JP5065022B2 - 官能基化ポリ(4−メチル−1−ペンテン) - Google Patents
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Description
この出願は、それぞれ2004年8月9日および2004年12月1日に出願された米国仮出願第60/600,002号および第60/632,099号の利益を主張する。
XbおよびYbは、各々独立して、窒素、硫黄、酸素、およびリンからなる群より選択され;より好ましくはXbおよびYbのどちらも窒素である。
R1は、水素は数えずに1〜30原子を含有するヒドロカルビルもしくは不活性置換されたヒドロカルビル、またはこれの多価誘導体であり;
Tは、水素以外の1〜20原子の二価架橋基であり;かつ
R2は、水素は数えずに1〜30原子を含有するヒドロカルビルもしくは不活性置換されたヒドロカルビル基、またはこれの多価誘導体であり、前記R2基は、少なくとも1つのルイス塩基官能基を含む)の化合物を包含する。
R1は、水素は数えずに5〜20原子を含有する芳香族もしくは不活性置換された芳香族基、またはこれの多価誘導体であり;
R2は、ルイス塩基官能基を含有するC5-20ヘテロアリール基、特にピリジン−2−イル−もしくは置換されたピリジン−2−イル基であり;
Tは、C1-20ヒドロカルビレン、またはシラン基、または不活性置換されたこれの誘導体であり;
Mは、第4族金属、好ましくはハフニウムであり;
Xは、アニオン性、中性、またはジアニオン性リガンド基;好ましくはハライド、水素は数えずに20までの原子を有するヒドロカルビルもしくはジヒドロカルビルアミド基であり;
xは、1〜5の数であり、このようなX基の数を示し;かつ
結合、任意の結合、および電子供与性相互作用は、各々、線、破線、および矢印によって表わされる。)
M、X、およびxは、既に規定されているとおりであり、
T1は、メチレン、エチレン、シラン、またはC1-10ヒドロカルビル置換されたこれらの誘導体であり、
R3、R4、R5、およびR6は、水素、ハロ、または水素は数えずに20までの原子を有するアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、もしくはシリル基であるか、または隣接するR3、R4、R5、またはR6基は、互いに接合され、これによって縮合環誘導体を形成することができ、
R7は、C1-20ヒドロカルビルもしくは不活性置換ヒドロカルビルであり;かつ
結合、任意の結合、および電子対供与性相互作用は、各々、線、破線、および矢印によって表わされる。)
M、X、およびxは、既に規定されているとおりであり、
R3、R4、およびR5は、水素、C1-4アルキル、フルオロ、または2またはそれ以上のこのような基はともに、縮合環系を形成し、
R6は、C6-20アリールまたはアリーレン、最も好ましくはフェニル、フェニレン、ナフチル、またはナフチレンであり;
Raは各々の発生から独立して、C1-4アルキルであり、aは、1〜5であり、最も好ましくは窒素への2オルト位におけるRaは、イソプロピルまたはt−ブチルであり;
R8は各々の発生から独立して、水素、ハロゲン、またはC1-20アルキル、またはアリール基であり、最も好ましくは1つのR8が水素であり、他方はC6-20アリール基、特にアルキル置換フェニル基または縮合多環式アリール基、最も好ましくはナフチルまたはアントラセニル基であり、
結合、任意の結合、および電子対供与性相互作用は、各々、線、破線、および矢印によって表わされる。)
Xは各々の発生毎に、ハライド、N,N−ジメチルアミド、またはC1-4アルキルであり;
Rfは各々の発生から独立して、水素、ハロゲン、C1-20アルキル、C3-20シクロアルキル、C6-20アリール、C7-20アラルキルであるか、または2つの隣接Rf基が互いに接合され、これによって1つの環を形成し、fは1〜5であり;かつ
Rcは各々の発生から独立して、水素、ハロゲン、C1-20アルキル、またはC6-20アリールであるか、または2つの隣接Rc基が互いに接合され、これによって1つの環を形成し、cは1〜5である。)
本発明による使用のための式(I)の金属錯体の例は、次のものを包含する:
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(o−トリル)(フェニレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(o−トリル)(フェニレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(o−トリル)(フェニレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロライド;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2,4,6−トリメチルフェニル)(フェニレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2,4,6−トリメチルフェニル)(フェニレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2,4,6−トリメチルフェニル)(フェニレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロライド;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2−イソプロピルフェニル)(フェニレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2−イソプロピルフェニル)(フェニレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2−イソプロピルフェニル)(フェニレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロライド;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(フェナントレン−5−イル)(フェニレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(フェナントレン−5−イル)(フェニレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(フェナントレン−5−イル)(フェニレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロライド;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(o−トリル)(α−ナフタレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(o−トリル)(α−ナフタレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(o−トリル)(α−ナフタレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロライド;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2,4,6−トリメチルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2,4,6−トリメチルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2,4,6−トリメチルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロライド;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2−イソプロピルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2−イソプロピルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2−イソプロピルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロライド;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(フェナントレン−5−イル)(α−ナフタレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(フェナントレン−5−イル)(α−ナフタレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);および
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(フェナントレン−5−イル)(α−ナフタレン−2−ジイル)(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロライド。
T2は、水素は数えずに2〜20原子の二価架橋基であり;かつ
Ar1は、各々の発生から独立して、C6-20アリーレン、または不活性置換されたアリーレン基である)のヒドロキシアリール置換されたビス(アリールオキシ)リガンドの第4族金属錯体を包含する。
T3は、水素は数えずに2〜20原子の二価架橋基であり;好ましくは置換または非置換C3-6アルキレン基であり;かつ
Ar2は、各々の発生から独立して、水素は数えずに6〜20原子のアリーレン、アルキル−またはアリール置換アリーレン基であり;
Mは、第4族金属、好ましくはハフニウムであり;
Xは、各々の発生から独立して、アニオン性、中性、またはジアニオン性リガンド基であり;
xは、1〜5の数であり、このようなX基の数を示し;かつ
結合、任意の結合、および電子供与性相互作用は、各々、線、破線、および矢印によって表わされる。)
T4は、各々の発生から独立して、C3-6アルキレンまたは不活性置換されたこれの誘導体であり;
R14は、各々の発生から独立して、水素、ハロ、水素は数えずに50原子までのヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、もしくはトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであり;かつ
Xは、各々の発生から独立して、ハロ、または水素は数えずに20原子までのヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリル基であるか、または2X基はともに、前記ヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリル基の二価誘導体である)
に対応する。
R14は、水素、ハロ、またはC1-4アルキル、特にメチルであり、
T4は、プロパン−1,3−ジイルまたはブタン−1,4−ジイルであり、かつ
Xは、クロロ、メチル、またはベンジルである)
の化合物である。
(L*−H)g +(A)g-(式中、
L*は、中性ルイス塩基であり;
(L*−H)+は、L*の共役ブレンステッド酸であり;
Ag-は、g−の電荷を有する非配位性適合性アニオンであり、かつ
gは、1〜3の整数である。
M’は、+3形式(formal)酸化状態にあるホウ素またはアルミニウムであり;かつ
Qは、各々の発生から独立して、ヒドリド、ジアルキルアミド、ハライド、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシド、ハロ置換−ヒドロカルビル、ハロ置換−ヒドロカルビルオキシ、およびハロ置換シリルヒドロカルビル基(ペルハロゲン化ヒドロカルビル−ペルハロゲン化ヒドロカルビルオキシ−およびペルハロゲン化シリルヒドロカルビル基を包含する)から選択され、前記Qは、20炭素までを有するが、ただし、1以下の発生においてQハライドであるという条件がある)に対応する。適切なヒドロカルビルオキシドQ基の例は、第US−A−5,296,433号に開示されている。
(L*−H)+(BQ4)-(式中:
L*は、既に規定されているとおりであり;
Bは、3の形式酸化状態にあるホウ素であり;かつ
Qは、20非水素炭素までのヒドロカルビル−、ヒドロカルビルオキシ−、フッ素化ヒドロカルビル−、フッ素化ヒドロカルビルオキシ−、またはフッ素化シリルヒドロカルビル−基であり、ただし、1以下の場合にQヒドロカルビルであるという条件がある)。
三置換アンモニウム塩、例えば:
トリメチルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリエチルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリプロピルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリ(n−ブチル)アンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリ(第二ブチル)アンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムn−ブチルトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムベンジルトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(4−(t−ブチルジメチルシリル)−2,3,5,6−テトラフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(4−(トリイソプロピルシリル)−2,3,5,6−テトラフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムペンタフルオロフェノキシトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチル−2,4,6−トリメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
ジメチルオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルジオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
ジアルキルアンモニウム塩、例えば:
ジ−(i−プロピル)アンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルオクタドデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、およびジオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;
三置換ホスホニウム塩、例えば:
トリフェニルホスホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルジオクタデシルホスホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、およびトリ(2,6−ジメチルフェニル)ホスホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;
二置換オキソニウム塩、例えば:
ジフェニルオキソニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;
ジ(o−トリル)オキソニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、およびジ(オクタデシル)オキソニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;
二置換スルホニウム塩、例えば:
ジ(o−トリル)スルホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、およびメチルオクタデシルスルホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートである。
(Oxh+)g(Ag-)h
(式中:
Oxh+は、h+の電荷を有するカチオン性酸化剤であり;
hは、1〜3の整数であり;かつ
Ag-およびgは、既に規定されているとおりである)
によって表わされる非配位性適合性アニオンを含んでいる。
[C]+A-(式中:
[C]+は、C1-20カルベニウムイオンであり;かつ
A-は、−1の電荷を有する非配位性適合性アニオンである)
によって表わされる非配位性適合性アニオンを含んでいる。好ましいカルベニウムイオンは、トリチルカチオン、すなわちトリフェニルメチリウムである。
(Q1 3Si)+A-(式中:
Q1は、C1-10ヒドロカルビルであり、A-は、既に規定されているとおりである)
によって表わされる非配位性適合性アニオンを含んでいる。
A*+は、カチオン、特にプロトン含有カチオンであり、好ましくは1または2のC10-40アルキル基を含有するトリヒドロカルビルアンモニウムカチオン、特にメチルジ(C14-20アルキル)−アンモニウムカチオンであり、
Q3は、各々の発生から独立して、水素、またはハロ、水素は数えずに30原子までのヒドロカルビル、ハロカルビル、ハロヒドロカルビル、シリルヒドロカルビル、もしくはシリル(モノ−、ジ−、およびトリ(ヒドロカルビル)シリルを包含する)基、好ましくはC1-20アルキルであり、かつ
Q2は、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボランまたはトリス(ペンタフルオロフェニル)アルマンである)。
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ウンデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ヘプタデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ウンデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ヘプタデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−5,6−ジメチルベンズイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−5,6−ビス(ウンデシル)ベンズイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ウンデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ヘプタデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ウンデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ヘプタデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−5,6−ジメチルベンズイミダゾリド、および
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−5,6−ビス(ウンデシル)ベンズイミダゾリド。
M4は、第2〜13族の金属、Ge、Sn、またはBiであり;
A1は独立して、アニオン性またはポリアニオン性リガンドであり;
x’は、0超であって、6またはそれ以下の数であり;
Gは、場合によりA1へ結合された中性ルイス塩基であり;
y’は、0〜4の数であり;かつ
z’は、1〜10の数である)の化合物である。
M4は、第2〜13族の金属、Ge、Sn、またはBiであり;
A1は独立して、アニオン性リガンドであり;
x’は、整数であり、M4の原子価に等しく;
Gは、中性ルイス塩基であり;
y’は、0〜4の数である)の化合物である。
J1は、NA3、PA3、S、またはOであり、
z”は、1または2であり、
A2は、C1-20ヒドロカルビルもしくは不活性置換ヒドロカルビル、トリ(C1-10ヒドロカルビル)シリル、またはこれの多価誘導体であり、
A3は、水素、C1-20ヒドロカルビルもしくは不活性置換ヒドロカルビル、または共有結合(A2が二価リガンド基であり、かつz”が1であるとき)であり;かつ
z”’は、1〜10の数である)の化合物を包含する。
本発明における使用に適した付加重合条件は、溶液、気相、スラリー相、高圧、またはこれらの組み合わせを包含する。特に好ましいのは、場合により2〜20炭素原子の1またはそれ以上のコモノマーと組み合わせた、4−メチル−1−ペンテンの溶液またはスラリー相重合である。適切な共重合性コモノマーは、エチレン、プロピレン、ブテン−1、ペンテン−1、ヘキセン−1、オクテン−1、スチレン、デセン−1、ノルボルネン、ノルボラジエン、エチリデンノルボルネン、イソプレン、ジシクロペンタジエン、イソブチレン、ビニルベンゾシクロブタン、およびシクロペンテンを包含する。
1. 85%超の鎖末端不飽和を有するオレフィンポリマーであって、前記不飽和の70%超が、1,2−二置換オレフィン不飽和を含んでいるオレフィンポリマー。
(実施例1〜4)
結果として生じるホモポリマーのGPCおよびDSC特性決定データが、表2に要約されている。高い結晶融点は、このポリマーが非常に結晶質で立体規則性の、高度にアイソタクチックなp−4MP1であることを確認する。
窒素下の不活性雰囲気グローブボックスにおいて、0.10gのポリマーが、テトラクロロエチレンとd2−1,2−テトラクロロエタンとの2.5mLの50:50(重量)混合物と混合される。サンプルが110℃で交互に加熱され、均質溶液が得られるまで(10分の混合時間)攪拌される。1H NMRスペクトルが、110℃で加熱された10mmプローブを有するブルカー(Bruker)AV400(商標)分光計で記録される。200〜400走査が、5秒緩和遅延(relaxation delay)で収集される。ピークは、d2−1,2−テトラクロロエタン溶媒についての残留プロトン信号を参照する。比較p−4MP1ホモポリマーは、実質的に実施例1〜4の重合条件にしたがうが、水素連鎖移動剤の存在下にメタロセン触媒(ジメチルシランビス(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジルコニウム(II)1,4−ジフェニルブタジエン)(実質的に米国特許第5,616,664号の教示にしたがって調製された)の使用によって調製される。(水素の使用をともなわなければ重合は発生しない)。
実施例2のポリマーのサンプルが、次の条件下、合成ガス(一酸化炭素と水素との混合物)との反応によってヒドロホルミル化される。脱水および酸素除去されたトルエン(25mL)中のロジウムジカルボニルアセチルアセトネート(10.2mg)およびトリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト(48.2mg)の溶液が、不活性雰囲気下に調製される。ポリマーのサンプル(1.02g)および5mLの溶液が、ガラス反応器へ装入される。これらの反応器内容物は、窒素でパージされ、1:1モルH2/CO混合物で85psig(690kPa)へ加圧され、100℃で加熱され、H2/CO混合物でさらに300psig(2.2MPa)へ加圧され、その温度および圧力に4時間維持される。このとき、反応器が冷却され、分解され、ライナーが除去されると、わずかに黄色のスラリーを生じる。さらにポリマーを沈殿させるために、無水メタノール(5mL)が装入される。この沈殿物が濾過され、あらゆる残留触媒を除去するためにアセトンで洗浄され、真空オーブンにおいて80℃で一晩乾燥されると、0.87gの白色ポリマーを生じる。
Claims (12)
- 85%超のポリマー鎖が末端不飽和を有するオレフィンポリマーであり、前記不飽和の70%超が1,2−二置換オレフィン不飽和を含んでいるオレフィンポリマーであって、少なくとも90%のアイソタクチックペンタッドを有する4−メチル−1−ペンテンポリマーからなり、分子量分布(Mw/Mn)が2〜4である、オレフィンポリマー。
- 170℃超のTmを有する、請求項1に記載のオレフィンポリマー。
- 30℃超のTgを有する、請求項1に記載のオレフィンポリマー。
- 150℃超のTgを有する、請求項1に記載のオレフィンポリマー。
- 90%超のポリマー鎖が1,2−二置換オレフィン不飽和の末端を有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載のオレフィンポリマー。
- 95%超のポリマー鎖が末端不飽和を有する、請求項5に記載のオレフィンポリマー。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のオレフィンポリマーのいずれかの末端不飽和の少なくともいくつかと、前記末端不飽和と反応性がある少なくとも1つの追加化合物との反応によって形成されたオレフィンポリマーの官能基化誘導体。
- 追加化合物が不飽和化合物である、請求項7に記載のオレフィンポリマーの官能基化誘導体。
- ヒドロホルミル化条件下の水素と一酸化炭素との混合物の反応によって、またはヒドロホルミル化およびアミノメチル化反応条件下の水素、一酸化炭素、およびアンモニアもしくはアミンを用いて形成された、請求項7に記載のオレフィンポリマーの官能基化誘導体。
- 末端ヒドロキシルもしくはアミン官能基を含んでいる、請求項7に記載の官能基化誘導体。
- 請求項7に記載のオレフィンポリマーの官能基化誘導体の形成方法であって、請求項1〜6のいずれか1項に記載のオレフィンポリマーと、1,2−二置換オレフィン不飽和と反応性がある少なくとも1つの追加化合物との、前記不飽和の少なくともいくつかを反応させる条件下における接触工程を含む方法。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載のオレフィンポリマーもしくは官能基化誘導体、または請求項11に記載の方法にしたがって調製されたオレフィンポリマーもしくはこれの官能基化誘導体を含んでいる、固体形態における製品または物品。
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