JP2008258586A - 不揮発性メモリ素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板200上に、ゲート絶縁膜201、第1ゲート導電膜202、第1犠牲膜204及び第2犠牲膜206を形成するステップと、第1犠牲膜及び第2犠牲膜、第1ゲート導電膜、ゲート絶縁膜、及び基板をエッチングし、トレンチを形成するステップと、トレンチが埋め込まれるように、第1絶縁膜を形成するステップと、第2犠牲膜を停止膜として第1絶縁膜を研磨するステップと、第2犠牲膜を除去するステップと、第1絶縁膜をトレンチの内部で一定の深さに後退させるステップと、トレンチ内の空間が埋め込まれるように、第2絶縁膜を形成するステップと、第1犠牲膜を研磨停止膜として第2絶縁膜を研磨するステップとを含む。
【選択図】図7A
Description
201 ゲート絶縁膜
202 導電膜
203 第1バッファ膜
204 第1パッド膜(第1犠牲膜)
205 第2バッファ膜
206 第2パッド膜(第2犠牲膜)
207 トレンチ
208 第1絶縁膜
209 第2絶縁膜
212 第3絶縁膜
Claims (29)
- 基板上に、ゲート絶縁膜、第1ゲート導電膜、第1犠牲膜及び第2犠牲膜を順に形成する第1ステップと、
前記第1犠牲膜及び第2犠牲膜、前記第1ゲート導電膜、前記ゲート絶縁膜、及び前記基板の一部をエッチングし、トレンチを形成する第2ステップと、
該トレンチが埋め込まれるように、第1の絶縁膜を形成する第3ステップと、
前記第2犠牲膜を研磨停止膜として前記第1の絶縁膜を研磨する第4ステップと、
前記第2犠牲膜を除去する第5ステップと、
前記第1の絶縁膜を前記トレンチの内部で一定の深さに後退させる第6ステップと、
前記第1の絶縁膜の後退によって形成された前記トレンチ内の空間が埋め込まれるように、第2の絶縁膜を形成する第7ステップと、
前記第1犠牲膜を研磨停止膜として前記第2の絶縁膜を研磨する第8ステップと
を含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 前記第2の絶縁膜を研磨する前記第8ステップの後、
前記第1犠牲膜をエッチングバリア層として前記第2の絶縁膜を後退させる第9ステップを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 前記第1ステップにおいて、前記第1ゲート導電膜を形成した後に、前記第1ゲート導電膜上に第1バッファ膜を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記第1ステップにおいて、前記第1犠牲膜を形成した後に、前記第1犠牲膜上に第2バッファ膜を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記第1バッファ膜が、前記第1犠牲膜と互いに異なる物質で形成されることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記第2バッファ膜が、前記第2犠牲膜と互いに異なる物質で形成されることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記第1バッファ膜及び第2バッファ膜が、酸化膜で形成されることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記第1犠牲膜及び第2犠牲膜が、窒化膜で形成されることを特徴とする請求項7に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記トレンチを形成する前記第2ステップの後、
前記トレンチの一部が埋め込まれるように、第3の絶縁膜を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 前記第2の絶縁膜及び第3の絶縁膜が、HDP(High Density Plasma)膜で形成されることを特徴とする請求項9に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜が、SOG(Spin On Glass)膜で形成されることを特徴とする請求項9に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記トレンチを形成する前記第2ステップが、
前記第2犠牲膜上にハードマスクを形成するステップと、
該ハードマスク上に反射防止膜を形成するステップと、
該反射防止膜と前記ハードマスクとをエッチングし、ハードマスクパターンを形成するステップと、
該ハードマスクパターンを用いて、前記第2犠牲膜、前記第1犠牲膜、前記第1ゲート導電膜、前記ゲート絶縁膜、及び前記基板の各々の一部を順次エッチングするステップと
を含むことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 前記ハードマスクが、酸化膜、又は酸化膜と非晶質カーボン膜との積層構造の膜からなることを特徴とする請求項12に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記反射防止膜が、SiON膜からなることを特徴とする請求項13に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記第8ステップにおいて、前記第2の絶縁膜の研磨が、CMP(Chemical Mechanical Polishing)により行われることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記第2の絶縁膜を後退させる前記第9ステップの後、
前記第2犠牲膜を除去するステップと、
前記第2犠牲膜の除去された前記基板上に誘電体膜を形成するステップと、
該誘電体膜上に第2ゲート導電膜を形成するステップと
を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 前記第1ゲート導電膜及び第2ゲート導電膜が、ポリシリコン膜、遷移金属、又は希土類金属のいずれか1つからなることを特徴とする請求項1又は16に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- セル領域と周辺回路領域とを備える不揮発性メモリ素子の製造方法であって、
前記セル領域と前記周辺回路領域とを備える基板上に、ゲート絶縁膜、第1ゲート導電膜、第1犠牲膜及び第2犠牲膜を順に形成する第1ステップと、
前記第1犠牲膜及び第2犠牲膜、前記第1ゲート導電膜、前記ゲート絶縁膜、及び前記基板の一部をエッチングし、トレンチを形成する第2ステップと、
該トレンチが埋め込まれるように、第1の絶縁膜を形成する第3ステップと、
前記第2犠牲膜を研磨停止膜として前記第1の絶縁膜を研磨する第4ステップと、
前記第2犠牲膜を除去する第5ステップと、
前記第1の絶縁膜を前記トレンチの内部で一定の深さに後退させる第6ステップと、
前記第1の絶縁膜の後退によって形成された前記トレンチ内の空間が埋め込まれるように、第2の絶縁膜を形成する第7ステップと、
前記第1犠牲膜を研磨停止膜として前記第2の絶縁膜を研磨する第8ステップと、
前記第1犠牲膜をエッチングバリア層として前記セル領域に形成された前記第2の絶縁膜を選択的に後退させる第9ステップと
を含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 前記第1ステップにおいて、前記第1ゲート導電膜を形成した後に、前記第1ゲート導電膜上に第1バッファ膜を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記第1ステップにおいて、前記第1犠牲膜を形成した後に、前記第1犠牲膜上に第2バッファ膜を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記第1バッファ膜が、前記第1犠牲膜と互いに異なる物質で形成され、
前記第2バッファ膜が、前記第2犠牲膜と互いに異なる物質で形成されることを特徴とする請求項20に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 前記第1バッファ膜及び第2バッファ膜が、酸化膜で形成され、
前記第1犠牲膜及び第2犠牲膜が、窒化膜で形成されることを特徴とする請求項20に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 前記トレンチを形成する前記第2ステップの後、
前記トレンチの一部が埋め込まれるように、第3の絶縁膜を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 前記第1の絶縁膜が、SOG(Spin On Glass)膜で形成され、
前記第2の絶縁膜及び第3の絶縁膜が、HDP(High Density Plasma)膜で形成されることを特徴とする請求項23に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 前記トレンチを形成する前記第2ステップが、
前記第2犠牲膜上にハードマスクを形成するステップと、
該ハードマスク上に反射防止膜を形成するステップと、
該反射防止膜と前記ハードマスクとをエッチングし、ハードマスクパターンを形成するステップと、
該ハードマスクパターンを用いて、前記第2犠牲膜、前記第1犠牲膜、前記第1ゲート導電膜、前記ゲート絶縁膜、及び前記基板の各々の一部を順次エッチングするステップと
を含むことを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 前記ハードマスクが、酸化膜、又は酸化膜と非晶質カーボン膜との積層構造の膜からなることを特徴とする請求項25に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記反射防止膜が、SiON膜からなることを特徴とする請求項26に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記第8ステップにおいて、前記第2の絶縁膜の研磨が、CMP(Chemical Mechanical Polishing)により行われることを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記第2の絶縁膜を後退させる前記第9ステップの後、
前記第2犠牲膜を除去するステップと、
前記第2犠牲膜の除去された前記基板上に誘電体膜を形成するステップと、
該誘電体膜上に第2ゲート導電膜を形成するステップと
を更に含むことを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
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