JP2008294344A - 窒化物系半導体レーザ素子の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による窒化物系半導体レーザ素子の作製方法では、ウエハ1からバー15に劈開する前に、基板に形成されるn側電極13にレーザ光を照射して電極の膜質を変化させる。これにより、得られるチップを電気的に接続及び固定するためのはんだが、チップの電極に浸透することが防止され、連続発振する際の通電時間に対する駆動電圧の上昇が抑制される。そのため、素子寿命の長い窒化物系半導体レーザ素子を作製することが可能となる。
【選択図】図6
Description
<ウエハ作製方法>
最初に、ウエハ作製方法の一例について図1(a)、(b)のウエハの模式図を用いて説明する。図1(a)はウエハの模式的な平面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−A断面を示した模式的な断面図である。なお、図1(a)、(b)には基板の結晶方位をあわせて示しており、以下の図においても同様に基板の結晶方位をあわせて示すこととする。
次に、得られたウエハ1を劈開及び分割してチップを得るとともに、このチップを用いた窒化物系半導体レーザ素子の作製方法の一例について図4及び図5を用いて説明する。図4は、バー及びチップを示した模式的な平面図であり、バー及びチップの図1(a)と同様の平面について示したものである。また、図5は、窒化物系半導体レーザ素子の模式的な斜視図である。なお、以下では上述したウエハ作製方法の一例によって得られたウエハを用いる場合について説明する。
図5に示すように、窒化物系半導体レーザ素子20は、チップ16がはんだによって電気的に接続及び固定(マウント)されるサブマウント23と、サブマウント23と接続するヒートシンク22と、ヒートシンク22がある面に接続するステム21と、ヒートシンク22が接続するステム21のある面と当該ある面の反対側の面とを貫通するとともにステム21と絶縁されているピン24a、24bと、一方のピン24aとチップ16のパッド電極12とを電気的に接続するワイヤ25aと、他方のピン24bとサブマウント23とを電気的に接続するワイヤ26bと、を備えている。
以上、本発明における窒化物系半導体レーザ素子の一連の作製方法について説明したが、以下では上述したウエハの作製方法におけるn側電極へのレーザ光の照射方法について、図6〜図11を用いて詳述する。
最初に、本発明におけるn側電極へのレーザ光の照射方法の第1実施例について図6を用いて説明する。図6(a)、(b)は、図1(a)の平面図に示したウエハの面と反対側の面を示した平面図である。また、図1(a)の平面図において表面に見えていたリッジ部10及びパッド電極12は図6ではウエハの裏面側になるため、この図においてはそれぞれ破線で示している。
次に、本発明におけるn側電極へのレーザ光の照射方法の第2実施例について図8を用いて説明する。図8は、第1実施例について示した図6(b)に相当するものであり、図6(b)について示した面と同じ側の面について示したウエハの平面図である。また、この図においても図6(b)と同様に、リッジ部10とパッド電極12とを破線で示している。
次に、本発明におけるn側電極へのレーザ光の照射方法の第三実施例について図9(a)〜(d)を用いて説明する。図9(a)〜(d)は、第1実施例について示した図6(b)及び第2実施例について示した図8に相当するものであり、図6(b)及び図8で示した面と同じ側の面について示したウエハの平面図である。また、この図においても図6(b)及び図8と同様に、リッジ部10とパッド電極12とを破線で示している。
また、本発明は、図10に示すように、転位が集中したストライプコア2bと、ストライプコア2bに転位を集中させることによって転位が低減された他の領域2cと、を備える窒化ガリウム基板2aを用いることとしても構わなく、この基板を用いた場合の実施例について、以下に説明する。なお、ストライプコア2bは、<1−100>方向に延びたストライプ状であり、<11−20>方向におよそ等間隔で整列している。
2、2a 基板
2b ストライプコア
2c 他の領域
3 n型クラッド層
4 活性層
4a 井戸層
4b 障壁層
5 光ガイド層
6 キャップ層
7 p型クラッド層
8 コンタクト層
9 p側オーミック電極
10 リッジ部
11 電流ブロック層
12 パッド電極
13 n側電極
14 SiO2層
15 バー
16 チップ
Claims (4)
- 基板の第一主面上に複数の素子構造を形成するとともに、前記基板の前記第一主面と反対側の第二主面上を覆う電極を形成してウエハを得る第一工程と、
前記第一工程の後に、前記第一工程で形成した電極の一部にレーザ光を照射して前記電極の一部を飛散させる第二工程と、
前記第二工程の後に、前記ウエハを分断する第三工程と、
を備えることを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子の作製方法。 - 前記第二工程が、
前記電極の前記素子構造が形成された部分の直下となる部分を避けて、レーザ光を照射するものであることを特徴とする請求項1に記載の窒化物系半導体レーザ素子の作製方法。 - 前記第二工程が、
前記電極を飛散させることによって溝部を形成するものであり、当該溝部の深さが、前記電極の厚さと略等しいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の窒化物系半導体レーザ素子の作製方法。 - 前記基板が、転位が局所的に集中した第一領域と、当該第二領域よりも転位密度の小さな第二領域と、を備えるとともに、
前記第一工程が、前記素子構造を前記基板の前記第一領域を避けて形成するものであり、
前記第二工程が、前記電極の前記第一領域上に形成された部分にレーザ光を照射するものであることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザ素子の作製方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010141012A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06314592A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Komatsu Ltd | 透明電極薄膜のエッチング方法 |
JPH11274653A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体レ−ザ基板の劈開方法 |
JP2001085736A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Sharp Corp | 窒化物半導体チップの製造方法 |
JP2001102307A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板 |
JP2002033282A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板及びその製造方法 |
JP2003229638A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2003273470A (ja) * | 2002-01-10 | 2003-09-26 | Sharp Corp | Iii族窒化物半導体レーザ素子 |
JP2004047675A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子及びそれを搭載した装置とその製造方法 |
JP2004055683A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子チップとそれを含むレーザ装置 |
JP2005159278A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-06-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法 |
JP2006040711A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Seiko Epson Corp | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
JP2006339213A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
JP2007109737A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Toshiba Corp | 窒化物半導体レーザ装置及びその製造方法 |
-
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Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06314592A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Komatsu Ltd | 透明電極薄膜のエッチング方法 |
JPH11274653A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体レ−ザ基板の劈開方法 |
JP2001085736A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Sharp Corp | 窒化物半導体チップの製造方法 |
JP2001102307A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板 |
JP2002033282A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板及びその製造方法 |
JP2003273470A (ja) * | 2002-01-10 | 2003-09-26 | Sharp Corp | Iii族窒化物半導体レーザ素子 |
JP2003229638A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2004047675A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子及びそれを搭載した装置とその製造方法 |
JP2004055683A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子チップとそれを含むレーザ装置 |
JP2005159278A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-06-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法 |
JP2006040711A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Seiko Epson Corp | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
JP2006339213A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
JP2007109737A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Toshiba Corp | 窒化物半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010141012A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
US8422526B2 (en) | 2008-12-10 | 2013-04-16 | Panasonic Corporation | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
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Publication number | Publication date |
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