CN113857953A - 一种氧化镉靶材的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种氧化镉靶材的加工方法，属于靶材加工领域。本发明所述氧化镉靶材的加工方法通过合理加工步骤及顺序，选择适合靶材的砂轮目数以及设置合理加工参数，可有效提升加工产品的质量，调控靶材的表面粗糙度使其符合应用要求，使靶材外圆达到溅射面的要求，同时外圆表面可达到焊料与背板的合格绑定率要求；通过冷却剂的使用，可改善靶材的加工效果，避免加工过程中因局部过热而导致靶材出现表面裂缝问题，同时可减少加工器具的热耗磨损，进而降低器具的更换频率，提升靶材加工的效率。

Description

一种氧化镉靶材的加工方法
技术领域
本发明涉及靶材加工领域，具体涉及一种氧化镉靶材的加工方法。
背景技术
透明导电薄膜主要分为金属薄膜、氧化物薄膜以及其它化合物薄膜等三大类，其中氧化物薄膜由于性能稳定而受到许多研究者们的关注。其中，氧化镉薄膜因其具有优异的电学和光学性能成为了近几年来研究最广泛的氧化物薄膜之一：氧化镉作为是新型的半导体氧化物，它的禁带宽度约为2.2eV，氧化镉薄膜透明呈浅黄色，在可见光范围(380～780nm)内具有较高的光学透过率，是一种具有高迁移率、高载流子浓度的薄膜，广泛应用于太阳能电池的窗口和光敏探测器等电子器件。当氧化镉中添加In元素掺杂，可以实现氧化镉基导电薄膜透光波段的可调性，使更多的阳光被太阳能电池半导体结构吸收，从而最大程度地提高太阳能电池的光利用效率。
目前，氧化镉薄膜主要是通过溅射氧化镉靶材来制备的，因此氧化镉靶材性能的好坏对其薄膜的性能有直接的影响，而磁控溅射过程中所使用靶材的质量是影响磁控溅射镀膜质量的关键因素之一，所以对于溅射靶材的质量要求高于传统材料行业的质量要求。溅射靶材的质量要求主要涉及尺寸、平整度、纯度、成分含量、密度，晶粒尺寸与缺陷控制等方面；此外，在面粗糙度、电阻值、晶粒尺寸均匀性、成分与组织均匀性、异物(氧化物)含量与尺寸、导磁率、超高密度与超细晶粒等方面，溅射靶材具有更高的质量要求或者特殊的质量要求。然而，现有技术的氧化镉靶材加工方法中，无法有效调控靶材表面的粗糙度，部分工艺甚至使表面出现崩边、开裂等缺陷，同时加工效率普遍较低。
发明内容
基于现有技术存在的缺陷，本发明的目的在于提供了一种氧化镉靶材的加工方法。该方法通过合理安排加工工艺、选择适合靶材的砂轮目数、设置合理加工参数、冷却方式，可有效调整氧化镉靶材的表面粗糙度，避免靶材在加工过程中出现裂缝或崩裂问题，且提高产品的加工效率。
为了达到上述目的，本发明采取的技术方案为：
一种氧化镉靶材的加工方法，包括以下步骤：
(1)靶材内圆加工：将氧化镉靶材安放在磨床夹头上，调节气动夹头的气压夹紧靶材，对准进刀位置，依次对靶材的内圆位置进行粗加工处理和精加工处理；所述粗加工处理采用砂轮目数为50～70目的树脂金刚石砂轮进行，所述精加工处理采用砂轮目数为240～260目的树脂金刚石砂轮进行；
(2)靶材外圆加工：调节气动夹头的气压将步骤(1)加工后的氧化镉靶材夹紧，依次对外圆位置进行粗加工处理和精加工处理；所述粗加工处理和精加工处理采用砂轮目数为310～330目的树脂金刚石砂轮进行；
(3)靶材线切割端面加工：调节气动夹头的气压将步骤(2)加工后的氧化镉靶材夹紧，采用砂轮目数为190～210目的树脂金刚石切割片分别对靶材的两个端面进行切割加工处理；所述切割处理时采用手轮人工转动控制，设置转速等级为0.001级；
(4)靶材CNC端面加工：将步骤(3)加工后的氧化镉靶材置于夹具上进行垂直度打点，随后安放在CNC真空吸附平台上，开启真空吸附，采用砂轮目数为190～210目的树脂金刚石铣磨砂轮进行粗加工处理和精加工处理；
所述氧化镉靶材加工过程中，对加工工具和靶材使用冷却剂表面冷却处理；所述冷却剂包括水和润滑剂。
本发明所述氧化镉靶材的加工方法通过合理加工步骤及顺序，选择适合靶材的砂轮目数以及设置合理加工参数，可有效提升加工产品的质量，调控靶材的表面粗糙度使其符合应用要求，使靶材外圆达到溅射面的要求，同时外圆表面可达到焊料与背板的合格绑定率要求；通过冷却剂的使用，可改善靶材的加工效果，避免加工过程中因局部过热而导致靶材出现表面裂缝问题，同时可减少加工器具的热耗磨损，进而降低器具的更换频率，提升靶材加工的效率。
优选地，步骤(1)所述粗加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为3000～5000rpm，靶材的转速设置为600～800rpm，加工速度设置为300～600mm/min，进刀速度设置为10～15mm/min，单次量设置为0.03～0.04mm；所述精加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为5000～6000rpm，靶材的转速设置为600～800rpm，加工速度设置为200～600mm/min，进刀速度设置为10～15mm/min，单次量设置为0.02～0.04mm。
优选地，步骤(2)所述粗加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为1000～2000rpm，靶材的转速设置为250～500rpm，加工速度设置为300～600mm/min，进刀速度设置为10～13mm/min，单次量设置为0.04～0.05mm；所述精加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为1000～3000rpm，靶材的转速设置为600～800rpm，加工速度设置为400～800mm/min，进刀速度设置为10～15mm/min，单次量设置为0.02～0.04mm。
由于氧化镉本身具有脆性，因此其靶材在无论是外圆或内圆加工过程中，若靶材或砂轮的转速、加工速度或者进刀速度等设置不合理，则很可能使靶材产生崩边，横裂/竖裂现象，同时也会造成粗糙度过大，导致靶材无法满足实际需求；发明人发现，所述优选的参数下，氧化镉靶材的外圆和内圆面粗糙度合理且未出现表面瑕疵。
此外，理论上砂轮加工时的转速越慢，出现磨损损坏的概率越小，但所需加工时间也相对变长，人工及耗能成本也相对变多，不利于量产；若砂轮加工时的转速越快，则容易导致靶材产生崩边或开裂现象，造成经济损失，降低产出率，同时所述转速下也会对设备的使用寿命产生影响，设备发生过热，也会加大加工危险系数，因此无论是内圆加工亦或是外圆加工，所述加工时砂轮的转速等参数需要在所述优选条件下才能保障产品的质量及生产效率。
优选地，步骤(3)所述切割加工处理时的砂轮转速设置为1000～3000rpm，靶材的转速设置为250～500rpm。
优选地，步骤(4)所述树脂金刚石铣磨砂轮为D120树脂金刚石铣磨砂轮或D125树脂金刚石铣磨砂轮；所述粗加工处理时的树脂金刚石铣磨砂轮的转速设置为3000～4500rpm，加工速度设置为60～80mm/min，进刀速度设置为10～15mm/min，单次量设置为0.04～0.05mm；所述精加工处理时的树脂金刚石铣磨砂轮的转速设置为4500～6000rpm，加工速度设置为400～600mm/min，进刀速度设置为10～13mm/min，单次量设置为0.04～0.05mm。
优选地，步骤(4)所述垂直度打点时，先采用直角尺根据靶材的透光程度进行垫平，随后进行打点，所述打点的数量为4个，所述4个点呈十字方向对称。
优选地，步骤(1)所述气动夹头的气压调节至0.25～0.35MPa；步骤(2)所述气动夹头的气压调节至0.05～0.15MPa；步骤(3)所述气动夹头的气压调节至0.25～0.35MPa。
本发明的有益效果在于，本发明提供了一种氧化镉靶材的加工方法，该方法通过合理加工步骤及顺序，选择适合靶材的砂轮目数以及设置合理加工参数，可有效提升加工产品的质量，调控靶材的表面粗糙度使其符合应用要求，使靶材外圆达到溅射面的要求，同时外圆表面可达到焊料与背板的合格绑定率要求；通过冷却剂的使用，可改善靶材的加工效果，避免加工过程中因局部过热而导致靶材出现表面裂缝问题，同时可减少加工器具的热耗磨损，进而降低器具的更换频率，提升靶材加工的效率。
附图说明
图1为本发明实施例1所述氧化镉靶材的加工方法的流程示意图。
具体实施方式
为了更好地说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例及对比例对本发明作进一步说明，其目的在于详细地理解本发明的内容，而不是对本发明的限制。本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。本发明实施、对比例所设计的实验试剂及仪器，除非特别说明，均为常用的普通试剂及仪器。
实施例1
本发明所述氧化镉靶材的加工方法的一种实施例，流程如图1所示，包括以下步骤：
(1)将氧化镉旋转靶材进行尺寸、密度、表面完好度的检查，以避免出现原料异常，同时开启加工仪器；
(2)靶材内圆加工：将氧化镉靶材安放在磨床夹头上，调节气动夹头的气压至0.3MPa夹紧靶材，对准进刀位置，依次对靶材的内圆位置进行粗加工处理和精加工处理；所述粗加工处理采用砂轮目数为60目的树脂金刚石砂轮进行，所述精加工处理采用砂轮目数为250目的树脂金刚石砂轮进行；
所述粗加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为3000rpm，靶材的转速设置为600rpm，加工速度设置为400mm/min，进刀速度设置为10mm/min，单次量设置为0.03mm；所述精加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为5000rpm，靶材的转速设置为600rpm，加工速度设置为200mm/min，进刀速度设置为10mm/min，单次量设置为0.02mm；
(3)靶材外圆加工：将步骤(2)加工后的氧化镉靶材安放在磨床夹头上，调节气动夹头的气压至0.1MPa夹紧靶材，对准进刀位置，依次对靶材的外圆位置进行粗加工处理和精加工处理；所述粗加工处理和精加工处理采用砂轮目数为320目的树脂金刚石砂轮进行；
所述粗加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为1000rpm，靶材的转速设置为250rpm，加工速度设置为300mm/min，进刀速度设置为10mm/min，单次量设置为0.04mm；所述精加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为1000rpm，靶材的转速设置为600rpm，加工速度设置为400mm/min，进刀速度设置为10mm/min，单次量设置为0.02mm；
(4)靶材线切割端面加工：将步骤(3)加工后的氧化镉靶材安放在磨床夹头上，调节气动夹头的气压至0.3MPa夹紧靶材，对准进刀位置，采用砂轮目数为200目的树脂金刚石切割片分别对靶材的两个端面进行切割加工处理；所述切割处理时采用手轮人工转动控制，设置转速等级为0.001级；
所述切割加工处理时的砂轮转速设置为1000rpm，靶材的转速设置为250rpm；
(5)靶材CNC(数控铣床)端面加工：将步骤(4)加工后的氧化镉靶材置于夹具上进行垂直度打点(先采用直角尺根据靶材的透光程度进行垫平，随后进行打点，所述打点的数量为4个，所述4个点呈十字方向对称)，随后安放在CNC真空吸附平台(140*100mm)上，开启真空吸附，采用砂轮目数为200目的D120树脂金刚石铣磨砂轮进行粗加工处理和精加工处理；
所述粗加工处理时的树脂金刚石铣磨砂轮的转速设置为3000rpm，加工速度设置为60mm/min，进刀速度设置为10mm/min，单次量设置为0.04mm；所述精加工处理时的树脂金刚石铣磨砂轮的转速设置为4500rpm，加工速度设置为400mm/min，进刀速度设置为10mm/min，单次量设置为0.04mm；
(6)将步骤(5)加工后的氧化镉靶材清洗表面，进行最终检查，出货；
所述氧化镉靶材加工过程中，对加工工具和靶材使用冷却剂表面冷却处理；所述冷却剂包括水和润滑剂。
实施例2
本发明所述氧化镉靶材的加工方法的一种实施例，包括以下步骤：
(1)将氧化镉旋转靶材进行尺寸、密度、表面完好度的检查，以避免出现原料异常，同时开启加工仪器；
(2)靶材内圆加工：将氧化镉靶材安放在磨床夹头上，调节气动夹头的气压至0.3MPa夹紧靶材，对准进刀位置，依次对靶材的内圆位置进行粗加工处理和精加工处理；所述粗加工处理采用砂轮目数为60目的树脂金刚石砂轮进行，所述精加工处理采用砂轮目数为250目的树脂金刚石砂轮进行；
所述粗加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为4000rpm，靶材的转速设置为700rpm，加工速度设置为600mm/min，进刀速度设置为13mm/min，单次量设置为0.03mm；所述精加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为5000rpm，靶材的转速设置为600rpm，加工速度设置为500mm/min，进刀速度设置为12mm/min，单次量设置为0.02mm；
(3)靶材外圆加工：将步骤(2)加工后的氧化镉靶材安放在磨床夹头上，调节气动夹头的气压至0.1MPa夹紧靶材，对准进刀位置，依次对靶材的外圆位置进行粗加工处理和精加工处理；所述粗加工处理和精加工处理采用砂轮目数为320目的树脂金刚石砂轮进行；
所述粗加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为1500rpm，靶材的转速设置为300rpm，加工速度设置为300mm/min，进刀速度设置为13mm/min，单次量设置为0.04mm；所述精加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为2000rpm，靶材的转速设置为700rpm，加工速度设置为600mm/min，进刀速度设置为15mm/min，单次量设置为0.02mm；
(4)靶材线切割端面加工：将步骤(3)加工后的氧化镉靶材安放在磨床夹头上，调节气动夹头的气压至0.3MPa夹紧靶材，对准进刀位置，采用砂轮目数为200目的树脂金刚石切割片分别对靶材的两个端面进行切割加工处理；所述切割处理时采用手轮人工转动控制，设置转速等级为0.001级；
所述切割加工处理时的砂轮转速设置为2000rpm，靶材的转速设置为300rpm；
(5)靶材CNC(数控铣床)端面加工：将步骤(4)加工后的氧化镉靶材置于夹具上进行垂直度打点(先采用直角尺根据靶材的透光程度进行垫平，随后进行打点，所述打点的数量为4个，所述4个点呈十字方向对称)，随后安放在CNC真空吸附平台(140*100mm)上，开启真空吸附，采用砂轮目数为200目的D120树脂金刚石铣磨砂轮进行粗加工处理和精加工处理；
所述粗加工处理时的树脂金刚石铣磨砂轮的转速设置为4000rpm，加工速度设置为70mm/min，进刀速度设置为14mm/min，单次量设置为0.05mm；所述精加工处理时的树脂金刚石铣磨砂轮的转速设置为5000rpm，加工速度设置为600mm/min，进刀速度设置为13mm/min，单次量设置为0.04mm；
(6)将步骤(5)加工后的氧化镉靶材清洗表面，进行最终检查，出货；
所述氧化镉靶材加工过程中，对加工工具和靶材使用冷却剂表面冷却处理；所述冷却剂包括水和润滑剂。
实施例3
本发明所述氧化镉靶材的加工方法的一种实施例，包括以下步骤：
(1)将氧化镉旋转靶材进行尺寸、密度、表面完好度的检查，以避免出现原料异常，同时开启加工仪器；
(2)靶材内圆加工：将氧化镉靶材安放在磨床夹头上，调节气动夹头的气压至0.3MPa夹紧靶材，对准进刀位置，依次对靶材的内圆位置进行粗加工处理和精加工处理；所述粗加工处理采用砂轮目数为60目的树脂金刚石砂轮进行，所述精加工处理采用砂轮目数为250目的树脂金刚石砂轮进行；
所述粗加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为5000rpm，靶材的转速设置为800rpm，加工速度设置为600mm/min，进刀速度设置为13mm/min，单次量设置为0.04mm；所述精加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为6000rpm，靶材的转速设置为800rpm，加工速度设置为600mm/min，进刀速度设置为13mm/min，单次量设置为0.04mm；
(3)靶材外圆加工：将步骤(2)加工后的氧化镉靶材安放在磨床夹头上，调节气动夹头的气压至0.1MPa夹紧靶材，对准进刀位置，依次对靶材的外圆位置进行粗加工处理和精加工处理；所述粗加工处理和精加工处理采用砂轮目数为320目的树脂金刚石砂轮进行；
所述粗加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为2000rpm，靶材的转速设置为500rpm，加工速度设置为600mm/min，进刀速度设置为13mm/min，单次量设置为0.05mm；所述精加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为3000rpm，靶材的转速设置为800rpm，加工速度设置为800mm/min，进刀速度设置为15mm/min，单次量设置为0.02mm；
(4)靶材线切割端面加工：将步骤(3)加工后的氧化镉靶材安放在磨床夹头上，调节气动夹头的气压至0.3MPa夹紧靶材，对准进刀位置，采用砂轮目数为200目的树脂金刚石切割片分别对靶材的两个端面进行切割加工处理；所述切割处理时采用手轮人工转动控制，设置转速等级为0.001级；
所述切割加工处理时的砂轮转速设置为3000rpm，靶材的转速设置为500rpm；
(5)靶材CNC(数控铣床)端面加工：将步骤(4)加工后的氧化镉靶材置于夹具上进行垂直度打点(先采用直角尺根据靶材的透光程度进行垫平，随后进行打点，所述打点的数量为4个，所述4个点呈十字方向对称)，随后安放在CNC真空吸附平台(140*100mm)上，开启真空吸附，采用砂轮目数为200目的D120树脂金刚石铣磨砂轮进行粗加工处理和精加工处理；
所述粗加工处理时的树脂金刚石铣磨砂轮的转速设置为4500rpm，加工速度设置为60mm/min，进刀速度设置为15mm/min，单次量设置为0.05mm；所述精加工处理时的树脂金刚石铣磨砂轮的转速设置为6000rpm，加工速度设置为600mm/min，进刀速度设置为13mm/min，单次量设置为0.05mm；
(6)将步骤(5)加工后的氧化镉靶材清洗表面，进行最终检查，出货；
所述氧化镉靶材加工过程中，对加工工具和靶材使用冷却剂表面冷却处理；所述冷却剂包括水和润滑剂。
效果例1
为验证本发明所述加工方法得到的产品，对实施例1～3所得靶材进行试验。
试验标准：采用阿基米德排水法测定密度，以真密度为基准，计算得到相对密度；采用三点抗弯法测定抗弯强度；采用霍尔效应法测载流子迁移率；采用四探针电阻率仪测试电阻；采用粗糙度仪测试靶材表面的粗糙度。
测试结果如表1所示。
表1
Figure BDA0003259063440000091
Figure BDA0003259063440000101
从表1可知，本发明所述加工方法制备的氧化镉靶材其相对密度可达95％以上，抗弯强度达到40MPa以上，迁移率和电阻率较高，表面光滑，加工效果良好，其中实施例1产品综合性质最佳。
最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (8)

1.一种氧化镉靶材的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)靶材内圆加工：将氧化镉靶材安放在磨床夹头上，调节气动夹头的气压夹紧靶材，对准进刀位置，依次对靶材的内圆位置进行粗加工处理和精加工处理；所述粗加工处理采用砂轮目数为50～70目的树脂金刚石砂轮进行，所述精加工处理采用砂轮目数为240～260目的树脂金刚石砂轮进行；
(2)靶材外圆加工：调节气动夹头的气压将步骤(1)加工后的氧化镉靶材夹紧，依次对外圆位置进行粗加工处理和精加工处理；所述粗加工处理和精加工处理采用砂轮目数为310～330目的树脂金刚石砂轮进行；
(3)靶材线切割端面加工：调节气动夹头的气压将步骤(2)加工后的氧化镉靶材夹紧，采用砂轮目数为190～210目的树脂金刚石切割片分别对靶材的两个端面进行切割加工处理；所述切割处理时采用手轮人工转动控制，设置转速等级为0.001级；
(4)靶材CNC端面加工：将步骤(3)加工后的氧化镉靶材置于夹具上进行垂直度打点，随后安放在CNC真空吸附平台上，开启真空吸附，采用砂轮目数为190～210目的树脂金刚石铣磨砂轮进行粗加工处理和精加工处理；
所述氧化镉靶材加工过程中，对加工工具和靶材使用冷却剂表面冷却处理；所述冷却剂包括水和润滑剂。
2.如权利要求1所述氧化镉靶材的加工方法，其特征在于，步骤(1)所述粗加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为3000～5000rpm，靶材的转速设置为600～800rpm，加工速度设置为300～600mm/min，进刀速度设置为10～15mm/min，单次量设置为0.03～0.04mm；所述精加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为5000～6000rpm，靶材的转速设置为600～800rpm，加工速度设置为200～600mm/min，进刀速度设置为10～15mm/min，单次量设置为0.02～0.04mm。
3.如权利要求1所述氧化镉靶材的加工方法，其特征在于，步骤(2)所述粗加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为1000～2000rpm，靶材的转速设置为250～500rpm，加工速度设置为300～600mm/min，进刀速度设置为10～13mm/min，单次量设置为0.04～0.05mm；所述精加工处理时的树脂金刚石砂轮的转速设置为1000～3000rpm，靶材的转速设置为600～800rpm，加工速度设置为400～800mm/min，进刀速度设置为10～15mm/min，单次量设置为0.02～0.04mm。
4.如权利要求1所述氧化镉靶材的加工方法，其特征在于，步骤(3)所述切割加工处理时的砂轮转速设置为1000～3000rpm，靶材的转速设置为250～500rpm。
5.如权利要求1所述氧化镉靶材的加工方法，其特征在于，步骤(4)所述树脂金刚石铣磨砂轮为D120树脂金刚石铣磨砂轮或D125树脂金刚石铣磨砂轮。
6.如权利要求5所述氧化镉靶材的加工方法，其特征在于，所述粗加工处理时的树脂金刚石铣磨砂轮的转速设置为3000～4500rpm，加工速度设置为60～80mm/min，进刀速度设置为10～15mm/min，单次量设置为0.04～0.05mm；所述精加工处理时的树脂金刚石铣磨砂轮的转速设置为4500～6000rpm，加工速度设置为400～600mm/min，进刀速度设置为10～13mm/min，单次量设置为0.04～0.05mm。
7.如权利要求1所述氧化镉靶材的加工方法，其特征在于，步骤(4)所述垂直度打点时，先采用直角尺根据靶材的透光程度进行垫平，随后进行打点，所述打点的数量为4个，所述4个点呈十字方向对称。
8.如权利要求1所述氧化镉靶材的加工方法，其特征在于，步骤(1)所述气动夹头的气压调节至0.25～0.35MPa；步骤(2)所述气动夹头的气压调节至0.05～0.15MPa；步骤(3)所述气动夹头的气压调节至0.25～0.35MPa。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114496353A (zh) * 2022-01-20 2022-05-13 汕头大学 高电导率、高透射率的透明导电薄膜及其制备方法和应用
CN114536206A (zh) * 2022-03-03 2022-05-27 先导薄膜材料（广东）有限公司 一种旋转靶材表面研磨方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102922231A (zh) * 2012-10-25 2013-02-13 昆明贵金属研究所 一种钌及钌合金靶材的加工方法
CN104416325A (zh) * 2013-08-21 2015-03-18 宁波江丰电子材料股份有限公司 钨靶材的制作方法
CN104668883A (zh) * 2013-12-03 2015-06-03 宁波江丰电子材料股份有限公司 靶材组件溅射面的处理方法
CN105683408A (zh) * 2014-08-22 2016-06-15 三井金属矿业株式会社 圆筒形溅射靶用靶材的制造方法和圆筒形溅射靶
CN108724498A (zh) * 2018-06-27 2018-11-02 昆明理工大学 一种靶材切割机
CN109420787A (zh) * 2017-08-23 2019-03-05 宁波江丰电子材料股份有限公司 铜靶材加工方法
CN113275951A (zh) * 2021-05-26 2021-08-20 芜湖映日科技股份有限公司 一种ito旋转靶材表面制备工艺

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102922231A (zh) * 2012-10-25 2013-02-13 昆明贵金属研究所 一种钌及钌合金靶材的加工方法
CN104416325A (zh) * 2013-08-21 2015-03-18 宁波江丰电子材料股份有限公司 钨靶材的制作方法
CN104668883A (zh) * 2013-12-03 2015-06-03 宁波江丰电子材料股份有限公司 靶材组件溅射面的处理方法
CN105683408A (zh) * 2014-08-22 2016-06-15 三井金属矿业株式会社 圆筒形溅射靶用靶材的制造方法和圆筒形溅射靶
CN109420787A (zh) * 2017-08-23 2019-03-05 宁波江丰电子材料股份有限公司 铜靶材加工方法
CN108724498A (zh) * 2018-06-27 2018-11-02 昆明理工大学 一种靶材切割机
CN113275951A (zh) * 2021-05-26 2021-08-20 芜湖映日科技股份有限公司 一种ito旋转靶材表面制备工艺

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114496353A (zh) * 2022-01-20 2022-05-13 汕头大学 高电导率、高透射率的透明导电薄膜及其制备方法和应用
CN114496353B (zh) * 2022-01-20 2024-03-26 汕头大学 高电导率、高透射率的透明导电薄膜及其制备方法和应用
CN114536206A (zh) * 2022-03-03 2022-05-27 先导薄膜材料（广东）有限公司 一种旋转靶材表面研磨方法

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