き、図３Ａおよび図３Ｂと同じ構成を有している。
図４Ａに示すように、砥石５ａを後退移動させながら焼成体１２の外周面１２ａを研削させると、焼成体１２の回転および砥石５ａの後退移動に対応して研削される。このとき、焼成体１２の回転速度および砥石５ａの後退移動の速度をそれぞれ一定にして研削を行うと、円筒軸に平行な直線Ｌ１に垂直な直線Ｌ２に対し研削スジｄのなす角がマイナスの角度θ１（ただし、−９０°＜θ１＜０°）となる。
このように、トラバース研削では、焼成体１２を一定の方向および速度で回転させた場合であっても、砥石５ａの進退移動の方向および／または速度を変更することにより、円筒軸に平行な直線Ｌ１に垂直な直線Ｌ２と研削スジｄとのなす角を変更させることができる。
次に、プランジ研削について説明する。プランジ研削とは、砥石５ａの進退移動を行わずに切り込み方向の運動だけを与えて研削する手法である。この手法では、焼成体１２の外表面１２ａは、円筒軸と平行な直線Ｌ１とのなす角度が９０°、すなわち、直線Ｌ１に垂直な直線Ｌ２に平行な研削方向で研削される。
図２Ｂに戻り、内周面研削工程について説明する。内周面研削工程は、焼成体１２の内周面１２ｂを研削する工程である。図２Ｂに示すように、焼成体１２の内周面１２ｂ側には、内周面１２ｂを研削するための砥石６ａが配置されている。
砥石６ａは、焼成体１２の円筒軸と平行となるように配置されたシャフト６ｂを回転軸として回転しつつ、このシャフト６ｂに対して平行、すなわち、焼成体１２の円筒軸に平行な方向への進退移動が可能となるように構成される。なお、以下の説明では、上記した砥石５ａの説明と同様に、砥石６ａが、焼成体１２の端部ｅ１側から端部ｅ２側に向かって移動することを「前進」、端部ｅ２側から端部ｅ１側に向かって移動することを「後退」と規定する。
このような構成を有する砥石６ａによって研削された焼成体１２の内周面１２ｂには、砥石６ａによる研削方向に対応して、砥石５ａにより焼成体１２の外周面１２ａに形成されるものと同様の研削スジｄが形成される。すなわち、砥石６ａの切り込み量を一定にして焼成体１２の円筒軸に平行な方向へ進退移動させると、焼成体１２の内周面１２ｂは、焼成体１２の回転および砥石６ａの進退移動に対応してトラバース研削され、内周面１２ｂに研削スジｄが形成される。
一方、砥石６ａの進退移動を行わずに切り込み方向の運動だけを与えてプランジ研削を行うと、焼成体１２の内表面１２ｂは、円筒軸と平行な直線Ｌ１とのなす角度が９０°となるように研削される。
このように、焼成体１２は、外周面１２ａが砥石５ａにより、内周面１２ｂが砥石６ａにより、それぞれ設定された切り込み量や研削方向に応じて研削される。なお、焼成体１２を研削する研削装置としては、たとえば砥石５ａおよび６ａの両方を配置させた１つの研削盤を使用してもよく、また、たとえば砥石５ａを配置した円筒研削盤と、砥石６ａを配置した内面研削盤とを、それぞれ別々に使用してもよい。
ここで、焼成体１２の回転速度は、焼成体１２の強度および大きさに応じて設定することができ、たとえば１０ｒｐｍ〜１５０ｒｐｍとすることができる。焼成体１２の回転速度が１０ｒｐｍ以下だと、研削時間が長くなり、また、焼成体１２の回転速度が１５０ｒｐｍを超えると、焼成体１２への負荷が大きくなり、たとえば研削中に焼成体１２が割れ易くなることがある。
また、砥石５ａ，６ａの移動速度はそれぞれ、たとえば、３０００ｍｍ／ｍｉｎ以下とすることが好ましく、トラバース研削の場合は、たとえば、１ｍｍ／ｍｉｎ以上３０００ｍｍ／ｍｉｎ以下とすることが好ましい。砥石５ａ，６ａの移動速度が３０００ｍｍ／ｍｉｎを超えると、砥石５ａ，６ａによる焼成体１２の切り込み深さによっては砥石５ａ，６ａへの負荷が大きくなり、砥石が欠けやすくなる。
また、上記では、砥石５ａ，６ａはいずれも、焼成体１２の円筒軸方向へ進退可能な構成として説明したが、焼成体１２に対して砥石５ａ，６ａが相対的に進退可能な構成であればよく、たとえば焼成体１２が円筒軸方向に進退可能な構成であってもよい。さらに、焼成体１２および砥石５ａ，６ａの両方が円筒軸方向に進退可能な構成としてもよい。
次に、仕上研削工程について説明する。仕上研削工程とは、焼成体１２の外周面１２ａおよび内周面１２ｂの各研削工程の最後に行われる、焼成体１２の外周面１２ａおよび内周面１２ｂを研削する工程をいう。実施形態に係る研削処理工程では、焼成体１２の外周面１２ａおよび内周面１２ｂは、２以上の研削方向で研削される。この点について、図５を用いて以下に説明する。
図５は、実施形態１に係る円筒形ターゲット材２の製造方法の概要を示す説明図であり、図３Ａ、図４Ａに示す領域６で示される焼成体１２の外周面１２ａを拡大視したものに相当する。図５中、ラインｄ２は、仕上研削工程における最後の研削で焼成体１２の外周面１２ａに形成された研削スジｄを示している。また、ラインｄ１は、ラインｄ２の研削スジｄが形成される研削の直前の仕上研削で焼成体１２の外周面１２ａに形成された研削スジｄを示している。
図５に示すように、焼成体１２の外周面１２ａは、ラインｄ１，ｄ２の２つの研削方向で研削されている。このため、仕上工程において焼成体１２が同じ研削方向のみで研削されて得られた円筒形ターゲット材２と比較して円筒形ターゲット１作製時における割れの発生が抑制される。この理由については、概ね次のようなものであると考えられる。
すなわち、セラミック製の円筒形ターゲット材２の外周面１２ａには、繰り返し行われる研削によりダメージが蓄積する。このとき、特に仕上研削工程において同じ研削方向となるように研削が繰り返されると、特定の方向に研削ダメージが蓄積し、円筒形ターゲット材２の表面が脆くなってしまうため、円筒形ターゲット材２が割れ易くなる。これに対し、実施形態に係る円筒形ターゲット材２の製造方法では、仕上研削工程における研削方向を２以上とすることで、研削ダメージが分散されるため、特定方向に沿った割れの発生を抑制することができる。
ここで、「仕上研削工程」とは、作製された円筒形ターゲット材２の強度に影響が及ぶ程度の、円筒形ターゲット材２の表面にごく近い部分を研削する工程をいう。具体的には、たとえば、焼成体１２の外周面１２ａのうち、最後の２０μｍ以下の研削のことをいう。すなわち、少なくとも最後の２０μｍの研削を２つの研削方向となるように焼成体１２の外周面１２ａを研削することにより、円筒形ターゲット材２の割れの発生を抑制することができる。
図５に示すように、第１の研削スジｄであるラインｄ１は、円筒形ターゲット材２の円筒軸に平行な直線Ｌ１と垂直な直線Ｌ２に対し、プラスの角度θ１を有するように形成されている。また、第２の研削スジｄであるラインｄ２は、円筒形ターゲット材２の円筒軸に平行な直線Ｌ１と垂直な直線Ｌ２に対し、マイナスの角度θ２（ただし、−９０°＜θ２＜０°）を有するように形成されている。
ここで、ラインｄ１を研削スジｄとする研削方向への仕上研削は、たとえば、砥石５ａを前進移動させるトラバース研削により行うことができる（図３Ａ、図３Ｂ参照）。また、ラインｄ２を研削スジｄとする研削方向への仕上研削は、たとえば、砥石５ａを後退移動させるトラバース研削により行うことができる（図４Ａ、図４Ｂ参照）。すなわち、砥石５ａを円筒軸と平行な方向へ進退移動させ、その両方向で仕上研削を行うことにより実現することができる。
図５の場合、ラインｄ１およびｄ２が交差する角度θ３（ただし、０°＜θ３＜１８０°）は、θ３＝｜θ１−θ２｜と表すことができる。ラインｄ１およびｄ２が交差する角度θ３は、少なくとも０でないことが要求されるが、好ましくは０．３°≦θ３≦１５°であり、より好ましくは０．３°≦θ３≦６°である。角度θ３が０．３°未満だと、円筒形ターゲット材２の割れの発生を抑制する効果が明確でない場合がある。また、角度θ３が１５°を超えると、そもそも作製が困難であり、焼成体１２の研削時に外周面１２ａに傷や欠損が生じ易くなる。なお、前述の角度θ１およびθ２は、焼成体１２の研削時における砥石５ａの移動速度や焼成体１２の回転速度、また円筒形ターゲット材２の外径、内径の寸法等から算出することができる。
また、上記した仕上研削工程後の外周面１２ａの表面粗度Ｒａは、１．５μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１μｍ以上１．５μｍ以下である。外周面１２ａの表面粗度Ｒａが１．５μｍを超えると、円筒形ターゲット１の作製中に割れが発生し易くなることがある。ここで、表面粗度Ｒａとは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３の「算術平均粗さＲａ」に相当する値である。なお、表面粗度Ｒａは、仕上研削に用いる砥石５ａの番手を変更することにより制御することができる。
ところで、上記した実施形態１では、砥石５ａを進退移動させる両方向で焼成体１２の外周面１２ａを仕上研削することで２つの研削方向で研削する例を示したが、別の方法で仕上研削をした場合であっても２つの研削方向で研削することができる。この点につき、図６を用いて以下に説明する。
図６は、実施形態２に係る円筒形ターゲット材２の製造方法の概要を示す説明図であり、図５と同様、図３Ａ、図４Ａに示す領域６で示される焼成体１２の外周面１２ａを拡大視したものに相当する。図６中、図５と共通するものには同じ符号を付し、その説明は省略する。
図６に示すように、ラインｄ１は、直線Ｌ２に対し、プラスの角度θ１を有するように形成されている。また、ラインｄ２は、直線Ｌ２に対し、θ１とは異なるプラスの角度θ２を有するように形成されている。
ラインｄ１およびラインｄ２を研削スジｄとする研削方向への仕上研削は、たとえば、砥石５ａを前進移動させるトラバース研削を、１パスごとに移動速度を異ならせて行うことにより実現することができる。図６の場合、ラインｄ１およびｄ２が交差する角度θ３は、図５の場合と同様に、θ３＝｜θ１−θ２｜と表すことができる。以下、この角度θ３を「研削スジｄの交差角度θ３」、または単に「交差角度θ３」とも称する。
このように、実施形態に係る円筒形ターゲット材２の製造方法では、２つの研削方向で外周面１２ａの仕上研削を行うことにより、円筒形ターゲット１作製時の割れの発生を抑制することができる。
最後に、端面加工工程について説明する。端面加工工程は、端面を加工して所定の長さの円筒形ターゲット材２を作製する工程である。端面の加工は、たとえば切断によるものであっても、切削または研削によるものであってもよい。また、切断または切削と研削とを組み合わせてもよく、加工方法に制限はない。
なお、上記した実施形態では、焼成体１２の外周面１２ａを２つの研削方向で仕上研削する例について説明したが、２以上の研削方向で仕上研削してもよい。かかる場合、最も交差角が大きくなった２本の研削スジｄがなす角を、図５および図６で説明したラインｄ１およびｄ２が交差する角度θ３に相当する研削方向のなす角として規定することができる。
また、上記した実施形態では、焼成体１２の外周面１２ａを仕上研削する例について説明したが、代わりに内周面１２ｂを仕上研削してもよく、また外周面１２ａおよび内周面１２ｂの双方について仕上研削してもよい。内周面１２ｂ側は、スパッタリングを行っても消耗しないため、円筒形ターゲット材２または円筒形ターゲット１の特に長期的な機械的強度に寄与すると考えられる。なお、内周面１２ｂの仕上研削は、図２Ｂに示す砥石５ａに代えて砥石６ａを用いることを除き、外周面１２ａの仕上研削と同様の方法により行うことができるため、詳細な説明は省略する。
また、上記した実施形態では、仕上研削における砥石５ａの移動を一定の速度で行う例について説明したが、途中で変更してもよい。
また、上記した実施形態では、仕上研削をトラバース研削により行う例について説明したが、プランジ研削を組み合わせてもよい。ただし、プランジ研削を適用する場合であっても、仕上工程にはトラバース研削を含めることが好ましい。
次に、実施形態に係る円筒形ターゲット材２を製造する方法について、図７を用いて詳細に説明する。図７は、実施形態に係る円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材２を製造する処理手順を示すフローチャートである。
図７に示すように、まず、ターゲット材１２の外周面１２ａを研削し（ステップＳ１１）、次いで、ターゲット材１２の内周面１２ｂを研削する（ステップＳ１２）。ターゲット材１２としては、セラミックス製の焼成体を使用することができる。
続いて、ターゲット材１２の内周面１２ｂを仕上研削し（ステップＳ１３）、次いで、ターゲット材１２の外周面１２ａを仕上研削する（ステップＳ１４）。最後に、ターゲット材１２の端面を端面加工する（ステップＳ１５）。
以上の各工程により、実施形態に係る一連の円筒形ターゲット材２の製造が終了する。なお、ステップＳ１１およびステップＳ１２は、順序を入れ替えてもよい。また、ステップＳ１３およびステップＳ１４は、順序を入れ替えてもよい。さらに、ステップＳ１３は、ステップＳ１２に含まれてもよく、同様に、ステップＳ１４は、ステップＳ１１に含まれてもよい。
［実施例１］
（ＩＴＯ円筒形ターゲット。内周面、外周面ともに往復トラバース仕上研削）
ＢＥＴ（Brunauer−Emmett−Teller）法により測定された比表面積（ＢＥＴ比表面積）が５ｍ２／ｇのＳｎＯ２粉末１０質量％と、ＢＥＴ比表面積が５ｍ２／ｇのＩｎ２Ｏ３粉末９０質量％とを配合し、ポット中でジルコニアボールによりボールミル混合して、原料粉末を調製した。
（ＩＴＯ円筒形ターゲット。内周面、外周面ともに往復トラバース仕上研削）
ＢＥＴ（Brunauer−Emmett−Teller）法により測定された比表面積（ＢＥＴ比表面積）が５ｍ２／ｇのＳｎＯ２粉末１０質量％と、ＢＥＴ比表面積が５ｍ２／ｇのＩｎ２Ｏ３粉末９０質量％とを配合し、ポット中でジルコニアボールによりボールミル混合して、原料粉末を調製した。
このポットに、上記原料粉末１００質量部に対し、０．３質量部のポリビニルアルコールと、０．２質量部のポリカルボン酸アンモニウムと、０．５質量部のポリエチレングリコールと、５０質量部の水とをそれぞれ加え、ボールミル混合してスラリーを調製した。次に、このスラリーをスプレードライ装置に供給し、アトマイズ回転数１４，０００ｒｐｍ、入口温度２００℃、出口温度８０℃の条件でスプレードライを行い、顆粒体を調製した。
この顆粒体を、外径１５０ｍｍの円柱状の中子（心棒）を有する内径２２０ｍｍ（肉厚１０ｍｍ）、長さ４５０ｍｍの円筒形状のウレタンゴム型にタッピングさせながら充填し、ゴム型を密閉後、８００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力でＣＩＰ（Cold Isostatic Pressing）成形して、略円筒形の成形体を作製した。
この成形体を６００℃で１０時間加熱して有機成分を除去した。昇温速度は、４００℃までの温度範囲では２０℃／ｈ、４００℃より高い温度範囲では５０℃／ｈとした。さらに、加熱した成形体を焼成して、焼成体１２を作製した。焼成は、酸素雰囲気中で、焼成温度１５５０℃、焼成時間１２時間、昇温速度３００℃／ｈの条件で行った。また、降温速度は１５５０℃から８００℃までを５０℃／ｈ、８００℃以降を３０℃／ｈとして行った。
次に、得られた焼成体１２を研削加工した。まず、プランジ研削により焼成体１２の外径が１５３．２ｍｍとなるまで外周面１２ａを加工した後、プランジ研削により焼成体１２の内径が１３４．８ｍｍとなるまで内周面１２ｂを加工した。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の内周面１２ｂの仕上研削を行った。砥石６ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃１７０のものを使用した。砥石６ａを端部ｅ１から端部ｅ２まで前進方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの円筒軸方向（前進方向）への移動速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度７０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
次いで、砥石６ａを端部ｅ２から端部ｅ１まで後退方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの円筒軸方向（後退方向）への移動速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度７０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石６ａを前進方向および後退方向に移動させる上記したトラバース研削を、焼成体１２の内径が１３５ｍｍとなるまで１パスずつ繰り返し行った後、切り込み量０で砥石６ａを前進方向および後退方向に移動させるスパークアウトを２パス（すなわち、１往復）行った。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の外周面１２ａの仕上研削を行った。砥石５ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃６００のものを使用した。砥石５ａを端部ｅ１から端部ｅ２まで前進方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの前進方向への移動速度１５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度２０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
次いで、砥石５ａを端部ｅ２から端部ｅ１まで後退方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの円筒軸方向への移動速度１５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度２０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石５ａを前進方向および後退方向に移動させるトラバース研削を、焼成体１２の外径が１５３ｍｍとなるまで１パスずつ繰り返し行った後、切り込み量０で砥石５ａを円筒軸方向に移動させるスパークアウトを２パス行った。最後に、焼成体１２の両端を切断して長さを３００ｍｍに加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。
上記した円筒形ターゲット材２を９本用意し、外径１３３ｍｍ、内径１２３ｍｍ、長さ３２００ｍｍのチタン製のバッキングチューブ３に、接合材４としてＩｎ半田を用いて９本の円筒形ターゲット材２をそれぞれ接合し、円筒形ターゲット１を作製した。各ターゲット材２間の間隔（分割部の長さ）は、０．５ｍｍとした。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向およびマイナス方向にそれぞれ１方向の研削スジｄが形成された。２本の研削スジｄの交差角度θ３は砥石の移動速度、焼成体１２の回転速度、円筒形ターゲット材２の寸法により算出した。内周面１２ｂのプラス方向を例にすると、焼成体１２が１回転する間に砥石６ａが４．３ｍｍ前進する。円筒形ターゲット材２の内周面１２ｂの内径は１３５ｍｍであるため、底辺が１３５ｍｍ、高さが４．３ｍｍの直角三角形から研削スジｄのプラス方向の角度θ１＝１．８°と算出することができる。同様にもう一方の角度θ２＝−１．８°を算出した。これらの結果から上記した交差角度θ３の算出式｜θ１−θ２｜に当てはめ、交差角度θ３＝３．６°が得られた。以下、交差角度θ３の算出方法は同様である。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、いずれも割れは認められなかった。結果を表１に示す。
［実施例２］
（ＩＧＺＯ円筒形ターゲット。内周面、外周面ともに往復トラバース仕上研削）
ＢＥＴ比表面積が４ｍ２／ｇのＺｎＯ粉末４４．２質量％と、ＢＥＴ比表面積が７ｍ２／ｇのＩｎ２Ｏ３粉末２５．９質量％と、ＢＥＴ比表面積が１０ｍ２／ｇのＧａ２Ｏ３粉末２９．９質量％とを配合し、ポット中でジルコニアボールによりボールミル混合して、原料粉末を調製した。
（ＩＧＺＯ円筒形ターゲット。内周面、外周面ともに往復トラバース仕上研削）
ＢＥＴ比表面積が４ｍ２／ｇのＺｎＯ粉末４４．２質量％と、ＢＥＴ比表面積が７ｍ２／ｇのＩｎ２Ｏ３粉末２５．９質量％と、ＢＥＴ比表面積が１０ｍ２／ｇのＧａ２Ｏ３粉末２９．９質量％とを配合し、ポット中でジルコニアボールによりボールミル混合して、原料粉末を調製した。
このポットに、上記原料粉末１００質量部に対し、０．３質量部のポリビニルアルコールと、０．４質量部のポリカルボン酸アンモニウムと、１．０質量部のポリエチレングリコールと、５０質量部の水とをそれぞれ加え、ボールミル混合してスラリーを調製した。
次いで、実施例１と同様の方法で顆粒体の調製、成形体の作製および成形体からの有機成分の除去を行った。さらに、焼成温度１４００℃、焼成時間１０時間、昇温速度３００℃／ｈ、降温速度５０℃／ｈの条件下で成形体の焼成を行い、焼成体１２を作製した。
そして、得られた焼成体１２の研削および切断による円筒形ターゲット材２の製造ならびに円筒形ターゲット材２とバッキングチューブ３との接合を実施例１と同様に行い、円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向およびマイナス方向にそれぞれ１方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、いずれも割れは認められなかった。結果を表１に示す。
［実施例３］
（ＡＺＯ円筒形ターゲット。内周面、外周面ともに往復トラバース仕上研削）
ＢＥＴ法比表面積が４ｍ２／ｇのＺｎＯ粉末９５質量％と、ＢＥＴ比表面積が５ｍ２／ｇのＡｌ２Ｏ３粉末５質量％とを配合し、ポット中でジルコニアボールによりボールミル混合してセラミックス原料粉末を調製した。
（ＡＺＯ円筒形ターゲット。内周面、外周面ともに往復トラバース仕上研削）
ＢＥＴ法比表面積が４ｍ２／ｇのＺｎＯ粉末９５質量％と、ＢＥＴ比表面積が５ｍ２／ｇのＡｌ２Ｏ３粉末５質量％とを配合し、ポット中でジルコニアボールによりボールミル混合してセラミックス原料粉末を調製した。
このポットに、上記原料粉末１００質量部に対し、０．３質量部のポリビニルアルコールと、０．４質量部のポリカルボン酸アンモニウムと、１．０質量部のポリエチレングリコールと、５０質量部の水とをそれぞれ加え、ボールミル混合してスラリーを調製した。
次いで、実施例１と同様の方法で顆粒体の調製、成形体の作製および成形体からの有機成分の除去を行った。さらに、焼成温度１４００℃、焼成時間１０時間、昇温速度３００℃／ｈ、降温速度５０℃／ｈの条件下で成形体の焼成を行い、焼成体１２を作製した。
そして、得られた焼成体１２の研削および切断加工による円筒形ターゲット材２の製造ならびに円筒形ターゲット材２とバッキングチューブ３との接合を実施例１と同様に行い、円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向およびマイナス方向にそれぞれ１方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、いずれも割れは認められなかった。結果を表１に示す。
［実施例４］
（実施例１の交差角度変更）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
（実施例１の交差角度変更）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の内周面１２ｂの仕上研削を行った。砥石６ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃１７０のものを使用した。砥石６ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの前進方向への移動速度７０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度１５０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
次いで、砥石６ａを後退方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの後退方向への移動速度７０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度１５０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石６ａを前進方向および後退方向に移動させる上記したトラバース研削を、焼成体１２の内径が１３５ｍｍとなるまで１パスずつ繰り返し行った後、スパークアウトを２パス行った。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の外周面１２ａの仕上研削を行った。砥石５ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃６００のものを使用した。砥石５ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの前進方向への移動速度５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度１００ｒｐｍとして仕上研削を行った。
次いで、砥石５ａを後退方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの後退方向への移動速度５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度１００ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石５ａを前進方向および後退方向に移動させるトラバース研削を、焼成体１２の外径が１５３ｍｍとなるまで１パスずつ繰り返し行った後、スパークアウトを２パス行った。最後に、焼成体１２の両端を切断して長さを３００ｍｍに加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。
そして、円筒形ターゲット材２とバッキングチューブ３との接合を実施例１と同様に行い、円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向およびマイナス方向にそれぞれ１方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、いずれも割れは認められなかった。結果を表１に示す。
［実施例５］
（実施例２の交差角度変更）
実施例２と同様にして得られた焼成体１２（ＩＧＺＯ）を使用したことを除き、実施例４と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
（実施例２の交差角度変更）
実施例２と同様にして得られた焼成体１２（ＩＧＺＯ）を使用したことを除き、実施例４と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向およびマイナス方向にそれぞれ１方向の研削スジｄが形成された。９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける、交差角度θ３と表面粗度Ｒａとを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、いずれも割れは認められなかった。結果を表１に示す。
［実施例６］
（実施例３の交差角度変更）
実施例３と同様にして得られた焼成体１２（ＡＺＯ）を使用したことを除き、実施例４と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
（実施例３の交差角度変更）
実施例３と同様にして得られた焼成体１２（ＡＺＯ）を使用したことを除き、実施例４と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向およびマイナス方向にそれぞれ１方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、いずれも割れは認められなかった。結果を表１に示す。
［実施例７］
（内周面、外周面ともに砥石の移動速度を変更した一方向トラバース仕上研削）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
（内周面、外周面ともに砥石の移動速度を変更した一方向トラバース仕上研削）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の内周面１２ｂの仕上研削を行った。砥石６ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃１７０のものを使用した。砥石６ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの前進方向への移動速度４００ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度７０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
次いで、砥石６ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの前進方向への移動速度２００ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度７０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石６ａの前進方向への移動速度を変更させる上記したトラバース研削を、焼成体１２の内径が１３５ｍｍとなるまで１パスずつ繰り返し行った後、切り込み量０で砥石６ａを前進方向および後退方向に移動させるスパークアウトを２パス行った。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の外周面１２ａの仕上研削を行った。砥石５ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃６００のものを使用した。砥石５ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの前進方向への移動速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度２０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
次いで、砥石５ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの前進方向への移動速度１５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度２００ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石５ａの前進方向への移動速度を変更させる上記したトラバース研削を、焼成体１２の外径が１５３ｍｍとなるまで１パスずつ繰り返し行った後、スパークアウトを１パス行った。最後に、焼成体１２の両端を切断して長さを３００ｍｍに加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。
そして、円筒形ターゲット材２とバッキングチューブ３との接合を実施例１と同様に行い、円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向に２方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、いずれも割れは認められなかった。結果を表１に示す。
［実施例８］
（内周面、外周面ともに砥石の移動速度を変更した一方向トラバース仕上研削）
実施例２と同様にして得られた焼成体１２（ＩＧＺＯ）を使用したことを除き、実施例７と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
（内周面、外周面ともに砥石の移動速度を変更した一方向トラバース仕上研削）
実施例２と同様にして得られた焼成体１２（ＩＧＺＯ）を使用したことを除き、実施例７と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向に２方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、いずれも割れは認められなかった。結果を表１に示す。
［実施例９］
（内周面、外周面ともに砥石の移動速度を変更した一方向トラバース仕上研削）
実施例３と同様にして得られた焼成体１２（ＡＺＯ）を使用したことを除き、実施例７と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
（内周面、外周面ともに砥石の移動速度を変更した一方向トラバース仕上研削）
実施例３と同様にして得られた焼成体１２（ＡＺＯ）を使用したことを除き、実施例７と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向に２方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、いずれも割れは認められなかった。結果を表１に示す。
［実施例１０］
（実施例１の交差角度変更）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
（実施例１の交差角度変更）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の内周面１２ｂの仕上研削を行った。砥石６ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃１７０のものを使用した。砥石６ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの前進方向への移動速度５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度１５０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
次いで、砥石６ａを後退方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの後退方向への移動速度５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度１５０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石６ａを前進方向および後退方向に移動させる上記したトラバース研削を、焼成体１２の内径が１３５ｍｍとなるまで１パスずつ繰り返し行った後、スパークアウトを２パス行った。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の外周面１２ａの仕上研削を行った。砥石５ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃６００のものを使用した。砥石５ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの前進方向への移動速度３０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度１００ｒｐｍとして仕上研削を行った。
次いで、砥石５ａを後退方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの後退方向への移動速度３０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度１００ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石５ａを前進方向および後退方向に移動させるトラバース研削を、焼成体１２の外径が１５３ｍｍとなるまで１パスずつ繰り返し行った後、スパークアウトを１パス行った。最後に、焼成体１２の両端を切断して長さを３００ｍｍに加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向およびマイナス方向にそれぞれ１方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、１本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［実施例１１］
（実施例２の交差角度変更）
実施例２と同様にして得られた焼成体１２（ＩＧＺＯ）を使用したことを除き、実施例１０と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
（実施例２の交差角度変更）
実施例２と同様にして得られた焼成体１２（ＩＧＺＯ）を使用したことを除き、実施例１０と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向およびマイナス方向にそれぞれ１方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、１本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［実施例１２］
（実施例３の交差角度変更）
実施例３と同様にして得られた焼成体１２（ＡＺＯ）を使用したことを除き、実施例１０と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
（実施例３の交差角度変更）
実施例３と同様にして得られた焼成体１２（ＡＺＯ）を使用したことを除き、実施例１０と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向およびマイナス方向にそれぞれ１方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、２本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［実施例１３］
（実施例７の交差角度変更）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
（実施例７の交差角度変更）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の内周面１２ｂの仕上研削を行った。砥石６ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃１７０のものを使用した。砥石６ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの前進方向への移動速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度７０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
次いで、砥石６ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの前進方向への移動速度３３０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度７０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石６ａの前進方向への移動速度を変更させる上記したトラバース研削を、焼成体１２の内径が１３５ｍｍとなるまで１パスずつ繰り返し行った後、切り込み量０で砥石６ａを前進方向および後退方向に移動させるスパークアウトを２パス行った。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の外周面１２ａの仕上研削を行った。砥石５ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃６００のものを使用した。砥石５ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの前進方向への移動速度１５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度２０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
次いで、砥石５ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの前進方向への移動速度１６５ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度２０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石５ａの前進方向への移動速度を変更させる上記したトラバース研削を、焼成体１２の外径が１５３ｍｍとなるまで１パスずつ繰り返し行った後、スパークアウトを１パス行った。最後に、焼成体１２の両端を切断して長さを３００ｍｍに加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。
そして、円筒形ターゲット材２とバッキングチューブ３との接合を実施例１と同様に行い、円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向に２方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、２本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［実施例１４］
（実施例８の交差角度変更）
実施例２と同様にして得られた焼成体１２（ＩＧＺＯ）を使用したことを除き、実施例１３と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
（実施例８の交差角度変更）
実施例２と同様にして得られた焼成体１２（ＩＧＺＯ）を使用したことを除き、実施例１３と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向に２方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、１本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［実施例１５］
（実施例９の交差角度変更）
実施例３と同様にして得られた焼成体１２（ＡＺＯ）を使用したことを除き、実施例１３と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
（実施例９の交差角度変更）
実施例３と同様にして得られた焼成体１２（ＡＺＯ）を使用したことを除き、実施例１３と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向に２方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、１本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［実施例１６］
（実施例１の表面粗度Ｒａ変更）
焼成体１２（ＩＴＯ）の内周面１２ｂを研削する砥石６ａの砥粒粒度を＃８０とし、外周面１２ａを研削する砥石５ａの砥粒粒度を＃１４０としたことを除き、実施例１と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
（実施例１の表面粗度Ｒａ変更）
焼成体１２（ＩＴＯ）の内周面１２ｂを研削する砥石６ａの砥粒粒度を＃８０とし、外周面１２ａを研削する砥石５ａの砥粒粒度を＃１４０としたことを除き、実施例１と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向およびマイナス方向にそれぞれ１方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、１本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［実施例１７］
（実施例２の表面粗度Ｒａ変更）
実施例２と同様にして得られた焼成体１２（ＩＧＺＯ）を使用したことを除き、実施例１６と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
（実施例２の表面粗度Ｒａ変更）
実施例２と同様にして得られた焼成体１２（ＩＧＺＯ）を使用したことを除き、実施例１６と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向およびマイナス方向にそれぞれ１方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、１本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［実施例１８］
（実施例３の表面粗度Ｒａ変更）
実施例３と同様にして得られた焼成体１２（ＡＺＯ）を使用したことを除き、実施例１６と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
（実施例３の表面粗度Ｒａ変更）
実施例３と同様にして得られた焼成体１２（ＡＺＯ）を使用したことを除き、実施例１６と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向およびマイナス方向にそれぞれ１方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、２本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［実施例１９］
（内周面のみ往復トラバース仕上研削）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
（内周面のみ往復トラバース仕上研削）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の内周面１２ｂの仕上研削を行った。砥石６ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃１７０のものを使用した。砥石６ａを端部ｅ１から端部ｅ２まで前進方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの円筒軸方向（前進方向）への移動速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度７０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
次いで、砥石６ａを端部ｅ２から端部ｅ１まで後退方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの円筒軸方向（後退方向）への移動速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度７０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石６ａを前進方向および後退方向に移動させる上記したトラバース研削を、焼成体１２の内径が１３５ｍｍとなるまで１パスずつ繰り返し行った後、切り込み量０で砥石６ａを前進方向および後退方向に移動させるスパークアウトを２パス（すなわち、１往復）行った。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の外周面１２ａの仕上研削を行った。砥石５ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃６００のものを使用した。砥石５ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの前進方向への移動速度１５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度２０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石５ａの前進方向への、移動方向および移動速度が一定の上記したトラバース研削を、焼成体１２の外径が１５３ｍｍとなるまで繰り返し行った後、スパークアウトを２パス行った。最後に、焼成体１２の両端を切断して長さを３００ｍｍに加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。
そして、円筒形ターゲット材２とバッキングチューブ３との接合を実施例１と同様に行い、円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂにのみプラス方向およびマイナス方向にそれぞれ１方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、２本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［実施例２０］
（外周面のみ往復トラバース仕上研削）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
（外周面のみ往復トラバース仕上研削）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の内周面１２ｂの仕上研削を行った。砥石６ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃１７０のものを使用した。砥石６ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの前進方向への移動速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度７０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石５ａの前進方向への、移動方向および移動速度が一定の上記したトラバース研削を、焼成体１２の内径が１３５ｍｍとなるまで繰り返し行った後、スパークアウトを２パス行った。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の外周面１２ａの仕上研削を行った。砥石５ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃６００のものを使用した。砥石５ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの前進方向への移動速度１５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度２０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
次いで、砥石５ａを後退方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの後退方向への移動速度１５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度２０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石５ａを前進方向および後退方向に移動させる上記したトラバース研削を、焼成体１２の外径が１５３ｍｍとなるまで１パスずつ繰り返し行った後、スパークアウトを２パス行った。最後に、焼成体１２の両端を切断して長さを３００ｍｍに加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。
そして、円筒形ターゲット材２とバッキングチューブ３との接合を実施例１と同様に行い、円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、外周面１２ａにのみプラス方向およびマイナス方向にそれぞれ１方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、２本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［実施例２１］
（内周面、外周面ともに砥石の移動速度を変更してトラバース研削）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
（内周面、外周面ともに砥石の移動速度を変更してトラバース研削）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の内周面１２ｂの仕上研削を行った。砥石６ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃１７０のものを使用した。砥石６ａを端部ｅ１から端部ｅ２まで前進方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの円筒軸方向（前進方向）への移動速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度７０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
次いで、砥石６ａを端部ｅ２から端部ｅ１まで後退方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの円筒軸方向（後退方向）への移動速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度７０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
続いて、砥石６ａを端部ｅ１から端部ｅ２まで前進方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの円筒軸方向（前進方向）への移動速度７０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度１５０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
さらに、砥石６ａを端部ｅ２から端部ｅ１まで後退方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの円筒軸方向（後退方向）への移動速度７０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度１５０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石６ａの移動速度と焼成体１２の回転速度とを変更させつつ、砥石６ａを前進方向および後退方向に移動させて行う上記したトラバース研削を、焼成体１２の内径が１３５ｍｍとなるまで１パスずつ繰り返し行った後、スパークアウトを２パス（すなわち、１往復）行った。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の外周面１２ａの仕上研削を行った。砥石５ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃６００のものを使用した。砥石５ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの前進方向への移動速度１５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度２０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
次いで、砥石５ａを後退方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの後退方向への移動速度１５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度２０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
続いて、砥石５ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの後退方向への移動速度５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度１００ｒｐｍとして仕上研削を行った。
さらに、砥石５ａを後退方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの後退方向への移動速度５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度１００ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石５ａの移動速度と焼成体１２の回転速度とを変更させつつ、砥石５ａを前進方向および後退方向に移動させて行う上記したトラバース研削を、焼成体１２の外径が１５３ｍｍとなるまで１パスずつ繰り返し行った後、スパークアウトを２パス行った。最後に、焼成体１２の両端を切断して長さを３００ｍｍに加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。
そして、円筒形ターゲット材２とバッキングチューブ３との接合を実施例１と同様に行い、円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向およびマイナス方向にそれぞれ２方向の研削スジｄが形成された。交差角度θ３は実施例１と同様にθ３＝｜θ１−θ２｜から算出した。また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、いずれも割れは認められなかった。結果を表１に示す。
［比較例１］
（プランジ仕上研削）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
（プランジ仕上研削）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
次いで、プランジ研削により焼成体１２の内周面１２ｂの仕上研削を行った。砥石６ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃１７０のものを使用した。砥石６ａの切り込み速度０．０３ｍｍ／分、焼成体１２の回転速度７０ｒｐｍとして、焼成体１２の内径が１３５ｍｍとなるまで仕上研削を行った後、切り込み量０で５秒間研削した。
続いて、プランジ研削により焼成体１２の外周面１２ａの仕上研削を行った。砥石５ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃６００のものを使用した。砥石５ａの切り込み速度０．０４ｍｍ／分、焼成体１２の回転速度２０ｒｐｍとして、焼成体１２の外径が１５３ｍｍとなるまで仕上研削を行った後、切り込み量０で５秒間研削した。最後に、焼成体１２の両端を切断して長さを３００ｍｍに加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。
そして、円筒形ターゲット材２とバッキングチューブ３との接合を実施例１と同様に行い、円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともに直線Ｌ２と同方向の研削スジｄが形成された。９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、４本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［比較例２］
（プランジ仕上研削）
実施例２と同様にして得られた焼成体１２（ＩＧＺＯ）を使用したことを除き、比較例１と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
（プランジ仕上研削）
実施例２と同様にして得られた焼成体１２（ＩＧＺＯ）を使用したことを除き、比較例１と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともに直線Ｌ２と同方向の研削スジｄが形成された。９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、４本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［比較例３］
（プランジ仕上研削）
実施例３と同様にして得られた焼成体１２（ＡＺＯ）を使用したことを除き、比較例１と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
（プランジ仕上研削）
実施例３と同様にして得られた焼成体１２（ＡＺＯ）を使用したことを除き、比較例１と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともに直線Ｌ２と同方向の研削スジｄが形成された。９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、５本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［比較例４］
（内周面、外周面ともに一方向トラバース仕上研削）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
（内周面、外周面ともに一方向トラバース仕上研削）
実施例１と同様にして得られた焼成体１２（ＩＴＯ）を加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。まず、外径をプランジ研削により１５３．２ｍｍまで加工した後、内径をプランジ研削により１３４．８ｍｍまで加工した。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の内周面１２ｂの仕上研削を行った。砥石６ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃１７０のものを使用した。砥石６ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石６ａの切り込み量０．０１ｍｍ、砥石６ａの前進方向への移動速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度７０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石６ａの前進方向への、移動方向および速度が一定の上記したトラバース研削を、焼成体１２の内径が１３５ｍｍとなるまで繰り返し行った後、スパークアウトを２パス行った。
続いて、トラバース研削により焼成体１２の外周面１２ａの仕上研削を行った。砥石５ａには、ビトリファイドを結合剤とする、砥粒粒度が＃６００のものを使用した。砥石５ａを前進方向に移動させる１パスを、砥石５ａの切り込み量０．００２ｍｍ、砥石５ａの前進方向への移動速度１５０ｍｍ／ｍｉｎ、焼成体１２の回転速度２０ｒｐｍとして仕上研削を行った。
砥石５ａの前進方向への、移動方向および速度が一定の上記したトラバース研削を、焼成体１２の外径が１５３ｍｍとなるまで繰り返し行った後、スパークアウトを２パス行った。最後に、焼成体１２の両端を切断して長さを３００ｍｍに加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。
そして、円筒形ターゲット材２とバッキングチューブ３との接合を実施例１と同様に行い、円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向に１方向の研削スジｄが形成された。９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、４本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［比較例５］
（内周面、外周面ともに一方向トラバース仕上研削）
実施例２と同様にして得られた焼成体１２（ＩＧＺＯ）を使用したことを除き、比較例４と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
（内周面、外周面ともに一方向トラバース仕上研削）
実施例２と同様にして得られた焼成体１２（ＩＧＺＯ）を使用したことを除き、比較例４と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向に１方向の研削スジｄが形成された。９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、３本に割れが認められた。結果を表１に示す。
［比較例６］
（内周面、外周面ともに一方向トラバース仕上研削）
実施例３と同様にして得られた焼成体１２（ＡＺＯ）を使用したことを除き、比較例４と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
（内周面、外周面ともに一方向トラバース仕上研削）
実施例３と同様にして得られた焼成体１２（ＡＺＯ）を使用したことを除き、比較例４と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
得られた円筒形ターゲット材２には、内周面１２ｂおよび外周面１２ａともにプラス方向に１方向の研削スジｄが形成された。９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける表面粗度Ｒａを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、５本に割れが認められた。結果を表１に示す。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
１ 円筒形スパッタリングターゲット（円筒形ターゲット）
２ 円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材（円筒形ターゲット材）
３ バッキングチューブ
４ 接合材
５ａ，６ａ 砥石
５ｂ，６ｂ シャフト
６ 領域
１２ 焼成体（ターゲット材）
１２ａ 外周面
１２ｂ 内周面
２ 円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材（円筒形ターゲット材）
３ バッキングチューブ
４ 接合材
５ａ，６ａ 砥石
５ｂ，６ｂ シャフト
６ 領域
１２ 焼成体（ターゲット材）
１２ａ 外周面
１２ｂ 内周面
Claims (9)
- セラミックス製のスパッタリングターゲット材の外周面を研削する外周面研削工程と、
前記スパッタリングターゲット材の内周面を研削する内周面研削工程と、
前記外周面研削工程および前記内周面研削工程の少なくとも一方において、２以上の研削方向で研削する仕上研削工程と、
を含む、円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法。 - 円筒軸に平行な直線Ｌ１を横軸とし、前記直線Ｌ１と研削スジｄとの交点Ｐを通り、前記直線Ｌ１に垂直な直線Ｌ２を縦軸とする平面を規定したとき、前記仕上研削工程において前記スパッタリングターゲット材を研削する前記２以上の研削方向が、前記直線Ｌ２に対してプラスおよびマイナスの両方の角度を有する、請求項１に記載の円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法。
- 円筒軸に平行な直線Ｌ１を横軸とし、前記直線Ｌ１と研削スジｄとの交点Ｐを通り、前記直線Ｌ１に垂直な直線Ｌ２を縦軸とする平面を規定したとき、前記仕上研削工程において前記スパッタリングターゲット材を研削する前記２以上の研削方向が、前記直線Ｌ２に対してプラスおよびマイナスの角度のうちいずれか一方のみをそれぞれ有する、請求項１に記載の円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法。
- 前記仕上研削工程が、トラバース研削を含み、
前記スパッタリングターゲット材または前記スパッタリングターゲット材を研削する砥石を、円筒軸と平行な方向へ進退移動させ、前記進退移動させる両方向で前記スパッタリングターゲット材の仕上研削を行う、請求項１〜３のいずれか１つに記載の円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法。 - 前記スパッタリングターゲット材および前記スパッタリングターゲット材を研削する砥石のうち少なくとも一方の移動を、２以上の速度で行いながらトラバース研削で仕上研削を行う工程を含む、請求項１〜４のいずれか１つに記載の円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法。
- 前記仕上研削工程において前記スパッタリングターゲット材を研削する前記２以上の研削方向が、０．３°以上１５°以下の角度で交差する、請求項１〜５のいずれか１つに記載の円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法。
- 前記仕上研削工程後の表面粗度Ｒａが１．５μｍ以下である、請求項１〜６のいずれか１つに記載の円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法。
- 前記外周面研削工程および前記内周面研削工程がいずれも、２以上の研削方向で研削する前記仕上研削工程を含む、請求項１〜７のいずれか１つに記載の円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法。
- 前記スパッタリングターゲット材が、ＩＴＯ、ＩＧＺＯまたはＡＺＯである、請求項１〜８のいずれか１つに記載の円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法。
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|---|---|---|---|---|
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284370A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Taisei Kikai Kk | ラミツクスの内面高速研削加工法 |
| JPH10182151A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-07-07 | Mitsubishi Materials Corp | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2001131737A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-15 | Nikko Materials Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその研削方法 |
| JP2009030165A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-02-12 | Tosoh Corp | 円筒形スパッタリングターゲット |
| JP2009221589A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-01 | Tosoh Corp | 酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット |
| WO2010070832A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | 出光興産株式会社 | 複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3628554B2 (ja) * | 1999-07-15 | 2005-03-16 | 株式会社日鉱マテリアルズ | スパッタリングターゲット |
| JP2002322560A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP4270971B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2009-06-03 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| EP1666630A4 (en) * | 2003-09-12 | 2012-06-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | SPUTTERTARGET AND METHOD FOR FINISHING THE SURFACE OF SUCH A TARGET |
| JP4961672B2 (ja) | 2004-03-05 | 2012-06-27 | 東ソー株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲット並びにセラミックス焼結体及びその製造方法 |
| CN100440326C (zh) * | 2004-03-31 | 2008-12-03 | Hoya株式会社 | 磁盘用玻璃基板以及磁盘 |
| JP2007231392A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Tosoh Corp | 酸化物焼結体よりなるスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| TW200825194A (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-16 | Solar Applied Mat Tech Corp | Sputtering target, surface treatment, and film thereof |
| JP5139409B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2013-02-06 | 株式会社神戸製鋼所 | 純ＡｌまたはＡｌ合金スパッタリングターゲット |
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| JP5750060B2 (ja) * | 2012-01-18 | 2015-07-15 | 三井金属鉱業株式会社 | セラミックス円筒形スパッタリングターゲット材およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS61284370A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Taisei Kikai Kk | ラミツクスの内面高速研削加工法 |
| JPH10182151A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-07-07 | Mitsubishi Materials Corp | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2001131737A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-15 | Nikko Materials Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその研削方法 |
| JP2009030165A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-02-12 | Tosoh Corp | 円筒形スパッタリングターゲット |
| JP2009221589A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-01 | Tosoh Corp | 酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット |
| WO2010070832A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | 出光興産株式会社 | 複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット |
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