JP2008197033A - 電荷検出型センサおよびそれに用いるパッケージ容器 - Google Patents

Abstract

【課題】検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子をパッケージ容器の外周部に露出させることなく、検出精度の高い電荷検出型センサおよびそれに用いるパッケージ容器を提供する。
【解決手段】パッケージ容器１５０のキャビティ内に収容されたジャイロ振動片１の第２の検出端子１６Ａと、ＩＣ１００のチャージアンプと接続される第２の検出信号入力パッド１０６Ａとは、第二層基板１２０上に設けられたＩＣ接続端子１２６Ａを介してボンディングワイヤ９９により接続されている。ＩＣ接続端子１２６Ａは、その１端部分から引き出されたメッキ用配線１２３ｃにより、パッケージ容器１５０の外周部から電圧を印加することにより金属メッキ層が形成されている。メッキ用配線１２３ｃは、ＩＣ接続端子１２６Ａに金属メッキ層が形成された状態で、平面視で見える位置が切断されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、電荷検出型のセンサ素子とチャージアンプを含む電子素子とをパッケージ容器に収容した電荷検出型センサ、およびそれに用いるパッケージ容器に関する。

物理的または科学的、あるいはその他の様々な状態をセンサ素子により感知して検出するセンサとして、圧電性単結晶材料からなる圧電センサ素子を用いた圧電センサが広く知られている。圧電センサは、検出方式の違いにより電荷検出型センサと周波数検出型センサに大別される。電荷検出型センサは、圧電センサ素子に外力が加わったときに圧電センサ素子の内部に発生する電荷量を検出するものである。一方、周波数検出型センサは、所定の振動周波数にて振動させた圧電センサ素子の、外力が加わったときの振動周波数の変化量を検出するものである。

電荷検出型の圧電センサとして、駆動アーム（駆動振動系）と検出アーム（検出振動系）とを有するジャイロ振動片（圧電振動子）を用いた振動ジャイロセンサが紹介されている（例えば特許文献１を参照）。振動ジャイロセンサにおいて、ジャイロ振動片は、駆動端子および検出端子を有する支持部（基部）から両側に延在し検出端子に接続された検出アームを有している。また、支持部から検出アームと直交する方向に延在する一対の連結アームと、各連結アームの先端部から、それに直交する両側に延在する一対の駆動アームとを有している。
ジャイロ振動片の駆動アームに駆動電圧を加えて励振させた状態において振動ジャイロセンサの姿勢が変化すると、連結アームが支持部への付け根を中心に屈曲振動し、その反作用によって検出アームが屈曲振動する。この検出アームの屈曲振動（検出振動）において発生した電気信号に基づいて、振動ジャイロセンサの姿勢の変化を回転角速度として算出する。このとき、検出アームの検出振動に伴なって発生する電気信号は、振動ジャイロセンサに備わるＩＣ（電子素子）に内蔵されジャイロ振動片の検出端子に接続されたチャージアンプにより、低インピーダンス電圧信号に調整される。

従来より、上記した振動ジャイロセンサなどの電荷検出型センサは、電荷検出型のセンサ素子と、該センサ素子に接続されるチャージアンプを含む電子素子とを、例えば特許文献２に示されたパッケージ容器内に収容して機密に封止した形態にて形成される。パッケージ容器は、平板状の基板および開口部が設けられた基板が積層されて形成されたキャビティを有し、このキャビティ内にセンサ素子および電子素子とを収容する。
パッケージ容器は、センサ素子および電子素子との接続をなし表面にメッキ金属層を設けた複数の端子と、端子間の接続をなす端子間配線と、パッケージ容器の外周部から端子間配線または端子に接続するように配置されたメッキ用配線と、を備えている。メッキ用配線は、露出した端子に電解メッキ法によりメッキ金属層を形成するために設けられるものである。

パッケージ容器は、複数の平板状の基板および開口部が設けられた基板がそれぞれマトリクス状に配列された基板シートを積層してシート積層体を形成してから個片体に分割する方法により一度に複数個形成される。上記したメッキ用配線は、シート積層体に形成された複数のパッケージ容器の各基板においてメッキ金属層を形成する端子を接続し、電気メッキ法による一括メッキ処理に供している。

特開２００１−１２９５５号公報 特開２００６−１６５１７７号公報

しかしながら、上記パッケージ容器およびそれを用いた電荷検出型センサの構造において、メッキリードの終端はパッケージ容器の外周部から露出される。この構造において、検出信号のやりとりに供する検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子の終端がパッケージ容器の外周部から露出されることになり、外部に曝された部分に塩分などの不純物や水分などが付着する可能性が高くなる。これにより、各端子のインピーダンスが変化して検出信号特性が変動し、電荷検出型センサの検出誤差が生ずる虞があるという問題があった。

本発明は、上記した課題を鑑みてなされるものであり、検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子をパッケージ容器の外周部に露出させることなく、検出精度の高い電荷検出型センサおよびそれに用いるパッケージ容器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明は、底板となる平板状の基板および開口部が設けられた基板が積層されて形成されたキャビティを有するパッケージ容器と、キャビティ内に収容された電荷検出型のセンサ素子と、該センサ素子の検出端子と接続されるチャージアンプを含む電子素子と、を有する電荷検出型センサであって、パッケージ容器は、センサ素子および電子素子との接続をなし表面にメッキ金属層を設けた複数の端子と、端子間の接続をなす端子間配線と、露出した端子に電解メッキ法によりメッキ金属層を形成するためにパッケージ容器の外周部から端子間配線または端子に接続するように配置されたメッキ用配線と、を備え、検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子の配線経路の終端がパッケージ容器の外周部より内側に位置して形成されていることを主旨とする。

この構成によれば、電荷検出型センサにおいて、微小電流による検出信号のやりとりに供する検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子が、パッケージ容器の外周部に露出されない。これにより、電荷検出型センサの外部に付着する水分や塩分などにより、端子のインピーダンスが変化して検出信号特性を変動させることなく、検出精度の高い電荷検出型センサを提供することができる。

本発明は、検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子の配線経路の終端が、メッキ用配線を断線させるように一部を除去して形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、パッケージ容器の外周部からメッキ用配線を介してメッキ電流を印加しパッケージ容器に備わる複数の端子にメッキ金属層を形成してから、検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子をメッキ用配線と分離することができる。これにより、検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子がパッケージ容器の外周部に露出して水分や塩分などの検出信号の変動要因に曝されることのない電荷検出型センサの製造において、効率的にメッキ金属層を形成することができる。

本発明では、検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子の配線経路の終端が、キャビティ内の平面視で見える位置に形成されていることが望ましい。

この構成によれば、端子にメッキ金属を形成した後で、検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子とメッキリードとの分離を容易に行なうことができる。

本発明では、センサ素子が、駆動電極を有し所定の周波数の駆動モード振動を繰り返す駆動アームと、検出端子に接続され駆動アームに働くコリオリ力に基づいて変形する検出アームとを有する各速度センサであることが好ましい。
この構成によれば、角速度センサの姿勢の変化に伴って駆動アームに働くコリオリ力に基づいて変形する検出アームが、検出振動において発生する電気信号を、外部からの水分などの影響を受けることなく高精度に抽出して回転角速度を算出できる角速度センサを提供することができる。

本発明は、前記基板のうち少なくとも一層には、前記センサ素子および前記電子素子の少なくともいずれか一方を接地し、表面にメッキ金属層を設けた接地接続端子を備え、前記接地接続端子の終端は、前記パッケージ容器の外周部に位置して形成されている構成にしても良い。

このような構成によれば、接地接続端子はパッケージ容器の外周部から露出され得る。そして、露出した接地接続端子は塩分などの不純物や水分などが付着する可能性が高く、インピーダンスが変動する可能性が高い。しかし、このように接地接続端子のインピーダンス変動が生じても、電荷検出型センサの特性を保てることを発明者は見い出した。また、メッキ金属層を設けるためにパッケージの外周部に露出させた接地接続端子を切断しなくても良いため、製造時間を短縮することができる。

本発明は、底板となる平板状の基板および開口部が設けられた基板が積層されて形成されたキャビティを有し、該キャビティ内に電荷検出型のセンサ素子と、該センサ素子の検出端子と接続されるチャージアンプとを含む電子素子を収容するパッケージ容器であって、基板のうち少なくとも一層には、センサ素子および電子素子との接続をなし表面にメッキ金属層を設けた複数の端子と、端子間の接続をなす端子間配線と、露出した端子に電解メッキ法によりメッキ金属層を形成するためにパッケージ容器の外周部から端子間配線または端子に接続するように配置されたメッキ用配線と、が備えられ、センサ素子の検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子の配線経路の終端が、パッケージ容器の外周部より内側に位置して形成されていることを主旨とする。

この構成によれば、微小な検出信号のやりとりに供する検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子がパッケージ容器の外周部に露出されないので、外部の水分や塩分などに曝されて端子のインピーダンスが変化し検出信号特性を変動させるなどの悪影響を受け難い。これにより、検出精度の高い電荷検出型センサに供するパッケージ容器を提供することができる。

本発明では、検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子の配線経路の終端が、メッキ用配線を断線させるように一部を除去して形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、電解メッキ法によりパッケージ容器の複数の端子にメッキ金属層を形成してから、検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子をメッキ用配線と分離することができる。これにより、検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子がパッケージ容器の外周部に露出して水分や塩分などの検出信号の変動要因に曝されることのない電荷検出型センサ用のパッケージ容器の製造において、効率的にメッキ金属層を形成することができる。

本発明では、検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子の配線経路の終端が、キャビティ内の平面視で見える位置に形成されていることが望ましい。
この構成によれば、端子にメッキ金属を形成した後で、検出端子およびチャージアンプとの接続をなす端子とメッキリードとの分離を容易に行なうことができる。

本発明は、前記基板のうち少なくとも一層には、前記センサ素子および前記電子素子の少なくともいずれか一方を接地し、表面にメッキ金属層を設けた接地接続端子を備え、前記接地接続端子の終端は、前記パッケージ容器の外周部に位置して形成されている構成にしても良い。

このような構成によれば、接地接続端子はパッケージ容器の外周部から露出され得る。そして、露出した接地接続端子は塩分などの不純物や水分などが付着する可能性が高く、インピーダンスが変動する可能性が高い。しかし、このように接地接続端子のインピーダンス変動が生じても、電荷検出型センサの特性を保てることを発明者は見い出した。また、メッキ金属層を設けるためにパッケージの外周部に露出させた接地接続端子を切断しなくても良いため、製造時間を短縮することができる。

以下、本発明の電荷検出型センサを振動ジャイロセンサに具体化した実施形態について図面に従って説明する。

（振動ジャイロセンサ）
図１は、本実施形態の振動ジャイロセンサ３０を模式的に示す図であり、図１（ａ）は平面図、同図（ｂ）は、図１（ａ）中のＡ−Ａ線断面図である。なお、図１（ａ）では、説明の便宜上、振動ジャイロセンサ３０の上部を覆っている蓋体１６０の図示を省略し２点破線にて外形のみを示している。また、図２は、振動ジャイロセンサ３０内に形成される回路部４０を模式的に示す図であり、図２（ａ）は平面図、同図（ｂ）は図２（ａ）中のＢ−Ｂ線概略断面図、同図（ｃ）は図２（ｂ）と同じ方向からみた側面図である。

まず、振動ジャイロセンサ３０の全体構成を説明する。
図１において、振動ジャイロセンサ３０は、段差を有する凹部であるキャビティが形成されたパッケージ容器１５０と、このキャビティの凹底部分に接合されたＩＣ１００と、ＩＣ１００の上方に固定された支持基板５０に支持されたセンサ素子としてのジャイロ振動片１とを有している。パッケージ容器１５０の上面には、蓋体１６０が低融点ガラスやはんだ等からなる封止材によって接合されることによりパッケージ容器１５０の上面開口が封鎖され、ＩＣ１００とジャイロ振動片１とが、パッケージ容器１５０の内部に気密に封止されている。

パッケージ容器１５０は、平板状の第一層基板１１０と、大きさが異なる開口部をそれぞれ有する第二層基板１２０、第三層基板１３０、第四層基板１４０とがこの順に重ねて積層されることにより、段差を有する凹部であるキャビティが形成されている。また、キャビティの凹底部分である第一層基板１１０上面の略中央にはダイパッド１１２が形成されている。また、第一層基板１１０の底面には、振動ジャイロセンサ３０を実装基板などに接合するときの接続端子となる複数の外部実装端子（図示せず）が形成されている。

ダイパッド１１２上には、銀ペーストなどの導電性接着剤（図示せず）などによりＩＣ１００が接着固定されている。ＩＣ１００の上面には後述する複数のパッド端子が形成されていて、第二層基板１２０上に設けられた対応するＩＣ接続端子１２５Ａ，１２８ｃ〜１２８ｅと、ボンディングワイヤ９９によりそれぞれ接続されている。

また、パッケージ容器１５０のキャビティ内の第三層基板１３０の段差上には、支持基板５０に接続される複数の支持基板接続端子１３５Ａ，１３５Ｇ，１３６Ａ，１３６Ｇ，１３７Ａ，１３７Ｇが形成されている。
支持基板接続端子１３７Ｇは、第三層基板１３０の支持基板接続端子１３７Ｇ直下に形成された貫通端子間配線２７Ｇおよび第二層基板１２０に形成された貫通メッキ用配線３７Ｇを介して、第一層基板１１０上に形成された接地接続端子４７Ｇに接続されている。
また、支持基板接続端子１３７Ａは、第三層基板１３０の支持基板接続端子１３７Ａ直下に形成された貫通端子間配線２７Ａを介して、第二層基板１２０上に形成された配線接続端子１２７Ａ'に接続されている。
同様に、支持基板接続端子１３５Ａ，１３５Ｇ，１３６Ａ，１３６Ｇは、図示を省略した貫通端子間配線や内部配線により、パッケージ容器１５０内の対応する各接続端子に接続されている。

パッケージ容器１５０の第三層基板１３０の支持基板接続端子１３５Ａ，１３５Ｇ，１３６Ａ，１３６Ｇ，１３７Ａ，１３７Ｇには、対応する外部端子（図１（ｂ）では外部端子６７Ａ，６７Ｂのみ図示）が位置合わせされた支持基板５０が、基材５１の配線パターン形成面を下側にして、銀ペーストなどの導電性接着剤１９０により接着固定されている。支持基板５０の基材５１の中央部には略直方形の開口部５２（デバイスホール）が形成されている。また、支持基板５０には、開口部５２を挟んで対面する二辺の裏側（パターン形成面）に基端部が保持され、先端部が開口部５２の中央に向かってオーバーハングするように形成された複数のボンディングリード（インナーリード）５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇが備えられている。

ボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇのそれぞれは、ボンディングリード５７Ａ，５７Ｇを代表例として図１（ｂ）に図示するように、開口部５２の中心方向に向かって一旦斜め上方に折り曲げられてから、さらに先端側で再び水平に折り曲げられている。
水平に折り曲げられたボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇの各先端部の上面は、ジャイロ振動片１の支持部２（図３を参照）に形成された対応する接続端子と接合されて、それぞれが電気的に接続されている。図１（ｂ）においてはボンディングリード５７Ａと駆動端子１７Ａ、およびボンディングリード５７Ｇと駆動接地端子１７Ｇが接続された部分を図示している。このように、ジャイロ振動片１は、その下面（裏面）の各接続端子以外がボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇと接触しない状態に支持されている。しかも、ボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇが、基材５１から離間する側へ折り曲げられていることにより、ジャイロ振動片１は基材５１と接触しない状態で支持される構造となっている。

なお、本実施形態では、パッケージ容器１５０の第三層基板１３０に形成された支持基板接続端子１３５Ａ，１３５Ｇ，１３６Ａ，１３６Ｇ，１３７Ａ，１３７Ｇに、支持基板５０が、パターン形成面を下向きにして接着固定される構成としたが、これに限らない。例えば導電性接着剤１９０の塗布位置を、支持基板接続端子１３５Ａ，１３５Ｇ，１３６Ａ，１３６Ｇ，１３７Ａ，１３７Ｇと、支持基板５０の対応する外部端子とにそれぞれ接触させるように塗布するなどして、パターン形成面を上向きにして固着する構成としてもよい。

（ジャイロ振動片）
次に、ジャイロ振動片１の詳細な構成、および動作原理について、図面に沿って説明する。
図３は、ジャイロ振動片１の駆動振動モードの振動を模式的に説明する平面図であり、図４は、ジャイロ振動片１の検出振動モードの振動を模式的に説明する平面図である。なお、図３、および図４については、振動形態をわかりやすく説明する便宜上、振動部分を動作の基点などで２つに分け、それぞれの符号にＡ，Ｂを付している。また、図４では、図３と同じ構成部分については同一符号を付して説明を省略する。

まず、ジャイロ振動片１の構成について、図３を用いて説明する。
振動ジャイロセンサ３０に用いられるジャイロ振動片１は、従来知られた駆動モード、検出モード、およびスプリアスモードの三つのモードで動作すべく、駆動モードに供する第１の駆動アーム４Ａ，４Ｂおよび第２の駆動アーム４Ｃ，４Ｄと、検出モードに供する検出アーム３Ａ，３Ｂと、連結アーム１２Ａ，１２Ｂと、支持部２とを有している。

一対の連結アーム１２Ａ，１２Ｂは、四角板状の支持部２の両側面（図３においては上下の端面）中央箇所からそれぞれの軸線が一致するようにそれぞれ反対方向に真っ直ぐ延出している。連結アーム１２Ａの１端は第１の駆動アーム４Ａ，４Ｂの延在方向中心位置に接続されている。一方、連結アーム１２Ｂの一端は第２の駆動アーム４Ｃ，４Ｄの延在方向中心位置に接続されている。第１の駆動アーム４Ａ，４Ｂと第２の駆動アーム４Ｃ，４Ｄの各主面には、それぞれ細長い溝が形成されて横断面形状が略Ｈ字状となっており、溝内に駆動電極９が形成されている。また、第１の駆動アーム４Ａ，４Ｂと第２の駆動アーム４Ｃ，４Ｄの各先端にはそれぞれ幅を広く形成された重量部５Ａ〜５Ｄが設けられていて、各重量部５Ａ〜５Ｄの略中央に細長い貫通孔７が形成されている。

検出アーム３Ａ，３Ｂは、支持部２の中心をその軸線が通るように、支持部２の両側面（図３紙面上左右方向の端面）中央箇所から真っ直ぐ延出している。検出アーム３Ａ，３Ｂの各主面には、それぞれ細長い溝が形成されて横断面形状が略Ｈ字状となっており、溝内に駆動電極１０が形成されている。また、検出アーム３Ａ，３Ｂの各先端にはそれぞれ幅を広く形成された重量部６Ａ，６Ｂ設けられていて、各重量部５Ａ〜５Ｄ主面の略中央に細長い貫通孔８が形成されている。

支持部２は、連結アーム１２Ａ，１２Ｂと検出アーム３Ａ，３Ｂとの接続点を含む所定の面積を有する板状部であり、ジャイロ振動片１を支持基板５０で支持する支持部（基部）となっている。

支持部２の図中裏面側には、上記に説明した支持基板５０のボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇと対応する複数の接続端子が設けられている。本実施形態のジャイロ振動片１の接続端子は、第１の検出端子１５Ａ、第１の検出接地端子１５Ｇ、第２の検出端子１６Ａ、第２の検出接地端子１６Ｇ、駆動端子１７Ａ、駆動接地端子１７Ｇとして配設されている。

次に、ジャイロ振動片１の動作原理について説明する。
図３には駆動モードの振動を示す。振動ジャイロセンサ３０駆動時には、第１の駆動アーム４Ａ，４Ｂおよび第２の駆動アーム４Ｃ，４Ｄは、それぞれ支持部２への付け根１１を中心として矢印Ａの方向への屈曲振動を所定の周波数で繰り返している。このとき、第１の駆動アーム４Ａ，４Ｂと第２の駆動アーム４Ｃ，４Ｄとが、ジャイロ振動片１の重心を通る連結アーム１２Ａ，１２Ｂの仮想の中心線を軸とした線対称の振動を行っているので、連結アーム１２Ａ，１２Ｂおよび検出アーム３Ａ，３Ｂは、ほとんど振動しない。
この状態で、ジャイロ振動片１を、ジャイロ振動片１に略垂直に延びる回転軸Ｚの周りに回転させると、図４に示すように、連結アーム１２Ａ，１２Ｂが支持部２への付け根２ａを中心として、矢印Ｂのように屈曲振動する。その反作用によって、検出アーム３Ａ，３Ｂのそれぞれが、支持部２の付け根３ａを中心として、矢印Ｃのように屈曲振動する。このような検出アーム３Ａ，３Ｂによる検出振動において発生した電荷による電気信号に基づいて、Ｚ軸を中心とする回転角速度を算出する。

なお、検出振動において発生した電気信号は、第１の検出端子１５Ａおよび第２の検出端子１６Ａから出力され、支持基板５０の検出端子接続に供するボンディングリードを介してＩＣ１００に内蔵されたチャージアンプに対応するパッドと接続される。

（回路部）
次に、振動ジャイロセンサ３０において、ジャイロ振動片１が搭載される前の、パッケージ容器１５０にＩＣ１００が配置されて電気的に接続された状態である回路部４０について詳細に説明する。

図２において、パッケージ容器１５０のキャビティの凹底部分となる第一層基板１１０上面に形成されたダイパッド１１２上には、ＩＣ１００が、Ａｇ（銀）ペーストなどの導電性接着剤（図示せず）などにより接着固定されている。ＩＣ１００は、振動ジャイロセンサ３０の駆動回路やチャージアンプを含む検出回路などが集積させて形成された電子素子である。ＩＣ１００は、上面に外部との接続をはかるための複数のパッド端子を有している。本実施形態のＩＣ１００は、パッド端子として、第１の検出信号入力パッド１０５Ａ、第２の検出信号入力パッド１０６Ａ、駆動信号出力パッド１０７Ａ、およびこの他の信号を入力または出力するためのパッド１０８ａ〜１０８ｅを有している。

第１の検出信号入力パッド１０５Ａと第２の検出信号入力パッド１０６Ａとは、ＩＣ１００に内蔵されたチャージアンプにそれぞれ接続されている。チャージアンプは、上記したジャイロ振動片１の検出振動において発生した電荷出力を、それに比例した低インピーダンス電圧信号に調整するための増幅器である。

ＩＣ１００の第１の検出信号入力パッド１０５Ａ、第２の検出信号入力パッド１０６Ａ、駆動信号出力パッド１０７Ａ、およびパッド１０８ａ〜１０８ｅは、パッケージ容器１５０の第二層基板１２０の段差上に形成された複数のＩＣ接続端子にボンディングワイヤ９９によりワイヤボンディングされて接続されている。本実施形態では、第１の検出信号入力パッド１０５ＡとＩＣ接続端子１２５Ａ、第２の検出信号入力パッド１０６ＡとＩＣ接続端子１２６Ａ、駆動信号出力パッド１０７ＡとＩＣ接続端子１２７Ａが接続されている。また、パッド１０８ａ〜１０８ｅが、対応するＩＣ接続端子１２８ａ〜１２８ｅにそれぞれ接続されている。

パッケージ容器１５０において、第三層基板１３０上に形成されたＩＣ接続端子１２６Ａは、ボンディングワイヤ９９によりＩＣ１００の第２の検出信号入力パッド１０６Ａと接続され、端子間配線１２３ａおよび第三層基板１３０を貫通して設けられた貫通端子間配線（図示せず）を介して第三層基板１３０上に形成された支持基板接続端子１３６Ａに接続されている。また、ＩＣ接続端子１２６Ａからはメッキ用配線１２３ｃが、第二層基板１２０を貫通して設けられた貫通メッキ用配線３６Ａに向けて引き出されているが、メッキ用配線１２３ｃは、第二層基板１２０上において第三層基板１３０の開口部から平面視で見える位置にて切断されている。後述するが、メッキ用配線１２３ｃは、第三層基板１３０の製造過程では貫通メッキ用配線３６Ａに接続されて形成され、パッケージ容器１５０に組み立てられた後に上記の位置で切断されているものである。これにより、回路部４０において、ＩＣ接続端子１２６Ａと貫通メッキ用配線３６Ａとは電気的に断線されている。貫通メッキ用配線３６Ａは、第一層基板１１０上に設けられたメッキ用配線接続端子４６Ａに接続されている。メッキ用配線接続端子４６Ａからは図示しないメッキ用配線が引き出されて分岐され、一部が図２（ｃ）に示すようにパッケージ容器１５０の外側に露出するメッキ用配線１１７ａに引き出されている。

同様に、ＩＣ１００の第１の検出信号入力パッド１０５Ａとボンディングワイヤ９９により接続されたＩＣ接続端子１２５Ａは、端子間配線１２３ｂおよび第三層基板１３０を貫通して設けられた貫通端子間配線（図示せず）を介して第三層基板１３０上に形成された支持基板接続端子１３５Ａに接続されている。また、ＩＣ接続端子１２５Ａからはメッキ用配線１２３ｄが、第二層基板１２０を貫通して設けられた貫通メッキ用配線３５Ａに向けて引き出されている。さらに、このメッキ用配線１２３ｄは、第三層基板１３０の開口部から平面視で見える位置で切断され、ＩＣ接続端子１２５Ａの配線経路の１つの終端が形成されている。

ＩＣ１００の駆動信号出力パッド１０７Ａとボンディングワイヤ９９により接続されたＩＣ接続端子１２７Ａは端子間配線１２３ｇおよび第三層基板１３０を貫通して形成された貫通端子間配線（図示せず）を介して第三層基板１３０上に形成された支持基板接続端子１３７Ａに接続されている。
また、第三層基板１３０上に形成された支持基板接続端子１３６Ｇは、第三層基板１３０および第二層基板１２０を貫通してそれぞれ設けられた図示しない貫通端子間配線および該貫通端子間配線に接続され、図２（ｃ）に示すようにパッケージ容器１５０の外側に露出するメッキ用配線１１６ａに引き出されている。

図２におけるパッケージ容器１５０の第三層基板１３０上には、上記した支持基板接続端子１３５Ａ，１３６Ａ，１３６Ｇ，１３７Ａの他に、支持基板接続端子１３５Ｇ，１３７Ｇが形成されている。支持基板接続端子１３５Ａ，１３５Ｇ，１３６Ａ，１３６Ｇ，１３７Ａ，１３７Ｇ上には、後述する支持基板５０の対応する外部端子が位置合せされて接続される。また、パッケージ容器１５０の最上部となっている第四層基板１４０の上面に有するシームリング１５９により、蓋体１６０が接合される。

（支持基板）
次に、支持基板５０について、図面に従って詳細に説明する。
図５は、支持基板５０を説明する平面図である。なお、図１（ａ）において、支持基板５０を、パターン形成面を下向きしてパッケージ容器１５０に接合された状態を図示したが、図５ではパターン形成面側を説明する平面図として説明する。

支持基板５０は、本実施形態では、従来より知られるＴＡＢ（Tape Automated Bonding）実装用の基板を用いている。
支持基板５０は、上面に図示しない接着剤層を有し、ポリイミドなどの可曉性樹脂からなるフープ状の基材に等間隔に連続させて複数形成する。まず、フープ上の基材にプレス加工によって開口部５２を形成して基材５１を得てから、前記接着剤層を接着剤としてＣｕ（銅）箔などの配線用金属箔を貼り合わせる。そして、フォトリソグラフィーによりボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇ等の電極パターンや配線パターンを形成する。このとき、開口部５２側のＣｕ（銅）箔にエッチングレジストを塗布した状態でエッチングすることによりボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇを形成し、その後エッチングレジストを剥離する。これにより、ボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇは、基材５１上に前記接着剤層によって保持されながら開口部５２の中央側に向かって延出された、いわゆるオーバーハング構造にて形成される。

複数のボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇは、支持基板５０の長辺側の対向する二辺の方向から、開口部５２の図示しない仮想の中心点に対して点対称となる三つの対をなしている。また、複数のボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇは、開口部５２を短辺方向に二等分する仮想の中心線に対して線対称となっている。本実施形態では、ボンディングリード５５Ａと５５Ｇ、５６Ａと５６Ｇ、そして５７Ａと５７Ｇがそれぞれ開口部５２の仮想の中心点に対して点対称な対をなして、開口部５２上で対面する先端部間に所定の間隙を設けて三対形成されている。

前記三対のボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇのうち、真中に位置する一対のボンディングリード５７Ａ，５７Ｇは、開口部５２の中央に向かって真直ぐに形成されている。
一方、他の二対のボンディングリード５５Ａ，５５Ｇおよび５６Ａ，５６Ｇのそれぞれは、基材５１上から開口部５２の中央に向かう途中で、一旦隣接するボンディングリード５７Ａまたは５７Ｇ側に略直角に屈曲して延びてから、再び開口部５２の中央側に略直角に屈曲して開口部５２の中央側に向かって延びている。

各ボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇのそれぞれの先端部分は、対応する前記ジャイロ振動片１の接続端子である第１の検出端子１５Ａ、第１の検出接地端子１５Ｇ、第２の検出端子１６Ａ、第２の検出接地端子１６Ｇ、駆動端子１７Ａ、駆動接地端子１７Ｇ（図３を参照）のそれぞれに位置を合わせて形成されている。本実施形態では、ボンディングリード５５Ａと第１の検出端子１５Ａ、ボンディングリード５５Ｇと第１の検出接地端子１５Ｇ、ボンディングリード５６Ａと第２の検出端子１６Ａ、ボンディングリード５６Ｇと第２の検出接地端子１６Ｇ、ボンディングリード５７Ａと駆動端子１７Ａ、ボンディングリード５７Ｇと駆動接地端子１７Ｇが、それぞれ対応している。

ボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇの開口部５２にオーバーハングしている部分は、基材５１近傍で幅が広く形成されて基材５１上に延長され、基材５１の周辺部に形成された外部端子６５Ａ，６５Ｇ，６６Ａ，６６Ｇ，６７Ａ，６７Ｇにそれぞれ対応されて接続されている。なお、ボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇが基材５１近傍で幅が広く形成されて基材５１上に配線されることにより、ボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇと支持基板５０との接着面積が大きくとれて密着力が向上するとともに、オーバーハング部の根元のエッチング細りなどによるリード強度低下が回避される。

また、本実施形態では、上記したようにボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇとジャイロ振動片１の第１の検出端子１５Ａ、第１の検出接地端子１５Ｇ、第２の検出端子１６Ａ、第２の検出接地端子１６Ｇ、駆動端子１７Ａ、駆動接地端子１７Ｇとが対応して接続される。従って、ジャイロ振動片１の第１の検出端子１５Ａ、第１の検出接地端子１５Ｇ、第２の検出端子１６Ａ、第２の検出接地端子１６Ｇ、駆動端子１７Ａ、駆動接地端子１７Ｇが、それぞれ外部端子６５Ａ，６５Ｇ，６６Ａ，６６Ｇ，６７Ａ，６７Ｇに引き出されて接続されるようになっている。

Ｃｕ（銅）箔をパターニングすることにより支持基板５０に形成されたボンディングリード５５Ａ，５５Ｇ，５６Ａ，５６Ｇ，５７Ａ，５７Ｇ、外部端子６５Ａ，６５Ｇ，６６Ａ，６６Ｇ，６７Ａ，６７Ｇ、およびそれらを接続するＣｕ（銅）配線上には、バリア層としてのＮｉ（ニッケル）めっきを介してＡｕ（金）めっきが施されている。

（パッケージ容器）
次に、複数の基板が積層されて形成されたパッケージ容器１５０の各層の基板および配線経路について図面に従って詳細に説明する。
図６（ａ）は、第四層基板１４０の平面図であり、同図（ｂ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。図７（ａ）は、第三層基板１３０の平面図であり、同図（ｂ）は図７（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。図７（ａ）は、第三層基板１３０の平面図であり、同図（ｂ）は図７（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。図８（ａ）は、第二層基板１２０の平面図であり、同図（ｂ）は図８（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。図９（ａ）は、第一層基板１１０の平面図であり、同図（ｂ）は図９（ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。

パッケージ容器１５０は、第一層基板１１０〜第四層基板１４０のそれぞれがマトリクス状に配列された基板シートを積層してシート積層体を形成してから、第一層基板１１０〜第四層基板１４０のそれぞれの個片体に分割する方法にて一度に複数個形成される。

まず、第四層基板１４０について説明する。
図６において、第四層基板１４０は、シート状の電気絶縁材料からなるシート基材１４１ａに第四層基板１４０がマトリクス状に複数形成された第四層基板シート１４１として形成されている。図中の切断線Ｃ１４０は、個片体の第四層基板１４０に分割するときの切断線を示している。

シート基材１４１ａには、切断線Ｃ１４０に沿って形成された複数の貫通孔１４４が設けられている。貫通孔１４４は、シート基材１４１ａから個片体の第四層基板１４０に分割する際の切断を容易にする目的のほか、貫通孔内壁に導電性材料からなる配線層を形成することにより、第四層基板１４０の上面側と下面側の導通をとるための配線経路とすることもできる。

シート基材１４１ａの切断線Ｃ１４０に囲まれた第四層基板１４０形成領域の略中央には、平面視略矩形状の開口部Ｇ１が形成されている。また、開口部Ｇ１を囲む領域には複数のスルーホール配線である貫通配線１４３ａ〜１４３ｄが形成されている。シート基材１４１ａ上の開口部Ｇ１を囲み且つ貫通配線１４３ａ〜１４３ｄを覆う領域には、鉄−ニッケル−コバルト（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ）合金や鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）合金等の金属材料からなる矩形環状のシームリング１５９がロウ材を介して固着されている。

なお、第四層基板シート１４１の基材であるシート基板１４１ａの材料としては、アルミナ質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラス・セラミック質焼結体などの電気絶縁材料が用いられる。以下、説明する第三層基板１３０、第二層基板１２０、第一層基板１１０についても同じ材質のシート基材を用いるので、各層基板の構成を述べるときに材質の説明は省略する。同様に、貫通孔１４４についても、第三層基板１３０〜第一層基板１１０において同一形状の貫通孔が設けられるので、詳細な説明は省略する。

次に、第三層基板１３０の構成について説明する。
図７において、第三層基板１３０は、シート基材１３１ａに第三層基板１３０がマトリクス状に複数形成された第三層基板シート１３１として形成されている。図中の切断線Ｃ１３０は、個片体の第三層基板１３０に分割するときの切断線を示している。

シート基板１３１ａには、切断線Ｃ１３０に沿って形成された複数の貫通孔１３４が設けられている。また、シート基材１３１ａの切断線Ｃ１３０に囲まれた第三層基板１３０形成領域の略中央には、平面視略矩形状の開口部Ｇ２が形成されている。開口部Ｇ２は、第三層基板シート１３１上に上記の第四層基板シート１４１を重ねて積層したときの開口部Ｇ１の外形（図中、第四層開口部位置Ｇ１ａ）よりも小さい開口面積にて形成されている。第四層開口部位置Ｇ１ａ内の開口部Ｇ２を挟んだ両側の領域のシート基材１３１ａ上には、支持基板５０の外部端子６５Ａ，６５Ｇ，６６Ａ，６６Ｇ，６７Ａ，６７Ｇ（図５を参照）をそれぞれ対応させて接合するための支持基板接続端子１３５Ａ，１３５Ｇ，１３６Ａ，１３６Ｇ，１３７Ａ，１３７Ｇが設けられている。

支持基板接続端子１３６Ａ，１３６Ｇのそれぞれの直下には貫通孔が設けられ、その貫通孔内に導電性材料が充填されることにより支持基板接続端子１３６Ａ，１３６Ｇにそれぞれ接続された貫通端子間配線２６Ａ，２６Ｇが形成されている（図７（ｂ）を参照）。同様に、支持基板接続端子１３５Ａ，１３５Ｇ，１３７Ａ，１３７Ｇには、貫通端子間配線２５Ａ，２５Ｇ，２７Ａ，２７Ｇがそれぞれ接続されて設けられている。

また、第三層基板シート１３１の、上記の第四層基板シート１４１を重ねて積層したときの貫通配線１４３ａ〜１４３ｄと対応する位置には、貫通配線１３３ａ〜１３３ｄがそれぞれ形成されている。貫通配線１３３ａ〜１３３ｄは、第三層基板シートに形成された貫通孔に導電性材料を充填することにより形成されている。

次に、第二層基板１２０について説明する。
図８において、第二層基板１２０は、シート状の電気絶縁材料からなるシート基材１２１ａに第二層基板１２０がマトリクス状に複数形成された第二層基板シート１２１として形成されている。図中の切断線Ｃ１２０は、個片体の第二層基板１２０に分割するときの切断線を示している。

シート基板１２１ａには、切断線Ｃ１２０に沿って形成された複数の貫通孔１２４が設けられている。また、シート基材１２１ａの切断線Ｃ１２０に囲まれた第二層基板１２０形成領域の略中央には、平面視略矩形状の開口部Ｇ３が形成されている。開口部Ｇ３は、第二層基板シート１２１上に上記の第三層基板シート１３１を重ねて積層したときの開口部Ｇ２の外形（図中、第三層開口部位置Ｇ２ａ）よりも小さい開口面積にて形成されている。

第三層開口部位置Ｇ２ａ内の開口部Ｇ３を挟んだ両側の領域のシート基材１２１ａ上には、ＩＣ１００の各パッド端子とそれぞれ対応させて接続されるＩＣ接続端子１２５Ａ，１２６Ａ，１２７Ａ，１２８ａ〜１２８ｅが設けられている。本実施形態では、第１の検出信号入力パッド１０５ＡとＩＣ接続端子１２５Ａ、第２の検出信号入力パッド１０６ＡとＩＣ接続端子１２６Ａ、駆動信号出力パッド１０７ＡとＩＣ接続端子１２７Ａ、この他の信号を入力または出力するためのパッド１０８ａ〜１０８ｅとＩＣ接続端子１２８ａ〜１２８ｅとが、それぞれ対応するように設けられている（図２（ａ）を併せて参照）。

第二層基板シート１２１上の、上記の第三層基板シート１３１を重ねて積層したときの貫通端子間配線２５Ａ，２５Ｇ，２６Ａ，２６Ｇ，２７Ａ，２７Ｇ（図７を参照）と対応する位置には、それぞれに接続される配線接続端子１２５Ａ'，１２５Ｇ'，１２６Ａ'，１２７Ａ'が設けられている。また、上記の第三層基板シート１３１の貫通端子間配線２５Ｇ，２７Ｇ（図７を参照）と対応する位置には、第二層基板シート１２１に設けられた貫通孔と、その貫通孔内に充填され且つ貫通端子間配線２５Ｇ，２７Ｇと接続されるように導電性材料が装填されて形成された貫通メッキ用配線３５Ｇ，３７Ｇが設けられている。なお、図８（ａ）では、各配線接続端子１２５Ａ'，１２５Ｇ'，１２６Ａ'，１２６Ｇ'，１２７Ａ'，１２７Ｇ'上における第三層基板シート１３１の貫通端子間配線２５Ａ，２５Ｇ，２６Ａ，２６Ｇ，２７Ａの接続位置を、それぞれ貫通端子間配線接続位置２５Ａ（ａ），２５Ｇ（ａ），２６Ａ（ａ），２６Ｇ（ａ），２７Ａ（ａ），２７Ｇ（ａ）として破線にて図示している。

配線接続端子１２６Ａ'は、端子間配線１２３ａを介してＩＣ接続端子１２６Ａと接続されている。また、ＩＣ接続端子１２６Ａからはメッキ用配線１２３ｃが引き出され、シート基板１２１ａに設けられた貫通孔に導電体が充填されることにより形成された貫通メッキ用配線３６Ａ（図８（ｂ）を参照）に接続されている。
同様に、図８（ａ）に示すように、配線接続端子１２５Ａ'は、端子間配線１２３ｂを介してＩＣ接続端子１２５Ａと接続されている。また、ＩＣ接続端子１２５Ａからはメッキ用配線１２３ｄが引き出され、シート基板１２１ａに設けられた貫通孔に導電体が充填されることにより形成された貫通メッキ用配線３５Ａに接続されている。
なお、メッキ用配線１２３ｃおよびメッキ用配線１２３ｄの第三層開口部位置Ｇ２ａ領域内の部分は、後述する電解メッキによる各端子へのメッキ金属層形成後に、断線させるように切断する位置であるメッキ用配線切断部Ｄ１，Ｄ２となっている。

また、配線接続端子１２５Ｇ'からはメッキ用配線１２３ｅが引き出され、第二層基板シート１２１に設けられた貫通孔に導電体が充填されることにより形成された貫通メッキ用配線３５Ｇに接続されている。また、配線接続端子１２７Ａ'からは端子間配線１２３ｇおよびメッキ用配線１２３ｆがそれぞれ引き出されている。このうち、端子間配線１２３ｇはＩＣ接続端子１２７Ａに接続され、メッキ用配線１２３ｆは第二層基板シート１２１に設けられた貫通孔に導電体が充填されることにより形成された貫通メッキ用配線３７Ａに接続されている。

なお、ＩＣ接続端子１２８ａ〜１２８ｅについても、それぞれ機能を有して第二層基板１２０に配線経路が形成されるが、図面が煩雑になることを避ける便宜上、図示および説明を省略する。

また、第二層基板シート１２１上の、上記の第三層基板シート１３１を重ねて積層したときの貫通配線１３３ａ〜１３３ｄ（図７を参照）と重なる位置を含めた領域には、蓋体のグランドとなる蓋体接地端子１２９が形成されている。なお、本実施形態では蓋体接地端子１２９を第二層基板１２０に設ける構成を説明したが、各基板層の端子レイアウトの便宜上、蓋体接地端子を他の基板層に設ける構成としてもよい。

次に、第一層基板１１０の構成について説明する。
図９において、第一層基板１１０は、シート状の電気絶縁材料からなるシート基材１１１ａに第一層基板１１０がマトリクス状に複数形成された第一層基板シート１１１として形成されている。図中の切断線Ｃ１１０は、個片体の第一層基板１１０に分割するときの切断線を示している。

シート基板１１１ａには、切断線Ｃ１１０に沿って形成された複数の貫通孔１１４が設けられている。また、シート基材１３１ａの切断線Ｃ１３０に囲まれた第三層基板１３０形成領域の略中央には、上記したＩＣ１００が配置されるダイパッド１１２が形成されている。なお、ダイパッド１１２上のＩＣ１００が搭載される位置は、ＩＣ載置位置１００ａとして図示している。

また、第一層基板シート１１１上の、上記の第二層基板シート１２１を重ねて積層したときの貫通メッキ用配線３５Ａ，３５Ｇ，３６Ａ，３６Ｇ，３７Ａ，３７Ｇ（図８を参照）と重なる位置には、それぞれ対応するメッキ用配線接続端子４５Ａ，４５Ｇ，４６Ａ，４６Ｇ，４７Ａ，４７Ｇが設けられている。なお、図９（ａ）では、各メッキ用配線接続端子４５Ａ，４５Ｇ，４６Ａ，４６Ｇ，４７Ａ，４７Ｇ上における第二層基板シート１２１の貫通メッキ用配線３５Ａ，３５Ｇ，３６Ａ，３６Ｇ，３７Ａ，３７Ｇの接続位置を、それぞれ貫通メッキ用配線接続位置３５Ａ（ａ），３５Ｇ（ａ），３６Ａ（ａ），３６Ｇ（ａ），３７Ａ（ａ），３７Ｇ（ａ）として破線にて図示している。

メッキ用配線接続端子４５Ａは、メッキ用配線１１３ｆを介してダイパッド１１２と接続されている。また、メッキ用配線接続端子４５Ａからはメッキ用配線１１９が引き出され、第一層基板１１０形成領域内において紙面上側に隣接する第一層基板に接続されるメッキ用配線１１９ａと、紙面右側に隣接する第一層基板に接続されるメッキ用配線１１９ｂに分岐されている。

メッキ用配線接続端子４５Ｇは、端子間配線１１３ｅを介してダイパッド１１２と接続されている。また、メッキ用配線接続端子４５Ｇからはメッキ用配線１１８が引き出され、第一層基板１１０形成領域内において紙面上側に隣接する第一層基板に接続されるメッキ用配線１１８ａと、紙面左側に隣接する第一層基板に接続されるメッキ用配線１１８ｂに分岐されている。

メッキ用配線接続端子４６Ａは、メッキ用配線１１３ｂを介してダイパッド１１２と接続されている。また、メッキ用配線接続端子４６Ａからはメッキ用配線１１７が引き出され、第一層基板１１０形成領域内において紙面下側に隣接する第一層基板に接続されるメッキ用配線１１７ａと、紙面右側に隣接する第一層基板に接続されるメッキ用配線１１７ｂに分岐されている。

メッキ用配線接続端子４６Ｇは、端子間配線１１３ａを介してダイパッド１１２と接続されている。また、メッキ用配線接続端子４６Ｇからはメッキ用配線１１６が引き出され、第一層基板１１０形成領域内において紙面下側に隣接する第一層基板に接続されるメッキ用配線１１６ａと、紙面右側に隣接する第一層基板に接続されるメッキ用配線１１６ｂに分岐されている。

以上、図６〜図９に沿って説明した第四層基板シート１４１、第三層基板シート１３１、第二層基板シート１２１、第一層基板シート１１１の基材となるシート基材１４１ａ，１３１ａ，１２１ａ，１１１ａの材料としては、アルミナ質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラス・セラミック質焼結体などの電気絶縁材料が用いられる。また、各層基板シートの端子、端子間配線、メッキ用配線には、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｇ）などの高融点金属粉末からなる金属ペーストが用いられ、これらの金属ペーストをスクリーン印刷法により所定のパターンに形成している。貫通端子間配線および貫通メッキ用配線は、スクリーン印刷時に金属ペーストが各層基板シートに設けられた貫通孔内に充填されることにより形成している。

第一層基板シート１１１、第二層基板シート１２１、第三層基板シート１３１、第四層基板シート１４１は、この順に、外形および貫通配線と対応する端子を位置合わせして積層した後、約１６００℃の高温で焼成することにより基板シート積層体として焼結・接合される。その後、メッキ用配線の一部から通電する電解メッキ法により、基板シート積層体に露出して形成された各端子および端子間配線に金（Ａｕ）などのメッキ金属層を形成する。

メッキ金属層を形成した後、基板シート積層体の第二層基板シート１２１上に形成されたＩＣ接続端子１２６Ａから引き出された端子間配線１２３ａを、図８に示すメッキ用配線切断部Ｄ２においてレーザ光を照射する方法等により切断する。本実施形態では、端子間配線１２３ａのメッキ用配線切断部Ｄ２を、図２に示すように二箇所切断することにより、ＩＣ接続端子１２６Ａと貫通メッキ用配線３６Ａとが電気的に確実に開放されるように行なう例を示している。これに限らず、メッキ用配線を確実に断線状態にできれば一箇所若しくは三箇所以上切断するようにしてもよい。

同様に、メッキ金属層形成後の基板シート積層体の第二層基板シート１２１上に形成されたＩＣ接続端子１２５Ａから引き出された端子間配線１２３ｂを、図８に示すメッキ用配線切断部Ｄ１においてレーザ光を照射する方法等により、図２（ａ）に示すように切断する。

端子間配線１２３ａ，１２３ｂが切断された基板シート積層体は、プレス打ち抜き等の方法によって切断線（Ｃ１１０，Ｃ１２０，Ｃ１３０，Ｃ１４０）に沿って切断することにより、個片体のパッケージ容器１５０に分割される。
なお、個片体への分割は、基板シート積層体の状態で、ＩＣ１００と、ジャイロ振動片１が接合された支持基板５０とを接合・接続し、さらに蓋体１６０を接合してから行なうことにより、個片体の振動ジャイロセンサ３０として分割することも可能である。これにより、ＩＣ１００と支持基板５０の接合・接続を多数個取りのシート状態にて行なうことができるので、製造効率を向上させることができる。

以下、上記実施形態の効果を記載する。

上記実施形態では、ジャイロ振動片１の第１の検出端子１５Ａと、ＩＣ１００のチャージアンプに接続される第１の検出信号入力パッド１０５Ａとを、第二層基板１２０上に設けられたＩＣ接続端子１２５Ａを介して接続した。同様に、ジャイロ振動片１の第２の検出端子１６Ａと、ＩＣ１００のチャージアンプに接続される第２の検出信号入力パッド１０６Ａとを、第二層基板１２０上に設けられたＩＣ接続端子１２６Ａを介して接続した。ＩＣ接続端子１２５Ａ，１２６Ａは、接続されているメッキ用配線１２３ｃ，１２３ｄをそれぞれ介して、パッケージ容器の外周部から電圧を印加する電解メッキ法により表面に金属メッキ層を形成した。そして、金属メッキ層を形成した後、メッキ用配線１２３ｃ，１２３ｄを断線させるように切断する構成とした。

この構成によれば、微小電流による検出信号のやりとりに供するジャイロ振動片１の第１の検出端子１５Ａおよび第２の検出端子１６Ａと、ＩＣ１００のチャージアンプに接続された第１の検出信号入力パッド１０５および第２の検出信号入力パッドとの接続をなすＩＣ接続端子１２５ＡおよびＩＣ接続端子１２６Ａの配線経路が、パッケージ容器１５０の外周部に露出されない。これにより、振動ジャイロセンサ３０の外部に付着する水分や塩分などにより、ＩＣ接続端子１２５ＡおよびＩＣ接続端子１２６Ａのインピーダンスが変化して検出信号特性を変動させるなどの悪影響を受けることがなくなる。従って、センサ搭載物の揺れや回転などの姿勢の変化を高精度にて検出し、高い信頼性を有する振動ジャイロセンサ３０を提供することができる。

また、上記実施形態では、ＩＣ１００のチャージアンプと接続されるＩＣ接続端子１２５Ａ，１２６Ａにメッキ金属層を形成するためのメッキ用配線１２３ｃ，１２３ｄを、パッケージ容器１５０において平面視で一部が見える位置に形成した。そして、メッキ用配線１２３ｃ，１２３ｄの平面視で見える位置を切断することにより、ＩＣ接続端子１２５Ａ，１２５Ｂのそれぞれの配線経路がパッケージ容器１５０の外周部に露出されないようにした。

この構成によれば、パッケージ容器１５０がマトリクス状に複数形成されたシート積層体を形成し、各種端子および配線にメッキ金属層を電解メッキ法により一括して形成してから、メッキ用配線１２３ｃ，１２３ｄを容易に切断することができる。これにより、振動ジャイロセンサ３０の検出信号のやりとりに供するＩＣ接続端子１２５Ａ，１２６Ａの配線経路の終端が外部に曝されることのないパッケージ容器１５０を効率的に製造することができる。

また、上記実施形態では、ＩＣ１００のチャージアンプと接続されるＩＣ接続端子１２５Ａ，１２６Ａにメッキ金属層を形成するためのメッキ用配線１２３ｃ，１２３ｄの一部を、レーザを照射することにより切断する構成とした。

この構成によれば、レーザ装置さえ用意すれば、工程をほとんど増やすことなく、比較的簡便な工程によりメッキ用配線１２３ｃ，１２３ｄを切断することができ、検出精度が確保された振動ジャイロセンサ３０を製造することができる。

（ａ）は、本発明の１実施形態である振動ジャイロセンサを模式的に示す平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図。 （ａ）は、振動ジャイロセンサ内に形成される回路部を模式的に示す平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ線概略断面図、（ｃ）は、同図（ｂ）と同じ方向からみた側面図。 ジャイロ振動片の駆動振動モードの振動を模式的に説明する平面図。 ジャイロ振動片の検出振動モードの振動を模式的に説明する平面図。 支持基板を説明する模式平面図。 （ａ）は、第四層基板の平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のＣ−Ｃ線断面図。 （ａ）は、第三層基板の平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のＤ−Ｄ線断面図。 （ａ）は、第二層基板の平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のＥ−Ｅ線断面図。 （ａ）は、第一層基板の平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のＦ−Ｆ線断面図。

符号の説明

１…センサ素子としてのジャイロ振動片、３Ａ，３Ｂ…検出アーム、４Ａ，４Ｂ…第１の駆動アーム、４Ｃ，４Ｄ…第２の駆動アーム、１５Ａ…第１の検出端子、１６Ａ…第２の検出端子、２５Ａ，２５Ｇ，２６Ａ，２６Ｇ，２７Ａ，２７Ｇ…貫通端子間配線、３０…電荷検出型センサとしての振動ジャイロセンサ、３５Ａ，３５Ｇ，３６Ａ，３６Ｇ，３７Ａ…貫通メッキ用配線、４０…回路部、４６Ａ，４７Ｇ…メッキ用配線接続端子、５０…支持基板、１００…電子素子としてのＩＣ、１０５Ａ…第１の検出信号入力パッド、１０６Ａ…第２の検出信号入力パッド、１１０…第一層基板、１１１…第一層基板シート、１１２…ダイパッド、１１３ａ，１１３ｅ，１２３ａ，１２３ｂ，１２３ｇ…端子間配線、１１３ｂ，１１３ｆ，１１６，１１６ａ，１１６ｂ，１１７，１１７ａ，１１７ｂ，１１８，１１８ａ，１１８ｂ，１１９，１１９ａ，１１９ｂ，１２３ｃ，１２３ｄ，１２３ｅ，１２３ｆ…メッキ用配線、１２０…第二層基板、１２１…第二層基板シート、１２５Ａ，１２６Ａ…検出端子とチャージアンプとを接続するＩＣ接続端子、１３０…第三層基板、１３１…第三層基板シート、１４０…第四層基板、１４１…第四層基板シート、１５０…パッケージ容器、１６０…蓋体。

Claims (9)

1. 底板となる平板状の基板および開口部が設けられた基板が積層されて形成されたキャビティを有するパッケージ容器と、前記キャビティ内に収容された電荷検出型のセンサ素子と、該センサ素子の検出端子と接続されるチャージアンプを含む電子素子と、を有する電荷検出型センサであって、
   前記パッケージ容器は、前記センサ素子および前記電子素子との接続をなし表面にメッキ金属層を設けた複数の端子と、前記端子間の接続をなす端子間配線と、露出した端子に電解メッキ法により前記メッキ金属層を形成するために前記パッケージ容器の外周部から前記端子間配線または前記端子に接続するように配置されたメッキ用配線と、を備え、
   前記検出端子および前記チャージアンプとの接続をなす前記端子の配線経路の終端が前記パッケージ容器の外周部より内側に位置して形成されていることを特徴とする電荷検出型センサ。
2. 請求項１に記載の電荷検出型センサにおいて、
   前記検出端子および前記チャージアンプとの接続をなす前記端子の配線経路の終端が、前記メッキ用配線を断線させるように一部を除去して形成されていることを特徴とする電荷検出型センサ。
3. 請求項２に記載の電荷検出型センサにおいて、
   前記検出端子および前記チャージアンプとの接続をなす前記端子の配線経路の終端が、前記キャビティ内の平面視で見える位置に形成されていることを特徴とする電荷検出型センサ。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の電荷検出型センサにおいて、
   前記センサ素子が、駆動電極を有し所定の周波数の駆動モード振動を繰り返す駆動アームと、前記検出端子に接続され前記駆動アームに働くコリオリ力に基づいて変形する検出アームとを有する角速度センサであることを特徴とする電荷検出型検出センサ。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の電荷検出型センサにおいて、
   前記基板のうち少なくとも一層には、前記センサ素子および前記電子素子の少なくともいずれか一方を接地し、表面にメッキ金属層を設けた接地接続端子を備え、
   前記接地接続端子の終端は、前記パッケージ容器の外周部に位置して形成されていることを特徴とする電荷検出型センサ。
6. 底板となる平板状の基板および開口部が設けられた基板が積層されて形成されたキャビティを有し、該キャビティ内に電荷検出型のセンサ素子と、該センサ素子の検出端子と接続されるチャージアンプと、を含む電子素子を収容するパッケージ容器であって、
   前記基板のうち少なくとも一層には、前記センサ素子および前記電子素子との接続をなし表面にメッキ金属層を設けた複数の端子と、前記端子間の接続をなす端子間配線と、露出した端子に電解メッキ法により前記メッキ金属層を形成するために前記パッケージ容器の外周部から前記端子間配線または前記端子に接続するように配置されたメッキ用配線と、が備えられ、
   前記センサ素子の前記検出端子および前記チャージアンプとの接続をなす前記端子の配線経路の終端が、前記パッケージ容器の外周部より内側に位置して形成されていることを特徴とするパッケージ容器。
7. 請求項６に記載のパッケージ容器において、
   前記検出端子および前記チャージアンプとの接続をなす前記端子の配線経路の終端が、前記メッキ用配線を断線させるように一部を除去して形成されていることを特徴とするパッケージ容器。
8. 請求項６または請求項７に記載のパッケージ容器において、
   前記検出端子および前記チャージアンプとの接続をなす前記端子の配線経路の終端が、前記キャビティ内の平面視で見える位置に形成されていることを特徴とするパッケージ容器。
9. 請求項６〜８のいずれか一項に記載のパッケージ容器において、
   前記基板のうち少なくとも一層には、前記センサ素子および前記電子素子の少なくともいずれか一方を接地し、表面に前記メッキ金属層を設けた接地接続端子を備え、
   前記接地接続端子の終端は、前記パッケージ容器の外周部に位置して形成されていることを特徴とするパッケージ容器。

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