JP2008263232A - Euvリソグラフィシステムのために調整された反射型回折素子の収差測定方法および装置 - Google Patents
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Abstract
本発明は、電磁放射源を有する波面測定システムから成る。
【解決手段】
結像系は電磁放射を物体面へ配向し、これを均一に照明する。第1の格子は物体面内に配置されており、投影光学系の入射瞳面に達する照明光が調整される。投影光学系は第1の格子の像を焦点面へ投影する。第2の格子は放射源の回折像を受け取る焦点面に配置されており、シアリング干渉計を形成している。CCD検出器は投影光学系および第2の格子を介して第1の格子の像を受け取り、投影光学系に収差があるときには干渉縞を形成する。干渉縞の位相シフトは第1の格子をラテラル方向へステップ運動させ、各フレームをCCD検出器で検出することにより読み出される。第1の格子は複数の反射ドットから成る複数の反射線を含む。
【選択図】図12
Description
1/2(または1)×投影光学系の倍率×第2の格子のピッチ
である。
倍率×1.6μmまたは倍率×6.4μm
のピッチを有する。物体空間格子の像は像空間格子に重なり合っている。これに代えて物体空間格子のスリットが真の放射源を像空間格子の見かけの放射源の位置に置いてもよい。
1/2×投影光学系の倍率×第2の格子のピッチ
を用いたソースモジュール格子の干渉縞が示されている。
縮小率/2×像空間格子のピッチ
を有する像空間格子が設けられて、+1次/−1次は干渉、0次/+1次および0次/−1次は不干渉となり、色収差補正が改善され、フィールド源の光の利用度が最大化される。1つの実施例では、第1の格子のピッチの値は
1/2×投影光学系の倍率×第2の格子のピッチ
となる。物体空間のコヒーレンス関数を作成する際に広い調整幅がこのようにして得られる。同じ効果は像空間の空間周波数フィルタリングによっても達成されるが、後者のアプローチのほうが困難であることに注意されたい。後者のアプローチは上述の反射ドットを用いる手段と組み合わせることもできるし、単独で適用することもできる。
Claims (47)
- 物体面を均一に照明するために放射源からの電磁放射を物体面へ配向する結像光学系と、物体面に配置された第1の格子と、第1の格子の像を焦点面へ投影する投影光学系と、焦点面に配置された第2の格子と、第2の格子によって形成された干渉縞を受信する検出器とを有しており、
第1の格子のピッチは
1/2×投影光学系の倍率×第2の格子のピッチ
である
ことを特徴とする波面測定装置。 - 干渉縞は0次/1次の干渉縞を有さない、請求項1記載の装置。
- 第1の格子は複数の反射ドットによって形成される複数の反射線を含む、請求項1記載の装置。
- 反射ドットの径は70nm〜120nmである、請求項3記載の装置。
- 反射ドットは波長の複数倍の標準偏差を含むランダムな高さを有する、請求項3記載の装置。
- 反射ドットは各反射線内でランダムなパターンで配置されている、請求項3記載の装置。
- 反射ドットは各反射線内で規則的なパターンで配置されている、請求項3記載の装置。
- 反射ドットは投影光学系の開口数をオーバフィルする照明を形成する、請求項3記載の装置。
- 反射ドットは放射源に起因する不規則性を有さない照明を形成する、請求項3記載の装置。
- 第1の格子の複数の反射線は干渉縞の強度および鮮明度が最大化されるように配置されている、請求項3記載の装置。
- 複数の反射線は互いに直交する2つの方向に配置されている、請求項3記載の装置。
- 複数の反射線は1つのチェッカボード格子として配置されている、請求項11記載の装置。
- 複数の反射線は2つの直線格子として配置されている、請求項11記載の装置。
- 第1の格子の複数の反射線は第2の格子に対して45°に配向されている、請求項11記載の装置。
- 放射源は極紫外線(EUV)放射源である、請求項1記載の装置。
- 第1の格子はレチクルステージに取り付けられている、請求項1記載の装置。
- 第2の格子はウェハステージに取り付けられている、請求項1記載の装置。
- 放射源からの電磁放射を物体面へ集束させる結像光学系と、物体面に配置された第1の格子と、第1の格子の像を焦点面へ投影する投影光学系と、焦点面に配置された第2の格子と、第2の格子によって形成された干渉縞を受信する検出器とを有しており、
干渉縞は0次/1次の干渉縞を有さない
ことを特徴とする波面測定装置。 - 第1の格子のピッチは
1/2×投影光学系の倍率×第2の格子のピッチ
である、請求項18記載の装置。 - 第1の格子は複数の反射ドットによって形成される複数の反射線を含む、請求項18記載の装置。
- 反射ドットの径は70nm〜120nmである、請求項20記載の装置。
- 反射ドットは波長の複数倍の標準偏差を含むランダムな高さを有する、請求項20記載の装置。
- 反射ドットは各反射線内でランダムなパターンで配置されている、請求項20記載の装置。
- 複数の反射線は互いに直交する2つの方向に配置されている、請求項20記載の装置。
- 複数の反射線は1つのチェッカボード格子として配置されている、請求項20記載の装置。
- 複数の反射線は2つの直線格子として配置されている、請求項20記載の装置。
- 放射源からの電磁放射を物体面へ集束させる結像光学系と、焦点面に回折パターンを形成するためにレチクルステージに配置された第1の格子と、第1の格子の像を焦点面へ投影する投影光学系と、第1の格子の回折パターンを受信するために焦点面に配置された第2の格子と、第2の格子を介して第1の格子の像を受信する検出器とを有しており、
第1の格子のピッチは
1/2×投影光学系の倍率×第2の格子のピッチ
である
ことを特徴とする波面測定装置。 - EUV放射を放出するEUV放射源と、EUV放射により物体面を照明する結像光学系と、物体面内でレチクルを支持するレチクルステージと、放射源からの物体面の照明を調整するためにレチクルステージに配置された第1の格子と、焦点面と物体面とを光学的に結合する投影光学系と、焦点面内でウェハステージ上に配置された第2の格子と、第1の格子の像を受信する第2の格子の後方でウェハステージ上に配置された検出器とを有しており、
第1の格子のピッチは
1/2×投影光学系の倍率×第2の格子のピッチ
である
ことを特徴とするEUVフォトリソグラフィシステム。 - 放射源で電磁放射を形成し、
該電磁放射を光学系の物体面へ集束させ、
第1の格子を光学系の光路内に位置決めして物体面での電磁放射を調整し、
焦点面と物体面とを結合し、
検出器を焦点面の下方に位置決めし、さらに第2の格子を焦点面に位置決めし、
放射源の像を第2の格子を介して受信し、
像から波面パラメータを計算し、
ここで第1の格子のピッチは
1/2×投影光学系の倍率×第2の格子のピッチ
である
ことを特徴とする光学系の波面測定方法。 - さらに第1の格子をラテラル方向にステップさせることにより干渉縞を位相シフトさせ、各フレームを検出器により読み出す、請求項29記載の方法。
- 放射源からの電磁放射を物体面へ集束させる結像光学系と、物体面に配置された第1の格子と、第1の格子の像を焦点面へ投影する投影光学系と、焦点面に配置された第2の格子と、第2の格子によって形成された干渉縞を受信する検出器とを有しており、
第1の格子は複数の反射ドットによって形成される複数の反射線を含む
ことを特徴とする波面測定装置。 - 反射ドットの径は70nm〜120nmである、請求項31記載の装置。
- 反射ドットは波長の複数倍の標準偏差を含むランダムな高さを有する、請求項31記載の装置。
- 反射ドットは各反射線内でランダムなパターンで配置されている、請求項31記載の装置。
- 反射ドットは各反射線内で規則的なパターンで配置されている、請求項31記載の装置。
- 反射ドットは投影光学系の開口数をオーバフィルする照明を形成する、請求項31記載の装置。
- 反射ドットは放射源に起因する不規則性を有さない照明を形成する、請求項31記載の装置。
- 第1の格子の複数の反射線は干渉縞の強度および鮮明度が最大化されるように配置されている、請求項31記載の装置。
- 複数の反射線は互いに直交する2つの方向に配置されている、請求項31記載の装置。
- 複数の反射線は1つのチェッカボード格子として配置されている、請求項31記載の装置。
- 複数の反射線は2つの直線格子として配置されている、請求項31記載の装置。
- 第1の格子の複数の反射線は第2の格子に対して45°に配向されている、請求項31記載の装置。
- 放射源は極紫外線(EUV)放射源である、請求項31記載の装置。
- 第1の格子のピッチは
1/2×投影光学系の倍率×第2の格子のピッチ
である、請求項31記載の装置。 - 放射源で電磁放射を形成し、
該電磁放射を光学系の物体面へ集束させ、
第1の格子を光学系の光路内に位置決めして物体面での電磁放射を調整し、
焦点面と物体面とを結合し、
検出器を焦点面の下方に位置決めし、さらに第2の格子を焦点面に位置決めし、
放射源の像を第2の格子を介して受信し、
像から波面パラメータを計算し、
ここで第1の格子は複数の反射ドットから成る複数の反射線を含む
ことを特徴とする光学系の波面測定方法。 - 物体面を均一に照明するために放射源からの電磁放射を物体面へ配向する結像光学系と、物体面に配置された第1の格子と、第1の格子の像を焦点面へ投影する投影光学系と、焦点面に配置された第2の格子と、第2の格子によって形成された干渉縞を受信する検出器とを有しており、
第1の格子のピッチは
1×投影光学系の倍率×第2の格子のピッチ
である
ことを特徴とする波面測定装置。 - EUV放射を放出するEUV放射源と、EUV放射により物体面を照明する結像光学系と、物体面内でレチクルを支持するレチクルステージと、放射源からの物体面の照明を調整するためにレチクルステージに配置された第1の格子と、焦点面と物体面とを光学的に結合する投影光学系と、焦点面内でウェハステージ上に配置された第2の格子と、第1の格子の像を受信する第2の格子の後方でウェハステージ上に配置された検出器とを有しており、
第1の格子のピッチは
1×投影光学系の倍率×第2の格子のピッチ
である
ことを特徴とするEUVフォトリソグラフィシステム。
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