JP2008532067A5

JP2008532067A5 -

Info

Publication number: JP2008532067A5
Application number: JP2007556415A
Authority: JP
Filing date: 2006-02-22
Publication date: 2009-02-12
Anticipated expiration: 2026-02-22

Claims

フォトレジスト材料の上面に塗布するためのトップコート材料であって、少なくとも１つの溶媒と、アルカリ性水溶液現像液に対して少なくとも３０００Å／秒の溶解速度を有するポリマーとを含むトップコート材料。
前記ポリマーは、ｎは整数とする次の２つの構造、

のうちの１つを含むヘキサフルオロアルコールのモノマー・ユニットを含有する、請求項１に記載のトップコート材料。
前記ポリマーは、ｎを整数とする次の構造、

を有するヘキサフルオロアルコールのモノマーと、５０モル％までの１つ又は複数のメタクリレート又はアクリレート・コモノマーとを含むコポリマーである、請求項１に記載のトップコート材料。
前記１つ又は複数のメタクリレート・コモノマーは、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、脂環式メタクリレート、非環式アルキル置換メタクリレート、メタクリル酸、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、ヒドロキシ置換脂環式メタクリレート、及び非環式ヒドロキシアルキル置換メタクリレートから成る群から選択され、アルキル基及び脂環部分は、独立に１個から１２個までの炭素原子を有する、請求項３に記載のトップコート材料。
前記１つ又は複数のアクリレート・コモノマーは、メチルアクリレート、エチルアクリレート、脂環式アクリレート、非環式アルキル置換アクリレート、アクリル酸、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ヒドロキシ置換脂環式アクリレート、及び非環式ヒドロキシアルキル置換アクリレートから成る群から選択され、アルキル基及び脂環部分は、独立に１個から１２個までの炭素原子を有する、請求項３に記載のトップコート材料。
そこに存在する泡又は小粒子がリソグラフィにより印刷されないように、１ミクロンから１０ミクロンまでの厚さを有する、請求項１に記載のトップコート材料。
前記少なくとも１つの溶媒は、前記フォトレジスト材料と混和しない、請求項１に記載のトップコート材料。
前記少なくとも１つの溶媒は、炭化水素アルコールである、請求項１に記載のトップコート材料。
前記少なくとも１つの溶媒は、１−ブタノール、メタノール、エタノール、１−プロパノール、エチレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、及び４個から８個までの炭素原子を有するその他の炭化水素アルコールから成る群から選択される、請求項１に記載のトップコート材料。
前記ポリマーは水に不溶である、請求項１に記載のトップコート材料。
前記ポリマーは、下にある前記フォトレジスト材料のための適切な露光放射に対して実質的に光学的に透明である、請求項１に記載のトップコート材料。
前記ポリマーは、１．２から１．８までの範囲の屈折率を有する、請求項１に記載のトップコート材料。
前記ポリマーは、１．５から１．７までの範囲の屈折率を有する、請求項１に記載のトップコート材料。
前記ポリマーは、３Ｋダルトンから５００Ｋダルトンまでの範囲の調節可能な分子量を有する、請求項１に記載のトップコート材料。
前記ポリマーは、前記フォトレジストの処理温度に等しいか又はそれより高いＴｇを有する、請求項１に記載のトップコート材料。
前記ポリマーは、１３０℃の又はそれより高いＴｇを有する、請求項１に記載のトップコート材料。
基板上にパターン付けされた材料層を形成する方法であって、
表面上に材料層を有する基板を準備するステップと、
前記基板上にフォトレジスト組成物を堆積させて前記材料層上にフォトレジスト層を形成するステップと、
前記フォトレジスト層上にトップコート材料を塗布してコーティングされた基板を形成するステップであって、前記トップコート材料は、ｎを整数とする次の２つの構造、

の内の１つを含むヘキサフルオロアルコールのモノマー・ユニットを含有するポリマーを含む、ステップと、
前記コーティングされた基板を画像形成用放射でパターン状に露光するステップと、
前記コーティングされた基板をアルカリ性水溶液現像液と接触させるステップであって、前記トップコート材料及び前記フォトレジスト層の一部分は、前記コーティングされた基板から同時に除去されてパターン付けされたフォトレジスト層を前記材料層上に形成する、ステップと、
前記フォトレジスト層の前記パターンを前記材料層に転写するステップと
を含む方法。
前記トップコート材料及び前記フォトレジスト層の一部分は、前記レジスト層をアルカリ性水溶液現像液と接触させることによって除去される、請求項１７に記載の方法。
前記アルカリ性水溶液現像液は、０．２６３Ｎのテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである、請求項１７に記載の方法。
前記材料層は、セラミック、誘電体、金属及び半導体層から成る群から選択される、請求項１７に記載の方法。
前記画像形成用放射は１９３ｎｍ放射、１５７ｎｍ放射、及び２４８ｎｍ放射から成る群から選択される、請求項１７に記載の方法。
前記コーティングされた基板を画像形成用放射でパターン状に露光する前に、画像形成媒体を前記コーティングされた基板に塗布するステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
前記画像形成媒体は水である、請求項２２に記載の方法。
前記フォトレジスト層の前記パターンは、前記パターン付けされたフォトレジスト層で覆われていない前記材料層の一部分を除去することによって、前記材料層に転写される、請求項１７に記載の方法。