JP2009004667A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】接続用電極2を有し、接続用電極2の上に第1金属膜4と第2金属膜5と電気接続突起10を設けた半導体基板1において、電気接続突起10の外周部に隣接するように、金属保護層6を設ける。電気接続突起10に配線基板20を接合すると、これによって変形した電気接続突起10である変形電気接続突起10aは金属保護層6の表面に密着して、接合後の密着強度及び電気信頼性を向上させる。レジストを保護層とする場合のように硬化処理を必要とせず、パターニングも簡単である。
【選択図】図1
Description
半導体工程を経てアルミニウム−銅合金配線と保護膜として窒化シリコンとが設けられており、この保護膜を30μm×30μmに開口しアルミニウム−銅合金配線が露出した接続用電極が設けられた半導体基板を用いた。
実験例1と同様に、30μm×30μmに開口したアルミニウム−銅合金の接続用電極が設けられた半導体基板を用いた。この半導体基板の表面に第1金属膜としてチタン−タングステン合金500Å、第2金属膜として金1500Åをスパッタ法により成膜した後、接続用電極の直上を含む電気配線層を形成できるように、フォトレジスト法によりマスクを形成した。次に、電解めっき法により厚み5μmの金めっきの電気配線層を形成しマスクを除去した後に、金属保護層としてチタン1000Åをスパッタ法により成膜し、接続用電極と異なる位置に電気接続突起を形成できるように、フォトレジスト法によりマスクを形成した。次に、電気接続突起を形成する部分の金属保護層(チタン)をウエットエッチング法により除去し、電解めっき法により厚み15μmの金めっきの電気接続突起を形成しマスクを除去した。次に、電気接続突起及び電気配線層上の金属保護膜(チタン)とこの外周の金属保護膜(チタン)との領域をフォトレジスト法によりマスクを形成した。
実験例1と同様に、30μm×30μmに開口したアルミニウム−銅合金の接続用電極が設けられた半導体基板を用いた。この半導体基板の表面に第1金属膜としてチタン−タングステン合金500Å、第2金属膜として金1500Å、金属保護層としてチタン1000Åをスパッタ法により成膜した。次に、接続用電極の直上を含む電気配線層を形成できるように、フォトレジスト法によりマスクを形成した。次に、電気配線層を形成する部分の金属保護層(チタン)をウエットエッチング法により除去し、電解めっき法により厚み5μmの金めっきの電気配線層を形成しマスクを除去した。
2 接続用電極
3 保護膜
4 第1金属膜
5 第2金属膜
6 金属保護層
6a 密着層
7 電気配線層
10 電気接続突起
10a 変形電気接続突起
20 配線基板
21 配線
Claims (6)
- 半導体素子を有する半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成されて前記半導体素子と電気接続する接続用電極と、
前記接続用電極の上に形成された金属膜と、
前記金属膜上に形成された電気接続突起と、を備えており、
前記金属膜上には、前記電気接続突起の外周部に隣接するように、前記金属膜とは異なる金属からなる金属保護層が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 前記電気接続突起と前記金属膜の間に、電気配線層が配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記電気接続突起と前記金属保護層との間に密着層が介在することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続する接続用電極と、前記接続用電極の上に形成された金属膜と、前記金属膜上に形成された電気接続突起と、を備えた半導体基板と、
前記電気接続突起により前記半導体基板に電気接続される配線基板と、を備え、
前記半導体基板の前記金属膜上には、前記電気接続突起の外周部に隣接するように、前記金属膜とは異なる金属からなる金属保護層が設けられており、前記電気接続突起は、前記金属保護層を覆うように変形して、前記配線基板と接合されていることを特徴とする半導体装置。 - 半導体素子及び接続用電極が形成された半導体基板上に、金属膜と、前記金属膜とは異なる金属からなる金属保護層とを順次形成する工程と、
前記金属保護層に、電気接続突起の形状を有する開口をエッチングによって形成する工程と、
前記金属保護層の前記開口に、前記電気接続突起を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記金属保護層を覆うように、前記電気接続突起を変形させながら、前記電気接続突起に配線基板を接合する工程を有することを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
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JP2004214345A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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