JP2008232628A - 半導体装置の押さえ機構および半導体装置の検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】この発明は、半導体装置を実装状態に近い電磁界シールド状態に置くことができる半導体装置の押さえ機構および半導体装置の検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】配線２５と、接地配線２６とを備えるテスト用基板２０と、押さえ部１４を備える押さえ治具１２を準備する。押さえ部１４は導電性材料で形成されており、凹部１５および絶縁性部材１６を備える。接地配線２６を接地電位として、押さえ治具１２が、押さえ部１４を接地配線２６に接触させつつ、絶縁性部材１６を介して半導体装置１０をテスト用基板２０に押付ける。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体装置の押さえ機構および半導体装置の検査方法に関する。

従来、例えば、下記の特許文献に開示されているように、種々の半導体装置の検査方法が知られている。これらの検査方法では、半導体装置をテスト用の基板に接続する際、半導体装置をテスト用基板に半田などで実装するのではなく、半導体装置のピンをテスト用基板側のソケットに差し込むなどの手法を用いている。これにより、半導体装置とテスト用基板との電気的接続を確保するとともに、テスト用基板に対して半導体装置を脱着可能としている。

特開平７−２６０８７８号公報 特開平１０−１４２２９１号公報

半導体装置をテスト用基板に対して脱着可能として検査を行う場合、半導体装置の状態が実装状態と相違する。しかしながら、高い検査精度を保つなどの観点からは、実装時により近い状態で半導体装置の検査を行うことが好ましい。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、半導体装置を実装状態に近づけつつ、半導体装置を基板に接続することができる半導体装置の押さえ機構および半導体装置の検査方法を提供することを目的とする。

第１の発明は、上記の目的を達成するため、半導体装置の押さえ機構であって、
その表面に、半導体装置を載せる領域と、該半導体装置を載せる領域に設けられる第１配線と、該半導体装置を載せる領域に隣接して設けられる接地用の第２配線とを備える基板と、
導電性材料からなる部位を備える押さえ治具であって、該導電性材料からなる部位に凹部が備えられ、該凹部の中に絶縁性部材を備える押さえ治具と、
を備えることを特徴とする。

また、第２の発明は、上記の目的を達成するため、半導体装置の検査方法であって、
その表面に、半導体装置を載せる領域と、該半導体装置を載せる領域に設けられる第１配線を備える基板を準備する工程と、
前記基板の前記半導体装置を載せる領域に、前記第１配線と接続するように半導体装置を載せる工程と、
前記基板に載せられた前記半導体装置を導電性部材が覆い、該導電性部材と該半導体装置との間に絶縁性部材が介在し、該導電性部材が該絶縁性部材を介して該半導体装置を前記基板に押付けている状態であって、かつ、該導電性部材が接地電位とされた状態で、前記第１配線を介して前記半導体装置を検査する検査工程と、
を含むことを特徴とする。

第１の発明によれば、半導体装置を第１配線と接続するように基板に載せて、押さえ治具の導電性材料からなる部位を該第２配線に接触させつつ、絶縁性部材を介して半導体装置を基板に押付けることができる。これにより、押さえ治具の押し付けにより半導体装置と基板との電気的接続を取るとともに、半導体装置の環境を実使用状態の電磁界シールド状態に近づけることができる。

第２の発明によれば、半導体装置を基板に押付けてそれらを脱着可能な状態としつつ、半導体装置の環境を実使用状態（すなわち、基板実装状態および電磁界シールド状態）に近づけて検査を行うことができる。

実施の形態１．
［実施の形態１の構成および動作］
図１は、本発明の実施の形態１の半導体装置の押さえ機構、およびこれを用いた検査方法を説明するための図である。図１は、半導体装置、テスト用基板、押さえ治具についての断面図である。符号１０は半導体装置、符号２０はテスト用基板を指している。半導体装置１０は、高周波用半導体装置である。テスト用基板２０は、半導体装置１０を配置する側の面が絶縁層２２となっている。絶縁層２２の下層には、導体層２４が設けられている。なお、テスト用基板２０は、必要に応じ、導体層２４の下層にさらに絶縁層、導体層などが積層されてなる多層配線基板とすることができる。

絶縁層２２の半導体装置１０が配置される領域には、配線２５が形成されている。図示しないが、配線２５は、導体層２４とは異なる導体層を介して、テスト用基板２０の外表面に露出している。テスト時においては、テスト用基板２０に搭載された半導体装置に対し、当該露出している部分を端子として配線２５を介して高周波信号を送受信できる。なお、図１では配線２５を簡略化して示しているが、実際には、半導体装置１０の入出力信号パッドに合わせるなどして、適宜複数本の配線を設けることができる。

符号２６は、テスト用基板２０に設けられる接地配線を示している。接地配線２６は、テスト用基板２０表面の半導体装置１０を載せる領域を囲うように設けられている。接地配線２６は、導体層２４と接続している。テスト時には、導体層２４を接地電位とすることで、接地配線２６が接地電位とされる。

符号１２は、半導体装置１０をテスト用基板２０に押付ける押さえ治具を指している。押さえ治具１２は、電気伝導性を有する材料により形成された押さえ部１４を備えている。なお、図１では、押さえ治具１２の押さえ部１４以外の構造については、図示を省略している。

押さえ部１４は、凹部１５を備えている。具体的には、凹部１５は、押さえ部１４の底部１４ａおよび側壁１４ｂとから形成されている。凹部１５の内部には、絶縁材料により形成された絶縁性部材１６が備えられている。絶縁性部材１６の材料としては、例えば、ゴム材等の、弾力性のある材料（弾性材料）を用いることができる。側壁１４ｂは、絶縁性部材１６の周囲を囲みつつ、絶縁性部材１６よりも凹部１５の開口方向（図１の紙面下方）に出張っている。

図２は、実施の形態１の試験中における動作を説明するための図である。図２に示すように、試験中には、絶縁性部材１６が半導体装置１０に接触し、当該半導体装置１０をテスト用基板２０に接触させる。これにより、半導体装置１０が配線２５と接続する。

また、押さえ部１４が絶縁性部材１６を介して半導体装置１０を押付けた際に、凹部１５のふちは半導体装置１０の周囲を囲いながら接地配線２６と接触する。このような状態で、導体層２４を接地電位とし、配線２５を介して半導体装置１０を検査する。

なお、上述したように、図１では、押さえ治具１２の押さえ部１４以外の構造については省略している。押さえ治具１２の押さえ部１４以外の部位については、例えば、押さえ部１４から図１の紙面上方へと絶縁性部材からなる連結部を設けることができる。そして、この連結部を、図示しない動力機構に連結することができる。そして、連結部および押さえ部１４（すなわち押さえ治具１２）を紙面上下方向に移動可能とする。このように、本実施形態に係る押さえ機構を、適宜、公知の技術を用いて動作させることとすればよい。

図３は、図２をその紙面上方から見た図である。図３のＡ−Ａ線に沿う断面図が、図２に相当している。図３に示すように、押さえ部１４をテスト用基板２０に接触させた際には、押さえ部１４の凹部１５により半導体装置１０が覆われることになる。なお、図３では、図示を簡略化するため、テスト用基板２０の表面の配線を省略している。

［実施の形態１の効果］
以下、図１乃至３の図とともに図４および図５を用いて、本実施形態の効果について説明する。以下の説明では、先ず、実装時の電磁界シールド状態（図４）について述べる。続いて、比較例として半導体装置の検査手法の一例（図５）を述べ、その後、本実施形態の効果を説明する。

図４は、半導体装置、特に高周波用半導体装置の実使用での実装状態を示す図である。以下の説明では、特に、実装状態における電磁界シールドの概念について説明する。図４において、符号１００は高周波用半導体装置、符号１１２は電磁界シールド用囲み（金属材）、符号１２０は実装基板を示す。符号１２２は実装基板１２０の絶縁層、符号１２４は実装基板の同体層をそれぞれ示す。

実使用時における実装状態では、半導体装置１００は実装基板１２０に半田で接続されている。このため、半導体装置１００と実装基板１２０は、機械的接触と比較してより良い電気的導通状態にある。また、電磁界シールド用囲み１１２（金属材）が、半導体装置１００を囲むように覆い、実装基板１２０のシールド用配線１２６に半田で接続されている。電磁界シールド用囲み１１２と半導体装置１００との間には、製造公差等に起因して、隙間１１４が生じる。

半導体装置１００は、実装基板１２０の図示しない回路パターンを通じて入力された高周波信号により機能する。この時に、半導体装置１００および実装基板１２０の機能に関係の無い不要な信号が外部から入り込むと、半導体装置１００の機能すなわち特性が影響を受ける。電磁界シールド用囲み１１２（金属材）は、そのような、半導体装置１００などの機能に関係の無い外部からの不要な信号を遮断するために装着されている。

半導体装置の検査時においては、半導体装置をテスト用基板に実装せずに行うことが望ましい。このため、例えば、以下のような手法を用いることも考えられる。図５は、上記の半導体装置１００の検査方法の一例を示す図であって、本実施形態との比較例を示す図である。以下、図５を用いて、高周波用半導体装置の押さえ方の動作および作用について説明する。

図５において、符号１００は高周波用半導体装置、符号１４０は電気導電性を有する導体材料により形成された押さえ部、符号１３０はテスト用基板を示す。テスト用基板１３０は、絶縁層１３２と導体層１３４を備える。図５で例示する検査方法においては、押さえ部１４０が半導体装置１００を紙面下方に押すことで、半導体装置１００をテスト用基板１３０に接触させることができる。押さえ部１４０は、その上部を通じて接地されているか、もしくは接地されずに浮遊導体の状態となっている。なお、この時、半導体装置１００とテスト用基板１３０は機械的接触をしており、半田で接続される場合と比較して、悪い電気的導通状態にある。

また、図５において、押さえ部１４０を絶縁性材料で形成することも考えられる。押さえ部１４０による機械的な押付けの効果は、絶縁性材料においても同様に発揮されるからである。但し、このような態様においては、押さえ部１４０が導電性材料で形成される場合とは電気的な影響が異なる。

押さえ部１４０によりテスト用基板１３０に接触した半導体装置１００は、テスト用基板１３０を通じて入力された高周波信号により動作する。図５の比較例によれば、このような状態で、半導体装置１００の試験を行うことができる。

図４と図５を比較すると、図４に示した実使用の実装状態では、半導体装置１００と電磁界シールド用囲１１２（金属材）とが接触することは無く、それらの間には隙間１１４が存在する。これに対し、図５の試験方法を用いた場合、押さえ治具１４０が半導体装置１００に直に接触する状態となる。このため、押さえ治具１４０が導体材料で形成されている場合には、導体材料が隙間を介さずに直接半導体装置に接触する状態となる。押さえ治具１４０が絶縁性材料で形成されている場合には、電磁界シールド用囲１１２に相当する導体材料が備えられていないという状態となる。

また、図４に示すように、実使用の実装状態では、半導体装置１００が電磁界シールド用囲１１２によって覆われている。一方、図５の手法では、押さえ治具１４０とテスト用基板１３０との間に隙間があり、この隙間から半導体装置１００が外部に露出している。

また、図４で示した実使用の実装状態では、電磁界シールド用囲１１２（金属材）が実装基板１２０上(デバイス近く)で接地されている。これに対して、図５で示した試験方法では、押さえ部１４０が導体材料により形成される場合は、その上部を通じて接地されているか、もしくは接地されずに浮遊導体の状態となっている。図５の押さえ部１４０が絶縁性材料により形成される場合には、そのような接地の手法がとられないことになる。このように、実使用の実装状態と従来の試験方法における試験状態とでは、半導体装置に対する電磁界シールドの状態が異なってしまう。

半導体装置の試験、特に、高周波用半導体装置の試験を行う場合、半導体装置の環境（具体的には、電磁界シールド状態など）を実装状態に近づけることができないと、試験結果に影響を及ぼすおそれがある。従って、実装時により近い状態で半導体装置の試験を行うことが理想的であり、実使用の実装状態に近い電磁界シールド状態で半導体装置のテストを実施することが好ましい。

そこで実施の形態１では、図２を用いて述べたように、試験中には、絶縁性部材１６を半導体装置１０に接触させることにより、半導体装置１０をテスト用基板２０に押付けている。このようにすることで、半導体装置１０と配線２５との良好な接触を確保しつつ、導電性材料からなる押さえ部１４と半導体装置１０との間に絶縁性部材１６が介在させ、図４に示した実装状態における隙間１１４を擬似的に作り出すことができる。

また、実施の形態１では、押さえ部１４の凹部１５の周縁がテスト用基板２０に接触する。このため、半導体装置１０の側端面側も導電性材料で覆うことができる。さらに、試験中には導体層２４が接地電位とされるので、これに伴い接地配線２６が接地電位となる。その結果、凹部１５の周縁が接地配線２６と接触しているので、押さえ部１４も接地電位となる。これにより、半導体装置１０の直近に接地導体を配置することができ、実装状態に近い電磁界シールド状態を作り出すことができる。

また、実施形態１では、絶縁性部材１６の材料として、弾性材料であるゴム材を用いている。このようにすれば、半導体装置１０の厚さが押さえ部１４と絶縁性部材１６との差（凹部１５の深さから絶縁性部材１６の厚みを差し引いた寸法）よりも厚くても、半導体装置１０が絶縁性部材１６に沈み込むことでその差分に対応可能となる。

以上説明したように、実施の形態１によれば、押さえ治具１２の導体の部分（押さえ部１４）を直に接触させることなく、半導体装置１０をテスト用基板２０に押さえることができる。そして、押さえ部１４で半導体装置１０を覆いつつ、接地配線２６を接地電位とすることで押さえ部１４を接地電位とすることができる。その結果、実使用の実装状態（図４）に近い電磁界シールド効果を得ることができる。

また、本実施形態によれば、押さえ治具１２が、導電性材料からなる押さえ部１４に凹部１５を設け、凹部１５内に絶縁性部材１６を取り付けることで、一部品として形成されている。これにより、簡易な構成で、実装時に近い電磁界シールド状態を実現することができる。

尚、上述した実施の形態１では、テスト用基板２０が前記第１の発明における「テスト用基板」に、配線２５が前記第１の発明における「第１配線」に、配線２６が前記第１の発明における「第２配線」に、それぞれ相当している。また、押さえ治具１２が、前記第１の発明における「押さえ治具」に、押さえ部１４が、前記第１の発明の「導電性材料からなる部位」に、凹部１５が前記第１の発明における「凹部」に、それぞれ相当している。

また、上述した実施形態１では、図１において説明した段階が、前記第２の発明における、「テスト用基板を準備する工程」および「半導体装置を載せる工程」に、図２において説明した段階が、前記第２の発明における「検査工程」にそれぞれ相当している。

なお、上述した実施形態における凹部１５は、その開口が四角形の輪郭を有し、側壁と底部からなる四角形状の窪みとされている。しかしながら、本発明はこの形状に何ら限定されるものではない。凹部の開口の輪郭は、四角形以外の種々の形状を取り得る。また、凹部は、側壁と底部とが明確に区分されることが必ずしも求められるものではない。つまり、導電性材料からなる部位に種々の形状の窪みを設けて、この窪みを本発明にかかる凹部として機能させることができる。明確に底部と側壁が区分されない窪みとして、例えば、凹部の底が丸みを帯びた形状（半球状）としてもよい。また、三角錐のように、奥に向かって先細りとなる窪みとしてもよい。これらの窪みの中に絶縁性部材を設けて、押さえ治具を形成することができる。

［実施の形態１の変形例］
実施形態１では、絶縁性部材１６の材料に、例えばゴム材等の、弾力性のある弾性材料を用いている。しかしながら、本発明はこれに限られるものではない。必要に応じ、他の種々の絶縁材料を用いて、絶縁性部材１６を形成することができる。また、絶縁性部材１６の全てを弾性材料で形成することが常に求められるわけではない。例えば、半導体装置１０との接触部位を部分的に弾性材料で形成してもよい。つまり、絶縁性部材１６が半導体装置１０の押付け方向に対して弾性変形可能とされるように、当該絶縁性部材１６に弾性層を含ませることとすればよい。

また、絶縁性部材１６の表面には、セロハン材等のシートを設けることが好ましい。このようにすれば、絶縁性部材１６と接触した半導体装置１０が離れやすくなり、検査を円滑に進めることが出来る。また、テスト用基板２０の配線のレイアウトも、適宜変更を加えることができる。つまり、半導体装置１０と配線２５との接続（半導体装置１０の検査用の接続）および押さえ部１４と接地配線２６との接続（電磁界シールド状態用の接続）が実現されればよく、各配線のレイアウトは適宜変形することができる。例えば、接地配線２６が半導体装置１０の周囲を囲うように設けられることが、常に求められるということではない。

実施の形態２．
［実施の形態２の構成および動作］
図６は、実施の形態２の構成並びに動作を説明するための図である。符号２１２は、半導体装置１０をテスト用基板２２０に押付ける押さえ治具を指している。この押さえ治具２１２は、実施の形態１の押さえ治具１２と同様に、導電性材料により形成された押さえ部２１４を備えている。押さえ部２１４には、実施の形態１と同様に、凹部２１５が設けられている。凹部２１５は、底部２１４ａと、側壁２１４ｂとから構成されている。

押さえ部２１４は、凹部２１５の中に絶縁性部材２１６を備えている。絶縁性部材２１６の材料は、実施の形態１の絶縁性部材１６と同様に、例えばゴム材等の弾性材料を用いることができる。

押さえ治具２１２は、押さえ部２１４の凹部２１５の周縁（側壁２１４ｂ）に、先鋭形状の接地用プローブ２１８を備えている。接地用プローブ２１８は、凹部２１５の周縁にそって、凹部２１５の開口を囲むように複数設けられる。

符号２２０は、実施の形態２におけるテスト用基板を指している。テスト用基板２２０は、実施の形態１のテスト用基板２０と同様に、絶縁層２２２、導体層２２４を備えている。テスト用基板２２０は、半導体装置１０を配置する領域の周囲に、接地配線２２６を備えている。接地配線２２６は、テスト用基板２２０の内部を通じて接地されている。

検査の際には、実施の形態１と同様に、絶縁性部材２１６を介して半導体装置１０をテスト用基板２２０に押付ける。このとき、この接地用プローブ２１８をテスト用基板２２０の上の接地配線２２６に当てる。接地用プローブ２１８が先鋭形状であるため、接地用プローブ２１８が接地配線２２６と接触した際に、接地配線２２６と押さえ部２１４との間で良好な電気的接続が確保される。このように、凹部２１５の周縁に先鋭形状の部位を配置することで、押さえ部２１４の導体の接地を半導体装置１０の近くで得ることができ、実使用の実装状態に近い電磁界シールド効果をより確実に得ることができる。

なお、実施の形態２についても、実施の形態１と同様の種々の変形が可能である。

実施の形態３．
［実施の形態３の構成および動作］
図７は、本発明の実施の形態３の構成並びに動作を説明するための図である。テスト用基板上に押さえ部を接触させる場合、加工精度のばらつきなどに起因してテスト用基板と押さえ部の間にすき間が生じる場合がある。このような場合、電磁界シールドの効果が低減してしまう。

そこで実施の形態３では、押さえ部３１４を、絶縁性部材の取りつけ部としての底部３１４ａと、この底部３１４ａを囲むように取り付けられる板ばね３１８とを含む構成としている。底部３１４ａと板ばね３１８とにより凹部３１５が形成され、この凹部３１５内に絶縁性部材３１６が収納されている。板ばね３１８は、底部３１４ａの四辺にそれぞれ設けられている。そして、底部３１４ａの四辺に設けられたそれぞれの板ばね３１８は、底部３１４ａの四隅の位置で切り分けられている（換言すれば、四隅の位置にスリットが設けられている）。このため、図８を紙面下方に向かってみたとき、四辺のそれぞれの板ばねを、凹部３１５の外側に開くことができる。

このような構成によれば、押さえ部３１４をテスト用基板３２０側に押し込んだ際に、図８のように、絶縁性部材３１６が半導体装置１０を押付けつつ板ばね３１８が撓む。これにより、押さえ部３１４とテスト用基板３２０との間にすき間が生ずるのを防止することが出来る。その結果、電磁界シールドの効果が低下する事態が生ずるのを、防止することができる。

また、本実施形態にかかる板ばね構造によれば、半導体装置１０の厚さが押さえ部３１４と絶縁性部材３１６との差（凹部３１５の深さから絶縁性部材３１６の厚みを差し引いた寸法）より薄くても、板ばね３１８がテスト用基板３２０側に沈み込むので、絶縁性部材３１６によって半導体装置１０を確実に押さえ込むことができる。

さらに、絶縁性部材３１６に、例えば、ゴム材等の弾力性のある部材を用いることができる。これによれば、板ばね３１８との相乗効果により、厚さがかなり異なる複数の高周波用半導体装置のそれぞれを、絶縁性部材３１６によって押さえ込むことができる。その結果、汎用性が高い押さえ機構を得ることができる。

なお、実施の形態３に関しても、実施の形態１と同様の変形を加えることができる。また、実施の形態２の思想を組み合わせて用いても良い。また、板ばね３１８を、次に述べるような板ばね部材に変更してもよい。先ず、弾性のある導電性の板状の部材を複数回折り返して、一方向に伸縮可能なばね部材とする。この部材を、底部３１４ａに、伸縮可能な方向が図８の紙面下方を向くように取り付ける。これにより、押さえ部をテスト用基板側に押し込んだ際に、絶縁性部材３１６が半導体装置１０を押付けつつ板ばね部材が撓むこととなる。このような板ばね部材を用いて、実施の形態３の思想を実現してもよい。

実施の形態４．
［実施の形態４の構成および動作］
図９および１０は、本発明の実施の形態４の構成ならびに動作を説明するための図である。図９および１０では、実施形態４を、実施形態３の思想と組み合わせて用いている。実施形態３で説明した構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。

実施の形態４は、テスト用基板４２０を備える。テスト用基板４２０は、多層配線構造のテスト用基板である。テスト用基板４２０の表面には、絶縁層４２２が設けられている。絶縁層４２２には、接地配線４２６と、非接地配線４３０とがそれぞれ形成されている。接地配線４２６は、更に下層の導体層４２４に接続している。

非接地配線４３０の一部は、半導体装置１０の搭載領域に露出している。半導体装置１０がテスト用基板４２０に載せられた際、非接地配線４３０が当該半導体装置１０と接続する。また、図９に示すように、非接地配線４３０は、絶縁層４２２の内部を通じて紙面左方へと向かって延びている。

そして、非接地配線４３０は、テスト用基板４２０表面の押さえ治具３１２との接触領域（実施形態４では、接地配線４２６の位置）の外側まで伸びている。非接地配線４３０は、当該接触領域の外側において、テスト用基板４２０の表面に露出している。半導体装置１０の検査時には、この非接地配線４３０を通じて、半導体装置１０の高周波特性を測定する。

図１０は、図９を紙面上方から見た図である。便宜上、押さえ治具３１２とテスト用基板４２０の一部を透視して、非接地配線４３０を示している。図９は、図１０におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図に相当している。図９で述べたように、非接地配線４３０は、半導体装置１０の直下と押さえ治具３１２の外側の領域とにおいてのみ、テスト用基板４２０表面に露出する。このため、実際には、非接地配線４３０のうち、半導体装置１０の直下と押さえ治具３１２の外側の領域とを結ぶ部位は、テスト用基板４２０の表面には露出しない。なお、図９および１０では配線を簡略化して示しているが、実際には複数の配線が半導体装置１０と接続することになる。

テスト用基板がその表面に接地配線と信号伝送用などの非接地配線とを備える場合に、非接地配線と押さえ部２１４との接触を防ぐ為に、押さえ部１４の側壁１４ａの一部に切り込み加工を行なうという手法が考えられる。しかしながら、このような場合、切り込み加工を行った部分の電磁界シール効果が低減してしまう。

そこで実施の形態４では、図９のように、非接地配線４３０をテスト用基板４２０の層内に配置している。これにより、電磁界シールドとしての押さえ部３１２と、非接地配線４３０の接触を防ぐことができる。よって、電気的に接地である押さえ部３１２と非接地配線４３０の接触を防ぎつつ、テスト用基板の同一表面に接地配線と非接地配線を設けることができる。

上記説明した実施形態４では、テスト用基板４２０とともに、押さえ治具３１２を実施形態３の思想にかかる構成としている。しかしながら、本発明はこれに限られるものではない。テスト用基板４２０を実施形態１、２の押さえ治具と組み合わせて用いて、半導体装置の押さえ機構を実現してもよい。

なお、実施の形態４に関しても、実施の形態１と同様の変形を加えることができる。また、実施の形態２、３の思想を、実施の形態４と組み合わせて用いても良い。

なお、上記の説明では、導電性材料からなる部位に凹部を備え、当該凹部に絶縁性部材を備える押さえ治具と、この押さえ治具と共に半導体装置を押えるテスト用基板とを用いた実施形態を説明した。しかしながら、例えば、押さえ治具と絶縁性部材とを個別の部材として、本発明の手法を応用しても良い。また、押さえ部１４と半導体装置１０との間に絶縁性部材１６が介在し、押さえ部１４が絶縁性部材１６を介して半導体装置１０をテスト用基板２０に押付けている状態で押さえ部１４を接地電位とすることができれば、必ずしもテスト用基板に接地配線を設けなくともよい。

本発明の実施の形態１の構成を説明するための図である。 実施の形態１の動作を説明するための図である。 実施の形態１の構成の平面図である。 半導体装置の実装時の状態を説明するための図である。 半導体装置の検査方法の一例を示す図である。 実施の形態２の構成を説明するための図である。 実施の形態３の構成を説明するための図である。 実施の形態４の構成を説明するための図である。 実施の形態４の構成を説明するための図である。 実施の形態４の構成を説明するための図である。

符号の説明

半導体装置 １０
テスト用基板 ２０、１３０、２２０、３２０、４２０
実装基板 １２０
導体層 ２４、１２４、１３４、２２４、３２４、４２４
配線 ２５、１２５、１３５、１
接地配線 ２６、１２６、２２６、３２６、４２６
非接地配線 ４３０
押さえ治具 １２、２１２、３１２
押さえ部 １４、２１４、３１４
凹部 １５、２１５、３１５
絶縁性部材 １６、２１６、３１６
接地用プローブ ２１８
板ばね ３１８
電磁界シールド １１２

Claims (11)

1. その表面に、半導体装置を載せる領域と、該半導体装置を載せる領域に設けられる第１配線と、該半導体装置を載せる領域に隣接して設けられる接地用の第２配線とを備える基板と、
   導電性材料からなる部位を備える押さえ治具であって、該導電性材料からなる部位に凹部が備えられ、該凹部の中に絶縁性部材を備える押さえ治具と、
   を備えることを特徴とする半導体装置の押さえ機構。
2. 前記押さえ治具の前記凹部の周縁の部位に、該凹部の開口方向と略平行な方向に向かって尖る先鋭部を備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の押さえ機構。
3. 前記押さえ治具が備える前記凹部は底部と側壁とを有してなり、該側壁がばね部材とされていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の押さえ機構。
4. 前記第１配線が、前記半導体装置を載せる領域から前記基板の内部を通って延び、該基板の表面の前記押さえ治具との接触位置の外側の領域に露出していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の半導体装置の押さえ機構。
5. 前記絶縁性部材が弾性層を備え、前記凹部の開口方向に弾性変形可能とされることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の半導体装置の押さえ機構。
6. その表面に、半導体装置を載せる領域と、該半導体装置を載せる領域に設けられる第１配線を備える基板を準備する工程と、
   前記基板の前記半導体装置を載せる領域に、前記第１配線と接続するように半導体装置を載せる工程と、
   前記基板に載せられた前記半導体装置を導電性部材が覆い、該導電性部材と該半導体装置との間に絶縁性部材が介在し、該導電性部材が該絶縁性部材を介して該半導体装置を前記基板に押付けている状態であって、かつ、該導電性部材が接地電位とされた状態で、前記第１配線を介して前記半導体装置を検査する検査工程と、
   を含むことを特徴とする半導体装置の検査方法。
7. 前記基板は、前記半導体装置を載せる領域に隣接して設けられる第２配線をさらにその表面に備え、
   前記検査工程は、
   前記導電性部材としての導電性材料からなる部位を備える押さえ治具であって、該導電性材料からなる部位が凹部を備え、該凹部の中に前記絶縁性部材を備える押さえ治具を準備する工程と、
   前記押さえ治具が、前記導電性材料からなる部位を該第２配線に接触させつつ、前記凹部の中の前記絶縁性部材を介して半導体装置を前記基板に押付けている状態で、前記第２配線を接地して前記半導体装置に対して検査を行う工程と、
   を含むことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の検査方法。
8. 前記押さえ治具の前記凹部の周縁の部位に先鋭部が備えられ、該先鋭部が前記第２配線に接触することを特徴とする請求項７記載の半導体装置の検査方法。
9. 前記押さえ治具が備える前記凹部は底部と側壁とを有してなり、該側壁がばね部材とされていることを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置の検査方法。
10. 前記第１配線が、前記半導体装置を載せる領域から前記基板の内部を通って延び、該基板表面の前記押さえ治具との接触位置の外側の領域に露出していることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項記載の半導体装置の検査方法。
11. 前記絶縁性部材が弾性層を備え、前記凹部の開口方向に弾性変形可能とされることを特徴とする請求項６乃至１０のいずれか１項記載の半導体装置試験装置。

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