JP2008270767A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】アニール工程において複数のコア基板に対して均一に熱を伝え、基板の収縮バラツキを低減することができる多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】多層配線基板は、コア基板と、そのコア基板の上面及び下面に配置されるビルドアップ層とを備える。この多層配線基板の製造方法において、準備工程では、樹脂材料を含んで構成された絶縁基板の主面上に金属箔を貼着してなる複数の両面銅張積層板４８が準備される。アニール工程では、熱風乾燥装置５１内において、収納ラック５０を用いて複数の両面銅張積層板４８が空隙を設けた状態で縦置きで配置され、各両面銅張積層板４８が加熱される。
【選択図】図４

Description

本発明は、多層配線基板の製造方法に係り、特には基板用材料のアニール工程に関するものである。

近年、電気機器、電子機器等の小型化に伴い、これらの機器に搭載される配線基板等にも小型化や高密度化が要求されている。かかる市場の要求に応えるべく、配線基板の多層化技術が検討されている。この配線基板の多層化の方法としては、いわゆるコア基板の表裏両面に対して樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層一体化する、いわゆるビルドアップ法が一般的に採用される。

この種の多層配線基板を製造する場合、コア基板として樹脂基板の両面に銅箔を貼着した構造の銅張積層板を用いることが一般的となっている。この多層配線基板では、樹脂基板に銅箔を貼着する際に生じた内部応力を緩和するために、銅張積層板を加熱するアニール処理（熱処理）が施される（例えば、特許文献１参照）。その後、その銅張積層板の銅箔をエッチングによってパターニングすることで導体層が形成される。
特開２００３−３２４２６０号公報

ところで、従来のアニール処理においては、例えば、熱風乾燥装置５１内において、複数の銅張積層板４８が平積み（横置き）に配置され、その銅張積層板４８を構成する樹脂材料のガラス転移点以上の温度で所定時間加熱される（例えば、図１９参照）。この加熱時において、各銅張積層板４８は、自重によって撓むことを防止するため、隙間なく重ね合わせた状態で配置されている。この場合、全ての基板に対して均一に熱が伝わらず、外側の基板と内側の基板とで高温保持時間（ガラス転移点以上の温度の保持時間）に差が生じてしまう。この高温保持時間が異なると、その後の工程（ビルドアップ層の積層工程など）でのコア基板の収縮量が異なり、基板の収縮バラツキが大きくなる。その結果、露光マスクを配置する際に下層の配線パターンに対して精度良く位置合わせすることが困難となり、配線パターンの微細化を図ることができない。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、アニール工程において複数のコア基板に対して均一に熱を伝え、基板の収縮バラツキを低減することができる多層配線基板の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するための手段（手段１）としては、コア基板導体層を有するコア基板上に、積層配線部導体層及び層間絶縁層を積層してなる積層配線部を配置した多層配線基板の製造方法であって、樹脂材料を含んで構成された絶縁基板の主面上に金属箔を貼着してなる複数のコア基板用材料を準備する準備工程と、前記複数のコア基板用材料間に空隙を設けた状態で前記複数のコア基板用材料の加熱を行うアニール工程と、アニール工程後に前記金属箔をパターニングして前記コア基板導体層を形成するコア基板導体層形成工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。

従って、手段１の多層配線基板の製造方法によると、準備工程において、樹脂材料を含んで構成された絶縁基板の主面上に金属箔が貼着されることで複数のコア基板用材料が準備される。そして、アニール工程において、複数のコア基板用材料間に空隙を設けた状態で複数のコア基板用材料の加熱が行われる。このように、各コア基板用材料の間に空隙を設けることで、各コア基板用材料に対して均一に熱が伝わるため、絶縁基板の収縮バラツキを低減することができる。
手段１の多層配線基板の製造方法におけるアニール工程では、複数のコア基板用材料間に空隙が存在しているのであれば任意の状態で配置することができるが、例えば立てた状態にすることが好ましい。このような配置態様の場合、複数のコア基板用材料間に空隙を設けやすくなるからである。さらに、複数のコア基板用材料はそれらの間に空隙を設けた状態で縦置きにすることがより好ましい。この場合には、横置きにして空隙を設けた場合とは異なり、絶縁基板が撓むといったことを防止することができる。従って、コア基板導体層形成工程において、金属箔をパターニングする際に、露光マスクを正確に配置することができ、配線パターンの位置合わせを精度良く行うことができる。その結果、コア基板導体層における配線パターンの微細化が可能となる。なお、立てた状態にして複数のコア基板用材料を吊り下げることも可能であるが、立てた状態にして何らかの支持体に支持させる（即ち縦置きにする）ほうが、安定的に配置することができる。
また、前記アニール工程では、前記複数のコア基板用材料の材料主面同士を対向させて平行に配置することが好ましい。このように配置すると、熱風の流れの方向が一定となり、熱風が空隙をスムーズに通り抜けるため、各コア基板用材料に対して均一に熱を伝えることができる。この場合、空隙を一定にすることで、複数のコア基板用材料ごとの加熱ムラを確実に低減することができる。

前記アニール工程では、前記複数のコア基板用材料を前記樹脂材料のガラス転移点以上の温度に加熱することが好ましく、そのガラス転移点以上の温度で２４０分以上加熱することがより好ましい。前記準備工程において金属箔を貼着する際にはコア基板用材料内に内部応力が残存してしまうが、樹脂材料のガラス転移点以上の温度に加熱することにより、その内部応力を確実に開放することができる。なお、樹脂材料のガラス転移点とは、低温領域でガラス状の硬くてもろい性質を示す樹脂材料が温度上昇に伴いゴム状に変化するときの温度をいう。

前記アニール工程では、前記樹脂材料のガラス転移点以上の温度に耐えうる耐熱性材料からなり、前記複数のコア基板用材料を縦置きで支持する基板支持器具を用いて加熱を行うことが好ましい。この基板支持器具としては、例えば、ステンレスやセラミックなどの耐熱性材料からなる枠体（フレーム）を含んで構成されたラックなどを挙げることができ、アニール工程において、コア基板用材料を加熱するための熱風をできる限り遮らない構造であることが好ましい。

前記基板支持器具は、前記複数のコア基板用材料間に前記空隙を確保するための間隔保持部を有することが好ましい。この間隔保持部としては、基板支持器具の枠体に形成された溝部や枠体に固定されたワイヤなどのガイド部材を挙げることができる。

前記アニール工程では、前記複数のコア基板用材料を熱風乾燥装置内に配置して、熱風を吹き付けることで各コア基板用材料を加熱することが好ましく、その熱風乾燥装置内において、前記複数のコア基板用材料を熱風の方向に対して平行に配置して加熱を行うことがより好ましい。このように各コア基板用材料を配置すれば、材料間の隙間を熱風が通り抜けることができ、その際に各コア基板用材料に対して均一に熱が伝わり、絶縁基板の収縮バラツキをより低減することができる。

前記コア基板を形成する樹脂材料としては、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。コア基板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）基板、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）基板、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）基板、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。なお、前記コア基板にはその上面及び下面を貫通する複数のめっきスルーホールなどが形成されていてもよく、それら複数のめっきスルーホール内には充填材が充填されていてもよい。また、上記コア基板は、その内部に配線層を形成した基板でもよし、チップコンデンサやチップ抵抗などの電子部品を埋め込んだ基板でもよい。

前記コア基板導体層及び積層配線部導体層の形成手法は、導電性や樹脂絶縁層との密着性などを考慮して適宜選択されることができる。各導体層の材料の例としては、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金などが挙げられる。また、かかる導体層は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成されることができる。具体的にいうと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっき、無電解ニッケルめっきあるいは電解ニッケルめっきなどの手法を用いることができる。なお、スパッタやＣＶＤ等の手法により金属層を形成した後にエッチングを行うことで導体層を形成したり、導電性ペースト等の印刷により導体層を形成したりすることも可能である。

前記層間絶縁層は例えば熱硬化性を有する樹脂を用いて形成される。熱硬化性樹脂の好適例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリエステル樹脂、けい素樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）を選択することが好ましい。例えば、エポキシ樹脂としては、いわゆるＢＰ（ビスフェノール）型、ＰＮ（フェノールノボラック）型、ＣＮ（クレゾールノボラック）型のものを用いることがよい。特には、ＢＰ（ビスフェノール）型を主体とするものがよく、ＢＰＡ（ビスフェノールＡ）型やＢＰＦ（ビスフェノールＦ）型が最もよい。

以下、本発明を具体化した多層配線基板の一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は、多層配線基板の概略平面図であり、図２は、多層配線基板の断面図である。

図１に示されるように、多層配線基板１１は、平面視で矩形状を呈しており、複数（ここでは４×４個）の製品領域１００と、それら製品領域１００を包囲する枠部領域１０１とを有している。枠部領域１０１は、製品にはならないので、最終的にダイシング工程を経て切断され除去される。

図２に示されるように、多層配線基板１１を構成するコア基板１２は、ガラスエポキシからなる略矩形板状の部材（厚さ０．８ｍｍ）であり、主面としての上面１３及び下面１４を有している。コア基板１２の上面１３には第１のビルドアップ層１５（積層配線部）が形成され、コア基板１２の下面１４には第２のビルドアップ層１６（積層配線部）が形成されている。コア基板１２における製品領域１００の所定箇所には、上面１３及び下面１４を連通させるめっきスルーホール１７が多数形成されている。めっきスルーホール１７内にある空洞部には、銅フィラー入りのエポキシ樹脂からなる充填材１８が充填されている。また、コア基板１２の上面１３及び下面１４には、銅からなる導体層１９（コア基板導体層）がパターン形成されており、各導体層１９は、めっきスルーホール１７に電気的に接続されている。

コア基板１２の上面１３上に形成された第１のビルドアップ層１５は、エポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層２０，２１（層間絶縁層）と、銅からなる導体層２２，２３（積層配線部導体層）とを２層ずつ積層した構造を有している。本実施の形態において、各樹脂絶縁層２０，２１の厚さは４０μｍ程度であり、各導体層２２，２３の厚さは２０μｍ程度である。

２層めの樹脂絶縁層２１の表面上における複数箇所には、導体層２３を構成する端子パッド２３０がアレイ状に形成されている。１層めの樹脂絶縁層２０内には、複数のビア穴２５及びビア導体２６が設けられ、２層めの樹脂絶縁層２１内には、複数のビア穴２７及びビア導体２８が設けられている。これらビア導体２６，２８を介して導体層１９，２２及び端子パッド２３０が相互に電気的に接続されている。また、２層めの樹脂絶縁層２１の表面は、ソルダーレジスト２９によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト２９の所定箇所には、端子パッド２３０を露出させる開口部３０が形成されている。各端子パッド２３０は、図示しないはんだバンプを介してＩＣチップ（半導体集積回路素子）の接続端子に電気的に接続される。

コア基板１２の下面１４上に形成された第２のビルドアップ層１６は、上述した第１のビルドアップ層１５とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２のビルドアップ層１６は、エポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層３１，３２と、銅からなる導体層３３，３４とを２層ずつ積層した構造を有している。２層めの樹脂絶縁層３２の下面上における複数箇所には、導体層３４を構成するＢＧＡ用パッド３４０がアレイ状に形成されている。１層めの樹脂絶縁層３１内には、複数のビア穴２５及びビア導体２６が設けられ、２層めの樹脂絶縁層３２内には、複数のビア穴２７及びビア導体２８が設けられている。これらビア導体２６，２８を介して導体層１９，３３及びＢＧＡ用パッド３４０が相互に電気的に接続されている。また、２層めの樹脂絶縁層３２の下面は、ソルダーレジスト３６によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３６の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド３４０を露出させる開口部３７が形成されている。ＢＧＡ用パッド３４０の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ３８が配設され、各はんだバンプ３８により、多層配線基板１１は図示しないマザーボード上に実装される。

次に、上記構成の多層配線基板１１の製造手順について説明する。

まず、準備工程において、ガラスエポキシからなる絶縁基板４６の上面及び下面に銅箔４７（金属箔）を貼着してなる複数の両面銅張積層板４８（コア基板用材料）を準備する（図３参照）。

そして、アニール工程では、コア基板用材料である各両面銅張積層板４８の加熱を行う。具体的には、図４に示されるように、収納ラック５０（基板支持器具）において空隙を設けた状態で複数（例えば２４枚）の両面銅張積層板４８を縦置きにする。各両面銅張積層板４８の主面１２Ａ（材料主面）同士を対向させて平行に配置されており、各両面銅張積層板４８間の空隙は一定となっている。この状態の収納ラック５０を熱風乾燥装置５１内に配置して２００℃で２４０分間加熱する。本実施の形態の熱風乾燥装置５１では、装置上部に送風ファン５２が設けられており、加熱部５３で加熱された熱風Ｗ１が上方から下方に向けて送風されるように構成されている。

図５，図６に示されるように、収納ラック５０は、耐熱性材料（例えば、ステンレス）を用いてボックス状に形成されたフレーム（枠体）５５と、そのフレーム５５に所定ピッチで固定され、各銅張積層板４８間に空隙を確保するための複数の保持ガイド５６（間隔保持部）とを備えている。各保持ガイド５６は、例えば、直径２ｍｍ程度のステンレス製のワイヤを用いて形成され、フレーム５５の対向する側部となる位置において両面銅張積層板４８の挿入方向（本実施の形態では上下方向）に沿って設けられている。そして、近接する２本の保持ガイド５６の隙間に両面銅張積層板４８の縁部（枠部領域１０１）が挿入され保持される。

アニール工程を行った後、収納ラック５０から取り出した両面銅張積層板４８に対してＹＡＧレーザまたは炭酸ガスレーザを用いてレーザ孔あけ加工を行い、両面銅張積層板４８を貫通する貫通孔を所定位置に形成する。そして、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことでめっきスルーホール１７を形成した後、そのめっきスルーホール１７内に充填材１８を充填し熱硬化させる。

その後、コア基板導体層形成工程において、基板両面の銅箔４７のエッチングを行うことでコア基板１２上に導体層１９をパターニングする。具体的には、無電解銅めっきの後、基板表面に露光用ガラスマスクを配置して露光を行い、さらに現像を行って所定パターンのめっきレジストを形成する。この状態で無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施した後、まずレジストを溶解除去して、さらに不要な無電解銅めっき層をエッチングで除去する。その結果、コア基板１２の表面に所定パターンの導体層１９が形成される（図７参照）。

絶縁層形成工程において、コア基板１２の上面１３及び下面１４に、それぞれエポキシ樹脂を主成分とするフィルム状絶縁樹脂材料を重ね合わせるようにして配置する。そして、このような積層物を真空圧着熱プレス機（図示しない）で真空下にて加圧加熱することにより、フィルム状絶縁樹脂材料を硬化させて上面１３及び下面１４に１層めの樹脂絶縁層２０，３１を各々形成する（図８参照）。

その樹脂絶縁層２０，３１の所定の位置にレーザを照射することによりビア穴２５を形成する（図９参照）。そして、無電解銅めっきを行うことにより、ビア穴２５内にビア導体２６を形成するとともに、樹脂絶縁層２０の上面全体に無電解銅めっき層を形成する。その後、露光及び現像を行って所定パターンのめっきレジストを形成する。そして、電解銅めっきを施した後、まずレジストを溶解除去して、さらに不要な無電解銅めっき層をエッチングで除去する。その結果、樹脂絶縁層２０，３１上に所定パターンの導体層２２，３３が形成される（図１０参照）。

次いで、上記１層めの樹脂絶縁層２０，３１の場合と同様に、絶縁層形成工程を行うことにより、２層めの樹脂絶縁層２１，３２を形成する。さらに、樹脂絶縁層２１，３２の所定の位置にレーザを照射することでビア穴２７を形成する（図１１参照）。そして、無電解銅めっきを行うことにより、ビア穴２７内にビア導体２８を形成するとともに、樹脂絶縁層２１，３２の上面全体に無電解銅めっき層を形成する。その後、露光及び現像を行って所定パターンのめっきレジストを形成して、電解銅めっきを施す。そして、レジストを溶解除去して、さらに不要な無電解銅めっき層をエッチングで除去する。その結果、樹脂絶縁層２１上には、複数の端子パッド２３０が形成されるとともに、樹脂絶縁層３２上には、複数のＢＧＡ用パッド３４０が形成される（図１２参照）。

ソルダーレジスト形成工程では、コア基板１２の上面及び下面の表面上に感光性液状樹脂材料を塗布して硬化させることによりソルダーレジスト２９，３６を形成する（図１３参照）。なお、本実施の形態では、ハロゲンフリータイプの感光性液状ソルダーレジスト（例えば、日立化成工業株式会社製のＳＲ−７２００）が用いられる。

次ぐ、穴あけ工程では、ソルダーレジスト２９の表面に露光用ガラスマスク５８を重ね合わせるように配置する（図１４参照）。その状態で、露光用ガラスマスク５８を介して露光を行い、さらに現像を行うことで、ソルダーレジスト２９に開口部３０をパターニングする（図１５参照）。

また、コア基板１２の下面側のソルダーレジスト３６についても、同様に、ソルダーレジスト３６の表面に露光用ガラスマスク５８を配置して、露光及び現像を行い、ソルダーレジスト３６に開口部３７をパターニングする（図１５参照）。

そして、各開口部３０から露出した端子パッド２３０や各開口部３７から露出したＢＧＡ用パッド３４０に対して表面粗化処理及びニッケル−金めっきの処理を行う。その後、周知の手法によりはんだバンプ形成工程を行い、ＢＧＡ用パッド３４０の表面上にはんだバンプ３８を形成する（図２参照）。具体的には、ソルダーレジスト３６上に、所定パターンのマスクを載置し、ＢＧＡ用パッド３４０上にはんだペーストを印刷した後、そのはんだペーストをリフローする。その後、大判状態で一体化されている中間製品を、ダイシングブレード等の切断具を用いて個片に切り離すことにより、多層配線基板が完成する。

本実施の形態における製造方法の効果を確認するため、上述したアニール工程において、収納ラック５０に縦置きで収納された各銅張積層板４８の複数の位置（図１６に示す測定点）に温度センサを配置し、各測定点での温度を測定した。その結果を図１７に示す。ここで、熱風乾燥装置５１の設定条件としては、温度が２００℃であり、時間が２４０分である。なお、図１７には、測定される温度が最も高い測定点（Ｍａｘ）と最も低い測定点（Ｍｉｎ）と平均温度の測定点（Ａｖｅ）とについて、各測定点での最高温度（Ｍａｘ．ｔｅｍｐ）及びガラス転移点Ｔｇ（例えば、１８０℃）よりも高い温度で保持されている保持時間（Ｋｅｅｐ ｔｉｍｅ）を一覧表として示している。また、その一覧表には、測定点（Ｍａｘ）と測定点（Ｍｉｎ）とで測定される最高温度及び保持時間のバラツキＲ（誤差）も示している。

また、本願発明者は、従来技術のように複数の銅張積層板４８を横置きで配置し、上記と同じ条件（２００℃、２４０分）で加熱した場合における複数の位置（図１８及び図１９参照）での温度を測定した。なお、図１８の場合（比較例１）では、熱風乾燥装置５１内に、５０枚の銅張積層板４８を平積みにしたものを１セットとして、それを３段分（３セット分）配置している。また、図１９の場合（比較例２）では、熱風乾燥装置５１内に、５０枚の銅張積層板４８を平積み（１セット分）にして配置している。図２０には比較例１の場合の測定結果を示し、図２１には比較例２の場合の測定結果を示している。

図２０及び図２１に示されるように、比較例１，２の場合、各測定点での温度は異なり、各銅張積層板４８に対して均一に熱が伝わっていない。また、ガラス転移点Ｔｇ以上の保持時間（Ｋｅｅｐ ｔｉｍｅ）も各測定点でバラツキＲが生じている。

これに対して、図１７に示されるように、本実施の形態の場合では、各測定点における温度はほぼ同じであり、各銅張積層板４８に対して均一に熱が伝わっていることが確認された。また、ガラス転移点Ｔｇ以上の保持時間（Ｋｅｅｐ ｔｉｍｅ）は、比較例１，２の場合よりもバラツキＲが小さく、かつ十分に長い時間が確保されている。

さらに、本願発明者は、本実施の形態の製造方法における基板の収縮バラツキを確認した。具体的な確認方法としては、図２２に示されるように、準備工程で用意した両面銅張積層板４８において、枠部領域１０１となる四隅に対応する位置にガイドホール６０を形成しておき、ソルダーレジスト２９，３６の露光を行う穴あけ工程までの各製造工程で各ガイドホール６０の間隔をパネルピッチＰとして測定する。そして、ガイドホール６０の形成時点（アニール工程前）でのパネルピッチＰを基準として、アニール工程後の各製造工程におけるパネルピッチＰの誤差ΔＰを測定した。図２３にはその結果を示している。なおここでは、銅張積層板４８における絶縁基板４６の材質や銅箔４７の厚さを変更した３つのサンプル１〜３について、パネルピッチＰの誤差ΔＰを測定している。さらに、各サンプル１〜３について、銅張積層板４８を平積みにして加熱を行った場合（図１８参照）のパネルピッチＰの誤差ΔＰも測定し、その測定結果を比較例として図２３の左側に示している。図２３に示されるように、本実施の形態の製造方法では、比較例の場合と比べて、標準偏差Ｓｔｄの値が小さく、パネルピッチＰのバラツキが小さくなることが確認された。

さらに、本願発明者は、ソルダーレジスト２９，３６の下層にある導体層２３，３４（端子パッド２３０，ＢＧＡ用パッド３４０）に対するソルダーレジスト２９，３６の開口部３０，３７の位置精度を測定した。その結果を図２４に示している。なおここでも、銅張積層板４８における絶縁基板４６の材質や銅箔４７の厚さを変更した３つのサンプル１〜３について位置精度を測定している。また、銅張積層板４８を平積みにして加熱を行った場合（図１８参照）の位置精度も比較例として図２４の左側に示している。図２４に示されるように、本実施の形態の製造方法では、比較例の場合と比べて、開口部３０，３７の位置ズレが小さく、各開口部３０，３７が精度よく形成されることが確認された。

従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施の形態における多層配線基板１１の製造方法では、アニール工程において、収納ラック５０を用いることにより、複数のコア基板用材料間に空隙を設けた状態で複数の銅張積層板４８を縦置きに配置することができ、その状態で各銅張積層板４８を加熱することができる。このように、各銅張積層板４８の間に隙間を設けることで、熱風乾燥装置５１において各銅張積層板４８の全体に熱風Ｗ１が吹き付けられ、それら銅張積層板４８に対して均一に熱が伝わる。これにより、絶縁基板４６の収縮バラツキを低減することができる。また、各銅張積層板４８が空隙を設けた状態で縦置きに配置されているので、横置きにして空隙を設けた場合とは異なり、絶縁基板４６が撓むといったことを防止することができる。従って、銅張積層板４８の銅箔４７をパターニングする際に、そのパターンの位置合わせを精度良く行うことができる。また、アニール工程以降の各工程における基板の収縮バラツキを抑えることができるので、ビルドアップ層１５，１６の導体層２２，２３，３３，３４やソルダーレジスト２９，３６の開口部３０，３７の形成工程において、下層の配線パターンに対して露光用ガラスマスク５８等を正確に配置することができ、配線パターンの微細化が可能となる。

（２）本実施の形態の場合、アニール工程において、複数の銅張積層板４８が樹脂材料のガラス転移点Ｔｇ以上の温度で２４０分以上加熱されるので、銅張積層板４８の内部応力を確実に開放することができる。

（３）本実施の形態の収納ラック５０は、ガラス転移点Ｔｇ以上の温度に耐えうる耐熱性材料（具体的には、ステンレス）からなるので、銅張積層板４８のアニールを確実に行うことができる。また、収納ラック５０は、ボックス状のフレーム５５からなり、熱風Ｗ１を遮らない構造であるので、各銅張積層板４８を確実に加熱することができる。

（４）本実施の形態の収納ラック５０には、各銅張積層板４８の空隙を確保するために複数の保持ガイド５６（間隔保持部）が設けられている。この保持ガイド５６は、ステンレス製のワイヤを用いて形成されており、熱風Ｗ１の送風方向である上下方向に沿って設けられている。そして、近接する２本の保持ガイド５６の隙間に両面銅張積層板４８の縁部（枠部領域１０１）を挿入することで各銅張積層板４８を縦置きで保持することができる。このようにすれば、保持ガイド５６によって熱風Ｗ１が遮られることを防止することができ、各銅張積層板４８の製品領域１００に対して確実に熱風Ｗ１を当てることができる。

（５）本実施の形態の熱風乾燥装置５１では、その上部に送風ファン５２が設けられており、加熱部５３で加熱された熱風Ｗ１が上方から下方に向けて送風されるように構成されている。この場合、収納ラック５０を用いて縦置きに配置された各銅張積層板４８に対して平行に熱風Ｗ１を送風することができる。従って、各銅張積層板４８間の隙間を熱風Ｗ１が通り抜けることができ、その際に各銅張積層板４８に対して均一に熱が伝わり、絶縁基板４６の収縮バラツキをより低減することができる。

なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。

・上記実施の形態の熱風乾燥装置５１では、その上部に送風ファン５２を設け、上方から下方に熱風Ｗ１を送風するものであったが、図２５に示されるように、装置側面に送風ファンを設け、横方向（水平方向）に熱風Ｗ１を送風するよう構成してもよい。なおこの場合、各銅張積層板４８が熱風Ｗ１の方向と平行となるよう収納ラック５０を配置して加熱を行うようにする。つまり、空隙を確保できるのであれば各銅張積層板４８を横置きにしてアニール工程を行ってもよい。

・上記実施の形態の収納ラック５０では、両面銅張積層板４８の間隔保持部として、ワイヤからなる保持ガイド５６を有するものであったが、これに限定されるものではない。具体的には、フレーム５５の一部に、基板縁部が挿入可能な凹部（例えば、位置決め溝）を等間隔に形成し、それら凹部を間隔保持部として用いてもよい。さらに、フレーム５５の一部に、基板縁部を挟み込むための複数の凸部（例えば、固定用の小片突起）を設け、それら凸部を間隔保持部として用いてもよい。

・上記実施の形態では、多層配線基板１１のパッケージ形態はＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）であるが、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等であってもよい。
・上記実施の形態では、各銅張積層板４８を９０度起立させた状態の縦置きにしてアニール工程を行ったが、これに限定されることはなく、例えば図２６に示す別の実施形態のようにしてもよい。即ち、同図においては、収納ラック５０Ｂに複数のコア基板用材料が斜め置きにして保持されている。
・上記実施の形態では、各銅張積層板４８を収納ラックに支持させていたが、これに代えて、例えば、図２７に示すような吊下器具５０Ａを用いて各銅張積層板４８を吊り下げて保持してもよい。その場合、各銅張積層板４８は保持ガイド５８（間隔保持部）により一定の間隔に保持されることがよい。

次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）コア基板導体層を有するコア基板上に、積層配線部導体層及び層間絶縁層を積層してなる積層配線部を配置した多層配線基板の製造方法であって、樹脂材料を含んで構成された絶縁基板の主面上に金属箔を貼着してなる複数のコア基板用材料を準備する準備工程と、前記複数のコア基板用材料間に空隙を設けた状態で前記複数のコア基板用材料を縦置きにして加熱を行うアニール工程と、アニール工程後に前記金属箔をパターニングして前記コア基板導体層を形成するコア基板導体層形成工程とを含み、前記アニール工程では、前記複数のコア基板用材料を前記樹脂材料のガラス転移点以上の温度に２４０分以上加熱することを特徴とする多層配線基板の製造方法。

（２）上記（１）において、前記アニール工程では、前記複数のコア基板用材料を熱風乾燥装置内に配置して加熱を行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法。

本発明を具体化した一実施の形態の多層配線基板を示す概略平面図。 本発明を具体化した一実施の形態の多層配線基板を示す要部断面図。 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。 熱風乾燥装置を示す正面図。 収納ラック（横置き状態）を示す正面図。 収納ラック（横置き状態）を示す側面図。 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。 一実施の形態において縦置きに配置した各銅張積層板での温度の測定点を示す説明図。 一実施の形態における各測定点での温度変化を示す説明図。 比較例１において横置きに配置した各銅張積層板での温度の測定点を示す説明図。 比較例２において横置きに配置した各銅張積層板での温度の測定点を示す説明図。 比較例１における各測定点での温度変化を示す説明図。 比較例２における各測定点での温度変化を示す説明図。 ガイドホール及びパネルピッチを示す平面図。 基板の収縮バラツキを示す説明図。 ソルダーレジストの開口部の位置精度を示す説明図。 別の実施形態の収納ラック（横置き状態）を示す正面図。 別の実施形態の収納ラック（斜め置き状態）を示す正面図。 別の実施形態の吊下器具（吊り下げ状態）を示す正面図。

符号の説明

１１…多層配線基板
１２…コア基板
１５，１６…積層配線部としてのビルドアップ層
１９…コア基板導体層としての導体層
２０，２１，３１，３２…層間絶縁層としての樹脂絶縁層
２２，２３，３３，３４…積層配線部導体層としての導体層
４６…絶縁基板
４７…金属箔としての銅箔
４８…コア基板用材料としての両面銅張積層板
５０，５０Ｂ…基板支持器具としての収納ラック
５０Ａ…基板支持器具としての吊下器具
５１…熱風乾燥装置
５６，５８…間隔保持部としての保持ガイド

Claims (9)

1. コア基板導体層を有するコア基板上に、積層配線部導体層及び層間絶縁層を積層してなる積層配線部を配置した多層配線基板の製造方法であって、
   樹脂材料を含んで構成された絶縁基板の主面上に金属箔を貼着してなる複数のコア基板用材料を準備する準備工程と、
   前記複数のコア基板用材料間に空隙を設けた状態で前記複数のコア基板用材料の加熱を行うアニール工程と、
   アニール工程後に前記金属箔をパターニングして前記コア基板導体層を形成するコア基板導体層形成工程と
   を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
2. 前記アニール工程では、前記複数のコア基板用材料を立てた状態にすることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
3. 前記アニール工程では、前記複数のコア基板用材料を縦置きにすることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
4. 前記アニール工程では、前記複数のコア基板用材料の材料主面同士を対向させて平行に配置することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
5. 前記アニール工程では、前記複数のコア基板用材料の材料主面同士を対向させて平行に配置するとともに、前記空隙を一定にすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
6. 前記アニール工程では、前記複数のコア基板用材料を前記樹脂材料のガラス転移点以上の温度に加熱することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
7. 前記アニール工程では、前記樹脂材料のガラス転移点以上の温度に耐えうる耐熱性材料からなり、前記複数のコア基板用材料を縦置きで支持する基板支持器具を用いて加熱を行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
8. 前記基板支持器具は、前記複数のコア基板用材料間に前記空隙を確保するための間隔保持部を有することを特徴とする請求項７に記載の多層配線基板の製造方法。
9. 前記アニール工程では、前記複数のコア基板用材料を熱風の方向に対して平行に配置して加熱を行うことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。