JP2008246664A5 - - Google Patents
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a)超硬合金本体
本発明に従うと、4〜12、好ましくは5〜9、最も好ましくは6〜7wt%のCo、周期表のIVb、Vb及びVIb群からの金属、好ましくはTi、Nb及びTaの立方晶系炭化物5〜10、好ましくは7.5〜9.5wt%、そして残りはWC、好ましくは83〜87wt%のWCという組成をもつ超硬合金本体から成る被覆された切削工具インサートが提供される。TaとNbの重量濃度間の比率は1.0〜3.0の間、好ましくは1.5〜2であり、Ti及びNbのそれは0.5〜2.0、好ましくは0.8〜1.2である。
本発明に従うと、4〜12、好ましくは5〜9、最も好ましくは6〜7wt%のCo、周期表のIVb、Vb及びVIb群からの金属、好ましくはTi、Nb及びTaの立方晶系炭化物5〜10、好ましくは7.5〜9.5wt%、そして残りはWC、好ましくは83〜87wt%のWCという組成をもつ超硬合金本体から成る被覆された切削工具インサートが提供される。TaとNbの重量濃度間の比率は1.0〜3.0の間、好ましくは1.5〜2であり、Ti及びNbのそれは0.5〜2.0、好ましくは0.8〜1.2である。
b)結合相富化表面領域
超硬合金バルクの表面領域内の結合相富化層の厚みは、5〜50、好ましくは10〜30、最も好ましくは15〜25μmである。これは、バルクの公称結合相含有量のものの1.2〜2.5倍の範囲内の平均結合相含有率を有し、基本的に立方晶系炭化物を含まない。
超硬合金バルクの表面領域内の結合相富化層の厚みは、5〜50、好ましくは10〜30、最も好ましくは15〜25μmである。これは、バルクの公称結合相含有量のものの1.2〜2.5倍の範囲内の平均結合相含有率を有し、基本的に立方晶系炭化物を含まない。
c)α−Al2O 3 層
被膜は、テクスチャー硬化α−Al2O3層である少なくとも1層を含む1種以上の耐熱層で構成されている。α−Al2O3層の厚みは1〜20、好ましくは2〜15、より好ましくは4〜12そして最も好ましくは4〜7μmである。α−Al2O3層は、強い(0001)テクスチャーをもつ柱状粒子で構成されている。アルミナ粒子の長さ/幅比は、層の厚みに左右され、2〜12、好ましくは2〜10である。α−Al2O3層は、CuKr放射線が用いられる場合、2Q=41、675°で(0006)回折ピークにより特徴づけられる。(10−12)、(10−14)、(11−20)、(11−23)、(11−26)及び(30−30)といったようなその他の一般的回折ピークは低い強度を示す。アルミナ層についてのテクスチャー係数(TC)は以下の式(1)に従って決定される。
として定義され、ここで、
I(hkil)は、(hkil)反射の強度であり、
Io(hkil)は、JCPDSカードのNo.46−1212に従った標準強度であり、
n=計算中に使用された反射回数であり、使用された(hkil)反射は
である。従ってn=6であり、テクスチャー係数の最大値は6である。
被膜は、テクスチャー硬化α−Al2O3層である少なくとも1層を含む1種以上の耐熱層で構成されている。α−Al2O3層の厚みは1〜20、好ましくは2〜15、より好ましくは4〜12そして最も好ましくは4〜7μmである。α−Al2O3層は、強い(0001)テクスチャーをもつ柱状粒子で構成されている。アルミナ粒子の長さ/幅比は、層の厚みに左右され、2〜12、好ましくは2〜10である。α−Al2O3層は、CuKr放射線が用いられる場合、2Q=41、675°で(0006)回折ピークにより特徴づけられる。(10−12)、(10−14)、(11−20)、(11−23)、(11−26)及び(30−30)といったようなその他の一般的回折ピークは低い強度を示す。アルミナ層についてのテクスチャー係数(TC)は以下の式(1)に従って決定される。
I(hkil)は、(hkil)反射の強度であり、
Io(hkil)は、JCPDSカードのNo.46−1212に従った標準強度であり、
n=計算中に使用された反射回数であり、使用された(hkil)反射は
TC(0006)反射についてのTC値がより多くの数のアルミナ層について測定され、得られた値が層の厚みの1関数として表わされた時点で、以下の曲線を実験データと適合させることができた。従って、好ましいTC(0006)値を次のように表わすことができる。
TC(0006)≧1.33 In h+2,h∈[1,20] (2)
TC(0006)≧1.33 In h+2,h∈[1,20] (2)
d)被膜
本発明にしたがう被膜は、1〜20、好ましくは5〜10、最も好ましくは5〜8μmの厚みをもつCVD−Ti(C,N)、CVD−TiN、CVD−TiC、MTCVD−Ti(C,N)、MTCVD−Zr(C,N)、MTCVD−Ti(B,C,N)、CVD−HfNまたはその組合せ、好ましくはTi(C,N)の基板に隣接する第1層を含む。前記第1層に、好ましくは外部表面に向かってアルミニウム含有率が増大する厚み0.5〜1μmの(Ti,Al)(C,O,N)の結合層により終結される。好ましくは、3μm未満、好ましくは0.5〜2μmの厚みで、前記第1層と基板の間にTiNの中間層が存在する。
本発明にしたがう被膜は、1〜20、好ましくは5〜10、最も好ましくは5〜8μmの厚みをもつCVD−Ti(C,N)、CVD−TiN、CVD−TiC、MTCVD−Ti(C,N)、MTCVD−Zr(C,N)、MTCVD−Ti(B,C,N)、CVD−HfNまたはその組合せ、好ましくはTi(C,N)の基板に隣接する第1層を含む。前記第1層に、好ましくは外部表面に向かってアルミニウム含有率が増大する厚み0.5〜1μmの(Ti,Al)(C,O,N)の結合層により終結される。好ましくは、3μm未満、好ましくは0.5〜2μmの厚みで、前記第1層と基板の間にTiNの中間層が存在する。
α−Al2O3の被覆は、硫黄またはフッ素含有化合物無しで比較的長い30〜120分、好ましくは60分の核生成段階で開始される。α−Al2O3は、任意にはフッ素含有化合物SF6またはHF、好ましくはSF6と共に硫黄含有化合物H2SまたはSO2好ましくはH2Sを用いてその所望の厚みまで成長させられる。α−Al2O3が適正に核生成されその後CO+CO2気体混合物(ここでCO量=2.5〜5.5×CO2 量)と共に比較的少量のこれらのドーパントを使用して被覆過程を行なった時点で、先行技術から知られているものよりも強い(0001)成長テクスチャーを、制御された形で得ることができる。先行技術と比べた重要な差異は、核生成手順に加えて、α−Al2O3自体の成長の間も、テクスチャーが制御されているという点にある。CO/CO2比は、好ましい成長方向を維持するべくCVD過程中2.5から5.5まで漸進的に増大させられる。その結果、(0001)テクスチャーはより強く、アルミナ層の表面微細構造は(10−12)及び(10−14)表面により終結されて、先の既知のものと異なっている。核生成及び成長の両方が正しく制御されているのではないかぎり、記述されたテクスチャーを得ることはできない。これは、(0001)テクスチャ〔(0006)回折ピーク)〕がこれまで知られていなかったという事実についての1つの考えられる説明である。
被覆された工具を、0.8μm未満のRa値までアルミナ粒子を用いて湿式ブラストした。図3は、湿式ブラスト前の層cの横断面SEM顕微鏡写真を示す。アルミナ層は、被膜の表面に平行な(0001)平面(矢印で指し示した部分)をもつ柱状粒子で構成されている。図4は、表面形態の以上で論述した差異を実証する層c及びdのSEM表面画像を示している。
Claims (8)
- 超硬合金本体及び被膜を含む切削工具インサートにおいて、
前記超硬合金本体がWCと、4〜12wt%のCoと、0.79〜0.90のS値(ここでS値は結合相中のWの濃度関するものであり、S値=σ/16.1として表わすことができ、式中σはμTm 3 kg -1 単位の結合相の磁気モーメントである)と9〜18kA/mの飽和保磁力とをもつ周期表の第IVb、Vb及びVIb群からの金属の立方晶系炭化物を5〜10wt%を含み、前記超硬合金本体の少なくとも1つの表面が、被膜に隣接して前記立方晶系炭化物を基本的に含まない厚み5〜50μmの結合相富化表面領域を有し、前記被膜の少なくとも1層は、2〜12の長さ/幅比をもつ柱状粒子から成る厚み1〜20μmの核生成したα−Al2O3層であり、前記α−Al2O3層はテクスチャー係数TC(0006)を有し、
TC(0006)≧1.33 ln h+2であり、
式中のhはμm単位の前記α−Al2O3層の厚みであり、且つTC(0006)は、次のように定義され
I0(hkil)は、JCPDSカードのNo.46−1212に従った標準強度であり、
nは、計算中に使用された反射回数であり、
使用された(hkil)反射は、
前記被膜が、CVD−Ti(C,N)、CVD−TiN、CVD−TiC、CVD−HfN、MTCVD−Ti(C,N)、MTCVD−Ti(C,O,N)、MTCVD−Zr(C,N)、MTCVD−Zr(C,O,N)、MTCVD−Ti(B,C,N)、MTCVD(Ti,Al)(C,O,N)またはこれらの組合せでできた厚み1〜20μmの本体に隣接する第1層、及び前記第1層に隣接する前記α−Al2O3層を含んで成ることを特徴とする切削工具インサート。 - 5〜30μmの厚みをもつ結合相富化表面領域が基本的に、被膜に隣接して立方晶系炭化物を含まず、前記第1層に隣接する前記α−Al 2 O 3 層の少なくとも1層が、2から12の長さ/幅比及びTC(0006)≧5をもつ柱状粒子から成る厚み4〜15μmの前記α−Al2O3層であることを特徴とする請求項1に記載の切削工具インサート。
- 5〜30μm未満の厚みをもつ結合相富化表面領域が基本的に、前記被膜に隣接して立方晶系炭化物を含まず、少なくとも1層が、2〜10の長さ/幅比及びTC(0006)≧4をもつ柱状粒子から成る厚み4μm未満の前記α−Al2O3層であることを特徴とする請求項1に記載の切削工具インサート。
- 前記α−Al2O3層が1.0μm未満のRa値をもつ最上層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の切削工具インサート。
- 0.5〜3μmの厚みをもつTi、Tr及びHfの少なくとも1種の炭化物、窒化物、炭窒化物またはカルボキシ窒化物の層が前記α−Al2O3層の上にあることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の切削工具インサート。
- 前記層が、1.0μm未満のRa値をもつ最上層であることを特徴とする請求項5に記載の切削工具インサート。
- 周期表の第IVb、Vb及びVIb群からの金属の立方晶系炭化物6.5〜9.5wt%及び6〜9wt%のCoという組成を特徴とし、ここで最上層が、2〜15の長さ/幅比及び4.5以上のTC(0006)をもつ柱状粒子から成る厚み4〜7μmで湿式ブラストされた(Ra<1μm)α−Al2O3層であり、前記被膜はさらに、厚み4〜10μmのCVD−Ti(C,N)、CVD−TiN、CVD−TiC、MTCVD−Ti(C,N)、MTCVD−Ti(C,O,N)、MTCVD−(Ti,Al)(C,O,N)またはその組合せから成る前記超硬合金本体に隣接する第1層が含まれていることを特徴とする請求項1に記載の切削工具インサート。
- 周期表の第IVb、Vb及びVIb群からの金属の立方晶系炭化物5〜10wt%及び4〜6wt%のCoという組成を特徴とし、ここで最上層が、2〜20の長さ/幅比及び5.0以上のTC(0006)をもつ柱状粒子から成る厚み6〜15μmで湿式ブラストされた(Ra<1μm)α−Al2O3層であり、前記被膜はさらに、厚み4〜15μmのCVD−Ti(C,N)、CVD−TiN、CVD−TiC、MTCVD−Ti(C,N)、MTCVD−Ti(C,O,N)、MTCVD−(Ti,Al)(C,O,N)またはその組合せから成る前記超硬合金本体に隣接する第1層が含まれていることを特徴とする請求項1に記載の切削工具インサート。
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