JPS5984540A

JPS5984540A - 熱処理装置

Info

Publication number: JPS5984540A
Application number: JP19559182A
Authority: JP
Inventors: Toshiro Kato; 敏郎加藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1982-11-08
Filing date: 1982-11-08
Publication date: 1984-05-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】肢業上の利用分野本発明は熱処理装置の改良に係わる。

１！県技術とその問題点半導体素子の製造工程に於いては、熱拡散処理、ＣＶＤ
（化学気相成長）処理あるいはアニール処理など新曲横
形加熱炉を用いた処理工程があシ、これらの処理工程で
は半導体ウェーハをカセットから取シ出し、一定間隔を
もって配列した状態で加熱炉（移送し、処理終了後に再
び元のカセットに戻すという一連の作業工程の自動化が
望まれている。従来の装置を用いた場合の斯種の作業手
順は、′（１）カセットからビンセットで半導体ウェー
ハを取り出す、（ｉｉ）このウェーハをピンセットで所
定ピッチをもってピーシに並べる、軸）該テートを？−
ト受は台に乗せる、（１■）該ビート受は台を手に持っ
て炉芯管内にデー”トを移す、（いボートにボート挿入
棒を引っかけてボートローダを作動させ、炉芯管の中心
部にボートを挿入する、（■１）ボートの挿入で炉芯管
内部の温度が下るので回復を待ってガスを注入し、拡散
又はＣＶＤなどの処理を行う、（ｖｉａ）処理が終了し
た後は上記と逆の順序で（）〜（１）の作業を行って処
理されたウェーハを元の同じカセットに収納する、とい
うものである。

このような作業手順のうち、（いのボートローダ作業か
ら（ｖｌ）の炉内本処理までが自動化されているだけで
、他の作業は全て手作業にたよっている。

そこで、先に本出願人は半導体素子の製造において、そ
の横形加熱炉を用いた処Ｊ！ｆｊ工程の全自動化をＤＪ
能ならしめるようにした半導体製造装置を提案した。

以下に、図面を参照して、かがる半導体製造装置を説明
しよう。

第１図はこの半導体製造装置の全体を示すものである。

この半轡体製造、１！：置は、複数の被処理物即ち半導
体ウェーハを収納した収納器（カセット）からウェーハ
を取り出し、これを一定間隔をもって配列支持して指定
の加熱炉に挿入してＨ１定の処理（拡散、Ｃｖ１〕、又
はアニールなどの処理）を行い、処理後のウェーハ勿再
び元のカセットに収納するという一連の作業をコンピュ
ータ制御によって自動的に行うように構成されるもので
、図示の如く、上記全ての作業工程をマイクロコンぎユ
ータによって自動制御する制御操作部（１）と、６１数
の半導体ウェーハ（３）を収納し、夫々コード番号を付
された複数（本例では１２個）の収納器即ちカセツ）　
（２）　Ｃ（２Ａ）　、　（２Ｂ）・・・・・・・・・
（２Ｌ）　）と、例えば垂直方向に配列された３つの加
熱炉（４Ａ）　、　（４Ｂ）　、　（４Ｃ）を備えた処
理装置（４）と、ウェーハ（３）をカセット（２）と処
理装置（４）との間で移送する移送装置（５）とを有し
て成る。各カセット（２）は相対向する一力の側面が開
放されたような１凸型をなし、夫々に例えば１０ット分
２５枚の半導体ウェーハ（３）が高さ方向に所定ピッチ
（例えば４．７６　ｍピッチ）をもって積層状に収納さ
れる。この複数のカセット（２）は第２図に示すように
２列に配列されると共に、矢印ａｔｂｔＣ及びｄ方向に
沿って１力セツト分づつ間欠的に且つ循環的に移送する
ようになされ、各カセット（２）に伺されたコード番号
が位置Ｓｏに来たときにホトセンサ（Ｄ）に夷って認識
され、選択される。このため各カセット（２）の横には
マイクロコンピュータが確認できるような例えば４つの
穴（１０）を設け、之に対応して反射型発光ダイオード
（Ｄｌ）　、　（Ｄ２）　。

（Ｄａ　）　−（Ｄ４　）からなるホトセンサ（Ｄ）に
よって反射する所と反射しない所とを読み分け、４ビツ
ト１６進の信号を作り出しカセットのコード番号をデジ
タル化する。反射する所は金属の表面そのままとし、反
射しないハ［は発光ダイオードの赤外線光が反射しない
黒いラバーが貼着される。カセット（２）を循環的に移
送する機構（６）は、カセット（２）の２つの列の下方
に夫々配される各カセット（２）間に対応する位置に爪
（７）を一体に崩した１対の送シ爪部ｋＡ’　（８Ａ）
　（８１３）と、列の両端に対応して設けられた１対の
アース、　（９Ａ）　（９１３）とから構成される。こ
の場合には、送東爪部材（８Ａ）がシリンダー（ＣＴ２
）によシ上昇した冬瓜（７）がカセット間に挿入された
後シリンダー（ＣＹＩ　）で矢印ａ方向に１力セツト分
移動されることによって一力の列のカ七ッ）　（２Ａ）
〜（２Ｆ）が冬瓜（７）に押されて１力セツト分だけ移
送され、カセツ）　（２Ａ）が位置Ｓｏに持来される。

次にシリンダー（ＣＹｓ　）によるアーム（９Ａ）の矢
印す方向の移動で位置Ｓｏのカセット（２Ａ）が他の列
側に移送され、又シリンダー（ＣＹｇ）によるアーム（
９Ｂ）の矢印ｄ方向の移動でカセッ）　（２Ｇ）が−力
の列側に移送される。続いて送り爪部材（８Ｂ）がシリ
ンダー（ＣＹａ）により上昇し且つシリンダー（ＣＴ４
）で矢印Ｃ方向に移動されることによって上記と同様に
他方の列のカ七ツ）　（２Ａ）　、　（２Ｌ）・・・・
・・・・・（２Ｈ）が１力セツト分だけ移送され、この
ようにして各カセット（２）は循環移送される。

一方、移送装置（５）は第３図に示す如くホトセンサ（
１））によって指定されたカセット（２）内のウェーハ
（３）を一旦カセット（２）と同一ピッチをもって移し
替えるピッチ変換用小ケース（１２と、この小ケース（
１２１からウエーノ・（３）を１枚づつエアーベアリン
グ０３）で移送し予め設定された所定ピッチをもって順
次に配列するピッチ変換用大ケース（１４）が設けられ
る。

小ケース（＋２１は位置Ｓｏに持来されたカセット（２
）と近接対向する位置に在り、エアーベアリング（Ｉ□
□□を跨いでパルスモータＭ１を含む上下移動手段（１
５）を介して１ピツチづつ垂直方向に上下移動可能に配
される。なお、位置Ｓｏにおいて指定されたカセット（
２）と小ケース（１２１間でのウエーノ・（３）の移し
替えを行うために、カセット（２）と小ケース＜ｌａ間
に渡る上方には第２図で示すようにシリンダー（ＣＹ７
　）で上下動する支持体（１７）と、この支持体０７）
に保持され夫々シリンダー（ＣＹ’５）及び（ＣＹａ　
）にて互に逆方向に駆動するアーム（１６Ａ）及び（１
６Ｂ）からなる移し替え機構４３０１が設けられる。こ
の移し替え機構ＣＩ）において、世１えはカセット（２
）から小ケース（１２１にウェーハ（３）を移すときは
シリンダー（ＣＹ７）により支持体（１７）が下げられ
て後シリンダー（ＣＹ５）が作動してアーム（１６Ａ）
が矢印Ｈ方向に動き、このアーム（１６Ａ）によってカ
セット（２）内の２５枚のウェーハ（３）が一度に小ケ
ースｔｔａ内に、移し替えられる。小ケースｆ１３から
カセット（２）ヘウェーハ（３）を移すときはシリンダ
ー（ＣＹｓ）によりアーム（１６Ｂ）を矢印Ｙ方向に動
がして行われる。

ピッチ変換用大ケース０４）は、小ケースｕＪと対向す
るようにエアーベアリング峙の他端にこれを跨ぎ・母ル
スモータＭ２を含む上下移動手段（至）を介してｌピッ
チづつ垂直方向に上下移動可能に設けられると共に、上
り切ったところでモータＭ３によシ水平に倒れるよう構
成される。この場合、大ケース（１４）はウエーノ・（
３）が収容されるピッチか例えば４．０咽ピツチとなさ
れ、４．０ｍｍピッチとしたときには１００枚（４力セ
ツト分）のウエーノ・（３）が、８．０ｎｖｎピツチと
したときには５０枚（２力セツト分）のウエーノ・（３
）が、１２．０ｍｍピッチとしたときには２５枚（１力
セツト分）のウェーハ（３）が夫々収容される。小ケー
ス（１２１から大オース０ａへのウェー−（３）の移送
は、ウェーハ（３）が収納された小ケース（１乃を１ピ
ツチづつ降下させ核層されたウエーノ５（３）を下から
順次エアーベアリング（１■に沿って大ケース（１４）
側に送り、大ケース（１４）では小ケース（１２の降下
と同期して１ピツチづつ上昇させ上方から順次＼ウエー
ノ（３）を収容するように行われる。大ケース（１４）
から小ケースα４へ。

のウェーハ（３）の移送は上記と逆に小ケース（１りを
下から１ピツチづつ上昇させ、大ケースｔｔａを上から
１ピツチづつ降下させて行われる。ウエーノ５（３）が
大ケース（１４Ｊに移し終えた状態では各ウエーノｆ３
）のファセツ＋−０υ（位置合せ用にウエーノ・の一部
を水平に切断した部分）が揃っていない。従って、各ウ
ェーハ（３）のファセット０１）を共に揃える手段（１
８１が大ケース（１４）の下部に設けられる。この手段
（１８１は例えば収容された全ウェーハ（３）の周側に
共通しで転接しモータ〜１４にて回転される棒状回転体
（１にて構成され、この棒状回転体（至）によって各ウ
ェーハ（３）が回転されたときウェーハ（３）のファセ
ッ）（３υの部分で棒状回転体（至）を離れ、ウェーハ
（３）の回転が停止されることによって各ウェーハ（３
）のファセット６υが揃えられる。又、大ケースＩの下
部には、大ケース（１４）に収容された全ウェーハ（３
）を大ケースα荀よシ上刃に持上げるためのウェーハリ
フ）（１’Ｊが配される。（ＣＹｌｏ、）はウェーハリ
フト（ＩＩを上下動するためのシリンダーである。

さらに、移送秒置（５）においては、第４図に示すよう
に大ケース（］４）に収容されたウェーハ（３）を一括
して保持し、指定の加熱炉（４）　［（４Ａ）　、　（
４Ｂ）、又ｕ　（４Ｃ）　）のテート端上に移すウエー
ハチャツクシυ、　　が設置される。このチャック１２
Ｄは、パルスモータＭ６を宮む縦直移動手段（例えば送
シネジ機構等）（匈を介して垂直力向に移動可能に配さ
れると共に、モータＭ５を含む水平移動手段０９を介し
て水平方向に移動可能に配される。（ＣＹＩＩ）はチャ
ック（２１）の開閉を行うだめのシリンダーである。又
、３つの加熱炉（４Ａ）　、　（４１３）　、　（４Ｃ
）を備えた処理装置（４）においては、夫々加熱炉（４
Ａ）　、　（４Ｂ）　、　（４Ｃ）に対応して＆　　）
（２（１）が設けられ、この＋１−”−Ｈυは夫々のデ
ートローダアーム（３６Ａ）　、　（３６１３）　、　
（３６Ｃ）が連結され？−トローダ（３７Ａ）　、　（
３７Ｂ）　、　（３７ｃ）によって炉に対して出入され
る。尚、各加熱炉（４Ａ）　。

（４Ｂ）　、　（４Ｃ）の外の入口近傍には夫々ぎ一ト
（２Ｉを受ける受台ｔａ（８）が設けられ、ｚ　−ト＋
２０）が炉内に挿入された時点では夫々対応するシリン
ダー（ＣＹ１２）　＋（ＣＹ１３）　、　（ＣＹ１４）
により横に移動され待機状態となされる。

次に、かかる構成の動作を説明する。

夫々例えば１０ット分２５枚の半導体ウエーノ・（３）
を収納した複数、本例では１２個のカセット（２）が第
１図で示されるようにＦｊｒ定位置に送られると、以後
コンピュータ制御され、先づ１２個のカセット（２）が
カセット移送機構（６）によって１力セツト分づつ順次
間欠的に且つ循環的に移送される。１番目のカ七ツ）　
（２Ａ）が位置Ｓｏに移送されるとホトセンサ（Ｊ〕）
によってカセッ）　（２Ａ）のコード番号が確認され、
とのカセッ）　（２Ａ）が指定されたものであると、第
２図に示す如くシリンダー（ＣＹ７）によって支持体（
１７）が降下し、アーム（１６Ａ）かカセット（２Ａ）
の開放されだ１ｉ１１ｊ面に対向され、次にシリンダー
（ＣＹ５）によってアーム（１６Ａ）がカセット（２Ｎ
）内を通過する如く矢印Ｈ方向に移動されることによっ
てカセツ）　（２Ａ、）内の２５枚のウェーハ（３）が
全てピッチ変換用小ケース（［２）内に移し替えられる
。次にエアーベアリング（１３）が作’ｍｂ　Ｌ　、エ
アーベアリング（１３）と対向する最下層のウェーハ（
３）がエアーベアリング（１３）上を移送し、ピッチ変
換用大ケース（１４）の最上↑＜ｌＳに収・容され、以
後１１１ｔ＋次小ケースαつが１ピツチづつ＋ｈｃ−下
して下方より１枚づつウェーハ（３）がエアーベアリン
グ（＋３１を通じて１ピツチづつ上昇する大ケース（１
嚇内に例えば４ｗｎビジチで収容される。

（なお、大ケース圓に収納するピッチは予めその大ケー
ス０４）に間欠的に上昇するピッチを指定することによ
って４間ピッチ、８ｍピッチ、１２１１１＋＋＋ピッチ
等自由に選択できる。）１力セツト分のウェーハ（３）
の収容が終ると、次に同様にして第２、第３、第４のカ
セット（２Ｂ）　、　（２Ｃ）　、　（２ＪＪ）のウェ
ーハ（３）が大ケース０４の次の段から入シ、第５図に
示す如く、４つのカセット（２人）〜（２１））の計１
．００枚のウェーハ（３）が大ケース（１４）に収容さ
れる。大ケース０４）に指定されたカセット（２）のウ
ェーハ（３）が全て収容されると、次に大ケース０４）
はモータＭ３の駆動で第３図の鎖線で示す如く水平に倒
れる。続いて、モータＭ４によって棒状回転体Ｃ’Ｌ３
）が回転し、各ウェーハ（３）のファセット（３υが揃
えられて後、シリンダー（ＣＹｌｏ）によりウェーハリ
フトθ翅が」二昇し、大ケース（１４）内の全ウェーハ
（３）がＲ上げられる。次に、第４図の位置８３４に待
機していたウェーハチャックＱわが垂直移送手段ｃ３４
）により位置８３１　寸で降下しシリンダー（ＣＹＩ　
ｔ　）をしてリフトα１上の全ウェーハ（３）をつかみ
上げて後、指定の加熱炉（炉芯管）、例えば第１の加熱
炉（４Ａ）の高さに対応する位置まで上昇し、その後水
平移送手段（３滲を介して矢印Ｅ方向に水平移動され、
ウェーハ（３）が指定の加熱炉（４Ａ）のｙｌ？−ト（
２０）上に載置される。このときｄ？−トシＱは受台例
上に保持されている。ウエーノ・チャック（２Ｉ）はウ
ェーハ（３）をボート（（１）上に載置した後は矢印Ｈ
方向に水平移動され、垂直力向の定位置８３４に彷帰し
て待機される。ボー）　＋２０）はウェーハ（３）が載
１ｄされた後、？−トローダアーム（３６Ａ）及びデー
トローダ（３７Ａ）を介して加熱炉（４Ａ）に挿入され
る。このようにして指定された４力セツト分づつの生酒
、体ウェーハ（３）が夫々指定の加熱炉（４Ｂ）及び（
４Ｃ）に挿入される。そして加熱炉内に於て所をの処理
（拡散、ＣＶＤ１アニール等の処理）が施される。

処理された後、各加熱炉（４Ａ）　、　（４Ｂ）　、　
（４Ｃ）からウェーハ（３）を載置したボート＋２０）
が夫々取出され、以後は仲人時の動作と全く逆のｌ１ｌ
ｌ’ｌ序で指定された元のカセット（２）に夫々のウェ
ーハ（３）が収納される。

即ち　／、１「、つ、ウェーハチャックＣ！わが動作し
て加熱炉（４Ｃ）で処理されたウェーハ（３）をつかん
でピッチｚ（４４４！、！！用大ケース（１４）内のウ
ェーハリフト（［９上に載置する。リフト（＋、！］）
はシリンダー（ＣＹＩ　ｏ　）により降下し、ウェーハ
（３）は大ケースＯａ内に収容される。ウェーハチャッ
ク（２１）は元の位置８３４に（Ｒ帰される。大ケース
（１４）はモータＭ３によりエアーベアリング（１３）
上に対向する如く起立シフ、続いてエアーベアリングα
りの動作で大ケース圓内の、ウエーノ（３）が１枚づつ
／ＪＸケース（１２１内に収納される。このとき大ケー
ス（１４）は１ピツチづつ降下し、之に対応して小ケー
スは１ピツチづつ上昇する。−力、カセット（２）側に
おいては、カセット移送機構（６）によってカセット（
２）を移送させると共にホトセンサ（１））によって各
カセット（２）のコード番号を確認し、指定のカセット
、仁の場合はカセツ）　（２Ｌ）を選択して位置ＳＯに
待機させる。１力セツト分（即ちカセツ）　（２Ｌ）に
収納される分）の２５枚のウエーノ・（３）が小ケース
（１２１に収納されると、シリンダ（ＣＹ７）が作動し
て支持体（１７）が降下し、続いてシリンダ（ＣＹ６　
）によりアーム（１６Ｂ）が矢印Ｙ方向に移動して小ケ
ース（１り内の全つエーノ・（３）が指定された元のカ
七ツ）　（２Ｌ）に収納される。同様にして、大ケース
の次の２５枚のウェーハ（３）が、カセツ）　（２Ｋ）
に収納される等して１１１１１次対応するウェーハ（３
）がカセッ）　（２Ｊ）　、　（２１）に収納される。

加熱炉（４Ｃ）のウェーハ（３）の収納が終了した後は
、−り記と同様の動作が繰返えされ、第２の加熱炉（４
Ｂ）のウェーハ（３）及び第１の加熱炉（４Ａ）のウェ
ーハ（３）か夫々対応する元のカセット（２）に収納を
れる。

上述せる半導体製造装置によれば、半導体素子の製造に
際して、その横形加熱炉を用いた拡散、Ｃｖｌ、）、ア
ニール等の処理工程の全作業、即ち半導体ウェーハをカ
セットから取出し一定間隔をもって配列した状態で加熱
炉に移送し、処理終了後に再び元の指定されたカセット
に戻すという一連の作業工程が自動的に行えるものであ
る。従って之により終夜無人稼動がＤＪ能になり、装置
の稼動率が向上すると共に、作業者の削減も計られる等
の利点がある。

とζろで、かかる半導体製造装置ｄでは、ウェーハ（３
）を載置したｙｔ？−［２Ｉを炉芯管（加熱炉）　（４
Ａ）（４１３）　、　（４Ｃ）内に出し入れする際、デ
ー）　＋２０）を炉芯管内面を滑らせていた。このため
、炉芯管内面に付着していた不純物が舞い上り、これに
よりウェーハが汚染され、歩留りの低下につながるとい
う欠点があった。

発明の目的かかる点にねみ、本発明はウエーノ・等の被処理物の配
列保持はれたボートを炉芯管等の管装置の内面に滑らせ
ることなく確実旧つ容易に出し入れすることのできる熱
処理装置を提案せんとするものである。

発明の概敬本発明による熱処理装置は、管軸が水平力向で内部に被
処理物を収容して熱処理を行なう管装置と、複数の被処
理物を配列″Ｌ保持するツ？−トと、この、＋７　　）
の一端の夫々上部及び下部に設けられた第１の保合部及
び第１の当接部から成る第１の装置を部と、操作棒と、
この操作棒の一端の夫々上部及び下部に設けられ、上記
第１の保合部及び上記第１の当接部と夫々係合及び当接
する第２の係合部及び第２の当接部から成る第２の装着
部とを有し、第１及び第２の装着部を連結した状態で操
作棒を水平及び垂直方向に移動させることによｐｇ−ト
を管装置に挿入し及びこれから脱却させるようにしたも
のである。

かかる本発明によれば、被処理物の配列保持されたテー
トを管装置の内面に滑らせることなく確実且つ容易に出
し入れすることのできる熱処理装置を得ることができる
。

実施例以下に、第６図及び組７図を参照して、本発明の一実施
例を説明する。この熱処理装置は、上述した半導体装置
に適用するものである。（４〔は水平力向に配された石
英から成る管装置、即ち炉芯管を示す。Ｉ４０は多数の
被処理物、即ちウエーノ（３）の載１角、される石英製
のが一トである。

次にこのボート４Ｉ）について油、明する。４．）４■
はウェーハ（３）を支持する支持棒で、互いに平行とな
るようにその各両端が端棒１４）　、　ｆｉ５）を介し
て連結合体されている。支持棒＋２）　ｔ　１．＋３１
にはウエーノ・（３）を位（（決め保持するノツチ（４
（９が等間隔に多数形成されている。支持棒・１力、１
・（■の両端には夫々足置が取付けられている。

４ξ−［４１）の一端側には中央に円孔（６１）を有す
る第１の端板Ｉ４ηが支持棒ＩＪ　、　、４３と直交す
るように支持棒！４２１１１４３１上に植立され、その
端板（４７）の上部には一対の腕部・１８）’、！４！
９が支持棒・１３　、　＋１３の延長方向と平行でボー
ト１４υの外側に向う如く取付けられている。

そして、この腕部１８）、・４Ｉの下面に例えばＶ字形
（Ｕ字形等も可）の溝・’、０１　、　（５１）が形成
され、これらが第１係合部とされる。端棒（角形）　＋
４４）は端板（４７）と平行で、端板（４７）の外側に
位置し、第１邑接部とされる。そして、第１保合部（：
遜、に功及び第１当接部１４４）にて第１装着部（５２
が構成される。

（５漕は石英製の操作棒（丸棒）で、その先端に石英製
の第２の端板◎ａが取付けられている。この端板（！ｉ
４）はその上端の中央に突片が形成され、その両側の端
部が第２の係合部（５Ｇ）　、　Ｃｉｎとされ、夫々第
１装着部（５湯の第１保合部・１１，６υと係合するよ
うになされている。端板（ｉ４の下側が第２当接部６秒
とされ、デー・９−状をなしている。第２の保合部ｓｏ
　、　１５７）及び第２の当接部（５印にて第２の装着
部（５ωが構成きれる。

次に、かかる熱処理装置の動作を説明しよう。

初めボー）　（４１）は炉芯管（，１１の外にあり、受
は台（図示せず）上に載ＩＷされている。、ｔ”−）（
４１）上に、上述の半導体製造装置と同様に、ウェーハ
（３）を並べる。操作棒（５■を水平力向（炉芯管（４
０の管軸方向）ａに移動させてｒＷ　　）　！４１）に
接近させる。第２の装肩部１５９）の第２の当接部（至
）が第１の装着部（５２１の第１０当接部１ａに当接し
たら、操作棒Ｑｉ■を上向きの垂直力向すに移動させて
、第２の保合部（至）、６７）を第１の保合部”’１１
　ｅ　ｃ′ｉ１）に係合させ、更に続けて操作棒（５国
を上向きの垂直力向に移動させた後、再び水平力向ａに
移動させ、ｄ？−）６１）を炉芯管Ｔ４（）内に挿入す
る（第７図参照）。この場合、＆−ト（４１）のどの部
分も炉芯管（４１の内壁に接触しないようにして移動さ
せる。ぞして１．ｔ’−）（４１）が炉芯管（４Ｑ内の
適当位置に来たら、操作棒（５３を矢印すとは逆方向に
除徐に移動させる。かくすると、ボー）　ｔ、１１）の
足が炉芯管ｔ４Ｉの内壁に着き、その後第１及び第２の
保合部・、）Ｇ　、　５υ；　（５１，ｃ）’ｆ）の保
合が解除される。しかる後、操作棒（至）を矢印ａと反
対力向に移動させ、操作棒脅を炉芯管（４１から引抜く
。その後、炉芯管０１内に於いて、ｙｌｒ−ト！４υ上
に載置場れたウェーハ（３）は例えば１１００〜１２０
０℃の程度の温度で拡散処理される。

この拡散処理が終了した後は、操作棒６３）を再び炉芯
管（４１内に挿入し、第１及び第２の装漸部り。

１！ｌ！Ｊ）を連結合体させ、操作棒０りによシテ−）
ｉ４υを炉芯管（４Ｇの外部に取出す。

上述せる本発明熱処理装置によれば、被処理物（ウェー
ハ）の配列保持されたポートを管装置（炉芯管）の内面
に滑らせることなく確実且つ容易に出し入れすることが
できる。従って、被処理物（ウェーハ）が汚染されて歩
留りが低下するのが有効に回避される。

爽に、本発明熱処理装置によれば、次のような利点があ
る。被処理物の径が管装置の内径にかなシ近い場合でも
、この熱処理装置を適用できる。

管装置とケートとの並行度を保つのが容易である。

ゲートが横ずれし難い。管装置に対するビートの挿脱が
容易且つ確実である。

発明の効果上述せる本発明熱処理装置によれば、被処理物の配列保
持された収納体を管装置の内面に滑らせることなく確実
且つ容易に出し入れすることができる。従って、被処理
物が汚染されて歩留りが低下するのが有効に回避される
。従って、本発明を冒頭に述べた半導体製造装置に適用
して頗る好適である。

史に、本発明熱処理装置によれば、次のような利点があ
る。被処理物の大きさが管装置の内径にかなシ近い場合
でも、この熱処理装置を適用で■る。管装置とテートと
の並行度を保つのが容易である。ポートが横ずれし難い
。管装置に対するポートの挿脱が容易且つ確実である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の半導体製造装置の全体を示す斜視図、４
１２図はそのカセット部分を示す路線的配置図、第３図
はそのウェーハの移送装置の狭部の路線的配置図、第４
図はその他の狭部の路線的配置図ｉ図、第５図は動作の
説明に供する図、第６図は不発明による熱処理装置の一
実施例を示す斜視図、第７図はその動作状態を示、す一
部の断面図である。（３）はウェーハ、（４Ｇは管装置（炉芯管）、（４１
）はデート、（４り、（４３は支持棒、・・１４）は第
１の当接部、（４１１９はノツチ、’４７）は第１の端
板、Ｇａｓ　、　（４鳴は腕部、へ；渇、Ｇ１）は第１
の係合部（溝）、６′！Ｊは第１の装着部、５階は操作
棒、６４）は第２の端板、（至）、６υは第２の保合部
、Ｃ逓は第２の当接部、６つは第２の装着部、霞は足で
ある。

Claims

【特許請求の範囲】

管軸が水平方向で内部に被処理物を収容して熱処理を行
なう管装置と、複数の被処理物を配列保持する１ケート
と、該テートの一端の夫々上部及び下部に設けられた第
１の保合部及び第１０当接部から成る第１の装着部と、
操作棒と、該操作棒の一端の夫々上部及び下部に設けら
れ、上記第１の保合部及び上記第１０当接部と夫々係合
及び尚接する第２の保合部及び第２０当接部から成る第
２の装着部とを崩し、上記第１及び第２の装着部を連結
した状態で上記操作棒を水平及び北直方向に移動させる
ことにより上記ビートを上記管装置に挿入し及びこれか
ら脱却させるようにしたことをｌｈ徴とする熱処理装置
。