JP2008282924A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 透明支持体と、該透明支持体上に形成されたメッシュ状の導電性金属薄膜とを有する透光性電磁波シールド膜において、
   前記導電性金属薄膜を構成するメッシュラインの交差部に、モアレ抑止部が形成され、
   前記交差部の面積をＳａ、前記モアレ抑止部の面積をＳｂとしたとき、
   Ｓａ×０．０１＜Ｓｂ＜Ｓａ×５．００
   であることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
2. 請求項１記載の透光性電磁波シールド膜において、
   Ｓａ×０．９０＜Ｓｂ＜Ｓａ×１．１０
   であることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
3. 請求項１又は２記載の透光性電磁波シールド膜において、
   前記モアレ抑止部は、
   第１メッシュラインの一方の側面と、第２メッシュラインの一方の側面との間に形成された第１抑止部と、
   前記第１メッシュラインの一方の側面と、前記第２メッシュラインの他方の側面との間に形成された第２抑止部と、
   前記第１メッシュラインの他方の側面と、前記第２メッシュラインの一方の側面との間に形成された第３抑止部と、
   前記第１メッシュラインの他方の側面と、前記第２メッシュラインの他方の側面との間に形成された第４抑止部とを有することを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
4. 請求項３記載の透光性電磁波シールド膜において、
   前記第１抑止部、前記第２抑止部、前記第３抑止部、前記第４抑止部の各面積をＳｂ１、Ｓｂ２、Ｓｂ３、Ｓｂ４としたとき、
   Ｓｂ＝Ｓｂ１＋Ｓｂ２＋Ｓｂ３＋Ｓｂ４
   であることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
5. 請求項３又は４記載の透光性電磁波シールド膜において、
   前記第１メッシュライン及び前記第２メッシュラインの線幅が５〜４０μｍであることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
6. 請求項５記載の透光性電磁波シールド膜において、
   前記第１メッシュライン及び前記第２メッシュラインの線幅が１１〜２０μｍであることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の透光性電磁波シールド膜において、
   前記導電性金属薄膜が、前記透明支持体上に設けられた銀塩感光層を露光して現像することによって形成された金属銀部を有することを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
8. 請求項７記載の透光性電磁波シールド膜において、
   前記金属銀部は、ハロゲン化銀を現像して形成された現像銀からなることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
9. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の透光性電磁波シールド膜において、
   前記導電性金属薄膜が第１導電層と第２導電層とを有し、
   前記第１導電層が前記透明支持体上に設けられた銀塩感光層を露光して現像することによって形成された金属銀部であり、
   前記第２導電層が前記金属銀部に導電性金属が担持されたものであることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
10. 請求項７〜９のいずれか１項に記載の透光性電磁波シールド膜において、
    前記銀塩感光層に対する露光にて使用されるマスクは、前記メッシュラインの交差部にモアレ抑止部が形成されたパターンに対応したマスクパターンを有することを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
11. 請求項７〜９のいずれか１項に記載の透光性電磁波シールド膜において、
    前記銀塩感光層に対するデジタル書込み露光によって、前記銀塩感光層に、メッシュラインの交差部にモアレ抑止部が形成されたパターンが露光されることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
12. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の透光性電磁波シールド膜において、
    赤外線遮蔽性、ハードコート性、反射防止性、防眩性、静電気防止性、防汚性、紫外線カット性、ガスバリア性、表示パネル破損防止性から選ばれる機能のうち、少なくとも１つを備えた機能性透明層を有することを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
13. 請求項１２記載の透光性電磁波シールド膜において、
    赤外線遮蔽性を有することを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
14. 請求項１〜１３のいずれかに記載の透光性電磁波シールド膜を備えたことを特徴とする光学フィルタ。