JP2002322560A - スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲット及びその製造方法Info
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3423—Shape
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ターゲットの加工方法を向上させて応力によ
るクラックの発生等を防止したスパッタリングターゲッ
ト及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ａ辺及びｂ辺を有してアスペクト比ａ：
ｂである矩形ターゲットにおいて、ａ＜ｂであり、スパ
ッタ面及び冷却面の少なくともスパッタ面に前記ｂ辺に
略直交する方向に並んだ研磨傷を有する。
るクラックの発生等を防止したスパッタリングターゲッ
ト及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ａ辺及びｂ辺を有してアスペクト比ａ：
ｂである矩形ターゲットにおいて、ａ＜ｂであり、スパ
ッタ面及び冷却面の少なくともスパッタ面に前記ｂ辺に
略直交する方向に並んだ研磨傷を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング及
び薄膜形成に使用するスパッタリングターゲットに関す
る。
び薄膜形成に使用するスパッタリングターゲットに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、薄膜を成膜する方法の１つと
してスパッタリング法が知られている。スパッタリング
法とは、スパッタリングターゲットをスパッタリングす
ることにより薄膜を得る方法であり、効率よく成膜でき
るため、工業的に利用されている。
してスパッタリング法が知られている。スパッタリング
法とは、スパッタリングターゲットをスパッタリングす
ることにより薄膜を得る方法であり、効率よく成膜でき
るため、工業的に利用されている。
【０００３】このため、より効率よく低コストで成膜す
るために、現在においてもスパッタ条件やスパッタ装置
などの改良が日々行われている。その改良の１つとし
て、大型なスパッタリングターゲットを用いて成膜面積
を大きくしてより効率よく成膜する方法がとられる。こ
のため、大型なスパッタリングターゲットが求められて
いる。
るために、現在においてもスパッタ条件やスパッタ装置
などの改良が日々行われている。その改良の１つとし
て、大型なスパッタリングターゲットを用いて成膜面積
を大きくしてより効率よく成膜する方法がとられる。こ
のため、大型なスパッタリングターゲットが求められて
いる。
【０００４】しかしながら、大型なスパッタリングター
ゲットを作製する上で、いくつかの問題点があり、その
内の１つとして、ターゲットに発生する応力が問題にな
ってくる。
ゲットを作製する上で、いくつかの問題点があり、その
内の１つとして、ターゲットに発生する応力が問題にな
ってくる。
【０００５】一般的に、スパッタリングターゲットはタ
ーゲットと銅製のバッキングプレートとを張り合わせる
ことにより作られる。この張り合わせ方法は、ターゲッ
トとバッキングプレートの間に低融点金属、低融点合
金、例えば、Ｉｎ、Ｉｎ系合金などを充填し、低融点金
属、低融点合金の融点以上に加熱し、ターゲットとバッ
キングプレートの間の低融点金属、低融点合金を溶かし
た後、冷却し、低融点金属、低融点合金が再凝固するこ
とによりターゲットとバッキングプレートを半田付けす
る。このとき、ターゲットが大型なターゲットである場
合、ターゲットとバッキングプレートの熱膨張率の相違
により、低融点合金の再凝固温度から室温までの熱歪み
が低融点金属、低融点合金層を介して、ターゲットとバ
ッキングプレートの間に蓄積される。
ーゲットと銅製のバッキングプレートとを張り合わせる
ことにより作られる。この張り合わせ方法は、ターゲッ
トとバッキングプレートの間に低融点金属、低融点合
金、例えば、Ｉｎ、Ｉｎ系合金などを充填し、低融点金
属、低融点合金の融点以上に加熱し、ターゲットとバッ
キングプレートの間の低融点金属、低融点合金を溶かし
た後、冷却し、低融点金属、低融点合金が再凝固するこ
とによりターゲットとバッキングプレートを半田付けす
る。このとき、ターゲットが大型なターゲットである場
合、ターゲットとバッキングプレートの熱膨張率の相違
により、低融点合金の再凝固温度から室温までの熱歪み
が低融点金属、低融点合金層を介して、ターゲットとバ
ッキングプレートの間に蓄積される。
【０００６】さらに、上述したようにして接着したスパ
ッタリングターゲットをスパッタする場合、まず初め
に、スパッタリング装置にスパッタリングターゲットが
装着される。その後、装置内が真空に引かれ、冷却水に
よりバッキングプレートが冷却される。このとき、スパ
ッタリングターゲットは装置内と装置外との圧力差及び
冷却水の水圧により応力を受ける。この応力歪みは、低
融点合金層を介して、ターゲットとバッキングプレート
の間にさらに蓄積される。
ッタリングターゲットをスパッタする場合、まず初め
に、スパッタリング装置にスパッタリングターゲットが
装着される。その後、装置内が真空に引かれ、冷却水に
よりバッキングプレートが冷却される。このとき、スパ
ッタリングターゲットは装置内と装置外との圧力差及び
冷却水の水圧により応力を受ける。この応力歪みは、低
融点合金層を介して、ターゲットとバッキングプレート
の間にさらに蓄積される。
【０００７】さらに、成膜時には、ターゲットのスパッ
タ面は加熱され、ボンディング面はバッキングプレート
を介して冷却水により冷却される。このため、ターゲッ
トには熱歪みがさらに付加される。
タ面は加熱され、ボンディング面はバッキングプレート
を介して冷却水により冷却される。このため、ターゲッ
トには熱歪みがさらに付加される。
【０００８】以上に述べたように、スパッタリング法に
より成膜する過程において、ターゲットには多種多様な
応力が発生する。この応力は、ターゲットが大型化する
ほど大きくなり、ターゲットにクラックや割れなどを発
生させる。このクラックや割れなどがスパッタリング中
に発生した場合、クラックや割れなどからアーキングや
ノジュールが発生し、成膜の歩留まりを下げる。
より成膜する過程において、ターゲットには多種多様な
応力が発生する。この応力は、ターゲットが大型化する
ほど大きくなり、ターゲットにクラックや割れなどを発
生させる。このクラックや割れなどがスパッタリング中
に発生した場合、クラックや割れなどからアーキングや
ノジュールが発生し、成膜の歩留まりを下げる。
【０００９】そこで、これらに対して、ターゲット自体
の強度を向上させターゲット自体を割れにくくする方法
がとられる。ターゲットの強度を向上させる方法として
は、ターゲットの密度を高くする、ターゲットを適当な
温度で焼結する、ターゲットの結晶粒径を適当なサイズ
にする等の方法が提案されている。
の強度を向上させターゲット自体を割れにくくする方法
がとられる。ターゲットの強度を向上させる方法として
は、ターゲットの密度を高くする、ターゲットを適当な
温度で焼結する、ターゲットの結晶粒径を適当なサイズ
にする等の方法が提案されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ターゲットの強度を向上させる技術を用い十分な強度の
ターゲットであるにもかかわらず、スパッタリング中に
ターゲットが割れるという問題がたびたび発生する。
ターゲットの強度を向上させる技術を用い十分な強度の
ターゲットであるにもかかわらず、スパッタリング中に
ターゲットが割れるという問題がたびたび発生する。
【００１１】そこで、本発明はこのような事情に鑑み、
ターゲットの加工方法を向上させて応力によるクラック
の発生等を防止したスパッタリングターゲット及びその
製造方法を提供することを課題とする。
ターゲットの加工方法を向上させて応力によるクラック
の発生等を防止したスパッタリングターゲット及びその
製造方法を提供することを課題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ターゲッ
トを研磨加工する際の研磨方向がターゲット自体の強度
に著しく影響を与えることを見出し、本願発明を完成す
るに至った。
トを研磨加工する際の研磨方向がターゲット自体の強度
に著しく影響を与えることを見出し、本願発明を完成す
るに至った。
【００１３】かかる本発明の第１の態様は、ａ辺及びｂ
辺を有してアスペクト比ａ：ｂである矩形ターゲットに
おいて、ａ＜ｂであり、スパッタ面及び冷却面の少なく
ともスパッタ面に前記ｂ辺に略直交する方向に並んだ研
磨跡を有することを特徴とするスパッタリングターゲッ
トにある。
辺を有してアスペクト比ａ：ｂである矩形ターゲットに
おいて、ａ＜ｂであり、スパッタ面及び冷却面の少なく
ともスパッタ面に前記ｂ辺に略直交する方向に並んだ研
磨跡を有することを特徴とするスパッタリングターゲッ
トにある。
【００１４】かかる第１の態様では、矩形ターゲットの
長辺に略直交する方向に研磨跡が形成されているので、
応力が負荷されても割れにくいという利点がある。
長辺に略直交する方向に研磨跡が形成されているので、
応力が負荷されても割れにくいという利点がある。
【００１５】本発明の第２の態様は、第１の態様におい
て、前記研磨面の表面粗さＲａが２μｍ以下であること
を特徴とするスパッタリングターゲットにある。
て、前記研磨面の表面粗さＲａが２μｍ以下であること
を特徴とするスパッタリングターゲットにある。
【００１６】かかる第２の態様では、研磨面の表面粗さ
Ｒａが２μｍ以下であるので、さらに割れ難いものであ
る。
Ｒａが２μｍ以下であるので、さらに割れ難いものであ
る。
【００１７】本発明の第３の態様は、ａ辺及びｂ辺を有
してアスペクト比ａ：ｂである矩形ターゲットの製造方
法において、ａ＜ｂであるとき、スパッタ面及び冷却面
の少なくともスパッタ面を、前記ｂ辺に直交する方向に
研磨加工する工程を具備することを特徴とするスパッタ
リングターゲットの製造方法にある。
してアスペクト比ａ：ｂである矩形ターゲットの製造方
法において、ａ＜ｂであるとき、スパッタ面及び冷却面
の少なくともスパッタ面を、前記ｂ辺に直交する方向に
研磨加工する工程を具備することを特徴とするスパッタ
リングターゲットの製造方法にある。
【００１８】かかる第３の態様では、矩形ターゲットの
長辺に略直交する方向に研磨加工しているので、応力が
負荷されても割れにくいターゲットが製造される。
長辺に略直交する方向に研磨加工しているので、応力が
負荷されても割れにくいターゲットが製造される。
【００１９】本発明の第４の態様は、第３の態様におい
て、前記研磨面の表面粗さＲａを２μｍ以下となるよう
に研磨加工することを特徴とするスパッタリングターゲ
ットの製造方法にある。
て、前記研磨面の表面粗さＲａを２μｍ以下となるよう
に研磨加工することを特徴とするスパッタリングターゲ
ットの製造方法にある。
【００２０】かかる第４の態様では、研磨面の表面粗さ
Ｒａが２μｍ以下となるように研磨加工しているので、
さらに割れ難いターゲットが得られる。
Ｒａが２μｍ以下となるように研磨加工しているので、
さらに割れ難いターゲットが得られる。
【００２１】以下、本発明を詳細に説明する。
【００２２】劈開性を有するターゲットにある方向性を
有した傷がある場合、その傷方向に垂直な引っ張り応力
が負荷された場合、その傷を起点にクラックが発生して
比較的簡単にターゲットが割れてしまう。しかし、その
傷方向に平行な引っ張り応力が負荷された場合は、その
傷を起点としたクラックが発生しないため、ターゲット
は割れにくくなる。
有した傷がある場合、その傷方向に垂直な引っ張り応力
が負荷された場合、その傷を起点にクラックが発生して
比較的簡単にターゲットが割れてしまう。しかし、その
傷方向に平行な引っ張り応力が負荷された場合は、その
傷を起点としたクラックが発生しないため、ターゲット
は割れにくくなる。
【００２３】本発明はこのような原理により割れにくく
なっていると推測される。すなわち、ａ辺及びｂ辺を有
してアスペクト比ａ：ｂで、ｂ＞ａである矩形ターゲッ
トにおいては、ａ辺に平行な方向の応力に比較してｂ辺
に平行な方向の応力が発生し難いためか、ｂ辺に直交す
る方向に研磨傷（研磨跡）を有するターゲットの方が、
ｂ辺に平行な方向に研磨傷を有するターゲットより割れ
難いことを知見した。これは後述する試験例によっても
明らかである。
なっていると推測される。すなわち、ａ辺及びｂ辺を有
してアスペクト比ａ：ｂで、ｂ＞ａである矩形ターゲッ
トにおいては、ａ辺に平行な方向の応力に比較してｂ辺
に平行な方向の応力が発生し難いためか、ｂ辺に直交す
る方向に研磨傷（研磨跡）を有するターゲットの方が、
ｂ辺に平行な方向に研磨傷を有するターゲットより割れ
難いことを知見した。これは後述する試験例によっても
明らかである。
【００２４】なお、所定のスパッタリングターゲットを
用いてスパッタを行って成膜するときにターゲットにど
のような応力が発生するかの解析は、スパッタリングタ
ーゲットの形状、大きさ、さらにはスパッタリング装置
の構造などに影響されるため、甚だ困難である。
用いてスパッタを行って成膜するときにターゲットにど
のような応力が発生するかの解析は、スパッタリングタ
ーゲットの形状、大きさ、さらにはスパッタリング装置
の構造などに影響されるため、甚だ困難である。
【００２５】一般的に、劈開性を有するセラミックスの
ようなターゲットは砥石などにより研磨加工され、具体
的には、回転している砥石をスライドさせてターゲット
を研磨していくようにするが、本発明方法によりスパッ
タリングターゲットを製造する場合には、短辺であるa
辺に平行に砥石をスライドさせながら研磨加工すればよ
いことになる。これにより、スパッタリングターゲット
には研磨方向と平行な研磨傷（研磨跡）が残ることにな
る。
ようなターゲットは砥石などにより研磨加工され、具体
的には、回転している砥石をスライドさせてターゲット
を研磨していくようにするが、本発明方法によりスパッ
タリングターゲットを製造する場合には、短辺であるa
辺に平行に砥石をスライドさせながら研磨加工すればよ
いことになる。これにより、スパッタリングターゲット
には研磨方向と平行な研磨傷（研磨跡）が残ることにな
る。
【００２６】なお、本発明が適用されるターゲットの材
料は特に限定されず、一般的にスパッタリング及び薄膜
形成に使用される材料であれば特に限定されない。
料は特に限定されず、一般的にスパッタリング及び薄膜
形成に使用される材料であれば特に限定されない。
【００２７】また、本発明のスパッタリングターゲット
は、ターゲットと所定のバッキングプレートとを張り合
わせることにより作られるが、バッキングプレートの材
質、接合材料、接合方法等は特に限定されない。バッキ
ングプレートとしては、一般的には、銅製又は銅合金製
のものが用いられる。また、接合材料としては、一般的
には、例えば、Ｉｎ、Ｉｎ系合金などの低融点金属、低
融点合金が用いられる。
は、ターゲットと所定のバッキングプレートとを張り合
わせることにより作られるが、バッキングプレートの材
質、接合材料、接合方法等は特に限定されない。バッキ
ングプレートとしては、一般的には、銅製又は銅合金製
のものが用いられる。また、接合材料としては、一般的
には、例えば、Ｉｎ、Ｉｎ系合金などの低融点金属、低
融点合金が用いられる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例に基づいて
具体的に説明する。
具体的に説明する。
【００２９】（実施例１）図１に示すように、短辺ａが
１２７ｍｍ、長辺ｂが３８１ｍｍ、厚さｔが６ｍｍのサ
イズの一体ものＩＴＯターゲット１０のスパッタ面を長
辺ｂに直交する方向（短辺ａに平行な方向）に回転砥石
２１を移動させながら研磨加工した。研磨傷１１は短辺
ａに平行な方向である。なお、冷却面は、長辺ｂに平行
な方向（短辺ａに直交する方向）に研磨加工した。
１２７ｍｍ、長辺ｂが３８１ｍｍ、厚さｔが６ｍｍのサ
イズの一体ものＩＴＯターゲット１０のスパッタ面を長
辺ｂに直交する方向（短辺ａに平行な方向）に回転砥石
２１を移動させながら研磨加工した。研磨傷１１は短辺
ａに平行な方向である。なお、冷却面は、長辺ｂに平行
な方向（短辺ａに直交する方向）に研磨加工した。
【００３０】かかるＩＴＯターゲット１０を、サイズ１
４０×４００ｍｍで厚さ６ｍｍの無酸素銅製のバッキン
グプレート３０に、Ｉｎのボンディング材を使用してボ
ンディングし、スパッタリングターゲットとした。
４０×４００ｍｍで厚さ６ｍｍの無酸素銅製のバッキン
グプレート３０に、Ｉｎのボンディング材を使用してボ
ンディングし、スパッタリングターゲットとした。
【００３１】同様なスパッタリングターゲットを１０枚
作製し、試験に供した。なお、各々のターゲットのスパ
ッタ面と冷却面の表面粗さはＲａが１．５〜１．８μｍ
の範囲だった。
作製し、試験に供した。なお、各々のターゲットのスパ
ッタ面と冷却面の表面粗さはＲａが１．５〜１．８μｍ
の範囲だった。
【００３２】（実施例２）実施例１と同じサイズのター
ゲットのスパッタ面及び冷却面を実施例１と同様に研磨
したが、表面粗さＲａが実施例１より小さくなるように
研磨加工した。
ゲットのスパッタ面及び冷却面を実施例１と同様に研磨
したが、表面粗さＲａが実施例１より小さくなるように
研磨加工した。
【００３３】同様なスパッタリングターゲットを１０枚
作製し、試験に供した。なお、各々のターゲットのスパ
ッタ面と冷却面の表面粗さはＲａが０．３〜０．６μｍ
の範囲だった。
作製し、試験に供した。なお、各々のターゲットのスパ
ッタ面と冷却面の表面粗さはＲａが０．３〜０．６μｍ
の範囲だった。
【００３４】（実施例３）図２に示すように、実施例１
と同サイズのターゲットを１ピースのサイズが短辺ａが
９５．２５ｍｍ、長辺ｂが１２７ｍｍ、厚さｔが６ｍｍ
となるよう４分割にし、各ターゲット１５のスパッタ面
及び冷却面を各ピース毎に研磨加工した。研磨方向は、
スパッタ面及び冷却面共に長辺ｂに直交する方向とし
た。各ターゲット１５は長辺ｂに直交する方向に研磨傷
１６を有していた。
と同サイズのターゲットを１ピースのサイズが短辺ａが
９５．２５ｍｍ、長辺ｂが１２７ｍｍ、厚さｔが６ｍｍ
となるよう４分割にし、各ターゲット１５のスパッタ面
及び冷却面を各ピース毎に研磨加工した。研磨方向は、
スパッタ面及び冷却面共に長辺ｂに直交する方向とし
た。各ターゲット１５は長辺ｂに直交する方向に研磨傷
１６を有していた。
【００３５】これらのターゲット１５を実施例１と同一
寸法のバッキングプレート３０上にＩｎのボンディング
材を使用し張合わせてスパッタリングターゲットとし
た。
寸法のバッキングプレート３０上にＩｎのボンディング
材を使用し張合わせてスパッタリングターゲットとし
た。
【００３６】同様なスパッタリングターゲットを１０枚
作製し、試験に供した。なお、各々のターゲットのスパ
ッタ面と冷却面の表面粗さはＲａが１．５〜１．７μｍ
の範囲だった。
作製し、試験に供した。なお、各々のターゲットのスパ
ッタ面と冷却面の表面粗さはＲａが１．５〜１．７μｍ
の範囲だった。
【００３７】（比較例１）図３に示すように、実施例１
と同様なＩＴＯターゲット１０Ａのスパッタ面及び冷却
面の両方を、ｂ辺に平行な方向に研磨した以外は、実施
例１と同様にしてスパッタリングターゲットを製造し
た。研磨傷１１Ａは長辺ｂに平行な方向である。
と同様なＩＴＯターゲット１０Ａのスパッタ面及び冷却
面の両方を、ｂ辺に平行な方向に研磨した以外は、実施
例１と同様にしてスパッタリングターゲットを製造し
た。研磨傷１１Ａは長辺ｂに平行な方向である。
【００３８】同様なスパッタリングターゲットを１０枚
作製し、試験に供した。なお、各々のターゲットのスパ
ッタ面と冷却面の表面粗さはＲａが１．５〜１．７μｍ
の範囲だった。
作製し、試験に供した。なお、各々のターゲットのスパ
ッタ面と冷却面の表面粗さはＲａが１．５〜１．７μｍ
の範囲だった。
【００３９】（比較例２）実施例３と同一サイズのター
ゲットを同様に４分割にし、各ピースをスパッタ面及び
冷却面共にｂ辺に平行に研磨した以外は実施例３と同様
にしてスパッタリングターゲットを製造した。
ゲットを同様に４分割にし、各ピースをスパッタ面及び
冷却面共にｂ辺に平行に研磨した以外は実施例３と同様
にしてスパッタリングターゲットを製造した。
【００４０】同様なスパッタリングターゲットを１０枚
作製し、試験に供した。なお、各々のターゲットのスパ
ッタ面と冷却面の表面粗さはＲａが１．５〜１．７μｍ
の範囲だった。
作製し、試験に供した。なお、各々のターゲットのスパ
ッタ面と冷却面の表面粗さはＲａが１．５〜１．７μｍ
の範囲だった。
【００４１】（試験例１）実施例１，２及び比較例１の
スパッタリングターゲットのそれぞれの４辺をボルトで
固定し、ターゲット裏面に０〜２．５ｋｇｆ／ｃｍ２の
間で０．５ｋｇｆ／ｃｍ２間隔で等圧がかかるようガス
を導入し、ターゲットが割れたときの圧力を測定した。
スパッタリングターゲットのそれぞれの４辺をボルトで
固定し、ターゲット裏面に０〜２．５ｋｇｆ／ｃｍ２の
間で０．５ｋｇｆ／ｃｍ２間隔で等圧がかかるようガス
を導入し、ターゲットが割れたときの圧力を測定した。
【００４２】下記表１には、ターゲットが割れ始めたと
きの圧力と割れたターゲットの枚数を示す。
きの圧力と割れたターゲットの枚数を示す。
【００４３】この結果より、研磨傷が長辺ｂに直交する
方向とした実施例１及び２のスパッタリングターゲット
が、研磨傷が長辺ｂに平行な比較例１のものより、割れ
難いことがわかった。また、表面粗さＲａがより小さい
実施例２の方が実施例１より割れ難いことも確認され
た。
方向とした実施例１及び２のスパッタリングターゲット
が、研磨傷が長辺ｂに平行な比較例１のものより、割れ
難いことがわかった。また、表面粗さＲａがより小さい
実施例２の方が実施例１より割れ難いことも確認され
た。
【００４４】
【表１】
【００４５】（試験例２）実施例３及び比較例２のスパ
ッタリングターゲットのそれぞれの４辺をボルトで固定
し、ターゲット裏面に０〜４ｋｇｆ／ｃｍ２の間で０．
５ｋｇｆ／ｃｍ２間隔で等圧がかかるようガスを導入
し、ターゲットが割れたときの圧力を測定した。
ッタリングターゲットのそれぞれの４辺をボルトで固定
し、ターゲット裏面に０〜４ｋｇｆ／ｃｍ２の間で０．
５ｋｇｆ／ｃｍ２間隔で等圧がかかるようガスを導入
し、ターゲットが割れたときの圧力を測定した。
【００４６】下記表２には、ターゲットが割れ始めたと
きの圧力と割れたターゲットの枚数を示す。
きの圧力と割れたターゲットの枚数を示す。
【００４７】この結果より、研磨傷が長辺ｂに直交する
方向とした実施例３のスパッタリングターゲットが、研
磨傷が長辺ｂに平行な比較例２のものより、割れ難いこ
とがわかった。
方向とした実施例３のスパッタリングターゲットが、研
磨傷が長辺ｂに平行な比較例２のものより、割れ難いこ
とがわかった。
【００４８】
【表２】
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
矩形ターゲットの研磨傷を長辺に直交する方向にするこ
とにより、ターゲットの強度をさらに向上させて応力に
よるクラックの発生等を防止するという効果を奏する。
矩形ターゲットの研磨傷を長辺に直交する方向にするこ
とにより、ターゲットの強度をさらに向上させて応力に
よるクラックの発生等を防止するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１のターゲットの研磨加工を説
明する図である。
明する図である。
【図２】本発明の実施例３のターゲットの研磨加工を説
明する図である。
明する図である。
【図３】本発明の比較例１のターゲットの研磨加工を説
明する図である。
明する図である。
【符号の説明】 １０ ターゲット １１ 研磨傷 １５ ４分割のターゲット １６ 研磨傷 ２１ 回転砥石 ３０ バッキングプレート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 BA50 CA05 DC12
Claims (4)
- 【請求項１】 ａ辺及びｂ辺を有してアスペクト比ａ：
ｂである矩形ターゲットにおいて、ａ＜ｂであり、スパ
ッタ面及び冷却面の少なくともスパッタ面に前記ｂ辺に
略直交する方向に並んだ研磨跡を有することを特徴とす
るスパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 請求項１において、前記研磨面の表面粗
さＲａが２μｍ以下であることを特徴とするスパッタリ
ングターゲット。 - 【請求項３】 ａ辺及びｂ辺を有してアスペクト比ａ：
ｂである矩形ターゲットの製造方法において、ａ＜ｂで
あるとき、スパッタ面及び冷却面の少なくともスパッタ
面を、前記ｂ辺に略直交する方向に研磨加工する工程を
具備することを特徴とするスパッタリングターゲットの
製造方法。 - 【請求項４】 請求項３において、前記研磨面の表面粗
さＲａを２μｍ以下となるように研磨加工することを特
徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
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