JP2009027701A - 半導体集積回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】初期化用の特別の外部経路の設置や初期化用の信号生成を不要にする。
【解決手段】データ非保持フリップフロップ10A1(第2のフリップフロップ)を、スリープ信号SLPが“H”のとき(動作モード時)、クロック信号CKに同期して、前段の組合せ論理回路が出力したデータの保持および後段の組合せ論理回路へのデータの転送を行い、スリープ信号SLPが“L”のとき(スリープモード時)、電源が遮断されるよう構成する。さらに、スリープ信号SLPが“H”から“L”に切り替わるときに、トランジスタM32を一時的にオンさせて、スレーブラッチ(INV14,INV15)に“L”パルスを与える。
【選択図】図2

Description

本発明は、組合せ論理回路とフリップフロップとが交互に接続された半導体集積回路に関するものである。
組合せ論理回路とフリップフロップとが交互に接続される構成の半導体集積回路では、前段の組合せ論理回路で処理されたデータがクロック信号に同期してフリップフロップに取り込まれ、後段の組合せ論理回路に転送される。そして、MTCMOS技術等を採用した低消費電力設計に基づいた半導体集積回路では、組合せ論理回路およびフリップフロップが動作モード/スリープモードに切り替え可能に構成され、スリープモード時には主要回路への電源供給が遮断される。ラッチ回路にこの技術を適用したものとして、例えば、特許文献1がある。
図5は上記半導体集積回路の構成を示す図であり、10Aはデータ非保持フリップフロップ、10Bはデータ保持フリップフロップ、20は組合せ論理回路である。組合せ論理回路20とデータ非保持フリップフロップ10Aでは、スリープモード時に、スリープ信号SLPが“L”になり、全回路への電源供給が遮断される。データ保持フリップフロップ10Bでは、スリープモード時に、データ保持信号DRが“L”になってデータ保持が行われた後にスリープ信号SLPが“L”になり、データ保持部分を除く他の部分への電源供給が遮断される(例えば、特許文献2参照)。
このような回路では、スリープモードから動作モードに復帰する際に、データ保持フリップフロップ10Bを初期化することなくデータ非保持フリップフロップ10Aを初期化することが必要となる。これは、データ非保持フリップフロップ10Aが復帰時に不定データを出力することを防止するため、およびデータ保持フリップフロップ10Bがスリープモード前のデータ値を復帰時に出力するためである。
このデータ非保持フリップフロップ10Aの初期化は、図6に示すように、データ非保持フリップフロップ10Aのシステムリセット信号の経路に、特別に初期化用のアンド回路AND1を挿入して、システムリセット信号が“L”になったとき以外に、初期化信号が“L”になったときも、データ非保持フリップフロップ10Aがリセットされるようにしている。
特開平11−112297号公報 US2005/0184758
しかしながら、上記手法を採用するには、半導体集積回路の設計段階において、データ非保持フリップフロップ10Aとデータ保持フリップフロップ10Bを明確にして、両フリップフロップ10A,10Bのシステムリセット経路を区別し、データ非保持フリップフロップ10Aにのみ、初期化用のアンド回路AND1を挿入する必要がある。さらに、スリープ信号SLPと関連させて、特別に初期化信号を生成させ、外部から入力させる必要がある。
本発明の目的は、データ非保持フリップフロップ内に初期化手段を備えることにより、初期化用の特別の外部経路の設置や初期化用の信号生成を不要にした半導体集積回路を提供することである。
上記目的を達成するために、請求項1にかかる発明の半導体集積回路は、動作モード時に入力データの論理演算を行いスリープモード時に電源供給が遮断される組合せ論理回路と、データの保持と転送を行うフリップフロップとが交互に接続され、該フリップフロップの内の少なくとも1つは、前記動作モード時に前段の組合せ論理回路が出力したデータの保持および後段の組合せ論理回路又は別の回路へのデータの転送を行い、前記スリープモード時に前段の組合せ論理回路が出力したデータの保持を行う第1のフリップフロップからなり、残りのフリップフロップは、前記動作モード時に前段の組合せ論理回路が出力したデータの保持および後段の組合せ論理回路又は別の回路へのデータの転送を行い、前記スリープモード時に電源供給が遮断される第2のフリップフロップからなり、前記第2のフリップフロップは、前記スリープモードから前記動作モードに切り替わるときにデータ保持状態の初期化を行う初期化手段を内部に備えたことを特徴とする。
請求項2にかかる発明は、請求項1に記載の半導体集積回路において、前記組合せ論理回路および前記第2のフリップフロップは、そこへの電源供給が、前記動作モード時にオンとなり前記スリープモード時にオフとなるスイッチ手段を介して行われ、前記初期化手段は、前記スリープモードから前記動作モードへの切り替わりを検知して、前記第2のフリップフロップのデータ保持状態の初期化を行うことを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項2に記載の半導体集積回路において、前記スイッチ手段は制御信号が入力される端子を有し、前記スリープモードから前記動作モードへの切り替わりのとき、該制御信号が変化することによってオフからオンに切り替わるものであり、前記初期化手段は、前記制御信号の変化を検出して前記第2のフリップフロップのデータ保持状態の初期化を行うことを特徴とする。
請求項4にかかる発明は、請求項3に記載の半導体集積回路において、前記第1のフリップフロップは、前記制御信号が入力される端子と保持信号が入力される端子とを有し、該制御信号が変化した後に該保持信号が変化することによって、前記スリープモードから動作モードに切り替わるものであり、前記初期化手段は、前記制御信号の変化を検知して前記第2のフリップフロップの初期化を開始し、前記保持信号の変化を検知して前記第2のフリップフロップの初期化を終了するものであることを特徴とする。
請求項5にかかる発明は、請求項2または3に記載の半導体集積回路において、前記初期化手段は、前記スリープモードから前記動作モードへの変化から、所定の時間が経過するまでの期間、前記データ保持状態の初期化を行うことを特徴とする。
本発明の半導体集積回路によれば、動作モード時に前段の組合せ論理回路が出力したデータの保持および後段の組合せ論理回路又は別の回路へのデータの転送を行い、スリープモード時に電源供給が遮断される第2のフリップフロップ、つまりデータ非保持フリップフロップが、スリープモードから動作モードに切り替わるときに、初期化手段によりデータ保持状態の初期化が行われるので、初期化用の特別の外部経路の設置や初期化用の外部信号の生成が不要になる。
<データ保持フリップフロップ>
図1は本発明の半導体集積回路の一部を構成するデータ保持フリップフロップ10B1の内部回路を示す回路図である。このデータ保持フリップフロップ10B1は、スリープモード時に、クロック信号の供給の停止を行い、また、データ保持に必要な部分以外への電源供給を遮断して、スリープモード時の消費電力を低減する(例えば、特許文献2参照)。図1において、INV1〜INV8はインバータ、G1,G2はトランスミッションゲートである。
インバータINV1,INV2,INV6,INV7、INV8は、例えば、ゲートが共通接続されたPMOSトランジスタとNMOSトランジスタとを、VDD電源とGNDとの間に直列接続した構成とすることができる。ただし、そのNMOSトランジスタのソース(OFF)は、直接GNDに接続されるのでは無く、スリープ信号SLPが“L”のときオフになるNMOSトランジスタM17を介して接続される。トランジスタM17は、スリープ信号SLPによって制御されるスイッチ手段として機能する。すなわち、スリープ信号SLPが動作モードを示す“H”のときオンして、各インバータINV1,INV2,INV6,INV7、INV8に電源を供給して動作状態にし、スリープモードを示す“L”のときオフして、各インバータINV1,INV2,INV6,INV7、INV8への電源供給を遮断する。
また、インバータINV4は、そのNMOSトランジスタのソース(SB)とGNDとの間に、スリープ信号SLPが“L”のときオフになるNMOSトランジスタM15と、ゲートがGNDに接続されることにより常時オン状態にある内部抵抗が比較的大きなPMOSトランジスタM16との並列回路が接続された構成である。
インバータINV3は、PMOSトランジスタM3,M5、NMOSトランジスタM4,M6からなり、クロック信号CLK2と反転クロック信号CLKB2が印加されるクロックド型の構成である。
インバータINV5は、PMOSトランジスタM10,M12,M14とNMOSトランジスタM11、M13からなり、クロック信号CLK2と反転クロック信号CLKB2とデータ保持信号DRが印加されるクロックド型の構成である。
インバータINV8は、PMOSトランジスタM18,M19,M22とNMOSトランジスタM20,M21からなり、データ保持信号DRが印加される構成である。そして、入力するクロック信号CKは、インバータINV7,INV8によって、前記したクロック信号CLK2、反転クロック信号CLKB2に変換される。
トランスミッションゲートG1にはクロック信号CLK2と反転クロック信号CLKB2が印加される。トランスミッションゲートG2はNMOSトランジスタM8,M9の直列回路にPMOSトランジスタM7を並列接続した構成であり、クロック信号CLK2と反転クロック信号CLKB2とデータ保持信号DRが印加される。
このデータ保持フリップフロップ10B1は、インバータINV2とINV3がマスタラッチとして働き、インバータINV4とINV5がスレーブラッチとして働く。
さて、動作モードにおいては、スリープ信号SLPが“H”で、データ保持信号DRが“H”である。クロック信号CKが“L”になると、クロック信号CLK2が“L”に、反転クロック信号CLKB2が“H”になる。よって、トランスミッションゲートG1がオン、トランスミッションゲートG2がオフ、インバータINV3がオフ、インバータINV5がオンとなる。このため、D端子の入力データがインバータINV1とトランスミッションゲートG1を経由してインバータINV2に入力する。
次に、クロック信号CKが“H”になると、上記と逆に、トランスミッションゲートG1がオフ、トランスミッションゲートG2がオン、インバータINV3がオン、インバータINV5がオフとなる。よって、入力されたデータがインバータINV2とINV3のマスタラッチで保持されると共に、トランスミッションゲートG2を経由してインバータINV4に転送され、インバータINV6を介してQ端子に出力される。
次に、クロック信号CKが“L”になると、トランスミッションゲートG2がオフ、インバータINV5がオンとなる。よって、入力されたデータがインバータINV4とINV5のスレーブラッチで保持されると共に、インバータINV6を介してQ端子に出力される。
このように、動作モード時では、データ保持フリップフロップ10B1は、クロック信号CKが“L”になるとD端子の入力データをマスタラッチに取り込み、“H”になると、取り込んだデータをマスタラッチに保持するとともにスレーブラッチに転送し、Q端子に出力する。そして、クロック信号CKが再び“L”になると、転送されたデータをスレーブラッチに保持するとともにQ端子に出力する。
スリープモードへの切り替え時には、まず、クロック信号CKが“L”に固定される。これにより、クロック信号CLK2が“L”、反転クロック信号CLKB2が“H”に固定される。よって、トランスミッションゲートG2がオフとなるので、スレーブラッチはマスタラッチから分離される。
次に、データ保持信号DRが“L”に切り替えられ、インバータINV8において、トランジスタM18,M22がオンとなって、クロック信号CLK2、反転クロック信号CLKB2がいずれも“H”に固定される。これにより、トランスミッションゲートG2は、トランジスタM8がオンするがトランジスタM9がオフとなってオフ状態を保つ。従って、スレーブラッチが分離された状態が保たれる。スレーブラッチのインバータINV5は、トランジスタM12がオフとなるが、トランジスタM14がオンとなる。従って、スレーブラッチはデータの保持を維持する。
この後に、スリープ信号SLPが“L”に切り替えられると、トランジスタM17がオフとなり、インバータINV1,INV2,INV3,INV6,INV7,INV8の電源が遮断され、スリープモード(省電力モード)となる。このとき、インバータINV4、INV5はトランジスタM16により最低限の電源供給路が確保され、このインバータINV4,INV5によりデータが保持される。
その後、再び動作モードに戻すときには、まず、スリープ信号SLPを“H”に変化させる。これにより、データ保持フリップフロップ10B1に、トランジスタM17を通じた電源の供給が再開される。スリープ信号SLPは、後から述べるように、組合せ論理回路への電源の供給、遮断の制御にも利用されるものであり、それを“H”に変化させることにより、データ保持フリップフロップ10B1の次段の組合せ論理回路への電源の供給も再開される。これによって、動作モードにおいて保持され、省電力モードの期間にもスレーブラッチに維持されていたデータが、データ保持フリップフロップの10B1のQ端子から出力され、次段の組合せ論理回路に入力される。
次に、データ保持信号DRを“H”に変化させ、クロック信号CLK2、CLKB2の生成を可能にする。これによって、データ非保持フリップフロップ10A1、データ保持フリップフロップ10B1、組合せ論理回路20からなる半導体集積回路が、省電力モードから動作モードに復帰する。その後、クロック信号CKの供給を再開する。
<データ非保持フリップフロップ(その1)>
図2は本発明の半導体集積回路の一部を構成するデータ非保持フリップフロップ10A1の内部回路を示す回路図である。このデータ保持フリップフロップ10A1は、スリープモード時に、初期化用回路を除く回路のインバータへの電源供給を遮断して、スリープモード時の消費電力を低減する。図2において、INV11〜INV19はインバータ、G11,G12、G13はトランスミッションゲート、BF1,BF2はバッファ、M31,M32はNMOSトランジスタである。
インバータINV11〜INV18は、例えば、ゲートが共通接続されたPMOSトランジスタとNMOSトランジスタとを、VDD電源とGNDとの間に直列接続した構成とすることができる。ただし、そのNMOSトランジスタのソース(OFF)は、直接GNDに接続されるのでは無く、スリープ信号SLPが“L”のときオフになるNMOSトランジスタM31を介して接続される。
インバータINV12とINV13はマスタラッチを構成し、インバータINV14とINV15はスレーブラッチを構成する。また、インバータINV17とINV18は、外部入力するクロック信号CKから、反転クロックCLKB1と正転クロックCLK1を生成する。
トランジスタM31は、スリープ信号SLPによって制御されるスイッチ手段として機能する。すなわち、スリープ信号SLPが動作モードを示す“H”のときオンして、各インバータINV11〜INV18に電源を供給して動作状態にし、スリープモードを示す“L”のときオフして、各インバータINV11〜INV18への電源供給を遮断する。
バッファBF1,BF2、インバータINV19、トランスミッションゲートG13およびトランジスタM32は、初期化用の回路を構成する。
さて、動作モードにおいては、スリープ信号SLPが“H”であり、トランジスタM31がオンして、インバータINV11〜INV18は動作状態となっている。また、インバータINV19の入力側が“H”、出力側が“L”であり、トランスミッションゲートG13はオン、トランジスタM32はオフとなっている。
そして、クロック信号CKが“L”になると、クロック信号CLK1が“L”に、反転クロック信号CLKB1が“H”になり、トランスミッションゲートG11がオン、トランスミッションゲートG12がオフとなる。よって、D端子の入力データがインバータINV11とトランスミッションゲートG11を経由してインバータINV12に入力し、マスタラッチのインバータINV12とINV13で保持される。
次に、クロック信号CKが“H”になると、上記と逆に、トランスミッションゲートG11がオフ、トランスミッションゲートG12がオンとなる。よって、そのインバータINV12とINV13で保持されているデータが、トランスミッションゲートG12経由でインバータINV14に入力して、スレーブラッチのインバータINV14とINV15で保持され、これがインバータINV16を経由してQ端子の出力データとなる。
このように、動作モード時では、データ非保持フリップフロップ10A1は、クロック信号CKが“L”になるとD端子の入力データをマスタラッチに取り込み、“H”になるとマスタラッチのデータをスレーブラッチに転送し、Q端子に出力する。
図2において、インバータINV13,INV15の内部の記載は省略されているが、実際には、図1のデータ保持フリップフロップ10B1のインバータINV3,INV5と同様に、クロックド型のものであることが好ましい。具体的には、インバータINV13は、インバータINV3と同一の構成を有し、反転クロック信号CLKB2とクロック信号CLK2の代わりに、反転クロック信号CLKB1とクロック信号CLK1とが印加される構成とすることができる。インバータINV15は、やはりインバータINV3と同一の構成を有し、反転クロック信号CLKB2とクロック信号CLK2の代わりに、クロック信号CLK1と反転クロック信号CLKB1とが印加される構成とすることができる。
この場合の、動作モード時のデータ非保持フリップフロップ10A1の動作は、動作モード時のデータ保持フリップフロップ10B1の動作と同様である。すなわち、クロック信号CKが“L”になるとD端子の入力データをマスタラッチに取り込み、“H”になると、取り込んだデータをマスタラッチに保持するとともにスレーブラッチに転送し、Q端子に出力する。そして、クロック信号CKが再び“L”になると、転送されたデータをスレーブラッチに保持するとともにQ端子に出力する。
スリープモードへの切り替え時には、まず、クロック信号CKが“L”に固定される。これは前述のデータ保持フリップフロップ10B1の制御用であり、このデータ非保持フリップフロップ10A1には影響を与えない。
この後に、スリープ信号SLPが“L”に切り替えられる。これにより、トランジスタM31がオフとなり、インバータINV11〜INV18の電源が遮断され、スリープモード(省電力モード)となる。このとき、バッファBF1,BF2、インバータINV19は動作状態にあり、バッファBF1,BF2による遅延時間Tの後、インバータINV19の入力側が“L”、出力側が“H”となって、トランジスタM32がオンし、トランスミッションゲートG13がオフする。
そして、動作モードに復帰するためには、スリープ信号SLPが“H”に切り替えられる。すると、トランジスタM31がオンとなり、インバータINV11〜INV18に電源が供給され、通常動作が可能となる。このスリープ信号SLPが“H”に立ち上がるとき、バッファBF1,BF2により決まる遅延時間Tの後に、インバータINV19の入力側が“H”、出力側が“L”となり、トランジスタM32がオフになり、トランスミッションゲートG13がオンになる。
このため、動作モードへの復帰のために、スリープ信号SLPが“L”→“H”に切り替えられてから、時間Tの期間だけ、トランジスタM32のドレイン側に“L”パルスが発生し、これがインバータINV14に入力して、時間Tの経過時にはスレーブラッチのインバータINV14とINV15で保持される。すなわち、この“L”パルスによって、データ非保持フリップフロップ10A1は、そのQ端子の出力が“L”になるように初期化される。このように、バッファBF1,BF2、インバータINV19、トランスミッションゲートG13およびトランジスタM32からなる初期化回路は、スリープ信号SLPの変化を検出することによって半導体集積回路のスリープモードから動作モードへの切り替わりを検知し、データ非保持フリップフロップ10A1の初期化を行う。
<組合せ論理回路>
本発明の半導体集積回路の一部を構成する組合せ論理回路については、図示はしないが、図2に示した、スリープ信号SLPで制御されるNMOSトランジスタM31のようなNMOSトランジスタを設け、このトランジスタのドレインを、組合せ論理回路を構成する各種論理素子(各種ゲート)の接地側のNMOSトランジスタのソースに接続する。これにより、図2におけるインバータINV11〜INV18と同様に、スリープ信号SLPによって、それら各種論理素子の電源を導通/遮断させることが可能となる。
<データ非保持フリップフロップ(その2)>
図3は本発明の半導体集積回路の一部を構成する別の例のデータ非保持フリップフロップ10A2の内部回路を示す回路図である。このデータ非保持フリップフロップ10A2は、システムリセット信号Rにより、リセット可能となったフリップフロップである。図2のデータ非保持フリップフロップ10A1と異なるところは、図2におけるインバータINV13、INV14をそれぞれナンド回路NAND1,NAND2に置き換え、そのナンド回路NAND1,NAND2がトランジスタM31により電源供給が制御され、かつシステムリセット信号Rでゲートがオン/オフされるようにした点である。
このデータ非保持フリップフロップ10A2は、システムリセット信号Rが一時的に“L”になることにより、ナンド回路NAND1,NAND2から“H”のパルスを出力し、マスタラッチおよびスレーブラッチのリセットを行う。図2に示すデータ非保持フリップフロップ10A1のインバータINV13と同様に、アンド回路AND1についても、実際には、クロック信号CKが“L”のときオフとなる、クロックド型のものであることが好ましい。
また、図2のデータ非保持フリップフロップ10A1と同様に、スリープ信号SLPが“L”→“H”に切り替えられたとき、時間Tの期間だけ、トランジスタM32のドレイン側に“L”パルスを発生し、この“L”パルスによって、データ非保持フリップフロップ10A2のQ出力が“H”になるように初期化される。
このように、システムリセット機能を有するデータ非保持フリップフロップを利用するときには、データ保持フリップフロップも、システムリセット機能を有するものを利用する。図1に示すようなデータ保持フリップフロップ10B1は、例えば、図3に示すデータ非保持フリップフロップと同様に、インバータINV3,INV4をNANDゲートに置き換えることにより、システムリセット機能を持たせることができる。例えば、電源投入時に、全てのフリップフロップの初期化が必要なときには、システムリセット信号Rを利用する。一方、スリープモードから動作モードに切り替わるときには、データ非保持フリップフロップ10A2の初期化機能を利用することにより、システムリセットを利用することなく、データ非保持フリップフロップ10A2を初期化する。これにより、データ保持フリップフロップを初期化することなく、データ非保持フリップフロップを初期化することができる。
<データ非保持フリップフロップ(その3)>
図4は本発明の半導体集積回路の一部を構成する別の例のデータ非保持フリップフロップ10A3の内部回路を示す回路図である。このデータ非保持フリップフロップ10A3は、初期化回路の構成が図2に示したデータ非保持フリップフロップ10A1とは異なる。その他の部分の構成は10A1と同じである。
すなわち、データ非保持フリップフロップ10A1の初期回路を構成するバッファBF1,BF2およびインバータINV19が、データ非保持フリップフロップ10A3の初期化回路では、インバータINV20に置き換わっている。インバータINV20は、それを構成するNMOSトランジスタのソース(OFF)とGNDとの間に、スリープ信号SLPが“L”であるときオフになるNMOSトランジスタM31が接続された構成を有する。そして、インバータINV20には、データ保持信号DRが供給される。
前述のように、データ保持フリップフロップ10B1を省電力モードから動作モードに移行させるために、スリープ信号SLPを“L”から“H”に変化させ、その後に、データ保持信号DRを“L”から“H”に変化させる。スリープ信号SLPが“H”に変化したとき、初期化回路のインバータINV20への電源供給が開始され、インバータINV20は動作状態になる。このとき、データ保持信号DRはまだ“L”であるためインバータINV20の出力は“H”になる。その後、データ保持信号DRが“H”に変化すると、インバータINV20の出力は“L”に変化する。
これによって、インバータINV20と、トランスミッションゲートG13と、NMOSトランジスタM32とからなる初期化回路は、NMOSトランジスタM32のドレイン側に、スリープ信号SLPが“H”に変化してからデータ保持信号DRが“H”に変化するまでの間、“L”パルスを発生する。この“L”パルスがスレーブラッチに保持され、データ非保持フリップフロップ10A3は、そのQ端子の出力が“L”になるように初期化される。
図2に示すデータ非保持フリップフロップ10A1の初期化回路とは異なり、図4に示すデータ非保持フリップフロップ10A3の初期化回路は、スリープ信号SLPを直接には受信しない。しかしながら、図4に示すデータ非保持フリップフロップ10A3の初期化回路は、スリープ信号SLPが“H”に変化したときに“L”の初期化パルスを発生する。従って、データ非保持フリップフロップ10A3の初期化回路は、スリープ信号SLPの変化を間接的に検知して、データ非保持フリップフロップ10A3の初期化を開始すると考えることができる。もしくは、NMOSトランジスタM31が初期化回路の一部であると考えることも可能である。この場合には、図4の初期化回路は、スリープ信号SLPを受信し、その変化を検知して、データ非保持フリップフロップ10A3の初期化を開始する。
図4に示す初期化回路は、さらに、データ保持信号DRの“L”から“H”への変化を検知して、“L”初期化パルスの生成を終了するタイミングを定める。すなわち、図4に示す初期化回路は、データ保持信号DRの“H”への変化を検知して、データ非保持フリップフロップ10A3の初期化を終了する。
前述のように、図1に示したデータ保持フリップフロップ10B1は、省電力モードから動作モードに復帰するときに、スリープ信号SLPが“L”から“H”に変化した後に“L”から“H”に変化するデータ保持信号DRを必要とする。図1に示したもの以外の、さまざまな構成のデータ保持フリップフロップにおいても、フリップフロップおよび組合せ論理回路への電源供給を制御するスリープ信号SLPの変化の後に変化する、データ保持信号DR、若しくは、それに相当する信号を必要とすることが多い。図4に示す初期化回路を有するデータ非保持フリップフロップ10A3は、このような、さまざまな構成のデータ保持フリップフロップと組み合わせて利用することができる。組み合わせるデータ保持フリップフロップが必要とするデータ保持信号DRに相当する信号が変化する方向によっては、異なる方向への変化を検知して初期化を終了することも可能である。
図4に示すデータ非保持フリップフロップ10A3では、省電力モード時には、初期化回路を構成するインバータINV20についても電源の供給を停止することができる。このため、図4に示すデータ非保持フリップフロップ10A3は、図2に示すデータ非保持フリップフロップ10A1に比較して、省電力モード時の消費電力をさらに低減することができる。一方、図2に示すデータ非保持フリップフロップ10A1は、データ保持信号DRを必要としない。このため、データ保持信号DRをデータ非保持フリップフロップに供給するための配線も必要としない。
なお、図2に示すデータ非保持フリップフロップ10A1と図4に示すデータ非保持フリップフロップ10A3のいずれが備える初期化回路も、MOSトランジスタのみよって構成することができる。特に、大きな面積を必要とする容量素子を必要としない。
本発明の半導体集積回路の一部を構成するデータ保持フリップフロップののブロック図である。 本発明の半導体集積回路の一部を構成するデータ非保持フリップフロップのブロック図である。 本発明の半導体集積回路の一部を構成する別の例のデータ非保持フリップフロップのブロック図である。 本発明の半導体集積回路の一部を構成するさらに別のデータ非保持フリップフロップのブロック図である。 一般的な半導体集積回路の構成を示すブロック図である。 従来の初期化可能なデータ非保持フリップフロップのブロック図である。
符号の説明
10A,10A1,10A2,10A3:データ非保持フリップフロップ
10B,10B1:データ保持フリップフロップ
20:組合せ論理回路

Claims (5)

  1. 動作モード時に入力データの論理演算を行いスリープモード時に電源供給が遮断される組合せ論理回路と、データの保持と転送を行うフリップフロップとが交互に接続され、
    該フリップフロップの内の少なくとも1つは、前記動作モード時に前段の組合せ論理回路が出力したデータの保持および後段の組合せ論理回路又は別の回路へのデータの転送を行い、前記スリープモード時に前段の組合せ論理回路が出力したデータの保持を行う第1のフリップフロップからなり、
    残りのフリップフロップは、前記動作モード時に前段の組合せ論理回路が出力したデータの保持および後段の組合せ論理回路又は別の回路へのデータの転送を行い、前記スリープモード時に電源供給が遮断される第2のフリップフロップからなり、
    前記第2のフリップフロップは、前記スリープモードから前記動作モードに切り替わるときにデータ保持状態の初期化を行う初期化手段を内部に備えたことを特徴とする半導体集積回路。
  2. 前記組合せ論理回路および前記第2のフリップフロップは、そこへの電源供給が、前記動作モード時にオンとなり前記スリープモード時にオフとなるスイッチ手段を介して行われ、
    前記初期化手段は、前記スリープモードから前記動作モードへの切り替わりを検知して、前記第2のフリップフロップのデータ保持状態の初期化を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
  3. 前記スイッチ手段は制御信号が入力される端子を有し、前記スリープモードから前記動作モードへの切り替わりのとき、該制御信号が変化することによってオフからオンに切り替わるものであり、
    前記初期化手段は、前記制御信号の変化を検出して前記第2のフリップフロップのデータ保持状態の初期化を行うことを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路。
  4. 前記第1のフリップフロップは、前記制御信号が入力される端子と保持信号が入力される端子とを有し、該制御信号が変化した後に該保持信号が変化することによって、前記スリープモードから動作モードに切り替わるものであり、
    前記初期化手段は、前記制御信号の変化を検知して前記第2のフリップフロップの初期化を開始し、前記保持信号の変化を検知して前記第2のフリップフロップの初期化を終了するものであることを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路。
  5. 前記初期化手段は、前記スリープモードから前記動作モードへの変化から、所定の時間が経過するまでの期間、前記データ保持状態の初期化を行うことを特徴とする請求項2または3に記載の半導体集積回路。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010282411A (ja) * 2009-06-04 2010-12-16 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路、半導体集積回路の内部状態退避回復方法
KR101165730B1 (ko) 2009-12-31 2012-07-18 연세대학교 산학협력단 데이터 리텐션 회로

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101612298B1 (ko) * 2009-03-13 2016-04-14 삼성전자주식회사 파워 게이팅 회로 및 이를 포함하는 집적 회로
WO2010131076A1 (en) * 2009-05-14 2010-11-18 Freescale Semiconductor, Inc. Method for power reduction and a device having power reduction capabilities
JP5240096B2 (ja) * 2009-06-29 2013-07-17 富士通株式会社 記憶回路、集積回路およびスキャン方法
US7843244B1 (en) * 2009-07-02 2010-11-30 Apple Inc. Low latency synchronizer circuit
US8067971B2 (en) * 2009-09-18 2011-11-29 Arm Limited Providing additional inputs to a latch circuit
KR101809105B1 (ko) 2010-08-06 2017-12-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
US20120223756A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Morteza Afghahi Method and System for High Speed, Low Power and Small Flip-Flops
EP3790124A1 (en) 2011-10-13 2021-03-10 Apple Inc. Power adapter with a single-piece insulator assembly
US20140002161A1 (en) * 2012-07-02 2014-01-02 Klaus Von Arnim Circuit arrangement, a retention flip-flop, and methods for operating a circuit arrangement and a retention flip-flop
US9270257B2 (en) * 2013-08-13 2016-02-23 Texas Instruments Incorporated Dual-port positive level sensitive reset data retention latch
US9143139B1 (en) * 2013-11-11 2015-09-22 Liming Xiu Microelectronic system using time-average-frequency clock signal as its timekeeper
US9948282B2 (en) * 2015-01-15 2018-04-17 Mediatek Inc. Low-power retention flip-flops
CN105811922A (zh) * 2015-01-15 2016-07-27 联发科技股份有限公司 低功耗保持触发器
US10048893B2 (en) * 2015-05-07 2018-08-14 Apple Inc. Clock/power-domain crossing circuit with asynchronous FIFO and independent transmitter and receiver sides
CN110289846A (zh) * 2019-06-27 2019-09-27 北京大学深圳研究生院 一种具有数据保持功能的触发器
US11803226B2 (en) * 2020-05-14 2023-10-31 Stmicroelectronics S.R.L. Methods and devices to conserve microcontroller power

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2572866B2 (ja) 1990-02-13 1997-01-16 三菱電機株式会社 リセット機能付きフリップフロップ回路
JPH0799805B2 (ja) 1990-03-06 1995-10-25 富士通株式会社 リセット機能付きラッチ回路
JPH11112297A (ja) 1997-10-06 1999-04-23 Nec Corp ラッチ回路及びこのラッチ回路を有する半導体集積回路
JPH11205110A (ja) 1998-01-08 1999-07-30 Toshiba Corp 半導体装置
WO1999066640A1 (en) 1998-06-18 1999-12-23 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit
JP2000114935A (ja) 1998-10-02 2000-04-21 Nec Corp 順序回路
US6437623B1 (en) 2001-02-13 2002-08-20 International Business Machines Corporation Data retention registers
JP2003091337A (ja) 2001-09-18 2003-03-28 Murata Mach Ltd データ処理用半導体集積回路
US6989702B2 (en) 2002-07-11 2006-01-24 Texas Instruments Incorporated Retention register with normal functionality independent of retention power supply
KR100519787B1 (ko) 2002-11-07 2005-10-10 삼성전자주식회사 슬립 모드에서 데이터 보존이 가능한 mtcmos플립플롭 회로
US7170327B2 (en) 2003-06-27 2007-01-30 Intel Corporation System and method for data retention with reduced leakage current
US6965261B2 (en) 2003-11-13 2005-11-15 Texas Instruments Incorporated Ultra low-power data retention latch
US7227383B2 (en) * 2004-02-19 2007-06-05 Mosaid Delaware, Inc. Low leakage and data retention circuitry
US7183825B2 (en) 2004-04-06 2007-02-27 Freescale Semiconductor, Inc. State retention within a data processing system
US7221205B2 (en) * 2004-07-06 2007-05-22 Arm Limited Circuit and method for storing data in operational, diagnostic and sleep modes
US7154317B2 (en) 2005-01-11 2006-12-26 Arm Limited Latch circuit including a data retention latch
KR100630740B1 (ko) 2005-03-03 2006-10-02 삼성전자주식회사 스캔 기능을 갖는 고속 펄스 기반의 리텐션 플립플롭
US7180348B2 (en) * 2005-03-24 2007-02-20 Arm Limited Circuit and method for storing data in operational and sleep modes
US7164301B2 (en) 2005-05-10 2007-01-16 Freescale Semiconductor, Inc State retention power gating latch circuit

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010282411A (ja) * 2009-06-04 2010-12-16 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路、半導体集積回路の内部状態退避回復方法
CN101937723A (zh) * 2009-06-04 2011-01-05 瑞萨电子株式会社 半导体集成电路和保存和恢复其内部状态的方法
KR101165730B1 (ko) 2009-12-31 2012-07-18 연세대학교 산학협력단 데이터 리텐션 회로

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Publication number Publication date
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US7649393B2 (en) 2010-01-19

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