JPS58218115A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPS58218115A JPS58218115A JP57101552A JP10155282A JPS58218115A JP S58218115 A JPS58218115 A JP S58218115A JP 57101552 A JP57101552 A JP 57101552A JP 10155282 A JP10155282 A JP 10155282A JP S58218115 A JPS58218115 A JP S58218115A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- wafer
- cassette
- wafers
- pitch
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
- F27B9/30—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
- F27B9/3077—Arrangements for treating electronic components, e.g. semiconductors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/14—Wafer cassette transporting
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は熱処理装置の改良に係わる。
半導体素子の製造工程に於いては、熱拡散処理、ＣＶＤ
（化学気相成長）処理あるいはアニール処理など所謂横
形加熱炉を用いた処理工程があυ、これらの処理工程で
は半導体ウェー７１をカセットから取シ出し、一定間隔
をもって配列した状態で加熱炉に移送し、処理終了後に
再び元のカセットに戻すという一連の作業工程の自動化
が望まれている。従来の装置を用いた場合の斯種の作業
手順は、（１）カセットか虻ピンセットで半導体ウェー
ハを取シ出す、 （ｉｉ）このウェーハをピンセットで
所定ピッチをもってボートに並べる、（ｉｉｉ）該２−
トをセード受は台に乗せる、（ｉｖ）該セード受は台を
手に持って炉芯管内にデートを移す、（Ｖ）＆−）にデ
ート挿入棒を引っかけてデートローダを作動させ、炉芯
管の中心部にセードを挿入する、（ｖｉ） ｚ −トの
挿入で炉芯管内部の混層が下るので回復を待ってガスを
注入し、拡散又はＣＶＤなどの処理を行う、（Ｖｉｉ）
処理が終了した後は上記と逆の順序で（Ｖ）〜（１）の
作業を行って処理されたウニ、−ハを元の同じカセット
に収納する、というものである。このよう々作業手順の
うち、（いの／−）ローダ作業から（■１）の炉内本処
理までが自動化されているだけで、他の作業は全て手作
業にたよっている。
（化学気相成長）処理あるいはアニール処理など所謂横
形加熱炉を用いた処理工程があυ、これらの処理工程で
は半導体ウェー７１をカセットから取シ出し、一定間隔
をもって配列した状態で加熱炉に移送し、処理終了後に
再び元のカセットに戻すという一連の作業工程の自動化
が望まれている。従来の装置を用いた場合の斯種の作業
手順は、（１）カセットか虻ピンセットで半導体ウェー
ハを取シ出す、 （ｉｉ）このウェーハをピンセットで
所定ピッチをもってボートに並べる、（ｉｉｉ）該２−
トをセード受は台に乗せる、（ｉｖ）該セード受は台を
手に持って炉芯管内にデートを移す、（Ｖ）＆−）にデ
ート挿入棒を引っかけてデートローダを作動させ、炉芯
管の中心部にセードを挿入する、（ｖｉ） ｚ −トの
挿入で炉芯管内部の混層が下るので回復を待ってガスを
注入し、拡散又はＣＶＤなどの処理を行う、（Ｖｉｉ）
処理が終了した後は上記と逆の順序で（Ｖ）〜（１）の
作業を行って処理されたウニ、−ハを元の同じカセット
に収納する、というものである。このよう々作業手順の
うち、（いの／−）ローダ作業から（■１）の炉内本処
理までが自動化されているだけで、他の作業は全て手作
業にたよっている。
そこで、先に本出願人は半導体素子の製造において、そ
の横形加熱炉を用いた処理工程の全自動化を可能ならし
めるようにした半導体製造装置を提案した。
の横形加熱炉を用いた処理工程の全自動化を可能ならし
めるようにした半導体製造装置を提案した。
以下に、図面を参照して、かかる半導体製造装置を説明
しよう。
しよう。
第１図はこの半導体製造装置の全体を示すものである。
この半導体製造装置は、複数の被処理物即ち半導体ウェ
ーハを収納した収納器（カセ、ット）からウェーハを取
シ出し、これを一定間隔をもって配列支持して指定の加
熱炉に挿入して所定の処理（拡散、ＣＶＩＪ、又はアニ
ールなどの処理）を行い、処理後のウェーハを再ｑ元の
カセットに収納するという一連の作業をコンピュータ制
御によって自動的に行うように構成されるもので、図示
の如く、上記全ての作業工程をマイクロコンピュータに
よって自動制御する制御操作部（１）と、複数の半導体
ウェー・・（３）を収納し、：夫々コード番号を付され
た複数（本例では１２個）の収納器即ちカセット（２）
Ｃ（２Ａ）、（２Ｂ）・・・・・・・・・（２Ｌ）〕
と、例えば垂直方向に配列された３つの加熱炉（４Ａ）
、（４Ｂ） 、（４０）を備えた処理装＠（４）と、ウ
ェーハ（３）をカセット（２）と処理装置（４）との間
で移送する移送装置（５）とを有して成る。各カセット
（２）は相対向する一方の側面が開放されたような箱型
をなし、夫々に例えば１０ット分２５枚の半導体ウェー
ハ（３）が高さ方向に所定ピッチ（例えば４．７６１１
１１ピツチ）をもって積層状に収納される。この複数の
カセット（２）は第２図に示すように２列に配列される
と共に、矢印ａ、ｂ、ｃ及びｄ方向に沿って１力セツト
分づつ間欠的に且つ循環的に移送するように表され、各
カセット（２）に付されたコード番号が位置Ｓｏに来た
ときにホトセンサ（ＩＪ）によって認識され、選択され
る。このため各カセット（２）の横にはマイクロコンピ
ュータが確認できるような例えば４つの穴ａ〔を設け、
之に対応１尤て反射型発光ダイオード（Ｄｌ）、（Ｄ２
）、（Ｄａ） 、゛（Ｄ４）から々るホトセンサ（Ｄ）
によ：：１ って反射する所と反射しない所とを読み分け、４ピツト
１６進の信号を作シ出し力９セットのコード番号をデジ
タル化する。反射する所は金属の表面そのままとし、反
射しない所は発光ダイオードの赤外線光が・反射しない
黒いラノ々−が貼着される。
ーハを収納した収納器（カセ、ット）からウェーハを取
シ出し、これを一定間隔をもって配列支持して指定の加
熱炉に挿入して所定の処理（拡散、ＣＶＩＪ、又はアニ
ールなどの処理）を行い、処理後のウェーハを再ｑ元の
カセットに収納するという一連の作業をコンピュータ制
御によって自動的に行うように構成されるもので、図示
の如く、上記全ての作業工程をマイクロコンピュータに
よって自動制御する制御操作部（１）と、複数の半導体
ウェー・・（３）を収納し、：夫々コード番号を付され
た複数（本例では１２個）の収納器即ちカセット（２）
Ｃ（２Ａ）、（２Ｂ）・・・・・・・・・（２Ｌ）〕
と、例えば垂直方向に配列された３つの加熱炉（４Ａ）
、（４Ｂ） 、（４０）を備えた処理装＠（４）と、ウ
ェーハ（３）をカセット（２）と処理装置（４）との間
で移送する移送装置（５）とを有して成る。各カセット
（２）は相対向する一方の側面が開放されたような箱型
をなし、夫々に例えば１０ット分２５枚の半導体ウェー
ハ（３）が高さ方向に所定ピッチ（例えば４．７６１１
１１ピツチ）をもって積層状に収納される。この複数の
カセット（２）は第２図に示すように２列に配列される
と共に、矢印ａ、ｂ、ｃ及びｄ方向に沿って１力セツト
分づつ間欠的に且つ循環的に移送するように表され、各
カセット（２）に付されたコード番号が位置Ｓｏに来た
ときにホトセンサ（ＩＪ）によって認識され、選択され
る。このため各カセット（２）の横にはマイクロコンピ
ュータが確認できるような例えば４つの穴ａ〔を設け、
之に対応１尤て反射型発光ダイオード（Ｄｌ）、（Ｄ２
）、（Ｄａ） 、゛（Ｄ４）から々るホトセンサ（Ｄ）
によ：：１ って反射する所と反射しない所とを読み分け、４ピツト
１６進の信号を作シ出し力９セットのコード番号をデジ
タル化する。反射する所は金属の表面そのままとし、反
射しない所は発光ダイオードの赤外線光が・反射しない
黒いラノ々−が貼着される。
カセット（２）を循環的に移送する機構（６）は、カセ
ット（２）の２つの列の下方に夫々配される各カセット
（２）間に対応する位置に爪（７）を一体に有した１対
の送り爪部材（８Ａ） （８Ｂ）と、列の両端に対応し
て設けられた１対のアーム（９Ａ） （９Ｂ）とから構
される。
ット（２）の２つの列の下方に夫々配される各カセット
（２）間に対応する位置に爪（７）を一体に有した１対
の送り爪部材（８Ａ） （８Ｂ）と、列の両端に対応し
て設けられた１対のアーム（９Ａ） （９Ｂ）とから構
される。
この場合には、送り爪部材（８Ａ）がシリンダー（ＣＹ
２）により上昇した冬瓜（７）がカセット間に挿入され
て後シリンダー（ＣＹＩ’）で矢印ａ方向に１力セツト
分移動されることによって一方の列のカ七ツ） （２Ａ
）〜（２Ｆ）が冬瓜（７）に押されて１力セツト分だけ
移送され、カセツ）（２Ａ）が位ｆｉｌｔ８ｏに持来さ
れる。次にシリンダー（ＣＹｓ）によるアーム（９Ａ）
の矢印す方向の移動で位置ＳＯＯカ七ツ） （２Ａ）が
他の列側に移送され、又シリンダー（ＣＹ９）によるア
ーム（９Ｂ）の矢印ｄ方向の移動でカセツ） （２Ｇ）
が一方の列側に移送される。
２）により上昇した冬瓜（７）がカセット間に挿入され
て後シリンダー（ＣＹＩ’）で矢印ａ方向に１力セツト
分移動されることによって一方の列のカ七ツ） （２Ａ
）〜（２Ｆ）が冬瓜（７）に押されて１力セツト分だけ
移送され、カセツ）（２Ａ）が位ｆｉｌｔ８ｏに持来さ
れる。次にシリンダー（ＣＹｓ）によるアーム（９Ａ）
の矢印す方向の移動で位置ＳＯＯカ七ツ） （２Ａ）が
他の列側に移送され、又シリンダー（ＣＹ９）によるア
ーム（９Ｂ）の矢印ｄ方向の移動でカセツ） （２Ｇ）
が一方の列側に移送される。
続いて送り爪部材（８Ｂ）がシリンダー（ＣＹｒ）によ
り上昇し且つシリンダー（ＣＹ４）で矢印Ｃ方・ 向に
移動されることによって上記と同様に他方の列のカセッ
ト（２Ａ）、 （２Ｌ）・・・・・・・・・（２Ｈ）
が１力セツト分だけ移送され、このようにして各カセッ
ト（２）は循環移送される。
り上昇し且つシリンダー（ＣＹ４）で矢印Ｃ方・ 向に
移動されることによって上記と同様に他方の列のカセッ
ト（２Ａ）、 （２Ｌ）・・・・・・・・・（２Ｈ）
が１力セツト分だけ移送され、このようにして各カセッ
ト（２）は循環移送される。
一方、移送装置（５）は第３図に示す如くホトセンサ（
ＩＪ）によって指定されたカセット（２）内のウェーハ
（３）を一旦カセット（２）と同一ピッチをもって移し
替えるピッチ変換用小ケース（１２１と、この小ケース
（１ｚからウェーハ（３）を１枚づつエアーベアリング
αＪで移送し予め設定された所定ピッチをもって順次に
配列するピッチ変換用人ケースＩが設けられる。
ＩＪ）によって指定されたカセット（２）内のウェーハ
（３）を一旦カセット（２）と同一ピッチをもって移し
替えるピッチ変換用小ケース（１２１と、この小ケース
（１ｚからウェーハ（３）を１枚づつエアーベアリング
αＪで移送し予め設定された所定ピッチをもって順次に
配列するピッチ変換用人ケースＩが設けられる。
小ケース（１２＋は位ｆｉ８ｏに持来されたカセット（
２）と近接対向する位置に在り、エアーベアリング（１
３１を跨いでパルスモータＭ１を含む上下移動手段αり
を介して１ピツチづつ垂直方向に上下移動可能に配され
る。なお、位置Ｓｏにおいて指定されたカセット（２）
と小ケース０２間でのウエーノ５（３）の移し替えを行
うために、カセット（２）と小ケースＣ１２１間に渡る
上方には第２図で示すようにシリンダー（ＣＹ７）で上
下動する支持体（１７１と、この支持体Ｑ′ｒｌに保持
され夫々シリンダー（ＣＹｓ ）及び（ＣＹ６）にて互
に逆方向に駆動するアーム（１６Ａ）及び（１６Ｂ）か
らなる移し替え機構（至）が設けられる。この移し替え
機構（７）において、例えばカセット（２）から小ケー
ス狂ｚにウェーハ（３）を移すときはシリンダー（ＣＹ
ｙ）によシ支持体ａηが下げられて後シリンダー（Ｃ：
Ｙｓ ）が作動してアーム（１６Ａ）が矢印Ｈ方向に動
き、このアーム（１６Ａ）によってカセット（２）内の
２５枚のウェーハ（３）が一度に小ケースα２内に移し
替えられる。小ケース（１ｚからカセット（２）ヘウェ
ーハ（３）を移すときはシリンダー（ｅＹｓ）によりア
ーム（１６Ｂ）を矢印Ｙ方向に動かして行われる。
２）と近接対向する位置に在り、エアーベアリング（１
３１を跨いでパルスモータＭ１を含む上下移動手段αり
を介して１ピツチづつ垂直方向に上下移動可能に配され
る。なお、位置Ｓｏにおいて指定されたカセット（２）
と小ケース０２間でのウエーノ５（３）の移し替えを行
うために、カセット（２）と小ケースＣ１２１間に渡る
上方には第２図で示すようにシリンダー（ＣＹ７）で上
下動する支持体（１７１と、この支持体Ｑ′ｒｌに保持
され夫々シリンダー（ＣＹｓ ）及び（ＣＹ６）にて互
に逆方向に駆動するアーム（１６Ａ）及び（１６Ｂ）か
らなる移し替え機構（至）が設けられる。この移し替え
機構（７）において、例えばカセット（２）から小ケー
ス狂ｚにウェーハ（３）を移すときはシリンダー（ＣＹ
ｙ）によシ支持体ａηが下げられて後シリンダー（Ｃ：
Ｙｓ ）が作動してアーム（１６Ａ）が矢印Ｈ方向に動
き、このアーム（１６Ａ）によってカセット（２）内の
２５枚のウェーハ（３）が一度に小ケースα２内に移し
替えられる。小ケース（１ｚからカセット（２）ヘウェ
ーハ（３）を移すときはシリンダー（ｅＹｓ）によりア
ーム（１６Ｂ）を矢印Ｙ方向に動かして行われる。
ピッチ変換用人ケースｆ１４は、小ケースα２と対向す
るようにエアーベアリング［１３１の他端にこれを跨ぎ
パルスモータＭ２を含む上下；移動手段Ｑを介してｌピ
ッチづつ垂直方向に上下；移動可能に設けら：： れると共に、上シ切ったところ、４でモータＭ３によシ
水平に倒れるよう構成され、、ｊ″′１′−この場合、
大ケースａ船はウェーハ（３）が収容されるピッチが例
えば４、Ｑｍ＋ｉピッチとなされ、４．０誌ピッチとし
たときには１００枚（４力セツト分）のウェーハ（３）
が、８．０１１１１ピツチとしたときには５０枚（２力
セツト分）のウェーハ（３）が、１２．０１１１１ピツ
チとしたときには２５枚（１力′セツト分）のウェーノ
ー （３） カ夫々収容される。小ケース（１２＋から
大ケースＱ４１へのウェーハ（３）の移送は、ウェーノ
（３）が収納された小ケ゛−ス（１２）を１ピツチづつ
降下させ積層されたウェーノ１（３）を下から順次エア
ーシアリングα３に沿って大ケースａ４側に送ｐ、大ケ
ース０では小ケースＱｚの降下と同期してｌピッチづつ
上昇させ上方から順次ウェーハ（３）を収容するように
行われる。大ケース＜１４） カら小ケース（１２１へ
のウェーノＡ（３）の移送は上記と逆に小ケース（１ｚ
を下から１ピツチづつ上昇させ、大ケース（１２１を上
から１ピツチづつ降下させて行われる。ウェーハ（３）
が大ケースａ４に移し終えた状態では各ウェーハ（３）
のファセット０υ（位置合せ用にウェーノ・の一部をに
水平に切断した部分）が揃って１：１１．。
るようにエアーベアリング［１３１の他端にこれを跨ぎ
パルスモータＭ２を含む上下；移動手段Ｑを介してｌピ
ッチづつ垂直方向に上下；移動可能に設けら：： れると共に、上シ切ったところ、４でモータＭ３によシ
水平に倒れるよう構成され、、ｊ″′１′−この場合、
大ケースａ船はウェーハ（３）が収容されるピッチが例
えば４、Ｑｍ＋ｉピッチとなされ、４．０誌ピッチとし
たときには１００枚（４力セツト分）のウェーハ（３）
が、８．０１１１１ピツチとしたときには５０枚（２力
セツト分）のウェーハ（３）が、１２．０１１１１ピツ
チとしたときには２５枚（１力′セツト分）のウェーノ
ー （３） カ夫々収容される。小ケース（１２＋から
大ケースＱ４１へのウェーハ（３）の移送は、ウェーノ
（３）が収納された小ケ゛−ス（１２）を１ピツチづつ
降下させ積層されたウェーノ１（３）を下から順次エア
ーシアリングα３に沿って大ケースａ４側に送ｐ、大ケ
ース０では小ケースＱｚの降下と同期してｌピッチづつ
上昇させ上方から順次ウェーハ（３）を収容するように
行われる。大ケース＜１４） カら小ケース（１２１へ
のウェーノＡ（３）の移送は上記と逆に小ケース（１ｚ
を下から１ピツチづつ上昇させ、大ケース（１２１を上
から１ピツチづつ降下させて行われる。ウェーハ（３）
が大ケースａ４に移し終えた状態では各ウェーハ（３）
のファセット０υ（位置合せ用にウェーノ・の一部をに
水平に切断した部分）が揃って１：１１．。
いない。従って、各ウェー／）（３）のファセット０１
１を共に揃える手段Ｑ８１が大ケースα４の下部に設け
られ 。
１を共に揃える手段Ｑ８１が大ケースα４の下部に設け
られ 。
る。この手段ｑ８は例えば収容された全ウェーツバ３）
の周側に共通して転接しモータＭ４ Ｋて回転される棒
状回転体Ｇ３３）にて構成され、この棒状回転体（至）
によって各ウェーハ（３）が回転されたときウエーノ翫
（３）のファセット０１）の部分で棒状回転体田を離れ
、ウェーハ（３）の回転が停止されることによって各ウ
ェーハ（３）のファセツ） ０１１が揃えられる。又、
大ケースＩの下部には、大ケースＩに収容された全ウェ
ーハ（３）を大ケースα荀より上方に持上げるためのウ
ェーハリフトａ９が配される。（ＣＹｌｏ）はウェーハ
リフ）Ｑ９を上下動するためのシリンダーである。
の周側に共通して転接しモータＭ４ Ｋて回転される棒
状回転体Ｇ３３）にて構成され、この棒状回転体（至）
によって各ウェーハ（３）が回転されたときウエーノ翫
（３）のファセット０１）の部分で棒状回転体田を離れ
、ウェーハ（３）の回転が停止されることによって各ウ
ェーハ（３）のファセツ） ０１１が揃えられる。又、
大ケースＩの下部には、大ケースＩに収容された全ウェ
ーハ（３）を大ケースα荀より上方に持上げるためのウ
ェーハリフトａ９が配される。（ＣＹｌｏ）はウェーハ
リフ）Ｑ９を上下動するためのシリンダーである。
さらに、移送装置（５）においては、第４図に示すよう
に大ケース（１４）に収容されたウェーノ・（３）を一
括して保持し、指定の加熱炉（４） ［（４Ａ）、（４
Ｂ）、又は（４Ｃ） ）のボート（２ｃ上に移すウェー
ノ・チャック（２１１が設置される。このチャック（２
１１は、］ぐルスモークＭ６を含む垂直移動手段（例え
ば送シネ、ジ機構等）（財）を介して垂直方向に移動可
能に配されると共に、モータＭ５を含む水平移動手段（
３５１を介して水平方向に移動可能に配される。（ＣＹ
Ｉ ｔ ）はチャック（２ｍ）の開閉を行うためのシリ
ンダーである。又、３つの加熱炉（４Ａ）、（４Ｂ）、
（４Ｃ）を備えた処理装置（４）においては、夫々加熱
炉（４Ａ）、（４Ｂ）、（４Ｃ）に対応してｙｊ？−）
（２０１が設けられ、このボート（２）は夫夫のポート
ローブアーム（３６Ａ）、（３６Ｂ）％ （３６Ｃ）が
連結されボートローダ（３７Ａ）、（３７Ｂ）、（３７
Ｃ）によって炉に対して出入される。尚、各加熱炉（４
Ａ）、（４Ｂ）、（４Ｃ）の外の入口近傍には夫々ボー
ト（２０を受ける受台（至）が設けられ１．ｇ−ト（イ
）が炉内に挿入された時点では夫々対応するシリンダー
（ＣＹＩ２）、（ＣＹＩ ３）、＜ ｃＹｔ ４ ）に
よシ横に移動され待機状態となされる。
に大ケース（１４）に収容されたウェーノ・（３）を一
括して保持し、指定の加熱炉（４） ［（４Ａ）、（４
Ｂ）、又は（４Ｃ） ）のボート（２ｃ上に移すウェー
ノ・チャック（２１１が設置される。このチャック（２
１１は、］ぐルスモークＭ６を含む垂直移動手段（例え
ば送シネ、ジ機構等）（財）を介して垂直方向に移動可
能に配されると共に、モータＭ５を含む水平移動手段（
３５１を介して水平方向に移動可能に配される。（ＣＹ
Ｉ ｔ ）はチャック（２ｍ）の開閉を行うためのシリ
ンダーである。又、３つの加熱炉（４Ａ）、（４Ｂ）、
（４Ｃ）を備えた処理装置（４）においては、夫々加熱
炉（４Ａ）、（４Ｂ）、（４Ｃ）に対応してｙｊ？−）
（２０１が設けられ、このボート（２）は夫夫のポート
ローブアーム（３６Ａ）、（３６Ｂ）％ （３６Ｃ）が
連結されボートローダ（３７Ａ）、（３７Ｂ）、（３７
Ｃ）によって炉に対して出入される。尚、各加熱炉（４
Ａ）、（４Ｂ）、（４Ｃ）の外の入口近傍には夫々ボー
ト（２０を受ける受台（至）が設けられ１．ｇ−ト（イ
）が炉内に挿入された時点では夫々対応するシリンダー
（ＣＹＩ２）、（ＣＹＩ ３）、＜ ｃＹｔ ４ ）に
よシ横に移動され待機状態となされる。
次に、かかる構成の動作を説明する。
夫々例えば１０ット分２５枚の半導体ウェーノ・（３）
を収納した複数１本例では１２個のカセット（２）が第
１図で示されるように所定位簡に送られると、以後コン
ピュータ制御され、先づ１２個のカセット（２）がカセ
ット移送機構（６［によって１力セツト分づつ順次間欠
的に且つ循環的に移送される。１番目のカセット（２人
）が位ｔ８ｏに移送されるとホトセンサ（１３）によっ
てカセツ、ト（２Ａ）のコード番号が確認され、このカ
セツ） （２Ａ）が指定されたものであると、第２図に
示す如くシリンダー（ＣＹＩ）によって支持体住ηが降
下し、アーム（１６Ａ）がカセット（２人）の開放され
た側面に対向され、次にシリンダ（ＣＹｓ）によってア
ーム（１６Ａ）がカセット（２人）内を通過する如く矢
印Ｈ方向に移動されることによってカセツ） （２Ａ）
内の２５枚のウェーハ（３）が全てピッチ変換用小ケー
スα２内に移し替えられる。次にエアーベアリングＱ３
１が作動し、エアーベアリング（１３１と対向する最下
層のウェーハ（３）がエアーベアリング（１３１上を移
送し、ピッチ変換用人ケース０滲の最上部に収容され、
以後順次小ケース（１２＋が１ピツチづつ降下して下方
より１枚づつウェーハ（３）がエアーベアリング０を通
じて１ピツチづつ上昇する大ケースＩ内に例えば４ ｖ
ｒｍピッチで収容される。
を収納した複数１本例では１２個のカセット（２）が第
１図で示されるように所定位簡に送られると、以後コン
ピュータ制御され、先づ１２個のカセット（２）がカセ
ット移送機構（６［によって１力セツト分づつ順次間欠
的に且つ循環的に移送される。１番目のカセット（２人
）が位ｔ８ｏに移送されるとホトセンサ（１３）によっ
てカセツ、ト（２Ａ）のコード番号が確認され、このカ
セツ） （２Ａ）が指定されたものであると、第２図に
示す如くシリンダー（ＣＹＩ）によって支持体住ηが降
下し、アーム（１６Ａ）がカセット（２人）の開放され
た側面に対向され、次にシリンダ（ＣＹｓ）によってア
ーム（１６Ａ）がカセット（２人）内を通過する如く矢
印Ｈ方向に移動されることによってカセツ） （２Ａ）
内の２５枚のウェーハ（３）が全てピッチ変換用小ケー
スα２内に移し替えられる。次にエアーベアリングＱ３
１が作動し、エアーベアリング（１３１と対向する最下
層のウェーハ（３）がエアーベアリング（１３１上を移
送し、ピッチ変換用人ケース０滲の最上部に収容され、
以後順次小ケース（１２＋が１ピツチづつ降下して下方
より１枚づつウェーハ（３）がエアーベアリング０を通
じて１ピツチづつ上昇する大ケースＩ内に例えば４ ｖ
ｒｍピッチで収容される。
（々お、大ケース（１４）に収納するピッチは予めその
、： 大ケースＩに間欠的に上昇１するピッチを指定する□。
、： 大ケースＩに間欠的に上昇１するピッチを指定する□。
ことによって４酩ピツチ、・’８’ｂ、、川ピッチ、１
２ｍｍピッチ等自由に選択できる。）１力セツト分のウ
ェーハ（３）の収容が終ると、次に同様にして第２、第
３、第４のカセット（２Ｂ）、（２Ｃ）、（２１Ｊ）の
ウェーハ（３）が大ケースα滲の次の段から入υ、第５
図に示す如く、４つのカセット（２人）〜（２］Ｊ）の
計１００枚のウェーハ（３）が大ケー′ス（１４１に収
容される。大ケースα４に指定されたカセット（２）の
ウェーハ（３）が全て収容されると、次に大ケースα４
はモータＭ３の駆動で第３図の鎖線で示す如く水平に倒
れる。続いて、モータＭ４によって棒状回転体（２）が
回転し、各ウェーハ（３）のファセットＧυが揃えられ
て後、シリンダー（ＣＹＩ ｏ ）によυウェーハリフ
） （１９が上昇し、大ケース０４）内の全ウェーハ（
３）が持上げられる。次に、第４図の位置８３４に待機
していたウェーハチャックＱυが垂直移送手段（財）に
より位置８３１まで降下しシリンダー（ＣＹｏ）をして
リフ）Ｈ上の全ウェーハ（３）をつかみ上げて後、指定
の加熱炉（炉芯管）、例えば第１の加□熱炉（４Ａ）の
高さに対応する位置まで上昇し、そヤ′□後水平移送手
段Ｃ３４）を介して矢印Ｅ方向に水平移動）れ、ウェー
ハ（３）が指定の加熱炉（４Ａ）のセード■上に載置さ
れる。このときセード（２１は受台（至）上に保持され
ている。ウエーノ・チャック（２１１はウェーハ（３）
をＺ −ト（Ｗ上に載置した後は矢印Ｈ方向に水平移動
され、垂直方向の定位置８３４に復帰して待機される。
２ｍｍピッチ等自由に選択できる。）１力セツト分のウ
ェーハ（３）の収容が終ると、次に同様にして第２、第
３、第４のカセット（２Ｂ）、（２Ｃ）、（２１Ｊ）の
ウェーハ（３）が大ケースα滲の次の段から入υ、第５
図に示す如く、４つのカセット（２人）〜（２］Ｊ）の
計１００枚のウェーハ（３）が大ケー′ス（１４１に収
容される。大ケースα４に指定されたカセット（２）の
ウェーハ（３）が全て収容されると、次に大ケースα４
はモータＭ３の駆動で第３図の鎖線で示す如く水平に倒
れる。続いて、モータＭ４によって棒状回転体（２）が
回転し、各ウェーハ（３）のファセットＧυが揃えられ
て後、シリンダー（ＣＹＩ ｏ ）によυウェーハリフ
） （１９が上昇し、大ケース０４）内の全ウェーハ（
３）が持上げられる。次に、第４図の位置８３４に待機
していたウェーハチャックＱυが垂直移送手段（財）に
より位置８３１まで降下しシリンダー（ＣＹｏ）をして
リフ）Ｈ上の全ウェーハ（３）をつかみ上げて後、指定
の加熱炉（炉芯管）、例えば第１の加□熱炉（４Ａ）の
高さに対応する位置まで上昇し、そヤ′□後水平移送手
段Ｃ３４）を介して矢印Ｅ方向に水平移動）れ、ウェー
ハ（３）が指定の加熱炉（４Ａ）のセード■上に載置さ
れる。このときセード（２１は受台（至）上に保持され
ている。ウエーノ・チャック（２１１はウェーハ（３）
をＺ −ト（Ｗ上に載置した後は矢印Ｈ方向に水平移動
され、垂直方向の定位置８３４に復帰して待機される。
ボート（２υ）はウエーノ・（３）が載置された後、ポ
ートローダアーム（３６Ａ）及びセードローダ（３７Ａ
）を介して加熱炉（４Ａ）に挿入される。このようにし
て指定された４力セツト分づつの半導体ウェーハ（３）
が夫々指定の加熱炉（４Ｂ）及び（４Ｃ）に挿入される
。そして加勢炉内に於て所要の処理（拡散、ＣＶＩＪ、
アニール等の処理）が施される。
ートローダアーム（３６Ａ）及びセードローダ（３７Ａ
）を介して加熱炉（４Ａ）に挿入される。このようにし
て指定された４力セツト分づつの半導体ウェーハ（３）
が夫々指定の加熱炉（４Ｂ）及び（４Ｃ）に挿入される
。そして加勢炉内に於て所要の処理（拡散、ＣＶＩＪ、
アニール等の処理）が施される。
処理された後、各加熱炉（４Ａ）、（４Ｂ）、（４Ｃ）
からウェーハ（３）を載置したセード■が夫々取出され
・以後は挿入時の動作と全く逆の順序で指定された元の
カセット（２）に夫りのウエーノ・（３）が収納される
。
からウェーハ（３）を載置したセード■が夫々取出され
・以後は挿入時の動作と全く逆の順序で指定された元の
カセット（２）に夫りのウエーノ・（３）が収納される
。
即・ち、先づ、ウエーノ１チャックＱυが動作して加熱
炉（４Ｃ）で処理されたウエーノ（３１をつかんでピッ
チ変換用人ケース（１４）内のウエーノ・リフ目９上に
載置する。リフト（１９はシリンダー（ＣＹｌｏ）によ
り降下し、ウェーハ（３）は大ケース０め内に収容され
る。ウェーハチャックＣυは元の位置８３４に復帰され
る。大ケース（１４）はモータＭ３によりエアーベアリ
ング（１３１上に対向する如く起立し、続いてエアーベ
アリング（１３１の動作で大ケース（１４）内のウェー
ハ（３）が１枚づつ小ケース（１２１内に収′納される
。このとき大ケースＩは１ピツチづつ降下し、之に対応
して小ケースけ１ピツチづつ上昇する。一方、カセット
（２）側においては、カセット移送機構（６）によって
カセット（２）を移送させると共にホトセンサ（Ｄ）に
よって各カセット（２）のコード番号を確認し、指定の
カセット、この場合はカセット（２Ｌ）を選択して位置
Ｓｏに待機させる。１力セツト分（即ちカセット（２Ｌ
）に収納される分）の２５枚のウエーノ・（３）が小ケ
ース［１２１に収納されると、シリンダ（ＣＹＩ）が作
動して支持体Ｉが降下し、続いてシリンダ（ＣＹｅ ）
によりアーム（１６Ｂ）が矢印Ｙ方向に移動して小ケー
ス（１２１内の・ 全ウェーハ（３）が指定された元の
カ七ツ）（２Ｌ）に収納される。同様にして、大ケース
の次の２５枚のウェーハ（３）が、カセツ） （２Ｋ）
に収納される等して順次対応するウエーノ・（３）がカ
セット（２Ｊ） 、（２Ｉ）に収納される。加熱炉（４
Ｃ）のウエーノ（３）の収納が終了した後は、上記と同
様の動作が繰返えされ、第２の加熱炉（４Ｂ）のウェー
、５（３１及び第１の加熱炉（４Ａ）のウェーツバ３）
が夫々対応する元のカセット（２）に収納される。
炉（４Ｃ）で処理されたウエーノ（３１をつかんでピッ
チ変換用人ケース（１４）内のウエーノ・リフ目９上に
載置する。リフト（１９はシリンダー（ＣＹｌｏ）によ
り降下し、ウェーハ（３）は大ケース０め内に収容され
る。ウェーハチャックＣυは元の位置８３４に復帰され
る。大ケース（１４）はモータＭ３によりエアーベアリ
ング（１３１上に対向する如く起立し、続いてエアーベ
アリング（１３１の動作で大ケース（１４）内のウェー
ハ（３）が１枚づつ小ケース（１２１内に収′納される
。このとき大ケースＩは１ピツチづつ降下し、之に対応
して小ケースけ１ピツチづつ上昇する。一方、カセット
（２）側においては、カセット移送機構（６）によって
カセット（２）を移送させると共にホトセンサ（Ｄ）に
よって各カセット（２）のコード番号を確認し、指定の
カセット、この場合はカセット（２Ｌ）を選択して位置
Ｓｏに待機させる。１力セツト分（即ちカセット（２Ｌ
）に収納される分）の２５枚のウエーノ・（３）が小ケ
ース［１２１に収納されると、シリンダ（ＣＹＩ）が作
動して支持体Ｉが降下し、続いてシリンダ（ＣＹｅ ）
によりアーム（１６Ｂ）が矢印Ｙ方向に移動して小ケー
ス（１２１内の・ 全ウェーハ（３）が指定された元の
カ七ツ）（２Ｌ）に収納される。同様にして、大ケース
の次の２５枚のウェーハ（３）が、カセツ） （２Ｋ）
に収納される等して順次対応するウエーノ・（３）がカ
セット（２Ｊ） 、（２Ｉ）に収納される。加熱炉（４
Ｃ）のウエーノ（３）の収納が終了した後は、上記と同
様の動作が繰返えされ、第２の加熱炉（４Ｂ）のウェー
、５（３１及び第１の加熱炉（４Ａ）のウェーツバ３）
が夫々対応する元のカセット（２）に収納される。
上述せる半導体製造装置によれは、半導体素子の製造に
際して、その横形加熱炉を用いた拡散、ＣＶＩＪ、アニ
ール等の処理工程の全作業、即ち半導体ウェーハをカセ
ットから取出し一定間隔をもって配列した状態で加熱炉
に移送し、処理終了後に再び元の指定されたカセットに
戻すという一連の作業工程が自動的に行えるものである
。従って之により終夜無人稼動が可能になり、装置の稼
動率が向上すると共に、作業者の製減も計られる等の利
点がある。
際して、その横形加熱炉を用いた拡散、ＣＶＩＪ、アニ
ール等の処理工程の全作業、即ち半導体ウェーハをカセ
ットから取出し一定間隔をもって配列した状態で加熱炉
に移送し、処理終了後に再び元の指定されたカセットに
戻すという一連の作業工程が自動的に行えるものである
。従って之により終夜無人稼動が可能になり、装置の稼
動率が向上すると共に、作業者の製減も計られる等の利
点がある。
ところで、かかる半導体製造装置では、ウェーハ（３）
を載置したａ −ト（２０１を炒豆”□管（加熱炉）（
４Ａ）、Ｖト・・ （４Ｂ）、（４Ｃ）内に出し入れす名゛際、シート（２
■を炉、□、、−いえ。。、λ）：）、えい、やお、〜
１に付着していた不純物が舞い上り、これによりウェー
ハが汚染され、歩留シの低下につながるという欠点があ
った。
を載置したａ −ト（２０１を炒豆”□管（加熱炉）（
４Ａ）、Ｖト・・ （４Ｂ）、（４Ｃ）内に出し入れす名゛際、シート（２
■を炉、□、、−いえ。。、λ）：）、えい、やお、〜
１に付着していた不純物が舞い上り、これによりウェー
ハが汚染され、歩留シの低下につながるという欠点があ
った。
かかる点に鑑み、本発明はウェーハ等の被処理物の収納
されたぜ−ト等の収納体を炉芯管等の管装置の内面に滑
ら゛せることなく出し入れすることのできる熱処理装置
を提案せんとするものである。
されたぜ−ト等の収納体を炉芯管等の管装置の内面に滑
ら゛せることなく出し入れすることのできる熱処理装置
を提案せんとするものである。
本発明による熱処理装置は、管軸が水平方向で内部に被
処理物を収容して熱処理を行なう管装置と、複数の被処
理物を収納する収納体と、管装置の外部でその一端側に
位置する第１及び第２の支持装置と、第１の支持装置及
び収納体間を連結する第１の連結手段を備え、収納体を
水平方向に移動させる第１の作動手段と、第２の支持装
置に取付けられて収納体の保持部を軸回転により保持す
る第２の連結手ｉ′を備え、収納体を水平及び垂直方向
に移動させる°”第２の作動手段とを有するものである
。 ”、↑ 以下に、第 ：Ｊ：：第８図を参照して、本発明による
熱処理装置 実施例を説明する。この熱処１：。
処理物を収容して熱処理を行なう管装置と、複数の被処
理物を収納する収納体と、管装置の外部でその一端側に
位置する第１及び第２の支持装置と、第１の支持装置及
び収納体間を連結する第１の連結手段を備え、収納体を
水平方向に移動させる第１の作動手段と、第２の支持装
置に取付けられて収納体の保持部を軸回転により保持す
る第２の連結手ｉ′を備え、収納体を水平及び垂直方向
に移動させる°”第２の作動手段とを有するものである
。 ”、↑ 以下に、第 ：Ｊ：：第８図を参照して、本発明による
熱処理装置 実施例を説明する。この熱処１：。
理装置は、上述した半導体製造装置に適用するものであ
る。（４Ｇは水平方向に配された石英から成る炉芯管を
示す。（４１）は多数のウエーノ・の載置された石英か
ら成るダートである。先ず、この、Ｒ−ト（４１１につ
いて説明する。（４湯、（４りは逆台形状の端板で、こ
れらが夫々コ字形の把手（４６）、（４７）を有する横
板（４９、（４６）にて連結されることにより、平面が
矩形の枠組が構成される。端板（４２）、（４３１間に
は２等辺３角形の頂点に配された３本のウエーノ・支持
棒（４７）、（４８１、（４９）が差し渡されて固定さ
れる。これら支持棒（４７）、（４８） 。
る。（４Ｇは水平方向に配された石英から成る炉芯管を
示す。（４１）は多数のウエーノ・の載置された石英か
ら成るダートである。先ず、この、Ｒ−ト（４１１につ
いて説明する。（４湯、（４りは逆台形状の端板で、こ
れらが夫々コ字形の把手（４６）、（４７）を有する横
板（４９、（４６）にて連結されることにより、平面が
矩形の枠組が構成される。端板（４２）、（４３１間に
は２等辺３角形の頂点に配された３本のウエーノ・支持
棒（４７）、（４８１、（４９）が差し渡されて固定さ
れる。これら支持棒（４７）、（４８） 。
（４９）にはウェーハ（３）を位置決め保持するノツチ
ｎが等間隔に多数形成されている。６０）は、後述する
出入軸ｌ！５７）の連結部６υとピン（５２を介して連
結される連結部である。これら連結部５０１、（５１１
’はビン（５２１を外すことにより、連結を解除するこ
とができる。
ｎが等間隔に多数形成されている。６０）は、後述する
出入軸ｌ！５７）の連結部６υとピン（５２を介して連
結される連結部である。これら連結部５０１、（５１１
’はビン（５２１を外すことにより、連結を解除するこ
とができる。
印、（５６）は、夫々互いに平行な回転軸（ステンレス
Ｍ ） ６３）、６４）によって互いに反対方向に回転
せしめられるべく回転軸６３）、う４）の端部に取付け
られた爪である。この爪６５）、６６）は把手（４６）
、（４力と係合することによシ、＄−） （４１を持上
げる。回転軸ｔ５３）、（５１１！は支持台（５８１に
を付けられると共に、モータ（５旬によって互いに反対
方向に回転せしめられる。この支持合冊は、ガイドレー
ル［Ｆ］υ、鞄によって案内され、モータ關によって駆
動される送りねじ（６０）によって移動せしめられる。
Ｍ ） ６３）、６４）によって互いに反対方向に回転
せしめられるべく回転軸６３）、う４）の端部に取付け
られた爪である。この爪６５）、６６）は把手（４６）
、（４力と係合することによシ、＄−） （４１を持上
げる。回転軸ｔ５３）、（５１１！は支持台（５８１に
を付けられると共に、モータ（５旬によって互いに反対
方向に回転せしめられる。この支持合冊は、ガイドレー
ル［Ｆ］υ、鞄によって案内され、モータ關によって駆
動される送りねじ（６０）によって移動せしめられる。
６７）はボート（４ＩＪを炉芯管（４０に出入させるた
めの出入軸（石英製）である。この出入軸（５７）は支
持台（６滲に取付けられる。支持台（６４）は、ガイド
レール（６５１、（６６）によって案内され、モーター
によって駆動される送シねじ（６′Ｏによって移動せし
められる。
めの出入軸（石英製）である。この出入軸（５７）は支
持台（６滲に取付けられる。支持台（６４）は、ガイド
レール（６５１、（６６）によって案内され、モーター
によって駆動される送シねじ（６′Ｏによって移動せし
められる。
次に、第９図を本参照して、かかる熱処理装置の動作を
説明しよう。初めＮ −ト（４１）は第９図に示す如く
炉芯管（４１の外にあり、受は台（６９１上に載置され
ている。、ｆ −ト（４１１上に、上述の半導体製造装
置と同様に、ウエーノ・（３）を並べる。モータ鏝の回
転によシ、ぼ−） （４１）を第９図の爪ｒ５５１の位
置まで移動させる。次に、モータ槌にて回転軸鰻、（５
４）を回転させることにより第７図のように爪６９、（
５６）をボート（４Ｄの把手（４６）、（４７）に係合
させてボード（４１）を僅か（２〜３第３第冨程持上げ
る。次に、モータ轍、（至）を同期して回転させること
により、＄−［４１）を爪ｓ５１．ｓｔｐで持上げた状
態で、出入軸６７）によシセート（４１）を押して第６
図に示す如（、Ｎ−［４１）を炉芯管（４０内にその内
面と接触し々いようにその中の所定位置まで押入する。
説明しよう。初めＮ −ト（４１）は第９図に示す如く
炉芯管（４１の外にあり、受は台（６９１上に載置され
ている。、ｆ −ト（４１１上に、上述の半導体製造装
置と同様に、ウエーノ・（３）を並べる。モータ鏝の回
転によシ、ぼ−） （４１）を第９図の爪ｒ５５１の位
置まで移動させる。次に、モータ槌にて回転軸鰻、（５
４）を回転させることにより第７図のように爪６９、（
５６）をボート（４Ｄの把手（４６）、（４７）に係合
させてボード（４１）を僅か（２〜３第３第冨程持上げ
る。次に、モータ轍、（至）を同期して回転させること
により、＄−［４１）を爪ｓ５１．ｓｔｐで持上げた状
態で、出入軸６７）によシセート（４１）を押して第６
図に示す如（、Ｎ−［４１）を炉芯管（４０内にその内
面と接触し々いようにその中の所定位置まで押入する。
次に、回転軸（５３！、６４１を上述とは反対方向に回
転して爪も５）、艶を、ｔ −） １４１＞の把手から
外し、ダート＋４１１を炉芯管ｔ４１内に静かに載置す
る。
転して爪も５）、艶を、ｔ −） １４１＞の把手から
外し、ダート＋４１１を炉芯管ｔ４１内に静かに載置す
る。
次に、モーターを駆動して爪６９．６６）を炉芯管（４
Ｇの外へ引出す。そして、Ｊ −ト（４１１に載置され
たウェーハ（３）を１１００〜１２００℃程度の温度で
拡散処理する。
Ｇの外へ引出す。そして、Ｊ −ト（４１１に載置され
たウェーハ（３）を１１００〜１２００℃程度の温度で
拡散処理する。
この拡散処理が終了したら、再ひ爪（ｉ５）、６６）を
炉芯管（４Ｑ内に挿入してゼー）（４１１の把手（４６
）、（４力と係合させてｚ −） （４１１を僅か持上
げる。次にモーター、鏝を同期して回転させることによ
り、ボート（４Ｄを爪印、（５ｅで持上げた状態で１．
出入軸印によりダー［４１１を引張って、Ｎ −） （
４１）を炉芯管曲の内面と接触しないようにして炉芯管
（４０の外の受台−の位置まで引出す。次に回転軸ω）
、６４）′を上述とは反対方向・１．： に回転して爪６５１，６６）を＆７）、（（・！）の把
手から外し、′１ ｙｆ−、）（４Ｂを受台（６！１上に静かに載置する。
炉芯管（４Ｑ内に挿入してゼー）（４１１の把手（４６
）、（４力と係合させてｚ −） （４１１を僅か持上
げる。次にモーター、鏝を同期して回転させることによ
り、ボート（４Ｄを爪印、（５ｅで持上げた状態で１．
出入軸印によりダー［４１１を引張って、Ｎ −） （
４１）を炉芯管曲の内面と接触しないようにして炉芯管
（４０の外の受台−の位置まで引出す。次に回転軸ω）
、６４）′を上述とは反対方向・１．： に回転して爪６５１，６６）を＆７）、（（・！）の把
手から外し、′１ ｙｆ−、）（４Ｂを受台（６！１上に静かに載置する。
次にセード（４１）を更に引張って、第９図に示す受台
（６ｑ上の位置まで持来す。次に、上述の半導体装置と
同様にウェーハ（３）をゼーＨ４１１から取出す。
（６ｑ上の位置まで持来す。次に、上述の半導体装置と
同様にウェーハ（３）をゼーＨ４１１から取出す。
上述せる本発明熱処理装置によれば、被処理物（ウェー
ハ）の収′納された収納体（、Ｎ−））を管装置（炉芯
管）の内面に滑らせることなく出し入れすることができ
る。従って、被処理物（ウェーハ）が汚染されて歩留り
が低下するのが有効に回避される。従って、本発明を冒
頭に述べた半導体製造装置に適用して頗る好適である。
ハ）の収′納された収納体（、Ｎ−））を管装置（炉芯
管）の内面に滑らせることなく出し入れすることができ
る。従って、被処理物（ウェーハ）が汚染されて歩留り
が低下するのが有効に回避される。従って、本発明を冒
頭に述べた半導体製造装置に適用して頗る好適である。
第１図は従来の半導体製造装置の全体を示す斜視図、第
２図はそのカセット部分を示す路線的配置図、第３図は
そのウエーノ・の移送装置の要部の路線的配置図、第４
図はその他の要部の路線的配置図、第５図は動作の説明
に供する図、第６図は本発明による熱処理装置の一実施
例を示す側面図、第７図はその断南図、第８図はそのセ
ードを示す斜視図、第９図１本発明による熱処理装置の
一実施例の動作状態゛を′県す側面図である。 （３） ［ウェー ”、（４０４ｄ 炉芯管、（４１）
Ｆｉ、Ｎ−）、（４ｅ、（４？）はその把手、６■、（
至）は爪、（５３）、６４）は回転軸、６ηは出入軸、
（６３）、轍はモータである。 ６４
２図はそのカセット部分を示す路線的配置図、第３図は
そのウエーノ・の移送装置の要部の路線的配置図、第４
図はその他の要部の路線的配置図、第５図は動作の説明
に供する図、第６図は本発明による熱処理装置の一実施
例を示す側面図、第７図はその断南図、第８図はそのセ
ードを示す斜視図、第９図１本発明による熱処理装置の
一実施例の動作状態゛を′県す側面図である。 （３） ［ウェー ”、（４０４ｄ 炉芯管、（４１）
Ｆｉ、Ｎ−）、（４ｅ、（４？）はその把手、６■、（
至）は爪、（５３）、６４）は回転軸、６ηは出入軸、
（６３）、轍はモータである。 ６４
Claims (1)
- 管軸が水平方向で内部に被処理物を収容して熱処理を行
なう管装置と、複数の被処理物を収納する収納体と、上
記管装置の外部でその一端側に位賀す手箱１及び第２の
支持装置と、上記第１の支持装置及び上記収納体間を連
結する第１の連結手段を備え、上記収納体を水平方向に
移動させる第１の作動手段と、上記第２の支持装置に取
付けられて上記収納体の保持部を軸回転により保持する
第２の連結手段を備え、上記収納体を水平及び垂直方向
に移動させる第２の作動手段とを有することを特許とす
る熱処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57101552A JPS58218115A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 熱処理装置 |
| US06/426,734 US4439146A (en) | 1982-06-14 | 1982-09-29 | Heat treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57101552A JPS58218115A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58218115A true JPS58218115A (ja) | 1983-12-19 |
Family
ID=14303586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57101552A Pending JPS58218115A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 熱処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4439146A (ja) |
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