JP2009004424A - シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、製品製造前に実際の製品製造条件のうちキャリアガス流量パージガス流量との比率を変更して、シリコンエピタキシャル層を気相成長させ、該シリコンエピタキシャル層における金属汚染レベルを測定して、金属汚染レベルが相対的に低い範囲となる前記比率の条件を求め、求められた比率の範囲内の条件で製品となるシリコンエピタキシャルウェーハを製造することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【選択図】図3
Description
次に、反応容器内を水素熱処理温度(例えば1100℃〜1180℃程度)に加熱(昇温)し(昇温工程S8)、水素熱処理を行うことによりシリコン基板表面の酸化膜を水素によりエッチングして除去する(水素処理工程S9)。
次に、反応容器内を成長温度(例えば、1060℃〜1150℃程度)に設定し、シリコン単結晶基板の主表面上にシリコン原料ガス(例えばトリクロロシラン等)を供給する。これにより、シリコン単結晶基板の主表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する(気相成長工程S10)。なお、水素熱処理は、具体的には、気相成長の開始直前まで行われることとなる。
次に、反応容器内を取出温度(例えば上記の投入温度と同じく650℃程度)に冷却(降温)し(降温工程S11)、該反応容器内からエピタキシャルウェーハを取り出す(取り出し工程S12)。
上述のように、図2に示す枚葉式気相薄膜成長装置10を用いて、シリコンウェーハWを載置した反応容器1のサセプタ5に対して上側の上部空間1aにおけるガス流量のうちH2ガスからなるキャリアガス流量(上部H2ガス流量)と、前記サセプタ5に対して下側の下部空間1bにおけるガス流量であるH2ガスからなるパージガス流量(下部H2ガス流量)の比率、すなわち上下ガス流量比(上部H2ガス流量/下部H2ガス流量)を0.5〜5の間で8水準設定した。この場合、上部H2ガス流量は製品製造条件から変更せずに、下部H2ガス流量のみを変更して、設定したそれぞれの水準の比率となるよう調節することとした。
S10…気相成長工程、 S11…降温工程、 S12…取り出し工程、
10…枚葉式気相薄膜成長装置、 1…反応容器、 1a…上部空間、
1b…下部空間、 2…上部ガス供給口、 3…下部ガス供給口、
4…排気口、 5…サセプタ、 5a…座繰り部、 5b…貫通孔、
5c…(サセプタ裏面の)凹部、 5d…(サセプタ裏面の)凹部、
6…回転軸、 7…スポーク、 7a…貫通孔、 7b…垂直ピン、
8…リフトピン、 9a…赤外線ランプ(外側)、
9b…赤外線ランプ(内側)、 W…シリコンウェーハ、
A…上部ガスの流動方向、 B…サポート手段の動作方向、 C…回転軸6の回転方向。
Claims (2)
- 反応容器内に水平に支持された回転式のサセプタ上にシリコンウェーハを載置し、該シリコンウェーハを加熱しながらシリコンウェーハ上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記反応容器の前記サセプタに対して上部の空間には上部ガス供給口から原料ガスと共にキャリアガスであるH2ガスが供給され、前記サセプタに対して下部の空間には下部ガス供給口からパージガスであるH2ガスが供給されてシリコンエピタキシャル層を気相成長する方法において、製品の製造前にあらかじめ実際の製品製造条件のうち前記上部ガス供給口から供給されるキャリアガス流量と前記下部ガス供給口から供給されるパージガス流量との比率を変更して、シリコンエピタキシャル層を気相成長させる流量変更試験を行い、該シリコンエピタキシャル層における金属汚染レベルを測定して、前記ガス流量の比率と金属汚染レベルの関係を求め、その結果により、前記シリコンウェーハ上への金属汚染が相対的に汚染レベルの低い範囲となる前記ガス流量の比率の条件を求め、求められたガス流量の比率の範囲内の条件で前記シリコンウェーハ上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させて製品となるシリコンエピタキシャルウェーハを製造することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記ガス流量の比率の変更は、下部ガス流量のみを変更して行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
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