JP2008218700A - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型エピタキシャル層2の上層部にガードリング予定領域23a及びJTE予定領域23bにAlイオンを選択的に注入する。次に、FS層予定領域2aおよびJTE予定領域23bにn型ドーパントNイオン12を選択的に注入する。この際、n型ドーパントNイオン12をAlイオンより少ないドーズ量で注入する。その後、アニール処理により、JTE予定領域23bを含むJTE領域は、ガードリング予定領域23aを含むゲートリング領域と同じp型で、かつ不純物濃度を低く設定される。また、FS層予定領域2aを含む領域にはn型のFS層が形成される。
【選択図】図2
Description
まず、ガードリング領域、JTE領域及びFS層のように、3種類の不純物拡散領域を必要する炭化珪素半導体装置を製造する際に想定される従来の炭化珪素半導体装置の製造方法例について説明する。図9は本願発明の原理となる従来の炭化珪素半導体装置の製造方法の問題点を指摘した説明図である。
図1〜図4はこの発明の実施の形態1である炭化珪素半導体装置(炭化珪素ショットキダイオード:SiC−SBD)の製造方法を示す断面図である。以下、これらの図を参照して実施の形態1の製造方法の処理手順を説明する。
図5は実施の形態2の炭化珪素半導体装置の製造方法の一部を示す断面図である。以下、同図を参照して、実施の形態2の製造方法の処理手順を説明する。
図6及び図7はこの発明の実施の形態3である炭化珪素半導体装置の製造方法の一部を示す断面図である。以下、これらの図を参照して実施の形態3の製造方法の処理手順を説明する。
なお、実施の形態2において、FS層5の不純物濃度を調整すべく、図8に示すように、n型ドーパントNイオン17のFS層予定領域2a上にも注入量調整半遮蔽マスク14bを設けてn型ドーパントNイオン17を注入しても良い。
Claims (6)
- (a) 第1の導電型の半導体基体の一方主面から選択的に第2の導電型の第1のイオンを注入するステップと、
(b) 前記半導体基体の一方主面から選択的に第1の導電型の第2のイオンを注入するステップと、
(c) 前記ステップ(a) 及び(b) 後に実行され、前記半導体基体に対し所定の条件で熱処理を行うステップとを備え、
前記ステップ(a) において前記第1のイオンを注入する領域は1の部分領域と第2の部分領域とを含み、前記ステップ(b) において前記第2のイオンを注入する領域は前記第2の部分領域と第3の部分領域とを含み、
前記ステップ(a) 及び(b) は、前記ステップ(c) の実行後、前記第1の部分領域は第2の導電型の第1の半導体領域となり、前記第2の部分領域は前記第1のイオンと第2のイオンとの補償作用によって前記第1の半導体領域より不純物濃度が低い第2の導電型の第2の半導体領域となり、前記第3の部分領域は第1の導電型の第3の半導体領域となるように行われることを特徴する、
炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記ステップ(a) で注入される前記第1のイオンの注入量は、前記ステップ(b) で注入される前記第2のイオンの注入量より多い、
炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記ステップ(b) は、前記第2の部分領域上に前記第2のイオンの注入を抑制する注入量調整半遮蔽マスクを形成した状態で、前記第2のイオンを注入するステップを含む、
炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし請求項3のうち、いずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記ステップ(a) 、前記ステップ(b) の順で実行されることを特徴とする、
炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし請求項3のうち、いずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記ステップ(b) 、前記ステップ(a) の順で実行されることを特徴とする、
炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし請求項5のうち、いずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
(d) 前記ステップ(c) 後に実行され、前記半導体基体の一方主面上にショットキ電極を形成し、前記半導体基体の他方主面上にオーミック電極を形成するステップとをさらに備える、
炭化珪素半導体装置の製造方法。
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