CN113275951A - 一种ito旋转靶材表面制备工艺 - Google Patents

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CN113275951A CN202110577680.3A CN202110577680A CN113275951A CN 113275951 A CN113275951 A CN 113275951A CN 202110577680 A CN202110577680 A CN 202110577680A CN 113275951 A CN113275951 A CN 113275951A
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石煜
王志强
曾墩风
盛明亮
陶成
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    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes

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  • Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract

本发明提供一种ITO旋转靶材表面制备工艺，首先对ITO旋转靶胚进行粗磨、内圆磨和端磨，再通过自动循环水抛光设备抛光，控制芯轴转速50‑500转/min，水磨砂带转速500‑5000转/min，左右移动速度1‑20mm/s，控制表面冷却水流量1‑50L/min，抛光遍数1‑50，再清洗烘干，制得的ITO旋转靶材光洁度Ra0.1‑0.6um，抛光尺寸精度可控制0.1mm内。

Description

一种ITO旋转靶材表面制备工艺
技术领域
本发明涉及ITO旋转靶材领域，尤其涉及一种ITO旋转靶材表面制备工艺。
背景技术
ITO旋转靶材主要用于ITO膜透明导电玻璃的制作，后者是制造平面液晶显示的主要材料，在电子工业、信息产业方面有着广阔而重要的应用。ITO旋转靶材需要进行对其表面加工，传统的工艺为：ITO旋转靶胚烧结出来后采用外圆磨加工，受加工工艺的限制，需粗磨后，在精磨，加工完表面光洁度不足，存在拉伤、刀痕等不良，需要靠人力打磨，同时R角控制直角容易崩边，打磨后序工艺绑定，靶材绑定后表面存在污染，残胶等不良，又需要靠人力打磨，耗时耗力。
现有技术专利CN101700616A公开了一种溅射靶材的表面处理方法，提供铝或铝合金的溅射靶材溅射靶材为，所述溅射靶材的表面进行车床加工，并在车屑过程中采用酒精冷却；采用抛光件对车屑后的溅射靶材进行抛光，可以及时冷却车床加工过程中产生的热量，使得车床加工时较少或不产生积屑，避免了积屑对溅射靶材表面造成损伤。但是该专利缺少详细的抛光的技术特征，而抛光是ITO旋转靶材表面处理的重要技术特征，如何对抛光技术进行使用来达到对ITO旋转靶材表面处理的光洁度及R角的要求。因此解决这一问题就显得十分必要了。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一种ITO旋转靶材表面制备工艺，首先对ITO旋转靶胚进行粗磨、内圆磨和端磨，再通过自动循环水抛光设备抛光，控制芯轴转速50-500转/min，水磨砂带转速500-5000转/min，左右移动速度1-20mm/s，控制表面冷却水流量1-50L/min，抛光遍数1-50，再清洗烘干，制得的 ITO旋转靶材光洁度Ra0.1-0.6um，抛光尺寸精度可控制0.1mm内，解决了背景技术中出现的问题。
本发明的目的是提供一种ITO旋转靶材表面制备工艺，首先对ITO旋转靶胚进行粗磨，之后进行内圆磨和端磨；再通过自动循环水抛光设备进行水抛光，自动循环水抛光设备采用60-500目金刚石水磨砂带，控制芯轴转速50-500转/min，水磨砂带转速500-5000转/min，左右移动速度1-20mm/s，控制表面冷却水流量1-50L/min；水抛结束后进行高压清洗烘干得到制备好的ITO旋转靶材。
进一步改进在于：所述对ITO旋转靶胚进行粗磨采用治具装配好，再装到外圆磨设备上进行粗磨，控制进刀量0.01-0.5mm，转速：1-5000转/min。
进一步改进在于：所述内圆磨和端磨控制进刀量0.01-0.5mm，转速：1-5000转/min。
进一步改进在于：清洗结束对靶材表面残留水分进行吹干后采用10-100℃进行烘烤；
进一步改进在于：靶材烘干结束后吊装下靶检测，光洁度需达到Ra0.1-0.6um，抛光尺寸精度达到0.1mm内。
进一步改进在于：所述自动循环水抛光设备的抛光遍数为1-50遍。
进一步改进在于：所述水抛光前将粗磨、内圆磨和端磨过的ITO旋转靶胚绑定于钛管外表面，绑定好的靶材再进行水抛光。
本发明的有益效果：本发明首先对ITO旋转靶胚进行粗磨、内圆磨和端磨，再通过自动循环水抛光设备抛光，控制芯轴转速50-500转/min，水磨砂带转速500-5000转/min，左右移动速度1-20mm/s，控制表面冷却水流量1-50L/min，抛光遍数1-50，再清洗烘干，制得的ITO旋转靶材光洁度Ra0.1-0.6um，抛光尺寸精度可控制0.1mm内；并且粗磨、内圆磨和端磨的进刀量0.01-0.5mm，转速：1-5000转/min，这样保证磨加工的精确；高压清洗之后烘烤，烘烤再对靶材进行检验，检验达标后得到合格的ITO旋转靶材。
具体实施方式
为了加深对本发明的理解，下面将结合实施例对本发明作进一步的详述，本实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。
本实施例提供提供一种ITO旋转靶材表面制备工艺，包括以下步骤：
步骤一：将ITO旋转靶胚（含其陶瓷靶筒，圆柱形）采用治具装配好，再装到外圆磨设备上进行粗磨，控制进刀量0.1mm，转速：2000转/min；
步骤二：将经过步骤一加工后靶胚进行内圆磨及端面磨，控制进刀量0.1mm，转速：2000转/min；
步骤三：将经过步骤二的ITO旋转靶胚绑定于钛管外表面；
步骤四：绑定好的靶材间隙清理干净后，使用行吊安装至自动循环水抛光设备进行水抛：
采用300目金刚石水磨砂带，控制芯轴转速300转/min，水磨砂带转速2000转/min，左右移动速度10mm/s,设置靶材抛光长度，控制表面冷却水流量25L/min，输入抛光遍数20，按一键启动，抛光设备按输入工艺自动运行至表面抛光结束，水抛结束后设备自动对表面进行高压清洗，清洗结束对表面残留水分进行吹干后烘烤（70℃）；
步骤五：烘烤结束后吊装下靶检测，光洁度可达Ra0.1-0.6um，抛光尺寸精度可控制0.1mm内。
本实施例对整体工艺进行分析：
Figure DEST_PATH_IMAGE002
由此可知，本实施例采用上述步骤，靶材表面抛光效果好，光洁度高，不会存在拉伤和刀痕。
本实施例打破传统的工艺，实际生产过程得到的改善效果具体分析如下：
Figure DEST_PATH_IMAGE004
本实施例大大的提升了制程良率，靶材表面质量，降低了成本（年节约≥16万）。产品在行业竞争优势明显。

Claims (7)

1.一种ITO旋转靶材表面制备工艺，其特征在于：
首先对ITO旋转靶胚进行粗磨，之后进行内圆磨和端磨；再通过自动循环水抛光设备进行水抛光，自动循环水抛光设备采用60-500目金刚石水磨砂带，控制芯轴转速50-500转/min，水磨砂带转速500-5000转/min，左右移动速度1-20mm/s，控制表面冷却水流量1-50L/min；水抛结束后进行高压清洗烘干得到制备好的ITO旋转靶材。
2.如权利要求1所述一种ITO旋转靶材表面制备工艺，其特征在于：所述对ITO旋转靶胚进行粗磨采用治具装配好，再装到外圆磨设备上进行粗磨，控制进刀量0.01-0.5mm，转速：1-5000转/min。
3.如权利要求1所述一种ITO旋转靶材表面制备工艺，其特征在于：所述内圆磨和端磨控制进刀量0.01-0.5mm，转速：1-5000转/min。
4.如权利要求1所述一种ITO旋转靶材表面制备工艺，其特征在于：清洗结束对靶材表面残留水分进行吹干后采用10-100℃进行烘烤。
5.如权利要求1或4所述一种ITO旋转靶材表面制备工艺，其特征在于：靶材烘干结束后吊装下靶检测，光洁度需达到Ra0.1-0.6um，抛光尺寸精度达到0.1mm内。
6.如权利要求1所述一种ITO旋转靶材表面制备工艺，其特征在于：所述自动循环水抛光设备的抛光遍数为1-50遍。
7.如权利要求1所述一种ITO旋转靶材表面制备工艺，其特征在于：所述水抛光前将粗磨、内圆磨和端磨过的ITO旋转靶胚绑定于钛管外表面，绑定好的靶材再进行水抛光。
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