JP2008509277A - ポリマーの製造のための担持ビス(ヒドロキシアリールアリールオキシ)触媒 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図1
Description
本願は、それぞれ2004年8月9日および2004年12月1日に出願された、米国仮出願第60/600,091号および米国仮出願第60/632,100号の利益を享受するものである。
1)固体微粒子化高表面積表面変性無機酸化物化合物(solid, particulated, high surface area, surface modified, inorganic oxide compound)を含む担体、
2)ビス(ヒドロキシアリールアリールオキシ)リガンドの第4族金属錯体;および場合により、
3)前記金属錯体のための活性化助触媒
を含む組成物が提供される。
1)固体微粒子化高表面積表面変性無機酸化物化合物を含む担体、
2)ビス(ヒドロキシアリールアリールオキシ)リガンドの第4族金属錯体;および場合により、
3)前記金属錯体のための活性化助触媒
を含む触媒組成物と接触させる工程を含む方法が提供される。
(HOAr1O)2T1
(式中、T1は、水素原子は数えずに2〜20個の原子の二価架橋基であり;かつAr1は、各々独立して、C6-20アリーレンまたは不活性置換されたアリーレン基である)のビス(ヒドロキシアリールアリールオキシ)化合物のハフニウム誘導体を包含する。
Ar2は、各々独立して、水素原子は数えずに6〜20個の原子のアリーレン、またはアルキル−もしくはアリール置換アリーレン基であり;
Mは、第4族金属、好ましくはハフニウムであり;
Xは、各々独立して、アニオン性、中性、またはジアニオン性リガンド基であり;
xは、1〜5の数であり、前記X基の数を示し;かつ
この式および本明細書に示されたすべての他の式中の結合および電子供与性相互作用は、それぞれ線および矢印によって表わされる。)
で示される。
T3は、各々独立して、C3-6アルキレンまたは不活性置換されたその誘導体であり;
R14は、各々独立して、水素原子、ハロ、水素原子は数えずに50個までの原子のヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリルもしくはトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであり;かつ
Xは、各々独立して、ハロ、または水素原子は数えずに20個までの原子のヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリル基であるか、または2個のX基は共に、前記ヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリル基の二価誘導体である。)
で示される。
R14は、水素原子、ハロまたはC1-4アルキル、特にメチルであり、
T3は、プロパン−1,3−ジイルまたはブタン−1,4−ジイルであり、かつ
Xは、クロロ、メチルまたはベンジルである。)
の化合物である。
(L*−H)g +(A)g-
(式中、L*は、中性ルイス塩基であり;
(L*−H)+は、L*の共役ブレンステッド酸であり;
Ag-は、g−の電荷を有する非配位性適合性アニオンであり、かつ
gは、1〜3の整数である。)
で表わすことができる。
[M’Q4]-
(式中、M’は、形式酸化状態(formal oxidation state) +3のホウ素またはアルミニウムであり;かつ
Qは、各々独立して、ヒドリド、ジアルキルアミド、ハライド、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシド、ハロ置換−ヒドロカルビル、ハロ置換−ヒドロカルビルオキシ、およびハロ置換シリルヒドロカルビル基(ペルハロゲン化ヒドロカルビル−ペルハロゲン化ヒドロカルビルオキシ−およびペルハロゲン化シリルヒドロカルビル基を包含する)から選択され、前記Qは、20個までの炭素を有する。ただし、Qの1以下がハライドである。)で示される。好適なヒドロカルビルオキシドQ基の例は、米国特許出願公開第5,296,433号明細書に開示されている。
(L*−H)+(BQ4)-
(式中、L*は、既に定義されているとおりであり;
Bは、形式酸化状態3のホウ素であり;かつ
Qは、非水素原子が20個までのヒドロカルビル−、ヒドロカルビルオキシ−、フッ素化ヒドロカルビル−、フルオロヒドロカルビルオキシ−またはフッ素化シリルヒドロカルビル−基であり、ただし、Qの1以下がヒドロカルビルである。)で示される。
三置換アンモニウム塩、例えば:
トリメチルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリエチルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリプロピルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリ(n−ブチル)アンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリ(sec−ブチル)アンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムn−ブチルトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムベンジルトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(4−(t−ブチルジメチルシリル)−2,3,5,6−テトラフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(4−(トリイソプロピルシリル)−2,3,5,6−テトラフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムペンタフルオロフェノキシトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチル−2,4,6−トリメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
ジメチルオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルジオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
ジアルキルアンモニウム塩、例えば:
ジ−(i−プロピル)アンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルオクタドデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、および
ジオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;
三置換ホスホニウム塩、例えば:
トリフェニルホスホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルジオクタデシルホスホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、および
トリ(2,6−ジメチルフェニル)ホスホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;
二置換オキソニウム塩、例えば:
ジフェニルオキソニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;
ジ(o−トリル)オキソニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、および
ジ(オクタデシル)オキソニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;
二置換スルホニウム塩、例えば:
ジ(o−トリル)スルホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、および
メチルオクタデシルスルホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートである。
(Oxh+)g(Ag-)h
(式中、Oxh+は、h+の電荷を有するカチオン性酸化剤であり;
hは、1〜3の整数であり;かつ
Ag-およびgは、既に定義されているとおりである。)で表わされる非配位性適合性アニオンを含む。
[C]+A-
(式中、[C]+は、C1-20カルベニウムイオンであり;かつ
A-は、−1の電荷を有する非配位性適合性アニオンである。)で表わされる非配位性適合性アニオンを含む。好ましいカルベニウムイオンは、トリチルカチオン、すなわちトリフェニルメチリウムである。
(Q1 3Si)+A-
(式中、Q1は、C1-10ヒドロカルビルであり、A-は、既に定義されているとおりである。)で表わされる非配位性適合性アニオンを含む。
Q3は、各々独立して、水素原子またはハロ、または水素原子は数えずに30個までの原子のヒドロカルビル、ハロカルビル、ハロヒドロカルビル、シリルヒドロカルビル、もしくはシリル(モノ−、ジ−、およびトリ(ヒドロカルビル)シリルを包含する)基、好ましくはC1-20アルキルであり、かつ
Q2は、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボランまたはトリス(ペンタフルオロフェニル)アルマンである。)。
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ウンデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ヘプタデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ウンデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ヘプタデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−5,6−ジメチルベンズイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−5,6−ビス(ウンデシル)ベンズイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ウンデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ヘプタデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ウンデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ヘプタデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−5,6−ジメチルベンズイミダゾリド、および
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−5,6−ビス(ウンデシル)ベンズイミダゾリド。
1)固体微粒子化高表面積表面変性無機酸化物化合物を含む担体、
2)ビス(ヒドロキシアリールアリールオキシ)リガンドの第4族金属錯体;場合により、
3)前記金属錯体のための活性化助触媒、および
4)重合調節剤
を含む組成物を包含する。
式:[M4A1 x'Gy']z'
(式中、M4は、第2〜13族の金属、Ge、Sn、またはBiであり;
A1は独立して、アニオン性またはポリアニオン性リガンドであり;
x’は、0超であって、6またはそれ以下の数であり;
Gは、場合によりA1へ結合された中性ルイス塩基であり;
y’は、0〜4の数であり;かつ
z’は、1〜10の数である。)で示される化合物である。
一般式:M4A1 x'Gy'
(式中、M4は、第2〜13族の金属、Ge、Sn、またはBiであり;
A1は独立して、アニオン性リガンドであり;
x’は、整数であり、M4の原子価と等しく;
Gは、中性ルイス塩基であり;
y’は、0〜4の数である。)で示される化合物である。
式:[(H−J1)z"A2]z'"
(式中、J1は、NA3、PA3、S、またはOであり、
z”は、1または2であり、
A2は、C1-20ヒドロカルビルもしくは不活性置換ヒドロカルビル、トリ(C1-10ヒドロカルビル)シリルまたはその多価誘導体であり、
A3は、水素原子、C1-20ヒドロカルビルもしくは不活性置換ヒドロカルビル、または共有結合(A2が二価リガンド基であり、z”が1であるとき)であり;かつ
z”’は、1〜10の数である。)で示される化合物を包含する。
式:(H−J1)z"A2
(式中、J1は、NA3、PA3、S、またはOであり、z”は、1または2であり;かつA2は、C1-20ヒドロカルビルもしくは不活性置換ヒドロカルビル、トリ(C1-4ヒドロカルビル)シリル、またはその二価誘導体、特にC1-12アルキル、1,4−ブチレン、トリ(C1-4アルキル)シリル、またはアリールであり、A3は、水素原子、C1-20ヒドロカルビルもしくは不活性置換ヒドロカルビル、または共有結合である。)で示される化合物を包含する。好ましい不活性置換基は、ハライド、トリメチルシリル、ハロアリール、またはハロアルキルである。
(式中、Mは、第2〜6および12〜15族、より好ましくは第2、12もしくは13族の金属であり、最も好ましくはZnまたはAlであり;Qは、ハロゲン、水素原子、ヒドロキシド、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、トリ(ヒドロカルビル)シリル、トリ(ヒドロカルビル)シリルオキシ、ジ(ヒドロカルビル)アミド、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィド、前記のもののヒドロキシ−、ハロ−またはヒドロカルビルオキシ−置換誘導体、またはこれらの混合物であり;Rは、ヒドロカルビル、または2〜100個の炭素原子、好ましくは4〜50個の炭素原子、最も好ましくは10〜24個の炭素を有する、ハロ−、ヒドロキシ−、ジヒドロカルビルアミノ−、ヒドロカルビルオキシ−またはポリ(ヒドロカルビルオキシ)−置換ヒドロカルビル基であり;x”は、0〜3の整数であり、y”は、1〜4の整数であり、x”とy”との合計は、金属の原子価に等しい。)上記式の好ましい実施形態において、y”は、1〜3の整数、好ましくは1または2である。
M、Q、x”およびy”は、既に定義されているとおりである。)で示される化合物を包含する。
1)固体微粒子化高表面積表面変性無機酸化物化合物を含む担体、
2)ビス(ヒドロキシアリールアリールオキシ)リガンドの第4族金属錯体;および場合により
3)前記金属錯体のための活性化助触媒
を含む組成物。
Ar2は、各々独立して、水素原子は数えずに6〜20個の原子のアリーレン、またはアルキル−もしくはアリール置換アリーレン基であり;
Mは、第4族金属、好ましくはハフニウムであり;
Xは、各々独立して、アニオン性、中性、またはジアニオン性リガンド基であり;
xは、1〜5の数であり、前記X基の数を示し;かつ
結合および電子供与性相互作用は、それぞれ線および破線によって表わされる。)
で示される、実施形態1に記載の組成物。
T3は、各々独立して、C3-6アルキレンまたは不活性置換されたその誘導体であり;
R14は、各々独立して、水素原子、ハロ、水素原子は数えずに50個までの原子のヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリルもしくはトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであり;かつ
Xは、各々独立して、ハロ、または水素原子は数えずに20個までの原子のヒドロカルビル基もしくはトリヒドロカルビルシリル基であるか、または2個のX基が共に、前記ヒドロカルビル基もしくはトリヒドロカルビルシリル基の二価誘導体である。)
の化合物からなる群より選択される、実施形態2に記載の組成物。
R14は、水素原子、ハロまたはC1-4アルキル、特にメチルであり、
T3は、プロパン−1,3−ジイルまたはブタン−1,4−ジイルであり、かつ
Xは、クロロ、メチルまたはベンジルである。)
で示される化合物から選択される、実施形態3に記載の組成物。
以下の実施例は、本発明のさらなる例証として提供されるのであって、限定的に解釈されるべきではない。当業者なら、本明細書に開示されている発明は、具体的に開示されていないいずれの成分の非存在下にも実施されうることを理解するであろう。逆のことが記載されていない限り、すべての部およびパーセンテージは、重量ベースで表示されている。「一晩(overnight)」という用語が用いられている場合、それは、約16〜18時間の時間のことをいい、「室温」という用語は、20〜25℃の温度のことをいい、「混合アルカン」という用語は、エクソン・ケミカルズ社(Exxon Chemicals Inc.)からイソパー(Isopar)E(登録商標)という商品名で入手しうるC6-9脂肪族炭化水素の市販の混合物のことをいう。本発明における化合物名がこれの構造的表示に合致しない場合、この構造的表示が優先するものとする。すべての金属錯体の合成およびすべてのスクリーニング実験の準備は、ドライボックス技術を用い、乾燥窒素雰囲気中で実施された。用いられたすべての溶媒はHPLCグレードであり、その使用前に乾燥した。
1A.600℃で3時間、窒素パージ下で加熱したダビソン955(商標)シリカ(900g、グレース・ダビソン社(Grace Davison Company)から入手しうる)を、メチルアルモキサン(MAO、アクゾ・ノーベル社、13.7パーセントトルエン溶液1314mL)を含有するトルエン(2400g)に添加する。この混合物を30分間撹拌し、この混合物の温度を70℃に上昇させ、揮発性物質を真空除去する。得られる乾燥粉末を、さらに1時間、真空下で加熱する。得られるアルモキサン変性シリカは、アルミニウム含量4.5mmol/gを有するさらさらの固体である。25℃におけるヘキサンとの接触によって、1パーセント未満の減量を生じる。
実施例1
50mLガラスフラスコに、米国特許出願公開第2004/0005984号明細書の教示に従って調製し、その後メチルマグネシウムブロマイドとの反応によりジメチル錯体に転化した、プロパン−1,3−ビス[オキシフェニル−2−((N−2,3,4,5−ジベンゾピロール)−5−メチル−2−オキシ)フェニル]ハフニウムジメチル(構造については図1参照)0.105g(10.2μモル)、MAO変性シリカ1A2.01g、および乾燥脱ガストルエン25mLを混合する。このボトルに蓋をし、オービタルシェイカーで4.5時間振とうする。固体生成物を濾過によって分離し、減圧下で乾燥させる。
表面変性されていない担体1Eを用いたことを除いて、実施例1の反応条件を実質的に繰り返す。
米国特許出願公開第2004/0005984号明細書の教示に従って調製したプロパン−1,3−ビス[オキシフェニル−2−((N−2,3,4,5−ジベンゾピロール)−5−メチル−2−オキシ)フェニル]ハフニウムジメチル(構造については図1参照)の25mLトルエン溶液を調製する。この溶液を、静かに攪拌しながら表面処理されたヒュームドシリカ1Dのスラリーと混合し、この混合物を、さらに1時間撹拌する。この混合物を、実質的に米国特許出願公開第5,672,669号明細書および米国特許出願公開第5,674,795号明細書に開示されているように、嫌気性条件下、ドライボックス中に配置された実験室用噴霧乾燥機を用いて噴霧乾燥させる。D50粒子径5〜15μmおよび平均ハフニウム含量40μmol/gを有する合計11gの丸い粒子を得る。
実施例2の反応条件を、8フィート(2.4メートル)直径の閉鎖サイクル噴霧乾燥機を用いてラージスケールで実質的に繰り返す。用いた成分の量は、トルエン17kg、ヒュームドシリカ1.6kg、メチルアルモキサンの10パーセントトルエン溶液11.3kg、および500gトルエン中の110ミリモルのプロパン−1,3−ビス[オキシフェニル−2−((N−2,3,4,5−ジベンゾピロール)−5−メチル−2−オキシ)フェニル]ハフニウムジメチルである。このスラリーは、次の条件を用いて、窒素雰囲気下で噴霧乾燥させる。チャンバー入口温度は145℃であり、チャンバーガス流量は、1時間あたり450ポンド(204kg)であり、スラリー供給速度は、1時間あたり40ポンド(18kg)である。噴霧乾燥した材料の粒子径は、最大の50〜90パーセントの範囲の噴霧器ホイール速度を介して制御され、10〜40μmの範囲の粒子径を生じる。実質的に丸い粒子(スパン=1〜2)を得る。全収率は、スラリー1kgあたり90g(乾燥触媒)である。
撹拌機を備えた、清潔なパージされた不活性2リットルジャケット重合反応器に、表面変性シリカ1C0.5g、次いで、H2(600標準cm3)、およびプロピレン680gが装入される。この混合物を5分間撹拌し、次いで、70℃に加熱する。触媒(0.25g、ヘキサン中1.25ミリモル)を、窒素圧によって添加する。40分の重合時間後、反応器を換気し、冷却し、得られるポリマーを反応器から取り出す。結果を表1に示す。
成分1)−変性担体の調製
成分1F
窒素パージ下3時間200℃に加熱したダビソン955(商標)シリカ(755g、グレース・ダビソン社から入手しうる)を、メタルモキサン(MAO、アクゾ・ノーベル社;30パーセントトルエン溶液1326g)を含有するトルエン(2599g)に添加する。この混合物を、数時間撹拌し、上澄み液をデカントする。固体を、乾燥白色粉末になるまで減圧下で乾燥し、最後にさらに1時間、高真空下で加熱する。得られるアルモキサン変性シリカは、アルミニウム含量5.4mmolAl/g(31重量パーセントのMAO)を有するさらさらの固体である。
成分1Aの30.0gの量を、200mLのトルエン中、50℃で4時間撹拌し、上澄み液を、冷却せずにデカントする。次いで、固体を、フリット上に収集し、減圧下の乾燥前に25℃で100mLのペンタンで洗浄する。白色のさらさらの粉末は、マスバランスでアルミニウム含量5.2mmol/gを有する。
窒素パージ下3時間600℃に加熱したダビソン948(商標)シリカ(949g、グレース・ダビソン社から入手しうる)を、MAO(13.7パーセントトルエン溶液1,314g)を含有するトルエン(2,400g)に添加する。この混合物を、30分間撹拌し、次いで温度を70℃に上昇し、揮発性物質を減圧下除去する。得られる乾燥粉末を、続いてさらに1時間、真空下で加熱する。得られるアルモキサン変性シリカは、アルミニウム含量4.5mmolAl/gを有する、さらさらの固体である。25℃におけるヘキサンとの接触によって、1パーセント未満の減量を生じる。
窒素パージ下3時間600℃に加熱したイネオス757(商標)シリカ(20.0g、イネオス・シリカス社から入手しうる)を、トルエン(150mL)に添加する。ゆっくりとトリイソブチルアルミニウム4.76gを添加し、この混合物を、一晩撹拌する。上澄み液をデカントし、固体を、150mLのトルエン中、50℃で2時間撹拌し、上澄み液を、冷却せずにデカントする。固体を、次いでフリット上で収集し、減圧下での乾燥前に25℃で、トルエン50ml、続いてペンタン150mLで洗浄する。白色のさらさらの粉末は、マスバランスでアルミニウム含量おおよそ0.7mmol/gを有する。
成分2A(プロパン−1,3−ビス[オキシフェニル−2−((N−2,3,4,5−ジベンゾピロール)−5−メチル−2−オキシ)フェニル]ハフニウムジメチル)
65mLエーテル中のハフニウムテトラクロライド0.623gを含有する−20℃のフラスコに、プロパン−1,3−ビス[オキシフェニル−2−((N−2,3,4,5−ジベンゾピロール)−5−メチル−2−ヒドロキシ)フェニル]1.50gを添加する。室温まで加温し、一晩撹拌した後、この混合物を、メチルマグネシウムブロマイドの3.0Mエーテル溶液2.8mLと接触させる。この混合物を5時間撹拌し、揮発性物質を減圧下で除去する。固体を、ペンタン55mLで2回洗浄し、減圧下で乾燥させる。この生成物を、トルエン60mLで抽出し、乾燥珪藻土を通して濾過する。揮発性物質を減圧下で濾過物から除去し、所望の生成物を白色固体として、75パーセントの収率で得る。
ハフニウムテトラベンジルを、等モル量の、エーテル中のハフニウムテトラクロライドと、7時間、25℃で接触させ、次いで、減圧下で揮発性物質を除去して、ハフニウムジベンジルジクロライドモノ(ジエチルエーテル)アダクトを75パーセントの収率で得る。60mLのトルエン中、0.290gのこの生成物が入っているフラスコに、ブタン−1,4−ビス[オキシフェニル−2−((N−2,3,4,5−ジベンゾピロール)−5−メチル−2−ヒドロキシ)フェニル](米国特許出願公開第2004/0005984号明細書の教示に従って調製された)0.450gを添加する。75℃で5時間加熱した後、揮発性物質を減圧下で除去し、所望の生成物を530gの粉末として得る(収率90パーセント)。
成分3A(メチルビス(C18-22アルキル)アンモニウム(p−ヒドロキシ−フェニル)トリス(ペンタフルオロフェニル)ボレートのトリエチルアルミニウムアダクト[((C2H5)2AlOC6H4)B-(C6F5)3][N+HMe(C18-22H37-45)2])
ガラスアンプルにおいて、トリエチルアルミニウムの0.1Mトルエン溶液240mgを、pヒドロキシフェニルトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート[(pHOC6H4)B-(C6F5)3][N+HMe(C18-22H37-45)2]のメチルビス(C18-22アルキル)−アンモニウム塩の10.4重量パーセントトルエン溶液305mgと混合し、15分間撹拌する。使用前に、この生成物を505mgのトルエンで希釈する。
4Aは、メタルモキサン(MAO、アクゾ・ノーベル社から入手しうる)である。
4Bは、ヘキサン中、1.0Mのトリイソブチルアルミニウム(Al(CH2CHMe2)3)である。
5Aは、ヒドロキシアルミニウムジステアレート((HO)Al(CO2C17H35)2);MW=615.0g/モルである。
5Bは、亜鉛ラクテート(Zn(O2CCH(OH)Me)2);MW=243.5g/モルである。
1リットルの撹拌ジャケット付き重合反応器に、プロピレン400gを装入し、60℃に加熱し、375psi(2.8MPa)の内部圧力を生じさせる。10mLのヘキサン溶媒中のスカベンジャー(シリカ担持MAO、成分1A、実施例4またはトリイソブチルアルミニウムについては2.0ミリモル、実施例5〜19については1.0ミリモル)を、反応器内容物に添加し、10分間循環させて、不純物を除去する。様々な量の表面変性担体(1A〜1D)、触媒(2A、2B)、助触媒(MAOまたは3A)、および任意の重合調節剤(5A、5B)を含有する担持触媒を、ガラスアンプルにおいてトルエンまたは混合へキサン中で調製し、反応器に添加する。次いで追加の10mLの混合へキサンを添加し、移送ラインをパージする。実施例13では、この実施例において用いられる表面変性担体の調製におけるメチルアルモキサンが欠如するため、助触媒3Aを反応器に添加する。他のすべての実施例において、過剰な表面変性剤(MAO)はまた、助触媒としても機能する。反応温度を60℃に維持する。30分の重合時間後、反応器を換気し、冷却し、得られるポリマーを取り出す。
実施例4〜12、14
ガラスバイアルにおいて、所望量(0.1〜5μモル)の触媒成分2Aを、トルエン中の0.005M溶液として、所望量の担体成分1A、1B、1C、または1D(Hfモルを基準にして100:1〜10,000:1)と、約2mLのトルエン中に混合し、スラリーを生成させる。しばらくして、典型的には10〜60分後、この混合物を、重合容器中に直接注入する。実施例9では、この調製においてヘキサンをトルエンの代わりに用いる。
ガラスアンプルにおいて、十分量の活性化剤成分3Aを、担体成分1D1.0gに添加する。15分後、ペンタン15mLを添加し、さらに15分後、3mLトルエン中の24.5mgの触媒成分2Aを添加する。一晩接触後、固体をフィルター上に収集し、減圧下で乾燥する。定量的収率。Hf負荷(Hf loading)=25μモル/g。成分1DからのAl:Hfモル比=30。
ガラスアンプルにおいて、5.0gの担体成分1B、75mLのトルエンおよび50.8mgの触媒成分2Aを混合する。2.5時間後、固体をフィルター上に収集し、減圧下での乾燥前に、65mLのトルエンで洗浄する。収率:6.60g。Hf負荷=7.9μモル/g。Al:Hfモル比=500。
ガラスアンプルにおいて、3パーセントの重合調節剤成分4Aを、使用前に単離を行なわずにトルエン中で4時間、実施例15からの所望量の生成物と接触させる。
ガラスアンプルにおいて、10パーセントの重合調節剤成分4Aを、使用前に単離を行なわずに、トルエン中で19時間、実施例15からの所望量の生成物と接触させる。
ガラスアンプルにおいて、3重量パーセントの重合調節剤成分4Bを、使用前に単離を行なわずに、トルエン中で4時間、実施例15からの所望量の生成物と接触させる。
ガラスアンプルにおいて、10重量パーセントの重合調節剤成分4Bを、使用前に単離を行なわずに、トルエン中で23時間、実施例15からの所望量の生成物と接触させる。
Claims (13)
- 高分子量ポリマーを形成するための付加重合性モノマーの重合における使用のための担持不均一触媒組成物であって、
1)固体微粒子化高表面積表面変性無機酸化物化合物を含む担体、
2)ビス(ヒドロキシアリールアリールオキシ)リガンドの第4族金属錯体;および場合により
3)前記金属錯体のための活性化助触媒
を含む組成物。 - 前記金属錯体が、式:
T3は、各々独立して、C3-6アルキレンまたは不活性置換されたその誘導体であり;
R14は、各々独立して、水素原子、ハロ、水素原子は数えずに50個までの原子のヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリルもしくはトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであり;かつ
Xは、各々独立して、ハロ、または水素原子は数えずに20個までの原子のヒドロカルビル基もしくはトリヒドロカルビルシリル基であるか、または2個のX基が共に、前記ヒドロカルビル基もしくはトリヒドロカルビルシリル基の二価誘導体である。)
の化合物からなる群より選択される、請求項2に記載の組成物。 - 前記金属錯体が、プロパン−1,3−ビス[オキシフェニル−2−((N−2,3,4,5−ジベンゾピロール)−5−メチル−2−オキシ)フェニル]ハフニウムジメチルである、請求項4に記載の組成物。
- 重合変性剤をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記重合変性剤が、ヒドロキシアルミニウムジ(ステアレート)、亜鉛ジ(2−プロピオネート)、亜鉛ジ(サリチレート)、亜鉛ビス−3,5−ジ(i−プロピル)サリチレートまたは亜鉛ビス−3,5−ジ(t−ブチル)サリチレートである、請求項6に記載の組成物。
- 前記成分の溶液またはスラリーを噴霧乾燥することによって調製された、請求項1に記載の組成物。
- 予備重合された触媒または高分子量ポリマーの製造方法であって、1種以上の付加重合性モノマーを、付加重合条件下で請求項1〜8のいずれか1項記載の触媒組成物と接触させる工程を含む方法。
- エチレンおよび1種以上のC3-8α−オレフィンを含む混合物が重合される、請求項9に記載の方法。
- エチレンおよびプロピレンを含む混合物が重合されて、少なくとも90重量パーセントの重合プロピレンを含むポリマーが形成される、請求項10に記載の方法。
- プロピレンがホモ重合される、請求項9に記載の方法。
- 粒子形態にあるプロピレン/エチレンコポリマーであって、3.0以下のMw/Mn、少なくとも90重量パーセントのプロピレン含量、少なくとも155℃のTmを有し、請求項11に記載の方法によって調製されたコポリマー。
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