JP2008530862A - マイクロエレクトロニクス画像装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図3A
Description
A.概要
以下の説明はマイクロエレクトロニクス画像装置とマイクロエレクトロニクス画像装置を製造するための方法のいくつかの実施例について述べる。画像装置の一実施例は支持部材と支持部材に取着された画像ダイと画像ダイと支持部材に取着された駆動部材からなる。画像ダイは画像センサと、画像センサに動作的に接続された集積回路と集積回路に動作的に接続された複数の外部接点を含む。駆動部材は支持部材に対して画像ダイを選択的に移動するように構成される。たとえば駆動部材は圧電水晶、圧電テープまたは他の適当な部材を含むことができる。
図2A−3Bはこの発明の一実施例に従うマイクロエレクトロニクス画像装置100を製造するための方法の各ステージを図示する。例えば図2Aは画像ダイ110と支持部材130と、画像ダイ110と支持部材130の間に取着された可撓性部材160とを有するマイクロエレクトロニクス画像装置100の概略的側断面図である。画像ダイ110は第一の側面112とその第一の側面112に対向する第二の側面114と第一の側面112から第二の114へ広がる複数の端部116を含む。画像ダイ110は、更に画像センサ118、この画像センサ118に動作的に接続される集積回路122(概略的に示される)および集積回路122に動作的に接続される複数の外部接点124(たとえばボンドパッド)を含む。画像センサ118はCMOS装置または可視スペクトラムにおける画または他の画像を取得するためのCCD画像センサであってもよい。画像センサ118はまた他のスペクトラム(たとえばIRまたはUV領域)の放射を検出してもよい。
画像装置110はデジタルカメラ、携帯電話、個人デジタル補助器(PDA)および他の電子装置によって得られる画像の解像度を増加することができる。たとえば集積回路122のいくつかの実施例は制御器として動作し駆動部材170を駆動するためのアルゴリズムを含む。より詳しくは、画像センサ118上の各ピクセルが単一の色(たとえば赤、緑または青)のみを検知することができるので、集積回路122は一つまたはそれ以上の駆動部材170を動作し画像ダイ110を動かすようにし、その結果画像センサ118上の各ピクセルはユーザが画像を取得したい度にいくつかの異なった場所で光に露光される。各特定の位置で異なったピクセルからの測定値はその位置での色を決定するために一つのアルゴリズムによって結合される。この方法は図5Aー5Dを参照して以下に詳細に説明される。
図6Aおよび6Bはこの発明の他の実施例に従う複数の画像装置200の製造方法の各ステージを図示する。図6Aは例えば支持部材230を有する微小形製作部材マイクロフィーチャーと支持部材230に取着された複数の駆動部材270と対応する駆動部材270に取着された複数の画像ダイの概略的側縦断図である。支持部材230はリードフレームまたは画像ダイ110を載せるための、たとえばプリント回路板のような基板で有り得る。図示された実施例において支持部材230は複数の端子238を有する第一の側部234と複数のパッド240を有する第二の側部236とを含む。端子238は画像ダイ110上で対応する外部接点124へ接続するためにアレイ状に配置され得る、そしてパッド240は複数の導電接続体(例えば半田球)への接続するためにアレイ状に配設される。支持部材230は更に端子238を対応するパッド240へ電気的に結合するための複数の導電体242を含む。
Claims (76)
- 支持部材と、
前記支持部材に取着された画像ダイであって前記画像ダイは画像センサと前記画像センサに動作的に接続された集積回路と前記集積回路に動作的に接続された複数の外部接点とからなるものと、
前記画像ダイと前記支持部材に取着された駆動部材であって前記駆動部材は前記支持部材に対して前記画像ダイを選択的に移動するように構成されてなるものと、
からなるマイクロエレクトロニクス画像装置。 - 前記駆動部材は圧電駆動部材からなる請求項1記載の画像装置。
- 前記駆動部材は圧電駆動部材からなり前記画像装置は更に、前記圧電駆動部材に取着され前記画像ダイ上の前記集積回路に電気的に接続された電極からなる請求項1記載の画像装置。
- 前記画像ダイは更に前記画像センサを有する第一の側面と第一の側面に対向する第二の側面からなり前記駆動部材は前記画像ダイの第二の側面と前記支持部材の間に取着される請求項1記載の画像装置。
- 前記画像ダイは更に前記画像センサを有する第一の側部と前記第一の側部と対向する第二の側部と第一および第二の側部間に広がる複数の端部とからなり、前記駆動部材は前記画像ダイの端部の一つと前記支持部材の間に取着される請求項1記載の画像装置。
- 前記駆動部材は焦点面内の第一の軸に沿って前記画像ダイを選択的に動かすように配設された第一の駆動部材であり、前記画像装置は更に前記画像ダイおよび前記支持部材に取着され前記焦点面内の第二の軸に沿って前記画像ダイを選択的に移動するように配設された第二の駆動部材とからなり前記第一の軸は前記第二の軸と横方向である請求項1記載の画像装置。
- 前記支持部材は基板と前記基板から突出する離隔体とからなり前記画像装置は更に前記離隔体に取着され前記画像センサ上に配設されたカバーとからなる請求項1記載の画像装置。
- 前記支持部材は端子のアレイからなり、前記画像装置は更に前記ダイ上の前記外部接点を前記支持部材上の対応する端子に電気的に接続する複数のワイヤーボンドからなる請求項1記載の画像装置。
- 前記画像センサは焦点面を規定する複数のピクセルからなり前記駆動部材は前記焦点面内において前記画像ダイを選択的に移動するように構成される請求項1記載の画像装置。
- 前記支持部材は複数の端子と対応する端子に電気的に接続された複数の外部接点とを有する支持基板からなりこの端子は前記画像ダイ上で対応する外部接点に電気的に接続されてなる請求項1記載の画像装置。
- 更に前記画像ダイと前記支持部材の間の可撓性部材からなる請求項1記載の画像装置。
- 端子のアレイを有する支持部材と、
前記支持部材に取着された画像ダイであってその画像ダイは画像センサと前記画像センサに動作的に接続された集積回路と前記集積回路に動作的に接続された複数の外部接点とからなり、前記画像センサは焦点面を規定する複数のピクセルを含むものと、
前記外部接点を前記支持部材上の対応する端子へ電気的に接続する複数のワイヤーボンドと、
前記画像ダイと前記支持部材に取着され前記支持部材に関して前記焦点面内で前記画像ダイを移動させるための複数の駆動部材と、
からなるマイクロエレクトロニクス画像装置。 - 前記駆動部材は複数の圧電駆動部材からなる請求項12記載の画像装置。
- 前記駆動部材は複数の圧電駆動部材からなり前記画像装置は更に対応する圧電駆動部材へ取着され前記画像ダイ上の前記集積回路に電気的に接続された複数の電極からなる請求項12記載の画像装置。
- 前記駆動部材は焦点面内において第一の軸に沿って前記画像ダイを選択的に動かすように配設された第一の駆動部材と前記焦点面内において第二の軸に沿って前記画像ダイを選択的に移動させるように配設された第二の駆動部材とからなり前記第一の軸は前記第二の軸に対して横方向である請求項12記載の画像装置。
- 更に前記画像ダイと前記支持部材の間の可撓性部材からなる前記請求項12記載の画像装置。
- 前記画像ダイは更に前記画像センサを有する第一の側部と前記第一の側部に対向する第二の側部とからなり、少なくとも一つの前記駆動部材は前記画像ダイの前記第二の側部と前記支持部材の間に取着されてなる請求項12記載の画像装置。
- 前記画像ダイは更に前記画像センサを有する第一の側部と前記第一側部と対向する第二の側部と第一および第二の側部の間に広がる複数の端部とからなり少なくとも一つの駆動部材は前記画像装置の端部と前記支持部材との間に取着されてなる請求項12記載の画像装置。
- 基板を前記基板から突出した離隔体を有する支持部材と、
前記支持部材に取着された画像ダイであって前記画像ダイは画像センサと前記画像センサに動作的に接続された集積回路と前記集積回路に動作的に接続された複数の外部接点とからなり前記画像センサは焦点面を規定する複数のピクセルを含むものと、
前記離隔体に取着され前記画像センサ上に配設されたカバーと、
前記焦点面内で第一の軸に沿って前記画像ダイを選択的に動かすために前記画像ダイと支持部材の間に配設された第一の圧電駆動部材と、
前記焦点面内で第二の軸に沿って前記画像ダイを選択的に移動するために前記画像ダイと前記支持部材との間に配設された第二の圧電駆動部材であって前記第一の軸は前記第二の軸に対して横方向であるものと、
からなるマイクロエレトロニクス画像装置。 - 更に前記第一の圧電駆動部材に取着された第一の電極と、
前記第二の圧電駆動部材に取着された第二の電極と、
前記第一及び第二の電極を前記画像ダイ上の対応する外部接点に電気的に接続する複数のワイヤーボンドと、
からなる請求項19記載の画像装置。 - 前記画像ダイは更に前記センサを有する第一の側部と前記第一の側部に対向する第二の側部とからなり前記第一および第二の圧電駆動部材は前記画像ダイの第二の側部と前記支持部材との間に取着される請求項19記載の画像装置。
- 前記画像ダイは更に前記センサを有する第一の側部と前記第一の側部に対向する第二の側部と前記第一および第二の側部との間に広がる複数の端部とからなり前記第一および第二の圧電駆動部材は前記支持部材と前記画像ダイの対応する端部間に取着されてなる請求項19記載の画像装置。
- 前記支持部材は更に端子のアレイからなり前記画像装置は更に前記外部接点を前記支持部材上の対応する端部に電気的に接続する複数のワイヤーボンドからなる請求項19記載の画像装置。
- 更に前記画像ダイと前記支持部材の間の可撓性部材からなる請求項19記載の画像装置。
- 支持基板と
前記支持基板に取着された画像ダイであって前記画像ダイは画像センサと前記画像センサに動作的に接続された集積回路と前記集積回路に動作的に接続された複数の外部接点とからなり前記画像センサは焦点面を規定する複数のピクセルを含むものと、
前記支持基板に関して前記焦点面内で前記画像ダイを選択的に移動する手段と、
からなるマイクロエレクトロニクス画像装置。 - 前記画像ダイを選択的に移動する手段は前記画像ダイと前記支持基板に取着された複数の圧電駆動部材からなる請求項25記載の画像装置。
- 前記画像ダイを選択的に移動する手段は前記焦点面内で第一の軸に沿って前記画像ダイを選択的に移動するように配設された第一の駆動部材と前記焦点面内で第二の軸に沿って前記画像ダイを選択的に移動するように配設された第二の駆動部材とからなり第一の軸は第二の軸に対して横方向である請求項25記載の画像装置。
- 前記画像ダイは更に前記画像センサを有する第一の側部と前記第一の側部に対向する第二の側部とからなり前記画像ダイを選択的に移動する手段の少なくとも一部は前記画像ダイの第二の側部と前記支持基板との間に取着されている請求項25記載の画像装置。
- 前記画像ダイは更に前記画像センサを有する第一の側部と前記第一の側部に対向する第二の側部と前記第一と第二の側部の間に広がる複数の端部と画像ダイを選択的に移動する手段の少なくとも一部は前記画像ダイの端部の一つと支持基板との間に取着されてなる請求項25記載の画像装置。
- 前記支持基板は端子のアレイからなり前記画像装置は更に前記ダイ上の前記外部接点を前記支持基板上の対応する端子に電気的に接続する複数のワイヤーボンドからなる請求項25記載の画像装置。
- 更に、前記画像ダイと前記支持基板の間の可撓性部材からなる請求項25記載の画像装置。
- 端子のアレイを有する支持部材と
前記支持部材に取着された画像ダイであって前記画像ダイは画像センサと前記画像センサに動作的に接続された集積回路と前記集積回路に動作的に接続された複数の外部接点とからなり前記画像センサは焦点面を規定する複数のピクセルを含むものと、
前記外部接点を前記支持部材上の対応する端子に電気的に接続する複数のワイヤーボンドと、
前記支持部材に接続され前記画像センサ上に配設されるカバーと
前記画像ダイと前記支持部材との間に配設され前記焦点面内において前記画像ダイを選択的に移動する複数の圧電駆動部材と、
対応する圧電駆動部材に接続され前記集積回路に電気的に接続された複数の電極と、
からなるマイクロエレクトロニクス画像装置。 - 前記画像装置は更に前記画像センサを有する第一の側部と前記第一の側部に対向する第二の側部とからなり前記圧電駆動部材の少なくとも一つは前記画像ダイの第二の側部と前記支持部材との間に取着されてなる請求項32記載の画像装置。
- 前記画像ダイは更に前記画像センサを有する第一の側部と前記第一の側部に対向する第二の側部と第一および第二の側部との間に広がる複数の端部とからなり前記圧電駆動部材の少なくとも一つは前記画像ダイの端部の一つと前記支持部材の間に取着される請求項32記載の画像装置。
- 前記圧電駆動部材は前記焦点面の第一の軸に沿って前記画像ダイを選択的に動かすように配設された第一の圧電駆動部材と前記焦点面内の第二の軸に沿って前記画像ダイを選択的に移動するように配設された第二の圧電駆動部材とからなり第一の軸は第二の軸と横方向である請求項32記載の画像装置。
- 更に前記画像ダイと前記支持部材との間の可撓性部材からなる請求項32記載の画像装置。
- 前記ワイヤーボンドは複数の第一のワイヤーボンドからなり前記画像装置は更に前記電極を前記ダイ上の対応する外部接点へ電気的に接続する複数の第二ワイヤーボンドからなる請求項32記載の画像装置。
- 支持部材と
前記支持部材に取着された複数の圧電駆動部材と
前記駆動部材が前記支持部材と前記画像ダイとの間に配設されるように対応する圧電駆動部材に取着された複数の単体画像ダイとからなり前記個別の画像ダイは画像センサと
前記画像センサに動作的に接続された集積回路と、前記集積回路へ動作的に接続された複数の外部接点とからなるものと、
からなる複数のマイクロエレクトロニクス画像装置。 - 対応する圧電駆動部材に接続された複数の電極から更になる請求項38記載の画像装置。
- 対応する圧電駆動部材に接続された複数の電極と
前記電極を前記画像ダイ上で対応する外部接点に電気的に接続する複数のワイヤーボンドとから更になる請求項38記載の画像装置。 - 前記支持部材は前記画像ダイに関して配設された複数の端子アレイを有する支持基板からなる請求項38記載の画像装置。
- 前記支持部材は前記画像ダイに関して配設された複数の端子アレイを有する支持基板からなり前記画像装置は更に前記外部接点を対応する端子を電気的に接続する複数のワイヤーボンドからなる請求項38記載の画像装置。
- 更に隣接する画像ダイ間の支持部材上の障壁からなる請求項38記載の画像装置。
- 更に隣接する画像ダイの間の前記支持基板上の障壁と
前記障壁に取着され対応する画像センサ上に配設された複数のカバーとからなる請求項38記載の画像装置。 - 画像ダイを支持部材へ接続し前記画像ダイは画像センサと前記画像センサと動作的に接続された集積回路と前記集積回路に動作的に接続された複数の外部接点とからなり
駆動部材を前記画像ダイと前記支持部材とに取着しこれによって前記駆動部材が前記支持部材に関して焦点面内で前記画像ダイを選択的に移動させることができるようにすることからなる
マイクロエレクトロニクス画像装置製造方法。 - 前記駆動部材を取着することは圧電駆動部材を前記画像ダイと前記支持部材に接続することからなる請求項45記載の方法。
- 前記駆動部材を取着することは圧電駆動部材を画像ダイと支持部材に結合することからなり更に電極を圧電駆動部材に結合することおよび電気的に電極を前記画像ダイ上の前記集積回路に接続することからなる請求項45記載の方法。
- 前記画像ダイは更に画像センサを有する第一の側部と前記第一の側部に対向する第二の側部とからなり前記画像ダイを前記支持部材に接続することは前記駆動部材を前記画像ダイの第二の側部と前記支持部材との間に配設し前記支持部材へ前記画像ダイを取着することからなる請求項45記載の方法。
- 前記画像ダイは更に前記画像センサを有する第一の側部と前記画像ダイに対向する第二の側部と第一及び第二の側部の間に広がる複数の端部とからなり前記駆動部材を前記画像ダイと前記支持部材へ取着することは前記画像ダイの端部の一つと前記支持部材との間に前記駆動部材を結合することからなる請求項45記載の方法。
- 前記駆動部材を前記画像ダイと前記支持部材に取着することは焦点面内の第一の軸に沿って前記画像ダイを選択的に動かすように第一の駆動部材を配設することからなりこの方法は更に第二の駆動部材を前記画像ダイと支持部材に取着しこれにより、前記第二の駆動部材が前記画像ダイを前記焦点面における第二の軸に沿って選択的に移動し、第二の軸は第二の軸と横方向となるように配設されるようにすることからなる請求項45記載の方法。
- 更にカバーを前記支持部材に設け前記カバーを前記画像センサ上に配設することからなる請求項45記載の方法。
- 更に前記外部接点を前記支持部材上の対応する端子にワイヤーボンディングすることからなる請求項45記載の方法。
- 更に前記画像ダイと前記支持部材との間に可撓性部材を取着することからなる請求項45記載の方法。
- 画像ダイを支持部材に結合することであって前記画像ダイは画像センサと、前記画像センサに動作的に結合された集積回路と、前記集積回路に動作的に結合された複数の外部接点からなり、前記画像センサは焦点面を規定する複数のピクセルからなり
前記画像ダイの前記外部接点を前記支持基板上の対応する端子にワイヤーボンディングし、
第一および第二の駆動部材を前記画像ダイと前記支持部材に取着し第一の駆動部材は前記支持部材に関して前記焦点面内で第一の軸に沿って前記画像ダイを選択的に動かすことができ、前記第二の駆動部材は前記支持部材に関して前記焦点面において第二の軸に沿って前記画像ダイを選択的に動かすことができるようにし、前記第二の軸は前記第一の軸と横方向であり、カバーを前記支持部材に設け前記カバーが前記画像センサ上に配設されるようにすることからなる、
マイクロエレクトロニクス画像ユニットの製造方法。 - 前記第一および第二の駆動部材を取着することは第一および第二の圧電駆動部材を前記画像ダイと前記支持部材に結合することからなる請求項54記載の方法。
- 前記画像ダイは更に前記画像センサを有する第一の側部と前記第二の側部とからなり前記画像ダイを前記支持部材に結合することは前記画像ダイの前記第二の側部と前記支持部材との間に設けられた第一および/または第二の駆動部材を有する支持基板へ前記画像ダイを取着することからなる請求項54記載の方法。
- 前記画像ダイは更に前記画像センサを有する第一の側部と前記第一の側部に対向する第二の側部と前記第一および第二の側部の間に広がる複数の端部とからなり、前記第一および第二の駆動部材を前記画像ダイと前記支持部材に取着することは前記画像ダイの前記端部の一つと前記支持部材との間で第一および/または第二の駆動部材を結合することからなる請求項54記載の方法。
- 更に前記画像ダイと前記支持部材との間に可撓性部材を取着することからなる請求項54記載の方法。
- 画像ダイを支持基板に設けることであって前記画像ダイは画像センサと前記画像センサに動作的に結合する集積回路と前記集積回路に動作的に結合する複数の外部接点とからなり前記画像センサは焦点面を規定する複数のピクセルを含み、
複数の圧電駆動部材を前記画像ダイと前記支持基板とに取着し、前記圧電駆動部材は前記支持基板に関して前記焦点面内において前記画像ダイを選択的かつ独立的に移動することができるようにし
複数の電極を対応する圧電駆動部材に取着し、前記電極を前記集積回路に電気的に接続し
前記画像ダイの前記外部接点を前記支持部材上の対応する端子に電気的に接続し、
カバーを前記支持基板に締着し前記カバーが前記画像センサ上に配設されるようにすることからなる、
マイクロエレクトロニクス画像装置を製造する方法。 - 画像ダイは更に前記画像センサを有する第一の側部と前記第一の側部に対向する第二の側部とからなり前記画像ダイを前記支持基板に設けることは前記映像ダイを前記支持基板に取着し、前記駆動部材の少なくとも一つを前記画像ダイの第二の側部と前記支持基板との間に設けた請求項59記載の方法。
- 前記画像ダイは更に前記画像センサを有する第一の側部と前記第一の側部に対向する第二の側部と第一および第二の側部の間に広がる複数の端部とからなり前記圧電駆動部材を前記画像ダイと前記支持基板とに結合することは前記画像ダイの端部の一つと支持基板とに前記圧電駆動部材の少なくとも一つを取着することからなる請求項59記載の方法。
- 前記圧電駆動部材を前記画像ダイと前記支持部材に結合することは前記焦点面内の第一の軸に沿って前記画像ダイを選択的に動かすように第一の駆動部材を配設することおよび前記焦点面内の第二の軸に沿って前記画像ダイを選択的に動かすように第二の駆動部材を配設することからなり前記第一の軸は前記第二の軸と横方向である請求項59記載の方法。
- 前記外部接点を対応する端末に電気的に接続することは前記外部接点を前記対応する端末にワイヤーボンディングすることからなる請求項59記載の方法。
- 更に前記画像ダイと前記支持部材との間に可撓性部材を取着することからなる請求項59記載の方法。
- 複数の圧電駆動部材を支持部材に取着することと
複数の単体化画像ダイを対応する圧電駆動部材に結合し、前記駆動部材が前記画像ダイと前記支持部材との間に配設されるようにし前記各個別画像ダイは画像センサと、前記画像センサに動作的に結合された集積回路と前記集積回路に動作的に結合された複数の外部接点からなる、
複数のマイクロエレクトロニクス画像装置を製造する方法。 - 更に複数の電極を対応する圧電駆動部材に締着することからなる請求項65記載の方法。
- 更に複数の電極を対応する圧電駆動部材に締着することと
前記電極を前記画像ダイ上の対応する外部接点とワイヤーボンディングすることからなる請求項65記載の方法。 - 前記駆動部材を前記支持部材に取着することは前記駆動部材を前記駆動部材に関して配置された複数の端子アレイを有する支持基板へ前記駆動部材を結合することからなる請求項65記載の方法。
- 前記駆動部材を前記支持部材に取着することは前記駆動部材に関して配置された複数の端子アレイを有する支持基板へ前記駆動部材を結合することからなり、この方法は更に前記外部接点を対応する端子へワイヤーボンディングすることからなる請求項65記載の方法。
- 隣接画像ダイ間で前記支持部材上に障壁を形成することから更になる請求項65記載の方法。
- 隣接画像ダイ間で前記支持部材上に障壁を形成することと
複数のカバーを対応する画像センサ上に各カバーを有する障壁へ取着することからなる請求項65記載の方法。 - 支持部材へ取着された画像ダイを含む画像装置を提供することであって前記画像ダイは画像センサと前記画像センサに動作的に接続された前記集積回路と複数の前記集積回路に動作的に接続された外部接点とからなり前記画像センサは焦点面を規定する複数のピクセルからなり、
前記支持部材に関して第一の位置から第二の位置へと前記焦点面において前記画像ダイを選択的に動かすこととからなる
電子装置における画像装置の動作方法。 - 前記第一の位置においてピクセルに衝突する光の第一の強度を測定することと
第二の位置において前記ピクセルに衝突する光の第二の強度を測定することとからなる請求項72記載の方法。 - 前記画像ダイを選択的に動かすことは前記画像ダイと前記支持部材との間に配設された圧電駆動部材を励起することからなる請求項72記載の方法。
- 前記画像ダイを選択的に動かすことはピクセルピッチにほぼ等しい距離だけ前記画像センサをシフトすることからなる請求項72記載の方法。
- 前記画像ダイを選択的に動かすことは前記焦点面において第一の軸に沿って前記画像ダイをシフトすることからなりこの方法は更に前記焦点面において第二の軸に沿って画像ダイを動かすことからなり第二の軸は第一の軸に横方向である請求項72記載の方法。
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US7416913B2 (en) * | 2004-07-16 | 2008-08-26 | Micron Technology, Inc. | Methods of manufacturing microelectronic imaging units with discrete standoffs |
US7189954B2 (en) * | 2004-07-19 | 2007-03-13 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imagers with optical devices and methods of manufacturing such microelectronic imagers |
US7364934B2 (en) * | 2004-08-10 | 2008-04-29 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units |
US7300857B2 (en) | 2004-09-02 | 2007-11-27 | Micron Technology, Inc. | Through-wafer interconnects for photoimager and memory wafers |
US7271482B2 (en) * | 2004-12-30 | 2007-09-18 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods |
JP2006237134A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
US7795134B2 (en) | 2005-06-28 | 2010-09-14 | Micron Technology, Inc. | Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids |
US7262134B2 (en) | 2005-09-01 | 2007-08-28 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces |
US20070171284A1 (en) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Intel Corporation | Imager resolution enhancement based on mechanical pixel shifting |
JP4972779B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2012-07-11 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 光学ユニットおよび撮像装置 |
US20080149853A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Micron Technology, Inc. | Light shaping apparatus |
US8981548B2 (en) | 2007-05-25 | 2015-03-17 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with relief |
US7993977B2 (en) * | 2007-07-02 | 2011-08-09 | Micron Technology, Inc. | Method of forming molded standoff structures on integrated circuit devices |
CN101420526B (zh) * | 2007-10-26 | 2011-06-08 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 影像感测器承载装置及相机模组 |
US8171625B1 (en) * | 2008-06-02 | 2012-05-08 | Wavefront Research, Inc. | Method of providing low footprint optical interconnect |
JP2010048993A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Fujinon Corp | 積層型カメラモジュールの製造方法および積層型カメラモジュール並びに撮像装置。 |
KR102278123B1 (ko) * | 2012-02-07 | 2021-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 유닛 및 촬상 장치 |
US9151665B1 (en) | 2013-03-29 | 2015-10-06 | Google Inc. | Devices and methods for providing optical element focus functionality with a movable imager die |
US9807305B2 (en) * | 2014-04-04 | 2017-10-31 | Mems Start, Llc | Actuator for moving an optoelectronic device |
CN104717434B (zh) * | 2015-03-27 | 2017-09-08 | 有医科技股份有限公司 | 具有影像稳定功能的影像感测器系统芯片及其制法 |
CN107948532B (zh) | 2016-07-29 | 2019-08-20 | Oppo广东移动通信有限公司 | 光学图像稳定系统、成像装置及电子装置 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6018958A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-31 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPS63215275A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子用微小変位装置 |
JPH06139318A (ja) * | 1992-10-26 | 1994-05-20 | Seiko Epson Corp | 眼鏡装用シミュレーション装置 |
JPH06189318A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-08 | Kyocera Corp | 映像機器用のカラ−撮像装置 |
JPH07240878A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Konica Corp | 画像入力装置 |
JPH10206233A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-08-07 | Santa Barbara Res Center | イメージング・デバイス及び放射検出器のアレイを動作させる方法 |
JPH10285475A (ja) * | 1997-04-03 | 1998-10-23 | Hewlett Packard Co <Hp> | 固体撮像装置及びこれを用いたディジタル撮像機器 |
JP2003032537A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Miwa Engineering:Kk | 撮像素子移動装置及び電子カメラ |
US20030057359A1 (en) * | 1999-12-08 | 2003-03-27 | Steven Webster | Image sensor package having optical element |
WO2004040659A1 (en) * | 2002-10-25 | 2004-05-13 | Freescale Semiconductor, Inc. | Image sensor device |
JP2005515509A (ja) * | 2002-01-18 | 2005-05-26 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 焦点調節可能なカメラ |
Family Cites Families (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1160831B (de) * | 1962-04-21 | 1964-01-09 | Knapsack Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Titannitrid |
US4534100A (en) * | 1982-06-28 | 1985-08-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Electrical method of making conductive paths in silicon |
EP0253375B1 (en) | 1986-07-15 | 1993-02-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Two-dimensional piezoelectric actuator |
US4906314A (en) * | 1988-12-30 | 1990-03-06 | Micron Technology, Inc. | Process for simultaneously applying precut swatches of precured polyimide film to each semiconductor die on a wafer |
US5130783A (en) * | 1991-03-04 | 1992-07-14 | Texas Instruments Incorporated | Flexible film semiconductor package |
JPH05251717A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Hitachi Ltd | 半導体パッケージおよび半導体モジュール |
US5760834A (en) * | 1992-09-30 | 1998-06-02 | Lsi Logic | Electronic camera with binary lens element array |
JP2833941B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1998-12-09 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
JP3161142B2 (ja) * | 1993-03-26 | 2001-04-25 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
JP2950714B2 (ja) * | 1993-09-28 | 1999-09-20 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US5435887A (en) * | 1993-11-03 | 1995-07-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods for the fabrication of microstructure arrays |
JP3253439B2 (ja) * | 1993-12-24 | 2002-02-04 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子の製造方法 |
US5536455A (en) * | 1994-01-03 | 1996-07-16 | Omron Corporation | Method of manufacturing lens array |
KR0147401B1 (ko) * | 1994-02-23 | 1998-08-01 | 구본준 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
JP2872051B2 (ja) * | 1994-10-04 | 1999-03-17 | カーネル技研株式会社 | 水中眼鏡 |
US5605783A (en) * | 1995-01-06 | 1997-02-25 | Eastman Kodak Company | Pattern transfer techniques for fabrication of lenslet arrays for solid state imagers |
US5861654A (en) * | 1995-11-28 | 1999-01-19 | Eastman Kodak Company | Image sensor assembly |
US5693967A (en) * | 1995-08-10 | 1997-12-02 | Lg Semicon Co., Ltd. | Charge coupled device with microlens |
JP3263705B2 (ja) * | 1995-09-21 | 2002-03-11 | 三菱電機株式会社 | プリント配線板およびフラットパネル・ディスプレイ駆動回路用プリント配線板およびフラットパネル・ディスプレイ装置 |
US5776824A (en) * | 1995-12-22 | 1998-07-07 | Micron Technology, Inc. | Method for producing laminated film/metal structures for known good die ("KG") applications |
JPH09186286A (ja) * | 1996-01-05 | 1997-07-15 | Matsushita Electron Corp | リードフレーム及び半導体チップの実装方法 |
US5914488A (en) * | 1996-03-05 | 1999-06-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared detector |
US6795120B2 (en) * | 1996-05-17 | 2004-09-21 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus and camera using the same |
NL1003315C2 (nl) * | 1996-06-11 | 1997-12-17 | Europ Semiconductor Assembly E | Werkwijze voor het inkapselen van een geïntegreerde halfgeleiderschake- ling. |
US5857963A (en) * | 1996-07-17 | 1999-01-12 | Welch Allyn, Inc. | Tab imager assembly for use in an endoscope |
US6096155A (en) * | 1996-09-27 | 2000-08-01 | Digital Optics Corporation | Method of dicing wafer level integrated multiple optical elements |
JP2924854B2 (ja) * | 1997-05-20 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | 半導体装置、その製造方法 |
US5821532A (en) * | 1997-06-16 | 1998-10-13 | Eastman Kodak Company | Imager package substrate |
US5811799A (en) * | 1997-07-31 | 1998-09-22 | Wu; Liang-Chung | Image sensor package having a wall with a sealed cover |
JPH1168074A (ja) * | 1997-08-13 | 1999-03-09 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
US5962810A (en) * | 1997-09-09 | 1999-10-05 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit package employing a transparent encapsulant |
JPH11132857A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-21 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出器 |
US6114240A (en) * | 1997-12-18 | 2000-09-05 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating semiconductor components using focused laser beam |
JPH11326603A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-26 | Seiko Epson Corp | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに表示装置 |
SG87034A1 (en) * | 1998-06-04 | 2002-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing same |
US6080291A (en) * | 1998-07-10 | 2000-06-27 | Semitool, Inc. | Apparatus for electrochemically processing a workpiece including an electrical contact assembly having a seal member |
IL126165A0 (en) * | 1998-09-10 | 1999-05-09 | Scitex Corp Ltd | Apparatus for the orthogonal movement of a ccd sensor |
US6566745B1 (en) * | 1999-03-29 | 2003-05-20 | Imec Vzw | Image sensor ball grid array package and the fabrication thereof |
US6274927B1 (en) * | 1999-06-03 | 2001-08-14 | Amkor Technology, Inc. | Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making |
US6376868B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-04-23 | Micron Technology, Inc. | Multi-layered gate for a CMOS imager |
DE19952363A1 (de) * | 1999-10-30 | 2001-05-03 | Bosch Gmbh Robert | Optoelektronischer Empfänger |
US6266197B1 (en) * | 1999-12-08 | 2001-07-24 | Amkor Technology, Inc. | Molded window array for image sensor packages |
JP3736607B2 (ja) * | 2000-01-21 | 2006-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
US6351027B1 (en) * | 2000-02-29 | 2002-02-26 | Agilent Technologies, Inc. | Chip-mounted enclosure |
US6285064B1 (en) * | 2000-03-28 | 2001-09-04 | Omnivision Technologies, Inc. | Chip scale packaging technique for optical image sensing integrated circuits |
US6441481B1 (en) * | 2000-04-10 | 2002-08-27 | Analog Devices, Inc. | Hermetically sealed microstructure package |
WO2001091193A2 (en) * | 2000-05-23 | 2001-11-29 | Atmel Corporation | Integrated ic chip package for electronic image sensor die |
US6407381B1 (en) * | 2000-07-05 | 2002-06-18 | Amkor Technology, Inc. | Wafer scale image sensor package |
US6503780B1 (en) * | 2000-07-05 | 2003-01-07 | Amkor Technology, Inc. | Wafer scale image sensor package fabrication method |
JP3725012B2 (ja) * | 2000-08-17 | 2005-12-07 | シャープ株式会社 | レンズ一体型固体撮像装置の製造方法 |
US7304684B2 (en) * | 2000-11-14 | 2007-12-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image pickup apparatus, method of making, and electric apparatus having image pickup apparatus |
US6909554B2 (en) * | 2000-12-27 | 2005-06-21 | Finisar Corporation | Wafer integration of micro-optics |
US20020089025A1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-07-11 | Li-Kun Chou | Package structure for image IC |
US6686588B1 (en) * | 2001-01-16 | 2004-02-03 | Amkor Technology, Inc. | Optical module with lens integral holder |
US20020096729A1 (en) * | 2001-01-24 | 2002-07-25 | Tu Hsiu Wen | Stacked package structure of image sensor |
KR100396551B1 (ko) * | 2001-02-03 | 2003-09-03 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 레벨 허메틱 실링 방법 |
JP3821652B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2006-09-13 | 三菱電機株式会社 | 撮像装置 |
US20040012698A1 (en) * | 2001-03-05 | 2004-01-22 | Yasuo Suda | Image pickup model and image pickup device |
US6828663B2 (en) * | 2001-03-07 | 2004-12-07 | Teledyne Technologies Incorporated | Method of packaging a device with a lead frame, and an apparatus formed therefrom |
JP2002299595A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US7057273B2 (en) * | 2001-05-15 | 2006-06-06 | Gem Services, Inc. | Surface mount package |
US6828545B1 (en) * | 2001-05-15 | 2004-12-07 | Raytheon Company | Hybrid microelectronic array structure having electrically isolated supported islands, and its fabrication |
JP4053257B2 (ja) * | 2001-06-14 | 2008-02-27 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6734419B1 (en) * | 2001-06-28 | 2004-05-11 | Amkor Technology, Inc. | Method for forming an image sensor package with vision die in lens housing |
KR100427356B1 (ko) * | 2001-08-14 | 2004-04-13 | 삼성전기주식회사 | 광마우스용 서브 칩 온 보드 |
US6504196B1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-01-07 | Micron Technology, Inc. | CMOS imager and method of formation |
US6759266B1 (en) * | 2001-09-04 | 2004-07-06 | Amkor Technology, Inc. | Quick sealing glass-lidded package fabrication method |
US6603183B1 (en) * | 2001-09-04 | 2003-08-05 | Amkor Technology, Inc. | Quick sealing glass-lidded package |
US6778046B2 (en) * | 2001-09-17 | 2004-08-17 | Magfusion Inc. | Latching micro magnetic relay packages and methods of packaging |
US6774486B2 (en) * | 2001-10-10 | 2004-08-10 | Micron Technology, Inc. | Circuit boards containing vias and methods for producing same |
TWI229435B (en) * | 2002-06-18 | 2005-03-11 | Sanyo Electric Co | Manufacture of semiconductor device |
US20040038442A1 (en) * | 2002-08-26 | 2004-02-26 | Kinsman Larry D. | Optically interactive device packages and methods of assembly |
US6885107B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-04-26 | Micron Technology, Inc. | Flip-chip image sensor packages and methods of fabrication |
US6808960B2 (en) * | 2002-10-25 | 2004-10-26 | Omni Vision International Holding Ltd | Method for making and packaging image sensor die using protective coating |
US6813154B2 (en) * | 2002-12-10 | 2004-11-02 | Motorola, Inc. | Reversible heat sink packaging assembly for an integrated circuit |
SG137651A1 (en) * | 2003-03-14 | 2007-12-28 | Micron Technology Inc | Microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices |
JP3800335B2 (ja) * | 2003-04-16 | 2006-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | 光デバイス、光モジュール、半導体装置及び電子機器 |
US7312101B2 (en) * | 2003-04-22 | 2007-12-25 | Micron Technology, Inc. | Packaged microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices |
SG143932A1 (en) * | 2003-05-30 | 2008-07-29 | Micron Technology Inc | Packaged microelectronic devices and methods of packaging microelectronic devices |
US6934065B2 (en) * | 2003-09-18 | 2005-08-23 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices |
US7091124B2 (en) * | 2003-11-13 | 2006-08-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming vias in microelectronic devices, and methods for packaging microelectronic devices |
US8084866B2 (en) * | 2003-12-10 | 2011-12-27 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices and methods for filling vias in microelectronic devices |
US7583862B2 (en) * | 2003-11-26 | 2009-09-01 | Aptina Imaging Corporation | Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers |
JP3990347B2 (ja) * | 2003-12-04 | 2007-10-10 | ローム株式会社 | 半導体チップおよびその製造方法、ならびに半導体装置 |
US7861712B2 (en) * | 2004-04-23 | 2011-01-04 | Manta Product Development | Sealed capsule including an integrated puncturing mechanism |
US7253957B2 (en) * | 2004-05-13 | 2007-08-07 | Micron Technology, Inc. | Integrated optics units and methods of manufacturing integrated optics units for use with microelectronic imagers |
US7397066B2 (en) * | 2004-08-19 | 2008-07-08 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imagers with curved image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers |
-
2005
- 2005-02-08 US US11/054,692 patent/US7214919B2/en active Active
-
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6018958A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-31 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPS63215275A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子用微小変位装置 |
JPH06139318A (ja) * | 1992-10-26 | 1994-05-20 | Seiko Epson Corp | 眼鏡装用シミュレーション装置 |
JPH06189318A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-08 | Kyocera Corp | 映像機器用のカラ−撮像装置 |
JPH07240878A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Konica Corp | 画像入力装置 |
JPH10206233A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-08-07 | Santa Barbara Res Center | イメージング・デバイス及び放射検出器のアレイを動作させる方法 |
JPH10285475A (ja) * | 1997-04-03 | 1998-10-23 | Hewlett Packard Co <Hp> | 固体撮像装置及びこれを用いたディジタル撮像機器 |
US20030057359A1 (en) * | 1999-12-08 | 2003-03-27 | Steven Webster | Image sensor package having optical element |
JP2003032537A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Miwa Engineering:Kk | 撮像素子移動装置及び電子カメラ |
JP2005515509A (ja) * | 2002-01-18 | 2005-05-26 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 焦点調節可能なカメラ |
WO2004040659A1 (en) * | 2002-10-25 | 2004-05-13 | Freescale Semiconductor, Inc. | Image sensor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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