JP2008547235A - ナノワイヤ蛍光体を採用した発光素子 - Google Patents
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- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 93
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002078 nanoshell Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 150000004767 nitrides Chemical group 0.000 claims description 10
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- -1 cerium ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100476480 Mus musculus S100a8 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052605 nesosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000004762 orthosilicates Chemical class 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/54—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing zinc or cadmium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
- C09K11/562—Chalcogenides
- C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/57—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing manganese or rhenium
- C09K11/572—Chalcogenides
- C09K11/574—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/58—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing copper, silver or gold
- C09K11/582—Chalcogenides
- C09K11/584—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/59—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
- C09K11/592—Chalcogenides
- C09K11/595—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
- C09K11/621—Chalcogenides
- C09K11/623—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
- C09K11/641—Chalcogenides
- C09K11/642—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S977/00—Nanotechnology
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- Y10S977/762—Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less
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Abstract
【選択図】 図1
Description
また、本発明の他の目的は、非発光再結合に起因した光損失を減少させることができる蛍光体を採用した発光素子を提供することにある。
ここで、「ナノワイヤ」(nanowire)とは、直径に比べて長さが相対的に長く、直径が1μm未満のナノスケールの構造体を意味する。
これらのナノワイヤ蛍光体の組成比を適宜選択することによって、前記第1波長の光を可視光線領域の第2波長に変換させることができる。
一方、これらのナノワイヤ蛍光体は、有機金属化学気相蒸着法(MOCVD)、有機金属水素化物気相成長法(MOHVPE)または分子線成長(MBE)法を用いて基板上に形成することができる。前記基板は、特に限定されず、例えば、シリコン(Si)基板であることができる。その後、前記基板から前記ナノワイヤ蛍光体が分離される。したがって、前記ナノワイヤ蛍光体を容易に製造することができるので、製造費用を減少させることができる。
一方、前記ナノワイヤ蛍光体は、コアナノワイヤと、前記コアナノワイヤを取り囲むナノシェルとを含むことができる。前記ナノシェルは、前記コアナノワイヤの表面で発生する非発光再結合を防止する。このために、前記ナノシェルは、前記コアナノワイヤに比べてバンドギャップが大きい物質で形成されることが好ましい。
下記の実施形態は、当業者に本発明の思想が充分に伝達され得るように例として提供されるものである。したがって、本発明は、後述する実施形態に限定されず、他の形態で具体化されることもできる。なお、図面において、構成要素の幅、長さ、厚さなどは、便宜のために誇張されて表現されることもできる。明細書全体にわたって同一の参照番号は同一の構成要素を示す。
図1を参照すると、発光素子10は、発光ダイオード13と、ナノワイヤ蛍光体20とを含む。発光ダイオード13は、紫外線、青色光または緑色光を放射するAlxInyGa(1−x−y)N(ここで、0≦x、y、x+y≦1)系の発光ダイオードである。特に、発光ダイオード13は、420〜480nm範囲の青色光を放射する発光ダイオードであることができる。
一方、ナノワイヤ蛍光体20が青色光によって励起され、緑色光及び赤色光を一緒に放射することもできる。これにより、発光ダイオード13から放射された青色光とナノワイヤ蛍光体20から放射された黄色光、または緑色光と赤色光が混合され、白色光が外部に放射される。
その結果、発光ダイオード13から放射された光の一部を波長変換させるナノワイヤ蛍光体20を採用して多様な色の組み合わせよりなる多色光を具現することができる。
図2を参照すると、ナノワイヤ蛍光体20は、直径に比べて長さが相対的に長く、直径が1μm未満のナノスケールの構造体である。
また、Al,Ga,In及び/またはLiがドーピングされたZnOは、緑色と黄色の光放射を強化させる。一方、ZnO:Cu,Gaは、濃い緑色光を放射し、ZnS:Cu,Gaは、青色光を放射する。一方、ZnSでキャッピングされたCdS:Mnは、黄色光を放射する。
Zn2SiO4:Mnは、α相とβ相を有し、α相は、緑色光を、β相は、黄色近くの光を放射する。さらに、(Ba、Sr、Ca)2SiO4:Euは、Ba、Sr及びCaの組成比を調節して可視光線領域の多様な色の光を放射することができる。
ナノワイヤ蛍光体20は、ロッド(rod)形状であるが、これに限定されるものではなく、長さ方向に沿って曲がった(curved)ワイヤ形状であってもよい。
図3を参照すると、ナノワイヤ蛍光体30は、コア(core)ナノワイヤ25と、コアナノワイヤ25を取り囲むナノシェル(nano shell)23とを含む。コアナノワイヤ25は、前述したナノワイヤ蛍光体20と同一の物質で形成することができる。
例えば、コアナノワイヤ25がAlxInyGa(1−x−y)N(ここで、0≦x<1、0<y<1、0<x+y≦1)の場合、ナノシェル23は、一般式AlxInyGa(1−x−y)N(ここで、0≦x≦1、0≦y<1、0≦x+y≦1)で表される窒化物であることができる。
図4を参照すると、ナノワイヤ蛍光体20は、基板11上に形成される。基板11は、ナノワイヤ蛍光体20と格子整合する必要がない。例えば、ナノワイヤ蛍光体20がAlxInyGa(1−x−y)Nで形成される場合、基板11は、サファイア基板またはSiC基板である必要がない。基板11は、特に制限されないので、安価なシリコン(Si)基板またはガラス基板であってもよい。
シリコン基板上にHVPE法を用いて形成したInGaNナノワイヤは、2003年9月26日公開された(published)本発明者の論文“InGaN nanorods grown on (111) silicon substrate by hydride vapor phase epitaxy”(Chemical Physics Letters 380 (2003)181−184)に開示されている。
一方、基板11上にナノワイヤ蛍光体20を形成した後、ナノワイヤ蛍光体20を覆うナノシェル(図3の23)を形成することができる。これにより、基板11上に図3のナノワイヤ蛍光体30が形成され、ナノワイヤ蛍光体20は、コアナノワイヤ(図3の25)になる。
具体的には、コアナノワイヤ25を形成した後、反応器内の残留ガスを排出し、Ga及びNの前駆体をそれぞれ10〜200sccm及び100〜2000sccmの流量でさらに反応器内に供給する。反応器の温度は、400〜800℃であることができる。この時、Al前駆体及び/またはIn前駆体を一緒に供給することができる。これにより、コアナノワイヤ25を覆うAlxInyGa(1−x−y)N(ここで、0≦x≦1、0≦y<1及び0≦x+y≦1)のナノシェル23が形成される。
ナノシェルは、コアナノワイヤよりバンドギャップが大きい物質で形成される。例えば、コアナノワイヤがInGaNである場合、ナノシェルは、GaNであることができる。
その結果、コアナノワイヤのIn含量を調節することによって、可視光線の全領域にわたって光を放射するナノワイヤ蛍光体を提供することが可能である。
11 基板
13 発光ダイオード
15 透明物質
17 反射カップ
20、30 ナノワイヤ蛍光体
23 ナノシェル
25 コアナノワイヤ
Claims (10)
- 紫外線の波長範囲、青色光の波長範囲、及び緑色光の波長範囲から選択された少なくとも1つの波長範囲内で主ピークを有する第1波長の光を放射する発光ダイオードと、
前記発光ダイオードから放射された前記第1波長の光の少なくとも一部を前記第1波長に比べて長い波長の第2波長の光に変換させるナノワイヤ(nanowire)蛍光体とを有することを特徴とする発光素子。 - 前記ナノワイヤ蛍光体は、ZnOと、AgがドーピングされたZnOと、Al,Ga,In及びLiから選択された少なくとも1つの元素がドーピングされたZnOと、ZnO:Cu,Gaと、ZnS:Cu,Gaと、ZnS(1−x)Tex(ここで、0<x<1)と、ZnSでキャッピングされた(capped)CdS:Mnと、ZnSeと、Zn2SiO4:Mnと、(Ba、Sr、Ca2)SiO4:Euとよりなるナノワイヤの群から選択された少なくとも1つのナノワイヤであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記ナノワイヤ蛍光体は、一般式AlxInyGa(1−x−y)N(ここで、0≦x<1、0<y<1、0<x+y≦1)で表される窒化物ナノワイヤであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記AlxInyGa(1−x−y)Nナノワイヤ蛍光体は、前記第2波長の光が少なくとも2つの主ピークを有するように、その長さ方向に沿って組成比が変わることを特徴とする請求項3に記載の発光素子。
- 前記発光ダイオードを覆う樹脂をさらに有し、前記ナノワイヤ蛍光体は、前記樹脂内に分散されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記ナノワイヤ蛍光体は、有機金属化学気相蒸着(MOCVD)法、有機金属水素化物気相成長(MOHVPE)法、または分子線成長(MBE)法を用いて基板上に形成した後、該基板から分離して作成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項5に記載の発光素子。
- 前記ナノワイヤ蛍光体は、コア(core)ナノワイヤと、該コアナノワイヤを取り囲むナノシェル(nano shell)とを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記コアナノワイヤは、一般式AlxInyGa(1−x−y)N(ここで、0≦x<1、0<y<1、0<x+y≦1)で表される窒化物であり、
前記ナノシェルは、一般式AlxInyGa(1−x−y)N(ここで、0≦x≦1、0≦y<1、0≦x+y≦1)で表される窒化物であり、
前記ナノシェルを形成する窒化物は、前記コアナノワイヤを形成する窒化物よりもバンドギャップが大きいことを特徴とする請求項8に記載の発光素子。 - 前記コアナノワイヤは、前記第2波長の光が少なくとも2つの主ピークを有するように、その長さ方向に沿って組成比が変わることを特徴とする請求項9に記載の発光素子。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2005-0062298 | 2005-07-11 | ||
KR1020050062298A KR101106134B1 (ko) | 2005-07-11 | 2005-07-11 | 나노와이어 형광체를 채택한 발광소자 |
PCT/KR2006/002147 WO2007007954A1 (en) | 2005-07-11 | 2006-06-05 | Light emitting device employing nanowire phosphors |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011090440A Division JP5442666B2 (ja) | 2005-07-11 | 2011-04-14 | 発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008547235A true JP2008547235A (ja) | 2008-12-25 |
JP4772869B2 JP4772869B2 (ja) | 2011-09-14 |
Family
ID=37637300
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008519163A Expired - Fee Related JP4772869B2 (ja) | 2005-07-11 | 2006-06-05 | ナノワイヤ蛍光体を採用した発光素子 |
JP2011090440A Expired - Fee Related JP5442666B2 (ja) | 2005-07-11 | 2011-04-14 | 発光素子 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011090440A Expired - Fee Related JP5442666B2 (ja) | 2005-07-11 | 2011-04-14 | 発光素子 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7821022B2 (ja) |
JP (2) | JP4772869B2 (ja) |
KR (1) | KR101106134B1 (ja) |
TW (2) | TWI418058B (ja) |
WO (1) | WO2007007954A1 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007238879A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 蛍光体材料およびその製造方法 |
JP2010515651A (ja) * | 2007-01-12 | 2010-05-13 | クナノ アーベー | 複数の窒化物ナノワイヤとその製造方法 |
WO2012095920A1 (ja) * | 2011-01-14 | 2012-07-19 | パナソニック株式会社 | 紫外発光材料とその製造方法およびこれを用いた発光素子 |
KR20130055058A (ko) * | 2011-11-17 | 2013-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 퀀텀 로드를 구비한 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치 |
US9653286B2 (en) | 2012-02-14 | 2017-05-16 | Hexagem Ab | Gallium nitride nanowire based electronics |
JP2018115315A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 可視蛍光を発するCdを含まないコロイダル量子ドット及びその製造方法 |
WO2018135434A1 (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 可視蛍光を発するCdを含まないコロイダル量子ドット及びその製造方法 |
JP2020515062A (ja) * | 2017-03-17 | 2020-05-21 | シーボロー・アイピー・アイ.・ビー.ブイ.Seaborough Ip I. B.V. | コンバーター系 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8946674B2 (en) * | 2005-08-31 | 2015-02-03 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Group III-nitrides on Si substrates using a nanostructured interlayer |
US8188494B2 (en) * | 2006-06-28 | 2012-05-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Utilizing nanowire for generating white light |
US8222057B2 (en) | 2006-08-29 | 2012-07-17 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Crack free multilayered devices, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
JP2009140975A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体発光装置およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光装置の製造方法 |
JP2012511240A (ja) | 2008-12-04 | 2012-05-17 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 電子注入用のナノ構造半導体材料を有するアノードを用いたエレクトロルミネッセンス法および素子 |
KR101045445B1 (ko) * | 2009-08-05 | 2011-06-30 | 한국광기술원 | 나노섬유를 함유하는 발광다이오드 패키지 및 이의 제조방법 |
TWI573288B (zh) * | 2010-10-18 | 2017-03-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 發光二極體及其製作方法 |
EP2506321B1 (en) * | 2011-03-28 | 2019-01-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting diode chip |
US8723205B2 (en) | 2011-08-30 | 2014-05-13 | Abl Ip Holding Llc | Phosphor incorporated in a thermal conductivity and phase transition heat transfer mechanism |
US8759843B2 (en) | 2011-08-30 | 2014-06-24 | Abl Ip Holding Llc | Optical/electrical transducer using semiconductor nanowire wicking structure in a thermal conductivity and phase transition heat transfer mechanism |
US8710526B2 (en) | 2011-08-30 | 2014-04-29 | Abl Ip Holding Llc | Thermal conductivity and phase transition heat transfer mechanism including optical element to be cooled by heat transfer of the mechanism |
DE102014116205B4 (de) | 2014-11-06 | 2022-09-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode |
FR3053437B1 (fr) * | 2016-06-30 | 2019-06-28 | Valeo Vision | Dispositif d'eclairage et/ou de signalisation ameliore, notamment pour vehicule automobile |
WO2018015368A1 (en) | 2016-07-22 | 2018-01-25 | Philips Lighting Holding B.V. | Nano-light source emitting polarized light |
FR3061605B1 (fr) * | 2016-12-29 | 2019-05-31 | Aledia | Dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes |
US11257984B2 (en) * | 2017-06-09 | 2022-02-22 | University Of Massachusetts | III-nitride down-conversion nanomaterial for white LEDs |
US10991856B2 (en) | 2017-12-21 | 2021-04-27 | Lumileds Llc | LED with structured layers and nanophosphors |
US11605760B2 (en) * | 2018-05-21 | 2023-03-14 | Intel Corporation | Micro light-emitting diode displays having nanophosphors |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007524119A (ja) * | 2004-01-15 | 2007-08-23 | ナノシス・インコーポレイテッド | ナノ結晶をドーピングしたマトリックス |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5182305A (en) | 1986-08-08 | 1993-01-26 | Colgate-Palmolive Co. | N-aryl and n-cycloakyl neoalkanamide insect repellents |
EP1441395B9 (de) | 1996-06-26 | 2012-08-15 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
US6501091B1 (en) * | 1998-04-01 | 2002-12-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Quantum dot white and colored light emitting diodes |
US6903376B2 (en) * | 1999-12-22 | 2005-06-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Selective placement of quantum wells in flipchip light emitting diodes for improved light extraction |
US6650044B1 (en) | 2000-10-13 | 2003-11-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Stenciling phosphor layers on light emitting diodes |
JP4101468B2 (ja) * | 2001-04-09 | 2008-06-18 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US7008559B2 (en) * | 2001-06-06 | 2006-03-07 | Nomadics, Inc. | Manganese doped upconversion luminescence nanoparticles |
US6870311B2 (en) * | 2002-06-07 | 2005-03-22 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light-emitting devices utilizing nanoparticles |
ATE421169T1 (de) * | 2002-06-13 | 2009-01-15 | Cree Inc | Halbleiter-strahlungsquelle mit gesättigtem phosphor |
JP2004071908A (ja) | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
KR101191632B1 (ko) * | 2002-09-30 | 2012-10-17 | 나노시스, 인크. | 대형 나노 인에이블 매크로전자 기판 및 그 사용 |
JP4158519B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2008-10-01 | 住友電気工業株式会社 | 白色発光素子およびその製造方法 |
US6982045B2 (en) * | 2003-05-17 | 2006-01-03 | Phosphortech Corporation | Light emitting device having silicate fluorescent phosphor |
TWI222229B (en) | 2003-05-28 | 2004-10-11 | Epistar Corp | Light emitting device with nanometer core-shell conductive particle |
US20050006659A1 (en) * | 2003-07-09 | 2005-01-13 | Ng Kee Yean | Light emitting diode utilizing a discrete wavelength-converting layer for color conversion |
JP4370861B2 (ja) * | 2003-09-03 | 2009-11-25 | パナソニック電工株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
KR100610249B1 (ko) * | 2003-12-23 | 2006-08-09 | 럭스피아 주식회사 | 황색 발광 형광체 및 그것을 채용한 백색 반도체 발광장치 |
KR100593438B1 (ko) * | 2004-02-09 | 2006-06-28 | 학교법인 포항공과대학교 | 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체 및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-07-11 KR KR1020050062298A patent/KR101106134B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-06-05 WO PCT/KR2006/002147 patent/WO2007007954A1/en active Application Filing
- 2006-06-05 US US11/995,469 patent/US7821022B2/en active Active
- 2006-06-05 JP JP2008519163A patent/JP4772869B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-23 TW TW098116397A patent/TWI418058B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-06-23 TW TW095122702A patent/TWI319916B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-08-02 US US12/848,632 patent/US8232562B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-14 JP JP2011090440A patent/JP5442666B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007524119A (ja) * | 2004-01-15 | 2007-08-23 | ナノシス・インコーポレイテッド | ナノ結晶をドーピングしたマトリックス |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007238879A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 蛍光体材料およびその製造方法 |
US9660136B2 (en) | 2007-01-12 | 2017-05-23 | Qunano Ab | Nitride nanowires and method of producing such |
JP2010515651A (ja) * | 2007-01-12 | 2010-05-13 | クナノ アーベー | 複数の窒化物ナノワイヤとその製造方法 |
JP2014001135A (ja) * | 2007-01-12 | 2014-01-09 | Qunano Ab | 複数の窒化物ナノワイヤとその製造方法 |
US8664094B2 (en) | 2007-01-12 | 2014-03-04 | Qunano Ab | Method of producing nitride nanowires with different core and shell V/III flow ratios |
US9024338B2 (en) | 2007-01-12 | 2015-05-05 | Qunano Ab | Device with nitride nanowires having a shell layer and a continuous layer |
US9947831B2 (en) | 2007-01-12 | 2018-04-17 | Qunano Ab | Light emitting diode device having III-nitride nanowires, a shell layer and a continuous layer |
WO2012095920A1 (ja) * | 2011-01-14 | 2012-07-19 | パナソニック株式会社 | 紫外発光材料とその製造方法およびこれを用いた発光素子 |
JP5173082B2 (ja) * | 2011-01-14 | 2013-03-27 | パナソニック株式会社 | 紫外発光材料とその製造方法およびこれを用いた発光素子 |
US8845929B2 (en) | 2011-01-14 | 2014-09-30 | Panasonic Corporation | Ultraviolet light emitting material |
KR20130055058A (ko) * | 2011-11-17 | 2013-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 퀀텀 로드를 구비한 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치 |
KR101949385B1 (ko) * | 2011-11-17 | 2019-02-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 퀀텀 로드를 구비한 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치 |
US9653286B2 (en) | 2012-02-14 | 2017-05-16 | Hexagem Ab | Gallium nitride nanowire based electronics |
US10236178B2 (en) | 2012-02-14 | 2019-03-19 | Hexagem Ab | Gallium nitride nanowire based electronics |
JP2018115315A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 可視蛍光を発するCdを含まないコロイダル量子ドット及びその製造方法 |
WO2018135434A1 (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 可視蛍光を発するCdを含まないコロイダル量子ドット及びその製造方法 |
JP2020515062A (ja) * | 2017-03-17 | 2020-05-21 | シーボロー・アイピー・アイ.・ビー.ブイ.Seaborough Ip I. B.V. | コンバーター系 |
JP7263247B2 (ja) | 2017-03-17 | 2023-04-24 | シーボロー・アイピー・アイ.・ビー.ブイ. | コンバーター系 |
US11879085B2 (en) | 2017-03-17 | 2024-01-23 | Seaborough Ip I B.V. | Converter system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100295441A1 (en) | 2010-11-25 |
JP4772869B2 (ja) | 2011-09-14 |
WO2007007954A1 (en) | 2007-01-18 |
TW200703728A (en) | 2007-01-16 |
TWI418058B (zh) | 2013-12-01 |
US20080185604A1 (en) | 2008-08-07 |
JP5442666B2 (ja) | 2014-03-12 |
TW200945639A (en) | 2009-11-01 |
TWI319916B (en) | 2010-01-21 |
JP2011193006A (ja) | 2011-09-29 |
US7821022B2 (en) | 2010-10-26 |
KR101106134B1 (ko) | 2012-01-20 |
US8232562B2 (en) | 2012-07-31 |
KR20070007585A (ko) | 2007-01-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090224 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20091015 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101116 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110215 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110222 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110314 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110331 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110622 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140701 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4772869 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |