JP2008303247A - 基板用発泡体 - Google Patents

Abstract

【課題】、耐熱性と発泡特性との両立化を図り、発泡特性および耐熱性に優れた基板用発泡体を提供する。
【解決手段】結晶融解温度、ガラス転移温度、液晶転移温度のうち少なくとも１つが２６０℃以上である（ａ）成分と、ガラス転移温度が２３０℃以下の非晶性樹脂である（ｂ）成分とを主成分とし、その質量比が（ａ）／（ｂ）＝７０／３０〜３０／７０の範囲で構成される成形体を、加圧ガスを含浸させた後に発泡させてなる発泡体であって、かつ、誘電率が２．５より大きく３．０以下であり、平均気孔径が３μｍ以下であることを特徴とする基板用発泡体。
【選択図】なし

Description

本発明は、発泡体に関し、更に詳しくフレキシブルなどのエレクトロニクス用部材として好適な耐熱性、低誘電率性に優れる基板用途の発泡体である。

従来よりプラスチックフィルムは、高い絶縁性能を有するため信頼性の必要な部品、部材として、ケーブル被覆絶縁、プリント配線基板、回転機のスロット絶縁などの電子・電気機器や、フィルムコンデンサなど電子部品に応用されている。このようなプラスチック絶縁フィルムの開発の経緯は、耐熱性に優れたエンジニアプラスチックの合成開発により進められてきた。また、フィルムコンデンサなど電子部品としては、耐熱性のあるプラスチック材料の開発に加えて、更に高い静電容量を得るため誘電率の大きな材料の開発が進められてきた。

最近では、高度情報化社会に対応した大量の情報を蓄積し、高速に処理、高速に伝達するための電子機器では、プラスチック材料にも高性能化が要求されている。特に、高周波化に対応した電気的特性として、低誘電率化、低誘電正接化が求められている。さらに、モーター等の回転機を有する機器では、高効率化、高機能化のために精密制御できるインバータ制御が行われている。そのため絶縁部品における高周波成分の漏洩電流の増加が生じるために、電気的特性としてそれを防ぐ低誘電率化が求められている。

また、電子材料分野特に回路基板の用途においては、例えば半田耐熱性といった高耐熱性を有し、かつ低誘電率の材料が望まれている。このうち、誘電特性は材料の分子構造から決定される固有の基本物性であるため、要求される誘電特性を得るためには相応の材料を選択しなければならない。例えば、半田耐熱性を有する材料として用いられているポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の誘電率は約３．１、液晶ポリマーの誘電率は約２．８であり、通常の材料でこれより優れた低誘電率特性を得ることは困難であった。

そこで、樹脂材料の低誘電率化を図る手段の１つとして、樹脂材料を発泡体として用いることが考えられる。高耐熱性を有する材料を用いたこのような技術として、例えば特許文献１には結晶化度が２０％以上、発泡倍率が２倍以上であるポリアーレンスルフィド発泡体が開示されている。また、特許文献２には、加圧下において芳香族ポリエーテルスルホンからなる樹脂成形体に炭酸ガスを接触させて炭酸ガスを浸透させる工程と、圧力を開放した後、前記樹脂成形体を発泡開始以上、前記樹脂のＴｇ未満に加熱して発泡させる工程と、得られた樹脂発泡体を冷却する工程とを具備したことを特徴とするポリエーテルスルホン樹脂発泡体の製造方法が開示されている。

特許第３４５９４５４号公報 特許第３４５９４４７号公報

しかし、前述したいずれの製造方法も樹脂組成物単体を発泡させており、耐熱性を有する樹脂組成物を発泡させようとすると、発泡させる温度が高温になったり、発泡させる温度領域が狭くなるといった発泡条件の制約があり、耐熱性と発泡特性を両立化できる製造方法は未だ確立されていない。

本発明は、上記問題点を解決すべくなされたものであり、本発明の目的は、耐熱性と発泡特性との両立化を図り、発泡特性および耐熱性に優れた基板用発泡体を提供することにある。

本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、特定の材料をブレンドした成形体に加圧ガスを含浸し、発泡化することにより上記課題を解消できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は以下の通りである。
［１］結晶融解温度、ガラス転移温度、液晶転移温度のうち少なくとも１つが２６０℃以上である（ａ）成分と、ガラス転移温度が２３０℃以下の非晶性樹脂である（ｂ）成分とを主成分とし、その質量比が（ａ）／（ｂ）＝７０／３０〜３０／７０の範囲で構成される成形体を、加圧ガスを含浸させた後に発泡させてなる発泡体であって、誘電率が２．５より大きく３．０以下であり、かつ、平均気孔径が３μｍ以下であることを特徴とする基板用発泡体。
［２］前記（ｂ）成分のガラス転移温度以上であって、かつ、前記（ａ）成分の結晶融解温度、ガラス転移温度、液晶転移温度のうち最も高い温度以下の温度条件にて発泡させてなる［１］記載の基板用発泡体。
［３］前記（ａ）成分は、結晶性樹脂であり、かつ、結晶融解温度が２６０℃以上であって、ガラス転移温度が前記（ｂ）成分のガラス転移温度よりも低いことを特徴とする［１］または［２］に記載の基板用発泡体。
［４］前記（ａ）成分はポリアリールケトン樹脂からなり、（ｂ）成分はポリエーテルイミド樹脂からなることを特徴とする［１］〜［３］のいずれかに記載の基板用発泡体。

本発明の基板用発泡体は、耐熱性を有する（ａ）成分と、発泡特性を付与する（ｂ）成分とのブレンドからなる成形体を加圧ガスを用いて発泡させるものである。このため、背反特性である耐熱性と発泡特性との両立化できる発泡体を得ることができる。

以下、本発明を詳しく説明する。
なお、本発明における数値範囲の上限値及び下限値は、本発明が特性する数値範囲内から僅かに外れる場合であっても、当該数値範囲内と同様の作用効果を備えている限り本発明の均等範囲に包含するものである。また、本発明における主成分とは、最も多量に含有されている成分のことであり、通常５０質量％以上、好ましくは７０質量％以上、更に好ましくは８０質量％以上含有する成分のことである。

また、本発明においては、特に断りのない限り、発泡前の状態は成形体、発泡後の状態は発泡体と称して両者を区別している。

本発明の基板用発泡体は、結晶融解温度、ガラス転移温度、液晶転移温度のうち少なくとも１つが２６０℃以上である（ａ）成分と、ガラス転移温度が２３０℃以下の非晶性樹脂である（ｂ）成分とを主成分とし、その質量比が（ａ）／（ｂ）＝７０／３０〜３０／７０の範囲で構成される成形体を得る工程と、成形体中に加圧ガスを含浸させる工程と、加圧ガスを含有した後に発泡させる工程により得られる。
また、本発明の基板用発泡体は、上記基板用発泡体からなる耐熱性フィルム又はシートを含み、更に、上記フィルム又はシートの少なくとも片面に導電箔を設けたことを特徴とする積層板を含むものである。

本発明における基板用発泡体は、結晶融解温度、ガラス転移温度、液晶転移温度のうち少なくとも１つが２６０℃以上である（ａ）成分を含有する。（ａ）成分は結晶融解温度が２６０℃以上ある結晶性熱可塑性樹脂、ガラス転移温度が２６０℃以上である非晶性熱可塑性樹脂、及び液晶転移温度が２６０℃以上である液晶ポリマーを使用することができる。

結晶融解温度（以下、「Ｔｍ」と表記する場合もある。）が２６０℃である結晶性熱可塑性樹脂としては、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ：Ｔｇ＝１４５℃、Ｔｍ＝３３５℃）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ：Ｔｇ＝１６５℃、Ｔｍ＝３５５℃）等のポリアリールケトン（ＰＡｒ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ：Ｔｇ＝１００℃、Ｔｍ＝２６５℃）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ：Ｔｇ＝８０℃、Ｔｍ＝２６５℃）等を用いることができる。

ガラス転移温度（以下、「Ｔｇ」と表記する場合もある。）が２６０℃以上である非晶性熱可塑性樹脂としては、ポリアミドイミド（ＰＡＩ：Ｔｇ＝２８０℃）を用いることができ、また液晶転移温度（以下、「Ｔｌ」と表記する場合もある。）が２６０℃以上である液晶ポリマーとしては、全芳香族ポリエステル（ＰＥ：Ｔｌ＝３３０℃）などを用いることができる。

次に、本発明における基板用発泡体は、ガラス転移温度が２３０℃以下の非晶性樹脂である（ｂ）成分を含有する。本発明における（ｂ）成分は、以下に特定されるものではないが、例えばポリスルホン（ＰＳＦ：Ｔｇ＝１９０℃）、ポリアクリレート（ＰＡｒ：Ｔｇ＝１７５℃）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ：Ｔｇ＝２３０℃）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ：Ｔｇ＝２１６℃）、ポリカーボネート（ＰＣ：Ｔｇ＝１５０℃）、変性ポリフェニレンエーテル（変性ＰＰＥ：Ｔｇ＝１４５℃）、ポリフェニルサルホン（ＰＰＳＵ：Ｔｇ＝２２０℃）等を使用することができる。

本発明においては、結晶融解温度、ガラス転移温度、液晶転移温度のうち少なくとも１つが２６０℃以上である（ａ）成分と、ガラス転移温度が２３０℃以下の非晶性樹脂である（ｂ）成分とを主成分とすることが重要である。本発明において（ａ）成分は耐熱性と発泡体の構造を安定化させるための支持体の役割を果たし、（ｂ）成分は加圧ガスを含浸させ発泡する際の発泡開始温度の調整と発泡開始点及び発泡領域を形成させるための役割を主に果たす。このことから（ａ）成分を結晶融解温度、ガラス転移温度、液晶転移温度のうち少なくとも１つが２６０℃以上とすることで発泡体に耐熱性を付与することができる。また、（ｂ）成分をガラス転移温度が２３０℃以下となる非晶性樹脂とすることで、（ｂ）成分のガラス転移温度と、（ａ）成分の結晶融解温度、ガラス転移温度、液晶転移温度のうち最も高い温度以下の温度範囲において、発泡化させることが可能となる。

次に、（ａ）成分と（ｂ）成分の質量比は（ａ）／（ｂ）＝７０／３０〜３０／７０の範囲であることが重要である。（ａ）成分がかかる質量比の範囲内であれば、耐熱性を有する発泡体を得ることができる。耐熱性を重視する場合には、両成分の合計中、（ａ）成分を５０〜７０質量％とすることが好ましく、６０〜７０質量％とすることが特に好ましい。また（ｂ）成分がかかる質量比の範囲内であれば、発泡特性や低誘電率性を有する発泡体を得ることができる。発泡倍率を重視する場合には、両成分の合計中、（ｂ）成分を５０〜７０質量％とすることが好ましく、６０〜７０質量％とすることが特に好ましい。

次に本発明の基板用発泡体は誘電率が２．５より大きく３．０以下であることが重要である。プラスチック材料に求められる高周波化に対応した電気物性として、低誘電率性がある。プラスチックフィルムが交流機器の絶縁部に用いられる場合には、その絶縁部で漏洩する電気損失は、周波数、誘電率、誘電正接の積に比例する。よって、周波数が高くなると電力損失が増加する。それを防ぐためには、比誘電率を低くするか、誘電正接を小さくする必要がある。

高周波化による損失を低減するに効果のある誘電率の値としては３．０以下が有効であり、好ましくは２．９以下、特に好ましくは２．８以下である。また、本発明の基板用発泡体の誘電率としては２．５より大きいことが好ましい。基板用発泡体の誘電率が２．５より大きければ、得られる基板用発泡体の比強度が良好となるため好ましい。

また、本発明の基板用発泡体の平均気孔径が３μｍ以下となることが重要である。発泡体の平均気泡径が３μｍ以下となれば、得られる基板用発泡体に貫通孔を形成させ、バイアホールとし、次いでバイアホール内に導電ペーストを充電する場合に、導電ペーストが発泡体内の気泡を通じて別のバイアホール内に流した導電ペーストと接触する内部短絡が生じない。この点から平均気泡径は３μｍから５ｎｍが好ましく、２μｍから１０ｎｍが特に好ましく、更に好ましくは１μｍ〜２０ｎｍである。

次に、本発明における（ａ）成分は結晶融解温度が２６０℃以上であり、かつガラス転移温度が、（ｂ）成分である非晶性樹脂のガラス転移温度よりも低いことが好ましい。本発明における（ａ）成分は耐熱性と発泡体の構造を安定化させるための支持体の役割を果たし、（ｂ）成分は加圧ガスを含浸させ発泡する際の発泡開始温度の調整と発泡開始点及び発泡領域を形成させるための役割を主に果たす。よって（ａ）成分の結晶融解温度が２６０℃以上であり、かつガラス転移温度が、（ｂ）成分である非晶性樹脂のガラス転移温度よりも低い結晶性樹脂であれば、
（ａ）成分のガラス転移温度から（ａ）成分の結晶融解温度の範囲で発泡させることが可能となり、発泡化させた後に（ａ）成分を結晶化させることで耐熱性を有する発泡体を得ることが可能となるため好ましい。

本発明において、中でも好ましい（ａ）成分としてはポリアリールケトン樹脂であり、（ｂ）成分としてはポリエーテルイミド樹脂である。

これは、（ａ）成分であるポリアリールケトン樹脂と（ｂ）成分であるポリエーテルイミド樹脂との混合組成物は相溶性が良好であり、ミクロ相分離構造を有し、（ｂ）成分が微細で緻密な構造を有する成形体を得ることが可能となるためである。また結晶融解温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂に非晶性ポリエーテルイミド樹脂をブレンドすると、ポリエーテルイミドのブレンド比率の増加に伴い、ポリアリールケトン樹脂の結晶化速度が遅くなる。このため、加圧ガスを含浸させる前の成形体の結晶化度を比較的任意に制御でき、（ａ）成分のガラス転移温度から（ａ）成分の結晶融解温度までの温度範囲で発泡させることが可能となる。また、発泡させた後に（ａ）成分を結晶化させることで、得られる発泡体の多孔構造と耐熱性に優れる発泡体を得ることが可能となる。

次に本発明の成形体の製造方法について説明する。本発明の成形体の製造方法としては、公知の方法、例えばＴダイを用いる押出キャスト法やカレンダー法等を採用することができ、特に限定されるものではないが、成形体の安定生産性等の面から、Ｔダイを用いる押出キャスト法が好ましい。Ｔダイを用いる押出キャスト法での成形温度は、（ａ）成分と（ｂ）成分の流動特性等の面で適宜調整されるが、概ね流動開始温度以上、好ましくは流動開始温度＋２０℃から４３０℃の範囲が好適である。

また、本発明における成形体の厚みは１０μｍ以上が好適である。成形体の厚みが１０μｍ以上であれば、加圧ガスを含有させた成形体を加熱させる工程時において、含有した加圧ガスが成形体表面から拡散してしまうことがなく、良好な多孔構造が発現でき生産性も良好である。特に好ましい成形体の厚みは５０μｍ〜１ｍｍであり、更に好ましくは７５〜５００μｍである。

次の工程として、成形体に加圧ガスを含浸させる。この工程で言う含浸とは、例えば、成形体中に加圧ガスが溶解したのと同様の状態をいう。含浸条件は、成形体を構成する成分によるが、加圧ガスが含浸できる条件であれば良く、特に制限は無い。成形体に加圧ガスを含浸させる具体的な方法は公知の方法に従って良い。例えば、成形体をオートクレーブ等の耐圧容器に入れ、成形体と、気体状または液体状のガスとを封入する。づいて耐圧容器内の圧力を高めるバッチ式に処理する方法や、樹脂成形体を加圧ガスの処理帯内に導入して連続的に処理する方法などを採用できる。

本発明に使用できる加圧ガスは、以下のものに限定されるものではないが、例えば、二酸化炭素、窒素、ヘリウム、アルゴン、亜酸化窒素、エチレン、エタン、テトラフルオロエチレン、パーフルオロエタン、テトラフルオロメタン、トリフルオロメタン、１，１−ジフルオロエチレン、トリフルオロアミドオキシド、シス−ジフルオロジアミン、トランス−ジフルオロジアミン、塩化二フッ化窒素、三重水素化リン、四フッ化二窒素、オゾン、ホスフィン、ニトロシルフルオライド、三フッ化窒素、塩化重水素、キセノン、六フッ化硫黄、フルオロメタン、ペンタフルオロエタン、１，１−ジフルオロエテン、ジボラン、水、テトラフルオロヒドラジン、シラン、四フッ化ケイ素、四水素化ゲルマニウム、三フッ化ホウ素、フッ化カルボニル、クロロトリフルオロメタン、ブロモトリフルオロメタン及びフッ化ビニル等が挙げられる。

なかでも好ましい加圧ガスとしては、二酸化炭素、窒素、亜酸化窒素、エチレン、エタン、テトラフルオロエチレン、パーフルオロエタン、テトラフルオロメタン、トリフルオロメタン及び１，１−ジフルオロエチレンが挙げられる。

このうち不活性ガスである二酸化炭素、窒素、ヘリウム、アルゴンは非可燃性であり好ましい。更に無毒性、安価、ほとんどの樹脂組成物に対して非反応であるという点から二酸化炭素や窒素が更に好ましく、中でも樹脂組成物への溶解度が比較的高い二酸化炭素が特に好ましい。

加圧ガスを含浸させる温度は、（ａ）成分と（ｂ）成分のガラス転移温度以下であることが好ましい。（ａ）成分と（ｂ）成分のガラス転移温度以下であれば、成形体に加圧ガスを含浸させる際に成形体が変形することが無いため好ましい。

加圧ガスを含浸させる時間は、（ａ）成分と（ｂ）成分の組成、及び／又は混合割合や成形体の厚みなどにより異なるので一概には言えないが、５分以上であることが好ましく、より好ましくは３０分以上である。５分未満であると、成形体への加圧ガスの拡散の関係で成形体の中心部までに十分含浸させることができない場合がある。上限値は、加圧ガスの含浸温度、及び／または含有圧力に影響されるが、生産効率の観点から４８時間以下、好ましくは２４時間以下、より好ましくは１２時間以下である。

次の工程は、加圧ガス中から成形体を開放させて、加圧ガスを含浸した成形体を発泡化させる。本工程では、（ｂ）成分のガラス転移温度以上であって、かつ、（ａ）成分の結晶融解温度、ガラス転移温度、結晶転移温度のうち最も高い温度以下の温度条件に加熱することにより発泡させることが好ましい。

本発明において、成形体を発泡させる温度を（ｂ）成分のガラス転移温度以上、かつ、（ａ）成分の結晶融解温度、ガラス転移温度、結晶転移温度のうちで最も高い温度以下に設定することが好ましい理由は以下の通りである。

かかる温度範囲で発泡すれば、（ａ）成分の剛性が高く、（ｂ）成分が発泡化するに十分な弾性率となるため、（ｂ）成分が主に発泡するためである。（ａ）成分の結晶融解温度、ガラス転移温度、結晶転移温度のうちで最も高い温度以下の温度で発泡させることにより、（ａ）成分の剛性が低下することがなく、（ｂ）成分だけでなく（ａ）成分も発泡して、気泡が破裂したり、巨大になりすぎるようなことがない。

本発明における（ａ）成分が結晶融解温度が２６０℃以上であり、かつ、ガラス転移温度が、（ｂ）成分である非晶性樹脂のガラス転移温度よりも低い結晶性樹脂である場合には、成形体を発泡させる温度を（ａ）成分のガラス転移温度以上、かつ（ａ）成分の結晶融解温度以下にすることで発泡化が可能となる。

発泡化させる方法としては、加圧ガスから成形体を開放し、非加圧下において加圧ガスを含有した成形体を加熱することにより非平衡状態を作り出し、含浸したガスを気化させることにより発泡化させる方法（加熱法）を用いる。

このような加熱法を用れば、加圧ガス中から取り出し、非加圧下において再加熱により発泡させるため、発泡させる温度の制御が容易となる。

加熱法を用いる場合の加熱手段としては、公知の手段で良く、例えば熱風循環式熱処理炉、オイルバス、溶融塩バスなどが挙げられる。取り扱い性の観点から熱風循環熱処理炉が好ましい。加熱時間は発泡化が完了する時間を設定すれば良く、例えば０．２ｍｍ厚み程度の成形体であれば、６０秒以内が適当である。

上記発泡化後、所望の多孔構造に制御するためには冷却することが好ましい。冷却温度は（ａ）成分と（ｂ）成分のガラス転移温度、及び／又は（ａ）成分と（ｂ）成分の混合割合や成形体の厚みなどにより異なるので一概には言えないが、室温付近まで急速に冷却するのが好ましい。

また（ａ）成分が結晶性樹脂である場合、上記冷却後、（ａ）成分を結晶化するために熱処理を施しても構わない。（ａ）成分を結晶化させるための熱処理条件としては、（ａ）成分の結晶化が完了する温度と時間であれば特に制限はない。好ましくは（ａ）成分の結晶化速度が速い温度域で処理するのが好ましい。

本発明の成形体は、単層であっても構わないし、また成形体表面に平滑性、耐熱性、耐溶剤性、加圧ガスの拡散性などの特性を付与する目的で、積層構成としても良い。積層構成の場合には、樹脂組成や添加剤の異なる層を適宜組み合わせて構成することができる。また、各層の積層比は用途、目的に応じて適宜調整することができる。

上記の積層体を形成する方法としては、共押出法、各層のフィルムを形成した後に、重ね合わせて熱融着する方法、接着剤等で接合する方法等が挙げられる。

本発明の成形体には、その性質を損なわない程度に他の樹脂や各種添加剤、例えば、無機充填材、熱安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、核剤、着色剤、滑剤、難燃剤等を適宜適合してもかまわない。またその性質を損なわない程度に他の樹脂組成物を含んでも良い。
特に、本発明をフレキシブルプリント配線基板などのエレクトロニクス用部材に適用する場合には、無機充填材を混合し、寸法安定性を向上させることが好ましい。この場合、無機充填材の混合量は（ａ）成分と（ｂ）成分の合計１００質量部に対し、１０〜４０質量部が好ましい。ここで無機充填材がかかる範囲内であれば、成形体の可とう性を保持しつつ寸法安定性を向上できることから好ましい。

また、用いる無機充填材としては、特に制限は無く、公知のものを使用することができる。例えば、タルク、マイカ、クレー、ガラス、アルミナ、シリカ、窒化アルミニウム、窒化珪素などが挙げられる。

本発明の基板用発泡体は、フレキシブルプリント配線基板などのエレクトロニクス用部材に好適に使用することができる。ここで、少なくとも片面に導体箔を設けることができ、この場合、単層（片面、両面）基板でも多層基板でも良い。

また、導体箔に導電性回路を形成させる場合には、公知のいかなる方法も採用することができ、特に限定されるものではない。例えば、サブトラクティブ法（エッチング）、アディティブ法（メッキ）、ダイスタンプ法（金型）、導体印刷法（導電ペースト）などの公知の方法が適用できる。

以下に実施例でさらに詳しく説明するが、これらにより本発明は何ら制限を受けるものではない。なお、発泡体についての種々の測定値及び評価は次のようにして行った。

（１）誘電率測定
インピーダンスアナライザー（ＨＥＷＬＥＴＴ製：ＨＰ４２９１Ｂ）を用いて、１ＧＨｚの周波数にて発泡体（比較例１においては成形体）の誘電率を測定した。

（２）気泡径観察（平均気泡径測定）
走査電子顕微鏡（日立製作所製：Ｓ−４５００）を用いて、得られた発泡体の断面の中心付近の観察を行い、得られた観察像を画像処理ソフト（日本ビジュアルサイエンス（株）製：Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ Ｐｌｕｓ）を用いて５０個の気泡の径を測定し、平均値を求めた。

（３）発泡倍率測定
電子天秤（（株）エー・アンド・デイ製：ＧＲ−３００）に比重測定キット（（株）エー・アンド・デイ製：ＡＤ−１６５３）を設置した天秤を用いて成形体の密度と発泡体の密度を測定し、成形体の密度と発泡体の密度の比から発泡倍率を算出した。

（実施例１）
（ａ）成分としてポリエーテルエーテルケトン樹脂（ビクトレックス社製：ＰＥＥＫ ３８１Ｇ（Ｔｇ＝１６６℃、Ｔｍ＝３３４℃））４０質量部、（ｂ）成分として非晶性ポリエーテルイミド樹脂（ゼネラルエレクトリックス社製：Ｕｌｔｅｍ１０００（Ｔｇ＝２３２℃））６０質量部とをドライブレンドしたものをＴダイを備えた押出機を用いて、設定温度３８０℃で押出し、厚さ２５０μｍの成形体を得た。得られた成形体を６０℃に温調された圧力容器に投入し、炭酸ガス（二酸化炭素）で２０ＭＰａに加圧し、ガス含有前シートに炭酸ガス（二酸化炭素）を含有させた。シートへの炭酸ガス（二酸化炭素）の含浸時間は９時間とした。その後、圧力容器のリークバルブを全開放し、減圧速度＝１ＭＰａ／ｓｅｃで容器内の圧力を開放し、容器内から成形体を取り出し、ガスが含浸した成形体を１８０℃に設定した熱風循環式熱処理炉内に１分間投入し、投入後圧空エアーで表面を冷却し基板用発泡体を得た。
得られた結果を表１に示す。誘電率が２．６となり平均気泡径が約１．５μｍとなる基板用発泡体を得ることができた。尚、得られたの発泡倍率は約１．６倍であった。

（実施例２）
（ｂ）成分として非晶性ポリエーテルイミド樹脂（ゼネラルエレクトリックス社製：ＵｌｔｅｍＣＲＳ５００１（Ｔｇ＝２４１℃））とした以外は実施例１と同様の方法で基板用発泡体を得た。次いで得られた基板用発泡体を２８０に設定した熱風循環式熱処理炉内に１０分間投入し、投入後圧空エアーで表面を冷却し基板用発泡体を得た。
得られた結果を表１に示す。誘電率が２．７となり、平均気泡径が約１．３μｍとなる基板用発泡体を得ることができた。尚得られた基板用発泡体の発泡倍率は約１．４倍であった。

（実施例３）
実施例２と同様の方法で成形体を作製し、得られた成形体を２４０℃で１時間熱処理した後、実施例１と同様の方法で基板用発泡体を得た。
得られた結果を表１に示す。誘電率が２．９となり、平均気泡径が約０．３μｍとなる基板用発泡体を得ることができた。尚、得られた基板用発泡体の発泡倍率は約１．２倍であった。

（実施例４）
（ａ）成分がポリエーテルエーテルケトン樹脂（ビクトレックス社製：ＰＥＥＫ ３８１Ｇ（Ｔｇ＝１６６℃、Ｔｍ＝３３４℃））７０質量％、（ｂ）成分がポリフェニルサルホン樹脂（ＰＰＳＵ：ソルベイアドバンストポリマー社製：レーデルＲ−５０００（Ｔｇ＝２２０℃））３０質量％とした以外は実施例１と同様の方法で基板用発泡体を得た。
得られた結果を表１に示す。誘電率が２．７となり、発泡倍率が１．４倍となり、平均気泡径が０．５μｍとなる基板用発泡体を得ることができた。尚、得られた基板用発泡体の発泡倍率は約１．４倍であった。

（比較例１）
実施例１で得られた成形体を発泡させずに用いた。該成形体の誘電率は３．３であった。

（比較例２）
実施例１において、（ｂ）成分を１００質量％とした以外は同様の方法で成形体を作製し、ガスが含浸した成形体を３５０℃に設定した熱風循環式熱処理炉内に１分間投入した以外は実施例１と同様の方法で基板用発泡体を得た。
得られた基板用発泡体は熱処理炉内に投入時の変形がひどく、誘電率を測定できなかった。尚得られた基板用発泡体のセルサイズは破泡がひどく測定できなかった。

実施例１〜４の基板用発泡体は、誘電率が２．６〜２．９の範囲であり、気泡径が３μｍ以下と良好な低誘電率特性と多孔構造を有する発泡体であることが確認できる。これに対して、未発泡体である場合（比較例１）には、誘電率が３．３となり低誘電率特性に劣ることが確認できる。また、成形体が（ｂ）成分のみである場合には発泡させることができても破孔がひどく、発泡特性が悪いことが確認できる。

Claims (4)

1. 結晶融解温度、ガラス転移温度、液晶転移温度のうち少なくとも１つが２６０℃以上である（ａ）成分と、ガラス転移温度が２３０℃以下の非晶性樹脂である（ｂ）成分とを主成分とし、その質量比が（ａ）／（ｂ）＝７０／３０〜３０／７０の範囲で構成される成形体を、加圧ガスを含浸させた後に発泡させてなる発泡体であって、誘電率が２．５より大きく３．０以下であり、かつ、平均気孔径が３μｍ以下であることを特徴とする基板用発泡体。
2. 前記（ｂ）成分のガラス転移温度以上であって、かつ、前記（ａ）成分の結晶融解温度、ガラス転移温度、液晶転移温度のうち最も高い温度以下の温度条件にて発泡させてなる請求項１記載の基板用発泡体。
3. 前記（ａ）成分は、結晶性樹脂であり、かつ、結晶融解温度が２６０℃以上であって、ガラス転移温度が前記（ｂ）成分のガラス転移温度よりも低いことを特徴とする請求項１または２に記載の基板用発泡体。
4. 前記（ａ）成分はポリアリールケトン樹脂からなり、（ｂ）成分はポリエーテルイミド樹脂からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板用発泡体。