JP2008226956A - 抵抗器の製造法および抵抗器 - Google Patents

Abstract

【課題】トリミングを行う装置の構造を複雑とせず、またその装置の制御を困難とせず、かつ短時間でトリミングを行う。
【解決手段】基板２上に形成された対となる抵抗用電極３の双方に接触する抵抗体膜４を有する抵抗素子５の抵抗値調整を行うトリミング工程を有する。そして、トリミング工程では、抵抗用電極３および抵抗体膜４が配置される面側であって、抵抗体膜４に沿うと共に脇部６となる位置の基板２を加熱する。そしてその加熱は、レーザー光の照射による。そしてレーザー光の照射によって脇部６に凹部７を形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、抵抗器の製造法および抵抗器に関する。

基板上に形成された対となる抵抗用電極の双方に接触する抵抗体膜を有する抵抗素子の抵抗値調整（トリミング）を行う技術については、基板の抵抗体膜配置面とは逆側の基板面にレーザーを照射して加熱することでトリミングするものが提案されている（特許文献１参照）。また、抵抗体膜への溝形成をしない程度の弱い出力のレーザーを照射によって抵抗体膜の表面を加熱するものが提案されている（特許文献２参照）。

特開平５−２９１０１２号公報 特開２００４−３６３５２８号公報

基板の抵抗体膜配置面とは逆側の基板面を加熱すると、トリミング時の抵抗値の測定のための電極であるトリミングプローブを基板の抵抗体膜配置面に当接し、レーザーを照射は基板の抵抗体膜配置面に対して行う場合が多い。その場合には、トリミングを行う装置の構造が複雑となり、またその装置の制御も困難となる。

また、弱い出力のレーザーの照射によって抵抗体膜の表面を波状に加熱する場合、トリミングをしていない段階での抵抗値と、トリミングの目標とする抵抗値とが大きく異なる場合に、トリミングに長時間を要する。また、抵抗体膜にレーザーを照射する場合、抵抗体膜の変性や、レーザーの出力が強いと溝が形成されてしまうことを考慮し、弱い出力としているが、弱い出力の場合、安定したレーザーの照射は困難となり易い。

そこで、本発明の目的は、トリミングを行う装置の構造を複雑とせず、またその装置の制御を困難とせず、かつ短時間でトリミングを行うことである。

上記目的を達成するため、本発明の抵抗器の製造法は、基板上に形成された対となる抵抗用電極の双方に接触する抵抗体膜を有する抵抗素子の抵抗値調整を行うトリミング工程を有し、トリミング工程では、抵抗用電極および抵抗体膜が配置される面側であって、抵抗体膜に沿うと共に脇部となる位置の基板を加熱する。

この発明によれば、トリミング工程では、抵抗用電極および抵抗体膜が配置される基板面を加熱する。よって、トリミングプローブを当接する基板面と、レーザーを照射する基板面を同一にできるため、トリミングを行う装置の構造を複雑とせず、またその装置の制御を困難としない。また、加熱の温度を高く設定できることから、短時間でトリミングを行うことができる。

他の発明は、上述の抵抗器の製造法の発明に加え、加熱が、レーザー光の照射によることとしている。この方法を採用することによって、微小領域への高温の加熱が可能となる。

他の発明は、上述の抵抗器の製造法の発明に加え、レーザー光の照射によって脇部に凹部を形成する。この方法を採用することによって、凹部がトリミング工程終了の目印となる。また、抵抗体膜表面にオーバーコート膜を形成する場合には、オーバーコート膜が凹部に入り込み、オーバーコート膜の基板との密着強度が増す。

他の発明は、上述の抵抗器の製造法の発明に加え、加熱をする領域は、抵抗体膜の両脇部である。この方法を採用することによって、抵抗体膜の一方の端部の加熱し過ぎを抑制し、両端部へと加熱領域を分散できる。

他の発明は、上述の抵抗器の製造法の発明に加え、抵抗体膜が基板上に蛇行して形成され、抵抗体膜の脇部は、蛇行の外側端部である。この方法を採用することによって、トリミング工程終了後の抵抗値変化であるドリフトを抑制できる。

他の発明は、上述の抵抗器の製造法の発明に加え、トリミング工程では、加熱に加えて、抵抗体膜の電流路を狭めるように抵抗体膜の一部を除去する。この方法を採用することによって、トリミングの精度を向上できる。その理由を説明する。抵抗体膜を加熱するトリミングをすると、その抵抗体膜を有する抵抗器の抵抗値は、通常低くなる。それに対して、抵抗体膜の電流路を狭めるように抵抗体膜の一部を除去するトリミングをすると、抵抗値は高くなる。そのため、両方のトリミングを併用することで、一方のトリミングによって、トリミング前の抵抗値から目標とする抵抗値に近づけようとした結果、その目標とする抵抗値を超えてしまった場合でも、他方のトリミングによって、その超えた分を是正でき、トリミングの精度を向上できる。

他の発明は、上述の抵抗器の製造法の発明に加え、抵抗体膜の一部を除去するのを、基板領域を加熱する前に行う。この方法を採用することによって、抵抗体膜の一部を除去するトリミングを行って、目標とする抵抗値を超える高い抵抗値とした場合でも、抵抗体膜を加熱するトリミングをすることで、その超えた分を是正でき、トリミングの精度を向上できる。

他の発明は、上述の抵抗器の製造法の発明に加え、抵抗体膜の一部の除去によって、抵抗体膜を蛇行させ、または蛇行状態をさらに進める。この方法を採用することによって、形成が比較的困難な蛇行の形状の抵抗体膜形成を、容易に行うことができる。

上記目的を達成するため、本発明の抵抗器の製造法は、大型基板上に複数形成された、対となる抵抗用電極の双方に接触する抵抗体膜を有する抵抗素子を加熱して抵抗値調整を行うトリミング工程を有し、トリミング工程は、抵抗値を調整していない未調整抵抗体膜と大型基板との接触部の脇部を加熱して抵抗値調整し、調整済み抵抗体膜を得る第１トリミングを行い、その後、大型基板に形成された未調整抵抗体膜の脇部であって、調整済み抵抗体膜とは隣接しない脇部を加熱して抵抗値調整し、別の調整済み抵抗体膜を得る第２トリミングを繰り返す。

この発明によれば、トリミング工程では、抵抗用電極および抵抗体膜が配置される大型基板面を加熱する。よって、トリミングプローブを当接する大型基板面と、レーザーを照射する大型基板面を同一にできるため、トリミングを行う装置の構造を複雑とせず、またその装置の制御を困難としない。また、加熱の温度を高く設定できることから、短時間でトリミングを行うことができる。また、抵抗体膜が複数形成された大型基板に対してトリミングを行うため、複数の抵抗体膜の効率的なトリミングが可能となる。さらに第２トリミングにおいて、調整済み抵抗体膜とは隣接しない未調整抵抗体膜の端部の大型基板部分を加熱するため、調整済み抵抗体膜が再加熱によって抵抗値変動するのを抑制することができる。

上記課題を解決するため、本発明の抵抗器は、基板と、その基板上に形成された対となる抵抗用電極の双方に接触する抵抗体膜を有し、基板の抵抗体膜が配置される面側であって、抵抗体膜の脇部となる位置に凹部が設けられている。

この発明によれば、抵抗器の製造工程の一つであるトリミング工程でトリミングプローブを当接する基板面と、レーザーを照射する基板面を同一にできるため、トリミングを行う装置の構造を複雑とせず、またその装置の制御を困難としない。そして、抵抗体膜の脇部となる位置に設けられた凹部は、たとえばトリミング工程において、抵抗体膜を加熱して抵抗素子のトリミングする場合の加熱跡として形成できる。その場合は、加熱の温度を高く設定できることから、短時間でトリミングを行うことができる。また、抵抗体膜表面にオーバーコート膜を形成する場合には、オーバーコート膜が凹部に入り込み、オーバーコート膜の密着強度が増す。

本発明により、トリミングを行う装置の構造を複雑とせず、またその装置の制御を困難とせず、かつ短時間でトリミングを行うことができる。

本発明の第１，第２，第３および第４の実施の形態に係る抵抗器の製造法および抵抗器の構成について、図面を参照しながら以下に説明する。

（第１の実施の形態に係る抵抗器の製造法）
図１（Ａ）、図２および図３を参照しながら、第１の実施の形態に係る抵抗器１Ａの製造法を説明する。なお、図１（Ａ）は、後述するオーバーコート膜およびめっき層の図示を省略した抵抗器１Ａの平面図となっている。第１の実施の形態に係る抵抗器１Ａの製造法は、基板２の一方の面上に形成された対となる抵抗用電極３の双方に接触する抵抗体膜４を有する抵抗素子５のトリミングを行うトリミング工程を有する。そして、トリミング工程では、抵抗用電極３および抵抗体膜４が配置される面側であって、抵抗体膜４に沿うと共に脇部６となる位置の基板２を加熱する。そしてその加熱は、レーザー光の照射による。そしてレーザー光の照射によって脇部６に凹部７を形成する。

より具体的な第１の実施の形態に係る抵抗器１Ａの製造法は、図２に示す大型基板２Ａ上に複数形成された、対となる抵抗用電極３の双方に接触する抵抗体膜４を有する抵抗素子５を加熱してトリミングを行うトリミング工程を有する。そして、トリミング工程は、抵抗値を調整していない未調整抵抗体膜４Ａと大型基板２Ａとの接触部の脇部６によって抵抗用電極３および未調整抵抗体膜４Ａが配置される面側の大型基板２Ａを加熱してトリミングを行う。そして、調整済み抵抗体膜４Ｂを得る第１トリミングを終了させる。その後、大型基板２Ａに形成された未調整抵抗体膜４Ａの脇部６であって、調整済み抵抗体膜４Ｂとは隣接しない脇部６を加熱してトリミングを行う。そして、別の調整済み抵抗体膜を得る第２トリミングを繰り返す。そして、別の調整済み抵抗体膜４Ｂを得る第２トリミングが終了する。その後、この第２トリミングを繰り返す。以下では、未調整抵抗体膜４Ａと調整済み抵抗体膜４Ｂを合わせて指すときには、適宜抵抗体膜４と記す。

第１の実施の形態に係る抵抗器１Ａの製造法は、図２（Ａ）から図２（Ｉ）へと進行する。この各過程について説明する。

まず、図２（Ａ）に示す大型基板２Ａを用意する。大型基板２Ａは、アルミナセラミックからなるものである。そして、大型基板２Ａの一方の面には、縦横に交差する分割用溝２Ｃを有している。縦横の分割用溝２Ｃで囲われる一単位が単位基板２Ｂとなる。ここで、大型基板２Ａは、窒化アルミニウムまたはガラス繊維混入樹脂成形体等からなるものとすることができる。特に窒化アルミニウムは、放熱性が良好である。そのため、抵抗体膜４の加熱によって大型基板２Ａに蓄積した熱を早期に放熱できる。よって、トリミングの終了後に大型基板２Ａに蓄積した熱によって調整済み抵抗体膜４Ｂが加熱されてしまい、せっかくトリミングが終了した抵抗素子５の抵抗値が変動してしまうのを抑制できる利点がある。また、分割用溝２Ｃは、必要に応じて設ければ良い。たとえば後述する、一次および／または二次分割工程でダイシングソーを用いて大型基板２Ａを分割する場合には、分割用溝２Ｃは必要でない。また、分割用溝２Ｃは、縦横に交差していなくても良く、縦横の一方のみ有していることとしても良い。また、分割用溝２Ｃは、大型基板２Ａの一方の面だけでなく、両面に設けても良い。

（第１の電極形成工程）
図２（Ｂ）は、大型基板２Ａの分割用溝２Ｃが形成されていない側の面に、裏面電極３Ａを形成した状態を示している。裏面電極３Ａを形成するためには、銀粉末のメタルグレーズペーストをスクリーン印刷法によって、図２（Ｂ）で反対側の基板面の縦横の分割用溝２Ｃの双方を跨いで長方形の帯状に配置し、それを焼成する。図２（Ｃ）は、大型基板２Ａの分割用溝２Ｃが形成されている側の面に、対となる抵抗用電極３を形成した状態を示している。抵抗用電極３を形成するためには、銀−パラジウム合金粉末のメタルグレーズペーストをスクリーン印刷法によって、横方向の分割用溝２Ｃのみを跨いで長方形状に、かつ隣接する抵抗用電極３とは離して配置し、それを焼成する。ここで、抵抗用電極３および裏面電極３Ａの材料は、導電性物質である他の材料、たとえばニッケル、エポキシ系またはアクリル系の導電性接着剤等を用いることができる。しかし、大気中での焼成・加熱による酸化がされ難く、かつ導電性に優れた銀、銀を基とする合金または金等を用いることが好ましい。隣接する抵抗用電極３は、短絡するとトリミング工程において、正確な抵抗値測定ができなくなる。その短絡の原因は、水分の存在下でイオン化した金属が電界によって引っ張られて移動するマイグレーション現象が主である。銀−パラジウム合金は、そのマイグレーション現象が起き難いため、抵抗用電極３の材料として好ましい。また、抵抗用電極３および裏面電極３Ａの形成の際には、スクリーン印刷法等の厚膜技術ではなく、スパッタリング法等の薄膜技術を用いることができる。

（抵抗体膜形成工程）
図２（Ｄ）は、その後、抵抗体膜４を形成した状態を示している。抵抗体膜４を形成するためには、酸化ルテニウムと金属（銀等）との混合粉末のメタルグレーズペーストをスクリーン印刷によって、大型基板２Ａの対となる抵抗用電極３の双方と一部重なり合うように各々の単位基板２Ｂに配置し、それを焼成して形成する。この結果、対となる抵抗用電極３の双方に抵抗体膜４が接触するように形成した抵抗素子５が、各々の単位基板２Ｂに１つずつ形成される。この抵抗素子５の抵抗値は、抵抗器１Ａが目標とする規格抵抗値よりもおおよそ１０〜１５％程度高く、ばらついている。この理由は、スクリーン印刷およびその後の焼成のみでは、抵抗値の精度が良い抵抗素子５を形成するのが困難だからである。また、この抵抗体膜４は、現段階では未調整抵抗体膜４Ａである。ここで、抵抗体膜４の形成の際には、スクリーン印刷法等の厚膜技術ではなく、スパッタリング法等の薄膜技術を用いることができる。また、抵抗体膜４の材料は、他に、カーボンまたはグラファイトの粉末を混入した樹脂系材料等、加熱によって導電率が変化するものとすることができる。

（トリミング工程）
図２（Ｅ）は、その後、未調整抵抗体膜４Ａを加熱して、抵抗素子５をトリミングした状態、すなわち、トリミング工程が終了した状態を示している。トリミングを行うためには、レーザートリマー（トリミング装置）を用いて、抵抗体膜４に沿うと共に脇部６となる位置の大型基板２Ａの部分であって、抵抗体膜４の端部に沿って、かつ僅かに離れた位置に帯状にレーザー光を照射する。レーザー光の照射によって脇部６が蒸発してそこに凹部７が形成される。トリミング工程では、図３に示すように、対となる抵抗用電極３にそれぞれトリミングプローブ８を接触させ、抵抗素子５の抵抗値を測定しながらトリミングを実行する。加熱によって抵抗値が目標となる規格値に近づいて、その目標値よりも５％高い抵抗値になったらレーザー光の照射を止める。そして、余熱によって目標の抵抗値まで到達させる。

レーザー光の照射を止めるタイミングは、抵抗器の抵抗値等の規格、レーザー光の出力等の製造条件、または上述の余熱の放熱状況等によって適宜変更できる。たとえば目標の抵抗値よりも１％，２％，３％または４％高い抵抗値になったらレーザー光の照射を止めることとしても良い。また、目標の抵抗値になるまでレーザー照射を行うこととしても良い。また、抵抗体膜４の材質等によっては、加熱によって抵抗素子５の抵抗値が高くなる場合も想定される。その場合は、未調整抵抗体膜４Ａを備えた抵抗素子５の抵抗値を目標値よりも低く製造し、トリミング工程において、目標値または目標値よりも所定値だけ低い抵抗値になったらレーザー光の照射を止めることとする。ここで、加熱の手段は、レーザー光の照射に限らない。たとえば電熱ヒータ等、他の加熱の手段を用いることができる。しかし、レーザー光の照射は、微小領域を加熱するのに適しており、大型基板２Ａの中で隣接する抵抗素子５への熱的影響を抑制できるため好ましい。また、レーザー光の照射の際には、凹部７が形成されない程度に加熱温度（レーザー光の出力）を設定しても良い。

また、本実施の形態で用いるトリミング装置では、レーザー光自体を帯状に照射できるのではない。レーザー光の照射位置を固定すれば、レーザー光が照射される領域の形状は、略円形である。よって、帯状にレーザー光を照射するためは、レーザー光の照射位置を前回照射した略円形の照射領域と一部重なる位置にずらす。そして、ずらす都度にレーザー光を照射する。レーザー光の照射位置をずらす速度は、抵抗器の抵抗値等の規格、レーザー光の出力等の製造条件等によって適宜変更する。なお、ずらす都度にレーザー光を照射させず、レーザー光の照射を継続しつつ、照射位置をずらしていくようにしても良い。また、帯状の領域を加熱する必要は必ずしも無く、円形領域等、適宜加熱する領域の形状を選択できる。ただし、抵抗素子５の抵抗値を大きく変化させる必要がある場合、または、抵抗体膜４の一部の加熱し過ぎを抑制したい場合がある。その様な場合には、過剰な加熱で抵抗体膜４が損傷するのを抑制し、抵抗体膜４が加熱される領域を分散させるために、レーザー光の照射領域は抵抗体膜４の端部に沿った帯状の領域とすることが好ましい。さらに、より抵抗体膜４が加熱される部分を分散させるため、レーザー光の照射をする領域は、本第１の実施の形態に係る抵抗器１Ａの変形例である図１（Ｂ）の抵抗器１Ｂのように抵抗体膜４の両脇部６であることが好ましい。

図３は、大型基板２Ａに形成された複数の抵抗素子５に対するトリミングが、（Ａ）から（Ｃ）へと進む様子を示す図である。まず、図３（Ａ）に示すように、未調整抵抗体膜４Ａと大型基板２Ａとの接触部の脇部６を加熱してトリミングを行い、調整済み抵抗体膜４Ｂを得る。これが前述した第１トリミングとなる。その後、図３（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、ｙ方向に隣り合う抵抗素子５に係る未調整抵抗体膜４Ａと大型基板２Ａとの接触部の脇部６であって、調整済み抵抗体膜４Ｂとは隣接しない部分を加熱してトリミングを行い、別の調整済み抵抗体膜４Ｂを得る。これが前述の第２トリミングとなる。この第２トリミングを、大型基板２Ａに形成された複数の抵抗素子５の全てに対して行う。このようにトリミング工程を進めることで、調整済み抵抗体膜４Ｂの近辺、すなわち、トリミングが終了した単位基板２Ｂが加熱されないこととなる。よって、調整済み抵抗体膜４Ｂの再加熱によって抵抗値変動するのを抑制することができる。

第２トリミングでは、ｘ方向に隣り合う抵抗素子５に対してトリミングを行っても良い。また第２トリミングでは、ｘ方向またはｙ方向に１つ以上の抵抗素子５をはさんで隣り合う抵抗素子５に対してトリミングを行い、その後、トリミングを行っていない抵抗素子５に対してトリミングを行うこととしても良い。こうすることで、大型基板４の特定の領域を集中的に加熱するのを抑制できる。そのため、その特定の領域に蓄積された熱が調整済み抵抗体膜４Ｂを再加熱するのを抑制できる。ただし、トリミングを迅速に行う観点からは、ｘ方向またはｙ方向に隣り合う抵抗素子５に対してトリミングを行うのが好ましい。

このように、抵抗体膜４の一部を除去せずに、加熱するのみでトリミングを行う第１の利点は、その除去する場合には、抵抗体膜４を保護するガラス膜等の保護膜を予め形成する工程が必要となるが加熱のみのトリミングではその工程を省略できる点である。第２の利点は、抵抗体膜４の過剰な損傷（マイクロクラック等）を回避できることから、高圧パルスに対する耐久性（耐パルス特性）に優れるものとなる点である。第３の利点は、抵抗体膜４の体積の減少を抑制できることから、抵抗器１Ａ，１Ｂおよび後述する抵抗器１Ｃを大きな電力負荷が印加される用途に使用でき、かつさらに耐パルス特性に優れるものとできる点である。第４の利点は、抵抗体膜４の一部の除去の場合抵抗体膜４の材料である導電性の粉末が飛散し、既にトリミング済みの抵抗素子５等に付着してその抵抗素子の抵抗値を変化させる等の不都合が生ずるが、加熱のみのトリミングではその不都合が生じない点である。

（オーバーコート膜形成工程）
図２（Ｆ）は、その後、抵抗用電極３の一部と抵抗体膜４と凹部７を覆うようにオーバーコート膜９を形成した状態を示している。オーバーコート膜９を形成するためには、エポキシ系の樹脂ペーストをスクリーン印刷によって、抵抗体膜４を覆うように配置し、それを加熱し、硬化させて形成する。このオーバーコート膜９は、抵抗体膜４が大気中の水分等によって変性するのを抑制し、また機械的衝撃から抵抗体膜４を保護する役割を担う。ただし、このオーバーコート膜９の形成工程は必ずしも必要ではない。抵抗体膜４の材料である酸化ルテニウムと金属（銀等）との混合粉末のメタルグレーズペーストには、ガラスペーストが含まれている。そのため、焼成により粘度が低下した段階で比重の大きい酸化ルテニウムと金属（銀等）が沈殿し、焼成後には抵抗体膜４の上側の部分が主としてガラス膜となって、オーバーコート膜９と同様の役割をすることがある。オーバーコート膜９の材料は、アクリル系樹脂等のエポキシ系以外の樹脂、ガラス等の他の材料とすることができる。また、オーバーコート膜９がレーザー照射によって形成された凹部７に入り込み、オーバーコート膜９の基板４との密着強度が増す。

（一次分割工程）
図２（Ｇ）は、その後、大型基板２Ａの一方の面に縦横に形成された分割用溝２Ｃのうち、抵抗用電極３が跨ぐ方の分割用溝２Ｃに沿って分割した状態を示している。この分割は分割用溝２Ｃを開く方向に大型基板２Ａを曲げ、短冊状の基板２Ｅへと分割（以下、一次分割という。）する。一次分割の際には、分割用溝２Ｃに跨って形成されていた抵抗用電極３および裏面電極３Ａが、分割用溝２Ｃに沿って同時に破断して、基板２の端面２Ｄ（破断面）が露出する。ここで一次分割により、大型基板２Ａに形成した抵抗用電極３および裏面電極３Ａの各端部が基板２から剥離するおそれがあると考えられる。しかし、その短部の剥離が生じたとしても、後述する端面２Ｄに銀（Ａｇ）をスパッタリング法により被着させる工程（第２の電極形成工程）で、短冊状の基板２Ｅから抵抗用電極３および裏面電極３Ａが剥離した部分にもＡｇが被着されることから、各電極３，３Ａの端部が短冊状の基板２Ｅに固定され、抵抗器１Ａとして機能することができる。

（第２の電極形成工程）
図２（Ｈ）は、平面図である図２（Ｇ）の正面図に相当する図であり、第２の電極形成工程終了後の図である。図２（Ｈ）は、一次分割工程の後、スパッタリング法により端面２ＤにＡｇを被着させ、端面電極３Ｂを形成した状態を示している。このとき、抵抗用電極３および裏面電極３Ａの破断面にもＡｇが被着されるため、抵抗用電極３と端面電極３Ｂとが、また、端面電極３Ｂと裏面電極３Ａとがそれぞれ電気的に接続する。その結果、抵抗用電極３のうち、オーバーコート膜９から露出する部分、端面電極３Ｂおよび裏面電極３Ａが一体となって、端子電極３Ｃが形成される。

（二次分割工程）
図２（Ｉ）は、その後、短冊状の基板２Ｅが有する分割用溝２Ｃに沿って短冊状の基板２Ｅを分割した状態を示している。この分割は、分割用溝２Ｃを開く方向に応力付与して、単位基板２Ｂへと分割（以下、二次分割という。）することとなる。ここで二次分割により、大型基板２Ａの他方の面（裏面）に、縦横の分割用溝２Ｃの双方に跨って形成した裏面電極３Ａの端部が、単位基板２Ｂから剥離するおそれがあると考えられる。しかし、通常、裏面電極３Ａの二次分割時の破断面の面積は小さいため、容易に破断されるので、その破断の際の衝撃が小さい。そのことから、裏面電極３Ａは、単位基板２Ｂ面との剥離に至ることは殆ど無い。この二次分割工程を経て、抵抗器１Ａが完成する。

（めっき工程）
その後、バレルめっき法により、端子電極３Ｃの表面に、ニッケルめっき層（図示省略）を形成し、さらにニッケルめっき層表面にはんだめっき層（図示省略）を形成する。このバレルめっき法は、めっき浴中に浸漬した籠体内に、多数の抵抗器１Ａを、ダミーボールと呼ばれる金属の粒状体と一緒に投入し、籠体を回転または振動等させ、かつ通電しながらめっきするものである。ニッケルめっき層は、端子電極３Ｃとはんだめっき層との合金化による、端子電極３Ｃの、いわゆるはんだ喰われを防止するように機能する。また、はんだめっき層は、実装回路板への表面実装の際に固着部材となる、はんだとの濡れ性を良好にするよう機能する。ここで、ニッケルめっき層およびはんだめっき層の厚みは、それぞれ３μｍ以上１２μｍ以下となるよう、めっき時間および／または通電電流値等を調整する。めっき層厚みが３μｍ以上となると、めっき層の形成が十分となる。めっき層厚みが１２μｍ以下となると、抵抗器１Ａの外形寸法が意図したものとなる。特に、抵抗器１Ａが小型化された場合には、その外形寸法の影響が大きくなる。以上で、第１の実施の形態に係る抵抗器の製造法が終了する。

（第２の実施の形態に係る抵抗器の製造法）
第２の実施の形態に係る抵抗器１Ｃの製造法では、図１（Ｃ）に示す抵抗器１Ｃを製造する。なお、抵抗器１Ａの構成部品と同一の部材、同一の機能を有する部材には、抵抗器１Ａで示した符号と同一の符号を付して説明する。また、図１（Ｃ）では、オーバーコート膜９およびめっき層の図示を省略した抵抗器１Ｃの平面図となっている。

抵抗器１Ｃは、抵抗体膜４Ｂが基板２上にＳ字状に蛇行して形成されている。そして、トリミング工程において加熱される抵抗体膜４Ｃの脇部６Ａは、蛇行の外側端部である。第２の実施の形態に係る抵抗器１Ｃの製造法では、第１の実施の形態に係る抵抗器１Ａの製造法における抵抗体膜形成工程およびトリミング工程以外の各工程を同様に行う。

抵抗体膜形成工程では、抵抗体膜４Ｃをスクリーン印刷によって配置する。その際に用いる製版の開口部形状をＳ字状に蛇行させた形状とする。それ以外は、第１の実施の形態に係る抵抗器１Ａの製造法における抵抗体膜形成工程と同様に行う。因みに、第１の実施の形態に係る抵抗器１Ａの製造法で用いた抵抗体ペースト印刷用の製版は、その開口部形状が長方形である。トリミング工程では、抵抗体膜４Ｃの蛇行の外側端部である２箇所の脇部６Ａに帯状にレーザー光を照射し、加熱する以外は、第１の実施の形態に係る抵抗器１Ａの製造法における抵抗体膜形成工程と同様に行う。以上で、第２の実施の形態に係る抵抗器１Ｃの製造法が終了する。

抵抗器１Ｃは、抵抗体膜４Ｃを基板２上にＳ字状に蛇行して形成しているため、耐サージ特性が抵抗器１Ａ，１Ｂよりも良好である。このことは、後述する抵抗器１Ｅについても同様である。また抵抗器１Ｃは、トリミング工程において加熱される抵抗体膜４Ｃの脇部６Ａは、蛇行の外側端部としているため、トリミング工程終了後の抵抗値変化であるドリフトを抑制できる。

抵抗体膜４Ｃは、蛇行の形状に斜めの部分を有していないが、斜めの部分を有するＺ字状に蛇行する形状としても良い。また、蛇行をする回数は抵抗器１Ｃの使用目的等によって適宜増減できる。さらに、加熱する領域は蛇行の外側端部ではなく、内側端部とすることができる。

（第３の実施の形態に係る抵抗器の製造法）
第３の実施の形態に係る抵抗器１Ｄの製造法では、図１（Ｄ）に示す抵抗器１Ｄを製造する。なお、抵抗器１Ａの構成部品と同一の部材、同一の機能を有する部材には、抵抗器１Ａで示した符号と同一の符号を付して説明する。また、図１（Ｄ）では、オーバーコート膜９およびめっき層の図示を省略した抵抗器１Ｄの平面図となっている。

抵抗器１Ｄは、トリミング工程において、加熱に加えて、抵抗体膜４Ｄの電流路を狭めるように抵抗体膜４Ｄの一部を除去する。そして、抵抗体膜４Ｄの一部を除去するのを、抵抗体膜４Ｄの脇部６の基板２の領域を加熱する前に行う。また、第３の実施の形態に係る抵抗器１Ｄの製造法では、第１の実施の形態に係る抵抗器１Ａの製造法におけるトリミング工程以外の各工程を同様に行う。そして、第１の実施の形態に係る抵抗器１Ａの製造法における抵抗体膜形成工程とトリミング工程の間に、抵抗体膜４Ｄをガラス膜で覆うガラス膜形成工程を行う。

ガラス膜形成工程は、ガラスペーストを用い、先に形成した抵抗体膜４Ｄを覆うようにスクリーン印刷によって配置し、それを焼成して形成する（図示省略）。ここで、ガラス膜は、抵抗用電極３のうち、後に端子電極３Ｃの一部となる部分を露出させる。ガラス膜は、トリミング工程において抵抗体膜４Ｄの一部を除去する際に、トリミングされない部分の抵抗体膜４Ｄを保護するのが主たる役割である。よって、トリミング溝１１の形成がされると想定できる領域のみにガラス膜を形成することとしても良い。また、抵抗体膜４Ｄが破壊されにくいものである場合等では、このガラス膜形成工程を省略することができる。

第３の実施の形態に係る抵抗器１Ｄの製造法におけるトリミング工程では、抵抗体膜４Ｄの一方の側部にレーザー光を照射することによってガラス膜の一部を蒸発させる。そして、抵抗体膜４Ｄの電流路を狭めるようにレーザー光の照射位置を抵抗体膜４Ｄの中心方向にずらしながら抵抗体膜４Ｄの一部を除去し、トリミング溝１１を形成する。なお、図１（Ｄ）のトリミング溝１１は、基板２にできたレーザー光の照射痕を含めて示している。トリミング溝１１の形成は、抵抗素子５Ｃの抵抗値を測定しながら目標となる抵抗値に近づけ、目標値となったらレーザー光の照射を止める。しかし、ドリフトが生じたり、レーザー光の照射を止める時期が遅くなったりして、目標値を超えた高い抵抗値となってしまう場合（オーバートリミング）がある。その場合、その超えた分の抵抗値を下げるために、トリミング溝１１を形成した抵抗体膜４Ｄの一方の側部とは反対側の側部に隣接する脇部６Ｂにレーザー光を帯状に照射して加熱し、トリミングを行う。脇部６Ｂの加熱は、抵抗素子５Ｃの抵抗値の微調整となる場合が多く、脇部６Ｂへのレーザー光の照射領域は帯状とならず、図１Ｄに示すように円形状またはそれに近い形状となることが多い。このため凹部７Ｂも円形の凹部となる。この微調整によって、トリミング精度が向上する。なお、レーザー光の照射領域を他と同様に帯状にしても良い。

脇部６へのレーザー光の照射は、抵抗体膜４Ｄのトリミング溝１１を形成した側と同一側に行うことができる。ただしその場合、トリミング溝１１を形成した際に抵抗体膜４Ｄの一方の側部は既に加熱されているため、さらなる加熱による抵抗値変化量は小さい。また、さらなる加熱によってトリミング溝１１が通常有するマイクロクラックを広げ、抵抗器１Ｄの耐パルス特性へ悪影響を及ぼす可能性もある。よって、レーザー光を照射して加熱する領域は、トリミング溝１１を形成した抵抗体膜４Ｄの一方の側部とは反対側の端部に隣接する脇部６とするのが好ましい。また、第３の実施の形態に係る抵抗器１Ｄの製造法におけるオーバーコート膜形成工程では、トリミング溝１１がオーバーコート膜９の材料によって埋められ、保護されることとなる。

第３の実施の形態に係る抵抗器１Ｄの製造法では、トリミング工程において抵抗体膜４Ｄの一部を除去するのを、抵抗体膜４Ｄの脇部６の基板２の領域を加熱する前に行っているが、その順番を逆にしても良い。たとえば抵抗体膜４Ｄの脇部６の基板２の領域を加熱するトリミングを行い、目標とする抵抗素子５Ｃの抵抗値よりも低くなってしまった場合に、その低くなった分を抵抗体膜４Ｄの一部を除去することで、微調整としてのトリミングを行う。この場合、レーザー光の照射領域は帯状とするのが好ましい。また、抵抗体膜４Ｄの一部を除去する方法は、レーザー光を照射する方法以外に、細かい絶縁性の粒子をぶつけて、機械的な衝撃を与えることで抵抗体膜４Ｄの一部を除去する、いわゆるサンドブラスト法としても良い。

（第４の実施の形態に係る抵抗器の製造法）
第４の実施の形態に係る抵抗器１Ｅの製造法では、図１（Ｅ）に示す抵抗器１Ｅを製造する。なお、抵抗器１Ａの構成部品と同一の部材、同一の機能を有する部材には、抵抗器１Ａで示す符号と同一の符号を付して説明する。また、図１（Ｅ）では、オーバーコート膜９およびめっき層の図示を省略した抵抗器１Ｅの平面図となっている。

抵抗器１Ｅは、抵抗体膜４Ｅの一部の除去によって、抵抗体膜４Ｅを蛇行させ、または蛇行状態をさらに進める。第４の実施の形態に係る抵抗器１Ｅの製造法では、第３の実施の形態に係る抵抗器１Ｄの製造法における抵抗体膜形成工程およびトリミング工程以外の各工程を同様に行う。

抵抗体膜形成工程では、抵抗体膜４Ｅをスクリーン印刷によって配置する。その際に用いる製版の開口部を、Ｓ字の下側のカーブによって開口しない部分を開口させた形状（擬Ｓ字形状という）とする。それ以外は、第１の実施の形態に係る抵抗器１Ａの製造法における抵抗体膜形成工程と同様に行う。トリミング工程では、まず第３の実施の形態に係る抵抗器１Ｄの製造法におけるトリミング工程と同様に、抵抗体膜４Ｅの擬Ｓ字形状の部分にトリミング溝１１Ａを形成し、抵抗体膜４ＥをＳ字形状（蛇行形状）とする。その後、オーバートリミングが生じたら、その超えた分の抵抗値を下げるために、第３の実施の形態に係る抵抗器１Ｄの製造法におけるトリミング工程と同様に、抵抗体膜４Ｅの蛇行の外側端部である２箇所の脇部６Ｃに帯状にレーザー光を照射し、加熱する。抵抗体膜４ＥをＳ字形状とする方法は、サンドブラスト法とすることができる。この場合のレーザー光の照射は、図１（Ｄ）に示すように円形形状またはそれに近似する形状とするのが好ましいが、図２（Ｅ）に示すように帯状としても良い。

第４の実施の形態に係る抵抗器１Ｅの製造法では、抵抗体膜形成工程において、擬Ｓ字形状の抵抗体膜４Ｅを形成している。しかし、擬Ｓ字形状ではなくて、当初から蛇行した形状のもの、すなわち完全にＳ字状の抵抗体膜４Ｅを形成しても良い。そして、その蛇行した形状の蛇行状態をさらに進めるように抵抗体膜４Ｅの一部を除去することとしても良い。抵抗体膜形成工程において、擬Ｓ字形状の抵抗体膜４Ｅを形成する利点は、スクリーン印刷法等では、比較的複雑でない擬Ｓ字形状を再現性良く形成することが、複雑な形状の蛇行形状を再現性良く形成することよりも容易である点である。

第１、第２、第３および第４の実施の形態に係る抵抗器の製造法によって得られた抵抗器１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅは、基板２と、その基板２上に形成された対となる抵抗用電極３の双方に接触する抵抗体膜４，４Ｃ，４Ｄ，４Ｅを有し、基板２の抵抗体膜４，４Ｃ，４Ｄ，４Ｅが配置される面側であって、抵抗体膜４，４Ｃ，４Ｄ，４Ｅの脇部６，６Ａ，６Ｂ，６Ｃとなる位置にレーザー光が照射されることで形成される凹部７，７Ａ，７Ｂ，７Ｃが設けられている。なお、凹部は、加熱以外の方法、たとえば基板２を成形する際の成形金型に凹部を形成する形状が含まれている等の方法で形成されていても良い。この凹部７，７Ａ，７Ｂを設ける利点は、前述したオーバーコート膜９を形成する際に、オーバーコート膜９が凹部７，７Ａ，７Ｂに入り込み、オーバーコート膜９と基板２との密着強度が増す点である。

以上、本発明の実施の形態に係る抵抗器１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅの製造法および抵抗器１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅについて説明したが、本発明の要旨を逸脱しない限り種々変更実施可能である。たとえば、大型基板２Ａは必須の部材ではなく、単位基板２Ｂに対して上述した各工程を行うことができる。よって、一次および二次分割工程は必須の工程ではないため省略できる。また、オーバーコート膜形成工程およびめっき工程についても必須の工程ではないため省略できる。さらに、抵抗器１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅが抵抗用電極３のみを端子電極とする、いわゆるフェイスダウン型のものである場合には、第１の電極形成工程のうちの裏面電極３Ａを形成する工程および第２の電極形成工程は必須の工程ではないため省略できる。

また、本発明の実施の形態に係る抵抗器１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅの製造法に係る、裏面電極３Ａの形成時期は、めっき工程の前までであれば良い。また、抵抗体膜４，４Ｃ，４Ｄ，４Ｅの形成時期は、抵抗用電極３の形成前であっても良い。その場合、抵抗体膜４，４Ｃ，４Ｄ，４Ｅの端部の上面に抵抗用電極３が形成されることとなる。また、トリミング工程を実施する時期は、オーバーコート膜９の形成後であっても良い。

なお、トリミング工程では、図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）の順または１つ以上おきに、まず、特定の列のトリミングをし、その後、隣接する列に１つ以上離れた列のものを同様に、すなわち図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）のように上からもしくは下から順に、または１つ以上おきにトリミングを行うようにしても良い。

本発明の実施の形態に係る抵抗器１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅの製造法に係るトリミング工程は、抵抗素子５が１つのみのチップ抵抗器の製造法を例に説明した。しかし、このトリミング工程は、抵抗素子５を２つ以上有する多連チップ抵抗器またはネットワーク抵抗器、コンデンサまたはコイルと抵抗素子が1つの部品に形成されている電子部品、トランジスタ等の能動部品と抵抗素子が1つの部品に形成されている電子部品等、抵抗素子を有する電子部品についての抵抗素子のトリミング工程に適用できる。

本発明の実施の形態に係る各抵抗器のオーバーコート膜およびめっき層を省略した平面図で、（Ａ）は第１の実施の形態に係る抵抗器で、（Ｂ）はその変形例で、（Ｃ）は第２の実施の形態に係る抵抗器で、（Ｄ）は第３の実施の形態に係る抵抗器で、（Ｅ）は第４の実施の形態に係る抵抗器である。 本発明の第１の実施の形態に係る抵抗器の製造法を示す図で、各工程が（Ａ）から（Ｉ）へと進行する様子を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る抵抗器の製造法のトリミング工程を示す図で、その工程が、（Ａ）から（Ｃ）へと進行する様子を示す図である。

符号の説明

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ 抵抗器
２ 基板
２Ａ 大型基板
２Ｂ 単位基板
３ 抵抗用電極
４，４Ｃ，４Ｄ，４Ｅ 抵抗体膜
４Ａ 未調整抵抗体膜
４Ｂ 調整済み抵抗体膜
５，５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ 抵抗素子
６，６Ａ，６Ｂ，６Ｃ 脇部
７，７Ａ，７Ｂ，７Ｃ 凹部

Claims (10)

1. 基板上に形成された対となる抵抗用電極の双方に接触する抵抗体膜を有する抵抗素子の抵抗値調整を行うトリミング工程を有する抵抗器の製造法において、
   上記トリミング工程では、上記抵抗用電極および上記抵抗体膜が配置される面側であって、上記抵抗体膜に沿うと共に脇部となる位置の上記基板を加熱することを特徴とする抵抗器の製造法。
2. 前記加熱が、レーザー光の照射によることを特徴とする請求項1記載の抵抗器の製造法。
3. 前記レーザー光の照射によって前記脇部に凹部を形成することを特徴とする請求項２記載の抵抗器の製造法。
4. 前記加熱をする領域は、前記抵抗体膜の両脇部であることを特徴とする請求項1，２または３のいずれか１項に記載の抵抗器の製造法。
5. 前記抵抗体膜が前記基板上に蛇行して形成され、前記抵抗体膜の脇部は、上記蛇行の外側端部であることを特徴とする請求項1，２，３または４のいずれか１項に記載の抵抗器の製造法。
6. 前記トリミング工程では、前記加熱に加えて、前記抵抗体膜の電流路を狭めるように前記抵抗体膜の一部を除去することを特徴とする請求項1，２，３，４または５のいずれか１項に記載の抵抗器の製造法。
7. 前記抵抗体膜の一部を除去するのを、前記基板領域を加熱する前に行うことを特徴とする請求項６記載の抵抗器の製造法。
8. 前記抵抗体膜の一部の除去によって、前記抵抗体膜を蛇行させ、または蛇行状態をさらに進めることを特徴とする請求項６または７記載の抵抗器の製造法。
9. 大型基板上に複数形成された、対となる抵抗用電極の双方に接触する抵抗体膜を有する抵抗素子を加熱して抵抗値調整を行うトリミング工程を有する抵抗器の製造法であって、
   上記トリミング工程は、抵抗値を調整していない未調整抵抗体膜と上記大型基板との接触部の脇部を加熱して抵抗値調整し、調整済み抵抗体膜を得る第１トリミングを行い、
   その後、上記大型基板に形成された上記未調整抵抗体膜の脇部であって、調整済み抵抗体膜とは隣接しない脇部を加熱して抵抗値調整し、別の調整済み抵抗体膜を得る第２トリミングを繰り返すことを特徴とする抵抗器の製造法。
10. 基板と、その基板上に形成された対となる抵抗用電極の双方に接触する抵抗体膜を有する抵抗器において、
    上記基板の上記抵抗体膜が配置される面側であって、上記抵抗体膜の脇部となる位置に凹部が設けられていることを特徴とする抵抗器。

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