JP2009027169A - 半導体装置のテスト構造物及び半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 description 59
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 32
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 31
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 13
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体装置のテスト構造物は、トランジスタ150、ダミートランジスタ160、及びパッドユニットを具備する。トランジスタ150は、基板の第1アクティブ領域120上に形成される。ダミートランジスタ160は、基板の第2アクティブ領域130上に形成され、トランジスタ150に接続される。パッドユニットは、トランジスタ150に接続される。ダミートランジスタ160により、トランジスタ150が受けるプラズマダメージが減少する。
【選択図】図1
Description
Claims (15)
- 基板の第1アクティブ領域上に形成されたトランジスタと、
前記基板の第2アクティブ領域上に形成され、前記トランジスタに接続されたダミートランジスタと、
前記トランジスタに接続されたパッドユニットと、を備える半導体装置のテスト構造物。 - 前記ダミートランジスタは、複数個形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置のテスト構造物。
- 前記ダミートランジスタは、前記第2アクティブ領域上に形成されるダミーゲートラインを含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置のテスト構造物。
- 前記トランジスタは第1ゲートラインを備え、前記ダミーゲートラインは前記第1ゲートラインと接続されることを特徴とする請求項3記載の半導体装置のテスト構造物。
- 前記第1ゲートラインは、第1方向に延長され、
前記第1方向に延長される第2ゲートラインをさらに含むことを特徴とする請求項4記載の半導体装置のテスト構造物。 - 前記第2ゲートラインは、前記第1ゲートラインと接続されることを特徴とする請求項5記載の半導体装置のテスト構造物。
- 前記第1ゲートラインは、第1方向に延長され、
前記第1方向に延長されて前記第1方向に対して実質的に垂直である第2方向に前記第1ゲートラインと一定の間隔で離隔して形成された複数個の第2ゲートラインをさらに含むことを特徴とする請求項4記載の半導体装置のテスト構造物。 - 前記トランジスタは、複数個形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置のテスト構造物。
- 前記トランジスタは、前記第1アクティブ領域上に形成されたゲートライン、前記ゲートラインに隣接した前記第1アクティブ領域の上部に形成されたソース領域及びドレイン領域を備え、
前記基板は、ウェル領域が形成された第3アクティブ領域をさらに含み、
前記パッドユニットは、前記ゲートライン、前記ソース領域、前記ドレイン領域、及び前記ウェル領域に各々接続されたゲートパッド、ソースパッド、ドレインパッド、及びバルクパッドを含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置のテスト構造物。 - 前記ダミートランジスタは、前記トランジスタが受けるプラズマダメージを減少させる機能を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置のテスト構造物。
- 基板の第1アクティブ領域上に形成されたトランジスタと、
前記基板の第2アクティブ領域上に形成され、前記トランジスタに接続されたダミートランジスタと、を備える半導体装置。 - 前記ダミートランジスタは、複数個形成されることを特徴とする請求項11記載の半導体装置。
- 前記ダミートランジスタは、前記第2アクティブ領域上に形成されたダミーゲートラインを含むことを特徴とする請求項11記載の半導体装置。
- 前記トランジスタはゲートラインを備え、前記ダミーゲートラインは前記ゲートラインと接続されることを特徴とする請求項13記載の半導体装置。
- 前記ダミートランジスタは、前記トランジスタが受けるプラズマダメージを減少させる機能を有することを特徴とする請求項11記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070071708A KR101330084B1 (ko) | 2007-07-18 | 2007-07-18 | 반도체 장치의 테스트 구조물, 그 형성 방법, 반도체 장치및 이의 제조 방법 |
KR10-2007-0071708 | 2007-07-18 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009027169A true JP2009027169A (ja) | 2009-02-05 |
JP2009027169A5 JP2009027169A5 (ja) | 2011-09-01 |
JP5379418B2 JP5379418B2 (ja) | 2013-12-25 |
Family
ID=40264097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008187486A Expired - Fee Related JP5379418B2 (ja) | 2007-07-18 | 2008-07-18 | 半導体装置のテスト構造物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7851864B2 (ja) |
JP (1) | JP5379418B2 (ja) |
KR (1) | KR101330084B1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8723177B2 (en) | 2011-12-06 | 2014-05-13 | Globalfoundries Inc. | Electrical test structure for devices employing high-k dielectrics or metal gates |
US8766256B2 (en) | 2012-06-12 | 2014-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | SiGe SRAM butted contact resistance improvement |
KR20200078968A (ko) | 2018-12-24 | 2020-07-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 |
CN112992864B (zh) * | 2021-02-20 | 2023-12-12 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种半导体测试结构和测试方法 |
US12020993B2 (en) * | 2021-03-11 | 2024-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Test structure and testing method thereof |
CN116936568A (zh) * | 2022-04-12 | 2023-10-24 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体版图结构及半导体测试结构 |
CN117352496A (zh) * | 2022-06-29 | 2024-01-05 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体测试结构及其制备方法、测试方法 |
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JP2002217258A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその測定方法、ならびに半導体装置の製造方法 |
KR20050023719A (ko) * | 2003-09-02 | 2005-03-10 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
JP2007116197A (ja) * | 2007-01-22 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の特性評価方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100275964B1 (ko) | 1998-12-31 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체장치의 테스트 패턴 |
KR20000056067A (ko) | 1999-02-12 | 2000-09-15 | 윤종용 | 플라즈마 데미지 모니터를 위한 반도체 소자의 안테나 패턴형성방법 |
JP3333155B2 (ja) | 1999-10-14 | 2002-10-07 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | プラズマダメージ評価用tegパターンおよびそれを用いた評価方法 |
TW473977B (en) * | 2000-10-27 | 2002-01-21 | Vanguard Int Semiconduct Corp | Low-voltage triggering electrostatic discharge protection device and the associated circuit |
JP2003100899A (ja) | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4570662B2 (ja) | 2008-01-16 | 2010-10-27 | Okiセミコンダクタ株式会社 | デジタル・アナログ変換器 |
-
2007
- 2007-07-18 KR KR1020070071708A patent/KR101330084B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-07-18 US US12/175,492 patent/US7851864B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-07-18 JP JP2008187486A patent/JP5379418B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2007116197A (ja) * | 2007-01-22 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の特性評価方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7851864B2 (en) | 2010-12-14 |
JP5379418B2 (ja) | 2013-12-25 |
KR20090008626A (ko) | 2009-01-22 |
KR101330084B1 (ko) | 2013-11-18 |
US20090020755A1 (en) | 2009-01-22 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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