KR101949385B1 - 퀀텀 로드를 구비한 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치 - Google Patents

퀀텀 로드를 구비한 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 서로 이격하며 리드 프레임과; 상기 리드 프레임 상면에 구비된 LED 칩과; 상기 LED 칩을 둘러싸는 형태로 상기 리드 프레임 상면에 구비된 패키지 하우징과; 상기 패키지 하우징 내부를 채우며 상기 LED 칩 상부에 구비된 퀀텀 로드층을 포함하는 발광 다이오드 패키지 및 이를 광원으로 하는 액정표시장치를 제공한다.

Description

퀀텀 로드를 구비한 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치 {Lighting emitting diode package including quantum rods and liquid crystal display device}
본 발명은 발광다이오드 패키지 및 이를 광원으로 액정표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 퀀텀 로드가 구비되어 광 효율을 향상시킨 발광다이오드 패키지 및 이를 광원으로 하는 백라이트 유닛을 구비한 액정표시장치에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드(light emitting diode, 이하 LED라 함)라 함은 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로써 다양한 색을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.
이러한 LED소자의 특성을 결정하는 기준으로는 색(color) 및 휘도, 휘도 세기 등이 있다. 이러한 LED 소자의 발광특성은 1차적으로 LED소자에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료에 의해 결정되고 있으며, 2차적으로 LED 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 의해서도 영향을 받고 있다.
이러한 LED 패키지는 근래 들어 그 사용 범위가 실내외 조명장치, 자동차 헤드라이트, 액정표시장치(Liquid Crystal Display)의 백라이트 유닛(back light unit)용 광원 등 다양한 분야로 확대됨에 따라, 고 광효율 특성이 필요하게 되었다.
특히, 상기 LED 패키지가 LED PCB 등에 장착되어 액정표시장치의 백라이트 유닛으로 이용될 경우, 상기 LED 패키지는 더욱더 큰 발광 특성이 요구되고 있다.
이러한 LED 패키지에 있어 실질적으로 빛을 발생시키는 부분은 인가되는 발광 또는 형광 특성을 갖는 발광층이 되고 있으며, 이러한 발광층은 통상적으로 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP 등의 화합물 반도체로 이루어지고 있다.
하지만, 이러한 화합물 반도체 물질만으로 이루어진 발광층을 구비한 LED 패키지의 경우, 특히 액정표시장치용 백라이트 유닛으로 이용되는 경우, 2매의 편광판을 구비하여 그 투과도가 매우 낮은 수준인 액정표시장치를 고려할 때 고 휘도 특성을 갖는 액정표시장치 구현을 위해서는 한계에 다다르고 있는 실정이다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해서 안출된 것으로, 특히, 2매의 편광판을 구비하는 액정표시장치의 백라이트 유닛으로 사용되는 경우, 상기 액정표시장치의 저소비전력 및 고휘도 특성을 구현할 수 있는 LED 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치를 제공하는 것을 그 목적으로 하고 있다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는, 서로 이격하며 리드 프레임과; 상기 리드 프레임 상면에 구비된 LED 칩과; 상기 LED 칩을 둘러싸는 형태로 상기 리드 프레임 상면에 구비된 패키지 하우징과; 상기 패키지 하우징 내부를 채우며 상기 LED 칩 상부에 구비된 퀀텀 로드층을 포함한다.
이때, 상기 퀀텀 로드층은 장축이 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드로 이루어진 것이 특징이다.
그리고, 상기 퀀텀 로드층은 상기 다수의 퀀텀 로드 이외에 발광 보조재가 구비되며, 상기 퀀텀 로드와 발광 보조재의 함량비는 100w% : 0w% 내지 50w% : 50w% 인 것이 특징이다.
상기 발광 보조재는 퀀텀 도트(quantum dot), 무기 형광체, 유기 형광체 중 어느 하나 또는 둘 이상이 섞인 물질인 것이 특징이며, 상기 퀀텀 로드층은 경화 특성을 갖는 레진을 포함하여 상기 다수의 퀀텀 로드의 장축이 일 방향으로 배열된 후 상기 레진이 경화되어 일 방향으로 배열된 상태를 유지하는 것이 특징이다.
또한, 상기 다수의 퀀텀 로드의 장축이 일 방향으로 배열되었다고 하는 것은, 수평 방향의 편광비 PRh 와 수직 방향의 편광비 PRv를 각각 PRh = Ih/(Ih+Iv), PRv = Iv/(Ih+Iv) 이라 정의할 때, 상기 수평 방향의 편광비 PRh 또는 수직 방향의 편광비 PRv가 0.5보다는 크고 1보다는 작은 값을 갖는 즉, 0.5 < PRh(또는 PRv)< 1 을 만족시키는 것을 의미하는 것이 특징이다.
또한, 상기 퀀텀 로드층 상부에는 이를 덮으며 렌즈가 구비될 수 있다.
또한, 상기 LED 칩은 450nm 이하의 단파장의 빛을 발광하는 것이 특징이다.
또한, 상기 퀀텀 로드는 코어만으로 이루어지거나, 또는 코어와 상기 코어를 둘러싸는 쉘로 이루어지며, 상기 쉘은 단축과 장축을 갖는 형태를 이루며 단축 대 장축의 비가 1:1.1 내지 1:30인 것이 특징이다.
이때, 상기 퀀텀 로드는 그 형상이 구, 타원구, 다면체, 막대 형태 중 어느 하나를 이루며, 상기 쉘은 상기 퀀텀 로드의 단축 방향으로 절단한 절단면이 원, 타원, 다각형 형태 중 어느 하나의 형태를 이루는 것이 특징이다.
그리고, 상기 쉘은 단일층 또는 다중층 구조를 이루며, 상기 쉘은 합금(alloy), 옥사이드 계열 또는 불순물이 도핑된 물질로 이루어지는 것이 특징이다.
또한, 상기 코어는 주기율표 상의 Ⅱ-Ⅵ, Ⅲ-V, Ⅲ-Ⅵ, Ⅵ-Ⅳ, Ⅳ 족의 반도체, 합금 또는 혼합된 물질로 이루어지는 것이 특징이다.
상기 퀀텀 로드의 코어는 Ⅱ-Ⅵ족으로 이루어지는 경우, CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgSe, HgTe, CdZnSe 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지며, Ⅲ-V 족으로 이루어지는 경우, InP, InN, GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, AlP, AlN, AlAs, AlSb, CdSeTe, ZnCdSe 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지며, Ⅲ-IV-Ⅵ족으로 이루어지는 경우, Tl2SnTe5 로 이루어지거나 Ⅵ-Ⅳ족으로 이루어지는 경우, PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지는 것이 특징이다.
삭제
본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는, 액정패널과; 상기 액정패널의 외측면에 서로 편광축이 직교하도록 부착된 제 1 및 제 2 편광판과; 상기 제 1 편광판의 외측면에 구비되며, 서로 이격하며 리드 프레임과, 상기 리드 프레임 상면에 구비된 LED 칩과, 상기 LED 칩을 둘러싸는 형태로 상기 리드 프레임 상면에 구비된 패키지 하우징과, 상기 패키지 하우징 내부를 채우며 상기 LED 칩 상부에 구비된 퀀텀 로드층을 포함하는 발광 다이오드 패키지를 광원으로 하는 백라이트 유닛을 포함한다.
이때, 상기 백라이트 유닛은, 상기 액정패널 하부에 구비된 도광판과; 상기 도광판의 측면에 구비되며 상기 다수의 LED 패키지가 실장된 LED 어셈블리와; 상기 도광판과 상기 액정패널 사이에 구비된 광학시트와; 상기 도광판 하부에 구비된 반사판을 포함하며, 상기 액정표시장치는, 상기 액정패널의 가장자리를 두르는 서포트메인과, 상기 서포트메인 배면과 밀착되는 저면과 이의 측면으로 구성되는 커버버툼과, 상기 액정패널의 상면 및 측면 가장자리를 덮으며, 사각테 형상으로 상기 액정패널의 표시영역에 대응하여 개구를 갖는 탑커버를 포함한다.
그리고, 상기 퀀텀 로드층은, 장축이 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드로 이루어지거나, 또는 장축이 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드와 발광 보조재가 구비되며, 상기 퀀텀 로드와 발광 보조재의 함량비는 100w% : 0w% 내지 50w% : 50w% 인 것이 특징이며, 상기 다수의 퀀텀 로드가 일방향으로 배열됨으로써 편광된 빛을 발생시키는 것이 특징이다.
또한, 상기 퀀텀 로드층은 경화 특성을 갖는 레진을 포함하여 상기 다수의 퀀텀 로드의 장축이 일 방향으로 배열된 후 상기 레진이 경화되어 일 방향으로 배열된 상태를 유지하는 것이 특징이다.
또한, 상기 퀀텀 로드층의 다수의 퀀텀 로드의 배열 방향과 상기 제 1 편광판의 투과축이 나란한 것이 특징이다.
본 발명에 따른 LED 패키지는 종래의 반도체 화합물로 이루어지던 발광층의 반도체 화합물을 대신하여 일 방향으로 정렬된 상태의 퀀텀 로드로 이루어지도록 함으로써 백라이트 유닛으로 나온 빛 자체가 편광 특성을 가짐으로서 액정표시장치에 구비된 제 1 편광판을 투과하는 빛량이 비편광 빛을 발생시키는 일반적인 LED 패키지를 구비한 백라이트 유닛 대비 증대시키는 효과가 있다.
나아가 일반적인 LED 패키지를 백라이트 유닛으로 구비한 액정표시장치 대비 고 휘도 및 저소비전력 특성을 갖는 액정표시장치를 제공하는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지에 구비되는 LED 칩을 확대 도시한 단면도.
도 3은 퀀텀 로드의 형태를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드층을 구비한 LED 패키지를 광원으로 하는 백라이트 유닛이 구비된 액정표시장치의 분해사시도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도1 은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 단면도이며, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지에 구비되는 LED 칩을 확대 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(101)는, 서로 이격하는 제 1 및 제 2 부분(109a, 109b)으로 이루어진 리드 프레임(109)과, 상기 리드 프레임(109) 내측면(상면)에 고정된 LED 칩(115)과, 상기 리드 프레임(109)의 가장 자리를 따라 그 내측면이 반사체 물질이 코팅된 패키기 하우징(110) 및 상기 패키지 하우징(110) 내측을 채우며 상기 LED 칩(115) 상부에 구비된 편광된 빛을 형광하는 것을 특징으로 하는 퀀텀 로드층(125)을 포함하여 구성되고 있다.
이때, 도면에 나타나지 않았지만, 상기 퀀텀 로드층(125) 상부에는 봉지제(미도시)를 개재하여 렌즈(미도시)가 더욱 구비될 수도 있으며, 또는 상기 퀀텀 로드층(125)이 외부에 노출되는 것을 방지하기 위하여 보호층(미도시)이 구비될 수도 있다.
또한, 상기 리드 프레임(109)의 외측 밑면에는 상기 LED 패키지(100) 구동을 위한 인쇄회로기판(미도시)과, 상기 리드 프레임(109)과 상기 인쇄회로기판(미도시)을 고정시키기 위한 솔더(미도시)가 더욱 구비될 수도 있으며, 또는 상기 리드 프레임(109)의 외측 밑면에 방열효율을 증대시키기 위해 방열 슬러그(미도시)가 더욱 구비될 수도 있다.
한편, 상기 LED 칩(115)은 상기 리드 프레임(109)의 내측면을 기준으로 제 1 부분(109a)의 내측면에 실장되고 있다.
이때, 상기 LED 칩(115)의 n형 전극(도 2의 168) 및 p형 전극(도 2의 170)은 각각 상기 리드 프레임(109)의 제 1 부분(109a) 및 제 2 부분(109b)과 각각 제 1 와이어(117a, 117b)를 통해 전기적으로 연결되고 있는 것이 특징이다.
이때, 도면에 있어서는 상기 제 1 및 제 2 와이어(117a, 117b)가 패키지 하우징(110) 내측에 위치하는 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 제 1 및 제 2 와이어(117a, 117b)는 상기 리드 프레임(109)의 외측면에 구비될 수도 있으며, 또는 상기 LED 칩(115)이 상기 리드 프레임(109)의 경계에 형성되는 경우, 상기 LED 칩(115)이 직접 상기 리드 프레임(109)의 제 1 부분(109a) 및 제 2 부분(109b)과 접촉하도록 구비됨으로써 생략될 수도 있다.
상기 LED 칩(115)은 실질적으로 빛을 발하는 부분으로서 전자(electron)를 제공하는 n형 반도체층(160)과 정공(hole)을 제공하는 p형 화합물 반도체층(166)의 순방향 접합으로 이루어진다.
상기 LED 칩(115)의 구성에 대해 도 2를 참조하여 좀 더 자세히 살펴보면, 상기 LED 칩(115)은 기판(160) 상에 적층된 n형 화합물 반도체층(162), 활성층(164), p형 화합물 반도체층(166), n형 전극(168) 및 p형 전극(170)으로 구성된다.
여기서, 상기 기판(160)은 바람직하게는 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며, 사파이어 외에도 갈륨 나이트라이드(hallium nitride : GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide : SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN) 등으로 형성될 수도 있다.
여기서, 상기 기판(160)과 n형 화합물 반도체층(162) 사이에는 이들 간의 격자정합을 향상시키기 위한 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있으며, 버퍼층(미도시)은 GaN 또는 AlN/GaN 등으로 형성될 수 있다.
이때, 상기 n형 화합물 반도체층(162)은 n형 도전형 불순물이 도핑된 GaN 또는 GaN/AlGaN으로 이루어질 수 있으며, n형 도전형 불순물로는 일예로 Si, Ge 및 Sn 등을 사용하고, 바람직하게는 Si를 주로 사용한다.
또한, 상기 p형 화합물 반도체층(166)은 p형 도전형 불순물이 도핑된 GaN 또는 GaN/AlGaN으로 이루어질 수 있으며, p형 도전형 불순물로는 일예로 Mg, Zn 및 Be 등을 사용하고, 바람직하게는 Mg를 주로 사용한다.
이러한 LED 칩(115)은 상기 n형 화합물 반도체층(162)의 일부가 노출되도록 p형 화합물 반도체층(166)과 활성층(164) 일부가 메사식각(mesa etching)으로 제거되는데, 이에 따라 상기 p형 화합물 반도체층(166)과 활성층(164)은 상기 n형 화합물 반도체층(162) 상의 일부분에 형성된다.
이에, 상기 n형 전극(168)은 노출된 n형 화합물 반도체층(162)의 일 모서리에 구성되며, 상기 p형 전극(170)은 p형 화합물 반도체층(166) 상에 구성된다. 따라서 이러한 구성을 갖는 LED 칩(115)은 "Top-Top"방법으로 전극이 배치되는 수평형 LED 칩(115)을 이룬다.
그리고, 상기 활성층(164)은 GaN 계열 단일 양자 우물구조(single quantum well : SQW)나 다중 양자 우물구조(multi quantum well : MQW)일 수 있으며, 또한 이들의 초격자(supper lattice : SL) 등의 양자구조로, 이와 같은 활성층(164)의 양자구조는 GaN 계열의 다양한 물질을 조합하여 이루어질 수 있고, 일예로 AlGaN, AlNGaN, InGaN 등이 사용될 수 있다.
이러한 활성층(164)에 전계가 인가되었을 때, 전자??정공 쌍의 결합에 의하여 빛이 발생하게 된다.
따라서, 이러한 구성을 갖는 상기 LED 칩(115)은 상기 p형 전극(170)과 n형 전극(168) 사이에 전압이 인가되면, 상기 p형 화합물 반도체층(166)과 상기 n형 화합물 반도체층(162)으로 각각 정공과 전자가 주입되고, 상기 활성층(164)에서 정공과 전자가 재결합하면서 여분의 에너지가 광으로 변환되어 외부로 방출하게 되는 것이다.
이때, 상기 n형 전극(168)과 p형 전극(170)은 각각 상기 리드 프레임(109)의 제 1 부분(109a) 및 제 2 부분(109b)과 제 1 및 2 와이어(117a, 117b)를 통해 연결되고 있다.
이러한 구성을 갖는 상기 LED 칩(115)은 본 발명의 특성 상, 450nm 이하의 짧은 단파장을 갖는 빛 일례로 청색을 발생시키는 청색 LED 칩(115)인 것이 특징이다.
다음, 도 1을 참조하며, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(101)에 있어서 가장 특징적인 구성으로 전술한 구성을 갖는 LED 칩(115) 상부에는 상기 패키지 하우징(110)을 채우며 일반적인 반도체 화합물로 이루어진 형광체층을 대신하여 투명한 레진(140)을 베이스로 하여 일방향으로 그 장축이 배열된 다수의 퀀텀 로드(130)를 구비한 퀀텀 로드층(125)이 구비되고 있는 것이 특징이다.
이때, 상기 LED 칩(115) 상부로 상기 패키지 하우징(110) 내부를 채우며 형성된 상기 퀀텀 로드층(125)은 경화 특성을 갖는 투명한 레진(140) 이외에 상기 다수의 퀀텀 로드(130)만으로 이루어질 수도 있으며, 또는 상기 투명한 레진과 다수의 퀀텀 로드(130) 이외에 발광 보조재(미도시)가 더욱 구비되어 레진(140)과 퀀텀 로드(130) 및 발광 보조재(미도시)로 이루어질 수도 있다.
상기 퀀텀 로드층(125)에 퀀텀 로드(130) 이외에 발광 보조재(미도시)가 더욱 구비되는 경우, 상기 퀀텀 로드(130)와 발광 보조재의 함량비는 100w% : 0w% 내지 50w% : 50w% 가 되는 것이 바람직하다. 즉, 발광 보조재의 함량 비율이 상기 퀀텀 로드(130)의 함량비율보다 작거나 또는 최대로 구비된다 하더라도 퀀텀 로드(130)의 함량비와 같은 정도가 되는 것이 바람직하다. 상기 발광 보조재의 함량비가 퀀텀 로드(130)의 함량비보다 큰 값을 가질 경우 편광된 빛을 형광하는 퀀텀 로드(130) 특성 발현이 저하될 수 있기 때문이다.
이때, 상기 발광 보조재는 퀀텀 도트(quantum dot), 무기 형광체, 유기 형광체 중 어느 하나 또는 둘 이상이 섞인 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 퀀텀 로드(quantum rod)(130)는 도 3(퀀텀 로드의 형태를 나타낸 도면)에 도시한 바와 같이, 중심을 이루는 코어(core)(132)와 상기 코어(132)를 감싸는 쉘(shell)(134)로 이루어지고 있다. 이때, 도면에서는 상기 퀀텀 로드(130)는 코어(132)와 이를 감싸는 쉘(134)로 이루어지는 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 쉘(134)은 생략되어 코어(132)만으로 이루어질 수도 있다.
이때, 상기 코어(132)는 그 형상이 구, 타원구, 다면체, 막대 형태 중 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 도면에서는 일례로 구 형태를 이루는 것을 도시하였다. 한편, 코어(132)만으로 퀀텀 로드(130)를 이루는 경우 상기 코어(132)는 타원구 또는 막대 형태를 이루는 것이 특징이다.
또한, 상기 코어(132)를 감싸는 쉘(134)을 포함하는 경우, 상기 코어(132)는 구, 타원구, 다면체, 막대 형태 중 어느 형태를 이룰 수 있으며, 이를 감싸는 상기 쉘(134)은 장축과 단축을 가지며 상기 퀀텀 로드(130)의 단축 방향으로 절단한 절단면이 원, 타원, 다각형 형태 중 어느 하나의 형태를 이룰 수 있다.
또한, 상기 쉘(134)은 단일층 또는 다중층 구조로 가질 수 있으며, 합금(alloy), 옥사이드 계열 또는 불순물이 도핑된 물질로 이루어지는 것이 특징이다.
이때, 상기 쉘(134)은 그 단축 대 장축의 비율이 1:1.1 내지 1:30의 범위를 가짐으로써 다양한 비율을 가질 수 있는 것이 특징이다.
또한, 이러한 퀀텀 로드(130)의 코어(132)는 주기율 표의 Ⅱ-Ⅵ, Ⅲ-V, Ⅲ-Ⅵ, Ⅵ-Ⅳ, Ⅳ 족의 반도체, 합금 혹은 그것의 혼합된 물질로 이루어질 수 있다.
즉, 상기 퀀텀 로드(130)의 코어(132)가 주기율표의 Ⅱ-Ⅵ족으로 이루어지는 경우, CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgSe, HgTe, CdZnSe, CdSeTe, ZnCdSe 중 어느 하나로 또는 둘 이상의 물질이 혼합될 수 있다.
그리고, Ⅲ-V 족으로 이루어지는 경우, InP, InN, GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, AlP, AlN, AlAs, AlSb 중 어느 하나로 또는 둘 이상의 물질이 혼합될 수 있다.
또한, Ⅲ-Ⅳ-Ⅵ 족으로 이루어지는 경우, Tl2SnTe5로 이루어지거나, 또한, Ⅵ-Ⅳ족으로 이루어지는 경우, PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe 중 어느 하나로 또는 둘 이상의 물질이 혼합될 수 있다.
이러한 물질과 비율을 갖는 퀀텀 로드(130)는 동일한 물질의 코어(132)로 구성되더라도 상기 코어(132)의 크기에 따라 형광 파장이 달라진다는 것이다. 코어(132)의 크기가 적어질수록 짧은 파장의 형광을 내며, 코어(132) 크기를 조절함으로써 원하는 가시광선 영역대의 빛을 거의 다 낼 수 있는 것이 특징이다.
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한편, 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(101)는 특히 액정표시장치용 백라이트 유닛의 광원으로 이용되는 경우, 상기 청색 LED 칩(115)을 통해 나온 빛은 상기 퀀텀 로드층(125)에 입사되고 상기 퀀텀 로드층(125)을 나온 빛은 백색광이 되도록 상기 퀀텀 로드(130)는 그 크기가 적절히 조절된 것이 특징이다.
이때, 상기 퀀텀 로드층(125)이 퀀텀 로드(130) 이외에 발광 보조제가 더욱 구비된 경우, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(101) 특성 상, 상기 LED 칩(115)은 450nm 이하의 단파장의 빛을 발광하는 청색 LED 칩(115)이 되므로 일 경우, 상기 발광보조제(미도시)는 황색형광체가 사용되는 것이 바람직하다.
상기 황색형광체는 530 ~ 570nm파장을 주파장으로 하는 세륨(Ce)이 도핑된 이트륨(Y) 알루미늄(Al) 가넷인 YAG:Ce(T3Al5O12:Ce)계열 형광체이거나, 또는 실리케이트(silicate)계열의 형광체인 것이 바람직하다.
이는 청색과 황색의 적절히 조절되는 경우, 백색광을 발생시킬 수 있기 때문이다.
한편, 상기 퀀텀 로드층(125)은 내부양자효율(quantum yield)은 100%가 되므로 상기 LED 칩(115)으로부터 나온 단파장대의 빛을 흡수하여 상기 LED 칩(115)으로 나온 빛의 거의 100% 수준의 휘도를 갖는 매우 센 형광을 발생시킬 수 있다.
이러한 특성을 갖는 퀀텀 로드(130)가 구비되는 퀀텀 로드층(125)에 있어서, 다수의 퀀텀 로드(130)는 그 장축이 일방향으로 배열된 구성을 이루는 것이 특징이다.
이때, 상기 LED 패키지(101)가 액정표시장치용 백라이트 유닛의 광원으로 이용되는 경우, 상기 퀀텀 로드층(125)에 구비되는 다수의 퀀텀 로드(130)의 배열 방향은 상기 액정표시장치와 백라이트 유닛 사이에 구비되는 제 1 편광판의 투과축과 일치하는 방향인 것이 바람직하다.
이렇게 퀀텀 로드층(125) 내부에서 다수의 퀀텀 로드(130)를 배향시키는 방법으로서는 일례로 전압 인가법, 배향막을 이용한 배향법, 자기조립 단분자(self aligned monomer)를 이용한 정렬법, 리액티브 메조겐 물질을 이용한 배향법 중 어느 하나가 될 수 있으며, 전술한 배향법에 한정되지 않고 그 외의 다양한 배향법이 이용될 수 있다.
또한, 전술한 배향법에 의해 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드(130)는 이와 상기 퀀텀 로드층(125)을 이루는 레진이 광 경화됨으로써 일방향으로 배열된 상태를 그대로 유지하는 것이 특징이다.
한편, 퀀텀 로드(130)의 장축이 일방향으로 잘 배열된 정도 즉, 정열도 수준은 편광비 측정을 통해 알 수 있다.
상기 LED 패키지(101)의 제 1 및 제 2 부분(109a, 109b)을 갖는 리드 프레임(109)을 통해 적절한 전압을 인가하여 상기 LED 패키지(101)를 구동하도록 한 후, 상기 LED 패키지(101)를 통해 나오는 빛을 특정 방향으로 투과축을 갖는 검광판(미도시)을 통과하도록 한 상태에서 상기 검광판(미도시)을 빠져 나오는 빛량을 측정함으로써 퀀텀 로드층(125)의 편광 정도를 알 수 있다.
LED 칩(115)으로부터 나온 빛량의 세기를 I, 수평 성분만을 갖는 빛을 Ih, 수직 성분만을 갖는 빛을 Iv라 정의 할 때, 통상적으로 퀀텀 로드(130)의 방향성을 부여하지 않았을 경우, 편광비(polarization ratio) PR은,
PR = (Ih - Iv)/(Ih+Iv)로 정의된다.
이때, 퀀텀 로드층(125)이 배향공정 진행에 의해 퀀텀 로드(130)들이 일방향 즉, 수평 또는 수직방향으로 배열되는 경우, 수평 및 수직 방향의 편광비 PRh 및 PRv는 각각 다음과 같이 정의된다.
PRh = Ih/(Ih+Iv),
PRv = Iv/(Ih+Iv)
따라서, 상기 퀀텀 로드층(125) 내부에 있어서 퀀텀 로드(130)의 장축이 일방향으로 정렬되었다 하는 것은 반드시 상기 퀀텀 로드 모두가 동일한 방향으로 정렬되었다는 것이 아니라, 수평 방향의 편광비 PRh 또는 수평 방향의 편광비 PRv가 0.5보다는 크고 1보다는 작은 값을 갖는 것 즉, 0.5 < PRh 또는 PRv < 1 을 만족시키는 것을 의미한다.
이렇게 다수의 퀀텀 로드(130)가 일방향으로 배열된 퀀텀 로드층(125)은 상기 LED 칩(115)으로부터 나온 빛을 받아 형광을 발현함과 동시에 형광된 빛은 편광 특성을 갖는 것이 특징이다.
즉, 퀀텀 로드(130) 자체의 특성에 의해 빛 바람직하게는 450nm 이하의 단파장을 갖는 빛을 받아들여 내부적인 형광 작용에 의해 빛을 발산하게 되며, 퀀텀 로드(130)의 배열 특성에 의해 상기 퀀텀 로드층(125)으로부터 발생된 빛은 그 자체로 편광 특성을 갖게 됨으로써 이렇게 퀀텀 로드(130)가 일 방향으로 배열된 퀀텀 로드층(125)을 구비한 LED 패키지(101)는 상기 퀀텀 로드층(125)에서 형광된 빛은 일방향으로 편광된 빛이 되는 것이 특징이다.
따라서, 이러한 본 발명 일시예의 특징적인 구성을 갖는 LED 패키지(101)를 광원으로 하는 백라이트 유닛(도 4의 220)으로 이용하고, 이러한 백라이트 유닛(도 4의 220)을 구비한 액정표시장치(도 4의 200)의 경우, 상기 백라이트 유닛(도 4의 220)을 통해 나온 빛은 이미 편광 특성을 가지므로 상기 액정표시장치(도 4의 200)의 제 1 편광판(미도시)의 투과축을 적절히 조절하게 되면, 상기 LED 패키지(101)로 나온 빛의 대부분이 손실없이 상기 제 1 편광판(미도시)을 투과하도록 할 수 있다.
따라서 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(101)를 구비한 액정표시장치(도 4의 200)의 경우, 통상의 액정표시장치에 있어서 발생되는 제 1 편광판을 투과하면서 손실되는 빛량을 저감시킬 수 있으므로 고 휘도 특성을 갖는 액정표시장치(도 4의 200)를 이룰 수 있다.
통상적으로 비 편광된 빛은 편광판을 통과하는 경우, 약 50%의 빛량 손실이 발생하지만, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(101)로부터 나온 편광된 빛은 상기 퀀텀 로드층(125)을 이루는 퀀텀 로드(130)의 장축의 배열 정도와 단축 대비 장축의 비의 변화에 따라 차이가 있지만, 60% 내지 90% 정도가 투과됨을 실험적으로 알 수 있었다.
따라서, 편광된 빛을 발광하는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(101)를 광원으로 하는 백라이트 유닛(도 4의 220)을 구비한 액정표시장치(도 4의 200)는 통상적인 비편광된 빛을 발광하는 LED 패키지를 백라이트 유닛으로 하는 액정표시장치 대비 휘도 특성에 있어서 10% 내지 40% 정도 향상되는 효과를 갖는다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드층을 구비한 LED 패키지를 광원으로 하는 백라이트 유닛이 구비된 액정표시장치의 분해사시도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(200)는, 액정패널(210)과, 퀀텀 로드층(도 1의 125)을 갖는 LED 패키지(101)가 구비된 백라이트 유닛(220), 그리고 상기 액정패널(210)과 백라이트 유닛(220)을 모듈화하기 위한 탑커버(240)와 서포트메인(230)으로 구성된다.
이들 각각에 대해 좀 더 자세히 살펴보면, 상기 액정패널(110)은 화상표현의 핵심적인 역할을 담당하는 부분으로서, 액정층(미도시)을 사이에 두고 서로 대면 합착된 제 1 기판(112) 및 제 2 기판(114)을 포함한다.
이때, 액티브 매트릭스 방식이라는 전제 하에 비록 도면상에 나타나지는 않았지만 통상 하부기판 또는 어레이 기판이라 불리는 상기 제 1 기판(112)의 내측면에는 다수의 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 교차하여 화소영역(pixel)이 정의되고 있으며, 상기 각 화소영역에는 이들 두 배선의 교차점마다 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)(미도시)가 구비되고 있으며, 이들 각 화소영역에는 상기 박막트랜지스터(미도시)의 드레인 전극과 접촉하며 투명한 화소전극(미도시)이 구비되고 있다.
그리고 상부기판 또는 컬러필터 기판이라 불리는 상기 제 2 기판(114)의 내측면에는 상기 각 화소영역에 대응하여 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터(color filter) 패턴이 구비된 컬러필터층(미도시)이 형성되고 있으며, 상기 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(미도시)을 두르며 상기 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시) 그리고 박막트랜지스터(미도시) 등의 비표시요소를 가리는 블랙매트릭스(black matrix)(미도시)가 구비되고 있다. 또한, 상기 컬러필터층(미도시)과 블랙매트릭스(미도시)를 덮으며 표시영역 전면에 투명한 공통전극(미도시)이 형성되고 있다.
이러한 구성을 갖는 액정패널(210)은 일례를 나타낸 것이며, 다양하게 변형될 수 있다. 일례로 상기 액정패널은 상기 제 1 기판의 내측면에 각 화소영역별로 바(bar) 형태를 갖는 화소전극과 공통전극이 교대하는 형태를 가지며 구성될 수도 있으며, 이러한 구성을 갖는 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판의 내측면에는 표시영역 전면에 형성되는 투명한 공통전극은 생략되고 이를 대신하여 오버코트층이 상기 컬러필터층과 블랙매트릭스를 덮으며 형성될 수도 있다.
그리고 이러한 구성을 갖는 액정패널(210)의 상기 제 1 및 제 2 기판(112, 114)의 외면으로는 특정 빛만을 선택적으로 투과시키는 제 1 및 제 2 편광판(미도시)이 서로 수직한 편광축(또는 투과축)을 갖도록 구비되고 있다. 이때, 상기 백라이트 유닛(220)과 인접하여 구비되는 상기 제 1 편광판(미도시)은 상기 LED 패키지(101)를 통해 나온 빛의 편광 방향과 그 편광축이 일치하도록 배치되는 것이 특징이다.
또한, 이 같은 액정패널(110)의 적어도 일 가장자리를 따라서는 연성회로기판(Flexible printed circuit board : FPCB) 이나 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package : TCP) 같은 연결부재(116)를 매개로 인쇄회로기판(117)이 연결되어 모듈화 과정에서 상기 서포트메인(130)의 측면 내지는 배면으로 적절하게 젖혀 밀착된다.
이러한 구성을 갖는 상기 액정패널(110)은 게이트 구동회로의 온(on)/오프 (off) 신호에 의해 각 게이트 배선(미도시) 별로 선택된 박막트랜지스터(미도시)가 온(on) 되면 데이터 구동회로의 신호전압이 데이터 배선(미도시)을 통해서 해당 화소전극(미도시)으로 전달되고, 이에 따른 화소전극(미도시)과 공통전극(미도시) 사이에 발생되는 전계에 의해 액정층(미도시) 내의 액정분자의 배열방향이 변화되어 투과율 차이를 나타낸다.
아울러 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(200)에는 상기 액정패널(210)이 나타내는 투과율의 차이가 외부로 발현되도록 이의 배면에서 빛을 공급하는 백라이트 유닛(220)이 상기 제 1 편광판(미도시)의 외측면에 구비되고 있다.
상기 백라이트 유닛(220)은 백색 또는 은색의 반사판(225)과, 이러한 반사판(225) 상에 안착되는 도광판(223)과, 상기 도광판(223)의 양측에 서로 마주하도록 위치하는 제 1 및 제 2 LED 어셈블리(222a, 222b) 그리고 상기 도광판(223) 상부로 개재되는 광학시트(221)를 포함한다.
한편, 도면에 있어서는 도광판의 서로 마주하는 측면에 대응하여 두 개 즉 제 1 및 제 2 LED 어셈블리(222a, 222b)가 구비된 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 제 1, 2 어셈블리(222a, 222b)중 어느 하나만이 구비될 수도 있다.
상기 제 1 및 제 2 LED 어셈블리(222a, 222b)는 상기 도광판(223)의 측면과 대면하도록 상기 도광판(223)의 서로 마주하는 양측에 각각 위치하고 있다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 LED 어셈블리(222a, 222b)는 각각 일정한 이격간격을 가지며 배치되는 다수개의 LED 패키지(101)와, 상기 다수개의 LED 패키지(101)가 장착되는 LED PCB(221)를 포함하여 구성되고 있다.
이때, 상기 제 1 및 제 2 LED 어셈블리(222a, 222b)에 구비되는 다수의 LED 패키지(101)는 도 1을 참조하여 설명한 바와같이, 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드(도 1의 130)로 구성되는 퀀텀 로드층(도 1의 125)이 패키지 하우징(도 1의 110) 내부를 채우며 LED 칩(도 1의 115) 상부에 형성된 구성을 갖는 것이 특징이다. 이러한 구성에 의해 상기 LED 칩(도 1의 115)으로부터 나온 빛은 상기 퀀텀 로드층(도 1의 125)에 흡수된 후, 형광됨으로써 편광된 빛을 방출하는 것이 특징이다. 이러한 본 발명의 특징적인 구성인 LED 패키지(101)에 대해서는 그 구성에 상세히 설명하였으므로 이하 생략한다.
한편, 상기 반사판(225)은 상기 도광판(223)의 배면에 위치하여, 상기 도광판(223)의 배면을 통과한 빛을 상기 액정패널(210) 쪽으로 반사시킴으로써 빛의 휘도를 향상시킨다.
또한, 상기 도광판(223) 상부에는 광학시트(221)가 구비되고 있다. 이때, 상기 광학시트(221)는 확산시트와 적어도 하나의 집광시트 등을 포함하며, 상기 도광판(223)을 통과한 빛을 확산 또는 집광하여 상기 액정패널(210)로 보다 균일한 면광원이 입사 되도록 하는 역할을 한다.
이러한 액정패널(210)과 백라이트 유닛(220)은 탑커버(240)와 서포트메인(230) 그리고 커버버툼(250)을 통해 모듈화 되는데, 상기 탑커버(240)는 상기 액정패널(210)의 상면 및 측면 가장자리를 덮도록 단면이"ㄱ"형태로 절곡된 사각테 형상으로, 상기 탑커버(240)의 전면을 개구하여 상기 액정패널(210)에서 구현되는 화상을 표시하도록 구성한다.
또한, 상기 액정패널(210) 및 백라이트 유닛(220)이 안착하여 액정표시장치(200) 전체 기구물 조립에 기초가 되는 커버버툼(250)은 가장자리가 수직 절곡된 가장자리부를 구비한 사각형의 판 형상으로, 상기 백라이트 유닛(220) 배면에 밀착되는 수평면(251) 및 이의 가장자리가 수직하게 상향 절곡된 측면(253)으로 이루어진다.
그리고, 이러한 커버버툼(250) 상에 안착되며 상기 액정패널(210) 및 백라이트 유닛(220)의 가장자리를 두르는 일 가장자리가 개구된 사각의 테 형상의 서포트메인(230)이 상기 탑커버(240)와 커버버툼(250)과 결합됨으로써 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(200)를 이루고 있다.
이때, 상기 탑커버(240)는 케이스탑 또는 탑케이스라 일컬어지기도 하고, 상기 서포트메인(230)은 가이드패널 또는 메인서포트, 몰드프레임이라 일컬어지기도 하며, 상기 커버버툼(250)은 버텀커버 또는 하부커버라 일컬어지기도 한다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(200)는, 상기 백라이트 유닛(220)으로부터 나온 빛은 다수의 LED 패키지(101) 각각의 내부에 구비되는 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드(도 1의 130)로 구성된 퀀텀 로드층(도 1의 125)에서 형광되어 나오게 되므로 편광된 상태를 가지게 되므로 상기 제 1 편광판(미도시)을 투과하는 빛량이 비 편광된 빛을 발생시키는 백라이트 유닛을 구비한 액정표시장치 대비 10% 내지 40% 정도 향상시킬 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(200)는 고 휘도 특성을 갖게되며, 휘도 특성을 일반적인 액정표시장치와 동일한 수준이 되도록 구성하는 경우, 상대적으로 저휘도를 갖는 백라이트 유닛을 구성할 수 있으므로 소비전력을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경될 수 있음은 자명하다.
101 : LED 패키지
109 : 리드 프레임
109a, 109b : (리드 프레임의) 제 1, 2 부분
110 : 패키지 하우징
115 : LED 칩
117a, 117b : 제 1 및 제 2 와이어
125 : 퀀텀 로드층
130 : 퀀텀 로드
140 : 레진

Claims (19)

  1. 서로 이격하는 리드 프레임과;
    상기 리드 프레임 상면에 구비된 LED 칩과;
    상기 LED 칩을 둘러싸는 형태로 상기 리드 프레임 상면에 구비된 패키지 하우징과;
    상기 패키지 하우징 내부를 채우며 상기 LED 칩 상부에 구비된 퀀텀 로드층
    을 포함하며,
    상기 퀀텀 로드층은 장축이 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드로 이루어진 발광 다이오드 패키지.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 퀀텀 로드층은 상기 다수의 퀀텀 로드 이외에 발광 보조재가 구비되며, 상기 퀀텀 로드와 발광 보조재의 함량비는 100w% : 0w% 내지 50w% : 50w% 인 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 발광 보조재는 퀀텀 도트(quantum dot), 무기 형광체, 유기 형광체 중 어느 하나 또는 둘 이상이 섞인 물질인 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 퀀텀 로드층은 경화 특성을 갖는 레진을 포함하여 상기 다수의 퀀텀 로드의 장축이 일 방향으로 배열된 후 상기 레진이 경화되어 일 방향으로 배열된 상태를 유지하는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 다수의 퀀텀 로드의 장축이 일 방향으로 배열되었다고 하는 것은,
    수평 방향의 편광비 PRh 와 수직 방향의 편광비 PRv를 각각 PRh = Ih/(Ih+Iv), PRv = Iv/(Ih+Iv)(Ih : 수평 성분을 갖는 빛량의 세기, Iv : 수직 성분을 갖는 빛량의 세기) 이라 정의할 때, 상기 수평 방향의 편광비 PRh 또는 수직 방향의 편광비 PRv가 0.5보다는 크고 1보다는 작은 값을 갖는 즉, 0.5 < PRh(또는 PRv)< 1 을 만족시키는 것을 의미하는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 퀀텀 로드층 상부에는 이를 덮으며 렌즈가 구비된 발광 다이오드 패키지.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 LED 칩은 450nm 이하의 단파장의 빛을 발광하는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 퀀텀 로드는 코어만으로 이루어지거나,
    또는 코어와 상기 코어를 둘러싸는 쉘로 이루어지며, 상기 쉘은 단축과 장축을 갖는 형태를 이루며 단축 대 장축의 비가 1:1.1 내지 1:30인 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 퀀텀 로드의 상기 코어는 그 형상이 구, 타원구, 다면체, 막대 형태 중 어느 하나를 이루며,
    상기 쉘은 상기 퀀텀 로드의 단축 방향으로 절단한 절단면이 원, 타원, 다각형 형태 중 어느 하나의 형태를 이루는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 쉘은 단일층 또는 다중층 구조를 이루는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 쉘은 합금(alloy), 옥사이드 계열 또는 불순물이 도핑된 물질로 이루어지는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 코어는 주기율표 상의 Ⅱ-Ⅵ, Ⅲ-V, Ⅲ-Ⅳ-Ⅵ, Ⅵ-Ⅳ, Ⅳ 족의 반도체, 합금 또는 혼합된 물질로 이루어지는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 퀀텀 로드의 코어는 Ⅱ-Ⅵ족으로 이루어지는 경우, CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgSe, HgTe, CdZnSe, CdSeTe, ZnCdSe 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지며,
    Ⅲ-V 족으로 이루어지는 경우, InP, InN, GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, AlP, AlN, AlAs, AlSb중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지며,
    Ⅲ-Ⅳ-Ⅵ 족으로 이루어지는 경우, Tl2SnTe5로 이루어지거나,
    Ⅵ-Ⅳ족으로 이루어지는 경우, PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.

  15. 액정패널과;
    상기 액정패널의 외측면에 서로 편광축이 직교하도록 부착된 제 1 및 제 2 편광판과;
    상기 제 1 편광판의 외측면에 구비되며, 서로 이격하는 리드 프레임과, 상기 리드 프레임 상면에 구비된 LED 칩과, 상기 LED 칩을 둘러싸는 형태로 상기 리드 프레임 상면에 구비된 패키지 하우징과, 상기 패키지 하우징 내부를 채우며 상기 LED 칩 상부에 구비된 퀀텀 로드층을 포함하는 발광 다이오드 패키지를 광원으로 하는 백라이트 유닛
    을 포함하며,
    상기 퀀텀 로드층은 장축이 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드로 이루어지는 액정표시장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 백라이트 유닛은, 상기 액정패널 하부에 구비된 도광판과, 상기 도광판의 측면에 구비되며 상기 발광 다이오드 패키지가 다수개 실장된 LED 어셈블리와, 상기 도광판과 상기 액정패널 사이에 구비된 광학시트와, 상기 도광판 하부에 구비된 반사판을 포함하며,
    상기 액정표시장치는,
    상기 액정패널의 가장자리를 두르는 서포트메인과, 상기 서포트메인 배면과 밀착되는 저면과 이의 측면으로 구성되는 커버버툼과, 상기 액정패널의 상면 및 측면 가장자리를 덮으며, 사각테 형상으로 상기 액정패널의 표시영역에 대응하여 개구를 갖는 탑커버를 포함하는 액정표시장치.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 퀀텀 로드층은,
    장축이 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드와 발광 보조재가 구비되며, 상기 퀀텀 로드와 발광 보조재의 함량비는 100w% : 0w% 내지 50w% : 50w% 인 것이 특징이며, 상기 다수의 퀀텀 로드가 일방향으로 배열됨으로써 편광된 빛을 발생시키는 것이 특징인 액정표시장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 퀀텀 로드층은 경화 특성을 갖는 레진을 포함하여 상기 다수의 퀀텀 로드의 장축이 일 방향으로 배열된 후 상기 레진이 경화되어 일 방향으로 배열된 상태를 유지하는 것이 특징인 액정표시장치.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 퀀텀 로드층의 다수의 퀀텀 로드의 배열 방향과 상기 제 1 편광판의 투과축이 나란한 것이 특징인 액정표시장치.
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