JP2008192656A - 研磨組成物用添加剤 - Google Patents
研磨組成物用添加剤 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008192656A JP2008192656A JP2007022441A JP2007022441A JP2008192656A JP 2008192656 A JP2008192656 A JP 2008192656A JP 2007022441 A JP2007022441 A JP 2007022441A JP 2007022441 A JP2007022441 A JP 2007022441A JP 2008192656 A JP2008192656 A JP 2008192656A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- amine compound
- additive
- polishing composition
- alcohol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【課題】 安定した研磨特性を実現することができる研磨組成物用添加剤を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨組成物用添加剤は、1種または2種以上のアミン化合物と、アルコールとを含むことを特徴とし、このアミン化合物には、第4級アンモニウム塩を含む。特にアミン化合物が高濃度で含まれる場合に、アルコールを含むことでアミン化合物の析出を抑えることができる。
【選択図】 なし
Description
1種または2種以上のアミン化合物と、アルコールとを含むことを特徴とする研磨組成物用添加剤である。
まず、研磨に使用し、研磨組成物用添加剤が添加される研磨用組成物に付いて説明する。なお、研磨用組成物は、研磨使用時に希釈して用いた。以下に示す組成は、希釈済みの組成で、残部は水である。
砥粒 :70nmコロイダルシリカ粒子 0.30重量%
研磨促進剤 :ピペラジン 0.25重量%
(比較例1)
研磨組成物用添加剤なし
(比較例2)
無機アルカリ :水酸化カリウム 5.0重量%
(実施例1)
アミン化合物 :ピペラジン 4.0重量%
アミン化合物 :水酸化テトラメチルアンモニウム 15.0重量%
アルコール類 :メタノール 1.0重量%
(参考例1)
アミン化合物 :ピペラジン 4.0重量%
アミン化合物 :水酸化テトラメチルアンモニウム 15.0重量%
研磨特性の評価は、ダミー研磨を60分間行った後に、各30分間の研磨を12バッチ実施した。12バッチの研磨中には、pHを一定に維持するため、比較例2および実施例1の添加剤をスラリーに随時添加してpH10.6を保った。比較例1は、研磨組成物用添加剤なしであるので、pHは10.6に保持されず変動した。
研磨レートは、単位時間当たりに研磨によって除去されたウエーハの厚み(μm/min)で表される。研磨によって除去されたウエーハの厚みは、ウエーハ重量の減少量を測定し、ウエーハの研磨面の面積で割ることで算出した。
研磨パッド:MH−S15A(ニッタ・ハース株式会社製)
研磨装置:Strasbaugh20”枚葉式
定盤回転速度:115rpm
加圧ヘッド回転速度:100rpm
スラリー流量:300ml/min
荷重面圧:30kPa(300gf/cm2)
研磨時間:30min
リンス時間:15sec
シリコンウエーハ:6inch
スラリー:NP6220(ニッタ・ハース株式会社製)
スラリーpH:10.6(比較例1は除く)
上記の12バッチ研磨中にpH調整(pH10.6を保持)のために添加した研磨組成物用添加剤の量について調べた。結果を表1に示す。
メタノール存在下(実施例1)とメタノール非存在下(参考例1)で、アミン化合物であるピペラジンの析出試験を行った。
Claims (5)
- 少なくとも1度使用された研磨組成物に添加される研磨組成物用添加剤において、
1種または2種以上のアミン化合物と、アルコールとを含むことを特徴とする研磨組成物用添加剤。 - 2種以上のアミン化合物を含み、前記アミン化合物は、第4級アンモニウム塩と、水溶性および水分散性を有する第1級アミン化合物、第2級アミン化合物、第3級アミン化合物、およびアミノ基を主鎖または側鎖に有する高分子化合物から選ばれる1種または2種以上のアミン化合物とを含むことを特徴とする請求項1記載の研磨組成物用添加剤。
- 2種以上のアミン化合物を含み、前記アミン化合物は、第4級アンモニウム塩と、前記研磨組成物に含まれるアミン化合物と同じアミン化合物とを含むことを特徴とする請求項1または2記載の研磨組成物用添加剤。
- 第4級アンモニウム塩は、水酸化テトラメチルアンモニウムであることを特徴とする請求項2または3記載の研磨組成物用添加剤。
- 前記アルコールは、脂肪族飽和アルコールから選ばれる1種または2種以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の研磨組成物用添加剤。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007022441A JP5357396B2 (ja) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | 研磨組成物用添加剤および研磨組成物の使用方法 |
US12/449,242 US8308972B2 (en) | 2007-01-31 | 2007-09-26 | Additive for polishing composition |
CN201410670366.XA CN104531063A (zh) | 2007-01-31 | 2007-09-26 | 研磨组合物用添加剂 |
PCT/JP2007/068673 WO2008093450A1 (ja) | 2007-01-31 | 2007-09-26 | 研磨組成物用添加剤 |
KR1020097018116A KR101390166B1 (ko) | 2007-01-31 | 2007-09-26 | 연마조성물용 첨가제 |
CN200780050785A CN101632157A (zh) | 2007-01-31 | 2007-09-26 | 研磨组合物用添加剂 |
SG2012012837A SG179405A1 (en) | 2007-01-31 | 2007-09-26 | Additive for polishing composition |
DE112007003303.7T DE112007003303B4 (de) | 2007-01-31 | 2007-09-26 | Additiv für eine Zusammensetzung zum Polieren |
TW096135981A TWI412581B (zh) | 2007-01-31 | 2007-09-27 | Additive for abrasive compositions |
US13/442,125 US8420539B2 (en) | 2007-01-31 | 2012-04-09 | Additive for polishing composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007022441A JP5357396B2 (ja) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | 研磨組成物用添加剤および研磨組成物の使用方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008192656A true JP2008192656A (ja) | 2008-08-21 |
JP5357396B2 JP5357396B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=39673766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007022441A Active JP5357396B2 (ja) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | 研磨組成物用添加剤および研磨組成物の使用方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8308972B2 (ja) |
JP (1) | JP5357396B2 (ja) |
KR (1) | KR101390166B1 (ja) |
CN (2) | CN104531063A (ja) |
DE (1) | DE112007003303B4 (ja) |
SG (1) | SG179405A1 (ja) |
TW (1) | TWI412581B (ja) |
WO (1) | WO2008093450A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012005142A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤および研磨方法 |
WO2013099595A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤用添加剤および研磨方法 |
JP2015070274A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | シリコンウェーハを研磨するための化学機械研磨組成物及び関連する方法 |
WO2015147011A1 (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコン材料研磨用組成物 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8017524B2 (en) * | 2008-05-23 | 2011-09-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Stable, high rate silicon slurry |
TWI385244B (zh) * | 2009-05-20 | 2013-02-11 | Epoch Material Co Ltd | 用於移除鋸痕之化學機械研磨組合物 |
JP6005521B2 (ja) * | 2010-11-08 | 2016-10-12 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた半導体基板の研磨方法 |
CN112480928A (zh) * | 2019-09-11 | 2021-03-12 | 利绅科技股份有限公司 | 硅蚀刻组成物及其作用于硅基材的蚀刻方法 |
JP2022098711A (ja) * | 2020-12-22 | 2022-07-04 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02257627A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体ウエーハの研磨方法及び装置 |
JPH07100738A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-04-18 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体基板の鏡面研磨方法 |
JPH10172935A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
JPH11277380A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-12 | Asahi Denka Kogyo Kk | 半導体製品の表面研磨システム |
JP2002075929A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 研磨使用済み液の再生方法 |
JP2004335722A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Rodel Nitta Co | 半導体ウェハ研磨用組成物 |
JP2005349507A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Naoetsu Electronics Co Ltd | クーラント再生装置及び廃スラリー再生システム、並びに、廃クーラントの再生方法及び廃スラリーの再生方法 |
JP2006086144A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウェーハの研磨装置及びこれを用いた研磨方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6024829A (en) * | 1998-05-21 | 2000-02-15 | Lucent Technologies Inc. | Method of reducing agglomerate particles in a polishing slurry |
JP2000071172A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-07 | Nec Corp | 化学機械研磨用スラリーの再生装置及び再生方法 |
US6362103B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-03-26 | David K. Watts | Method and apparatus for rejuvenating a CMP chemical solution |
US6461958B1 (en) * | 2000-02-04 | 2002-10-08 | Seagate Technology Llc | Polishing memory disk substrates with reclaim slurry |
JP2002252189A (ja) | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハ用研磨液 |
JP4212861B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2009-01-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法 |
-
2007
- 2007-01-31 JP JP2007022441A patent/JP5357396B2/ja active Active
- 2007-09-26 CN CN201410670366.XA patent/CN104531063A/zh active Pending
- 2007-09-26 KR KR1020097018116A patent/KR101390166B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-26 WO PCT/JP2007/068673 patent/WO2008093450A1/ja active Search and Examination
- 2007-09-26 SG SG2012012837A patent/SG179405A1/en unknown
- 2007-09-26 US US12/449,242 patent/US8308972B2/en active Active
- 2007-09-26 CN CN200780050785A patent/CN101632157A/zh active Pending
- 2007-09-26 DE DE112007003303.7T patent/DE112007003303B4/de active Active
- 2007-09-27 TW TW096135981A patent/TWI412581B/zh active
-
2012
- 2012-04-09 US US13/442,125 patent/US8420539B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02257627A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体ウエーハの研磨方法及び装置 |
JPH07100738A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-04-18 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体基板の鏡面研磨方法 |
JPH10172935A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
JPH11277380A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-12 | Asahi Denka Kogyo Kk | 半導体製品の表面研磨システム |
JP2002075929A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 研磨使用済み液の再生方法 |
JP2004335722A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Rodel Nitta Co | 半導体ウェハ研磨用組成物 |
JP2005349507A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Naoetsu Electronics Co Ltd | クーラント再生装置及び廃スラリー再生システム、並びに、廃クーラントの再生方法及び廃スラリーの再生方法 |
JP2006086144A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウェーハの研磨装置及びこれを用いた研磨方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012005142A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤および研磨方法 |
WO2013099595A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤用添加剤および研磨方法 |
JP2015070274A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | シリコンウェーハを研磨するための化学機械研磨組成物及び関連する方法 |
WO2015147011A1 (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコン材料研磨用組成物 |
JP2015191966A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコン材料研磨用組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5357396B2 (ja) | 2013-12-04 |
US8308972B2 (en) | 2012-11-13 |
US20120193573A1 (en) | 2012-08-02 |
KR101390166B1 (ko) | 2014-04-29 |
SG179405A1 (en) | 2012-04-27 |
TWI412581B (zh) | 2013-10-21 |
DE112007003303B4 (de) | 2016-05-19 |
KR20090128399A (ko) | 2009-12-15 |
CN104531063A (zh) | 2015-04-22 |
TW200837180A (en) | 2008-09-16 |
US20100025623A1 (en) | 2010-02-04 |
DE112007003303T5 (de) | 2009-12-03 |
US8420539B2 (en) | 2013-04-16 |
CN101632157A (zh) | 2010-01-20 |
WO2008093450A1 (ja) | 2008-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5357396B2 (ja) | 研磨組成物用添加剤および研磨組成物の使用方法 | |
US7253111B2 (en) | Barrier polishing solution | |
US20070224101A1 (en) | Semiconductor Polishing Composition | |
EP3584298B1 (en) | Polishing method using a polishing composition | |
JP2008135452A (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
JP6879798B2 (ja) | 研磨用組成物および研磨方法 | |
JPWO2016143323A1 (ja) | 研磨用組成物及びシリコン基板の研磨方法 | |
EP3540761B1 (en) | Polishing composition and method for polishing silicon wafer | |
JP2008135453A (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
JP2009187985A (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
WO2020100563A1 (ja) | 研磨用組成物 | |
TW201602323A (zh) | 研磨用組成物、該使用方法、及基板之製造方法 | |
US20080263965A1 (en) | Semiconductor Polishing Composition | |
JP5671793B2 (ja) | 仕上研磨を施したシリコンウェーハの洗浄方法 | |
JP6373029B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2021106246A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2007063374A (ja) | 研磨組成物用添加剤 | |
JP6847692B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2005286047A (ja) | 半導体研磨用組成物 | |
JP6436638B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JPWO2018088370A1 (ja) | 研磨用組成物及びシリコンウェーハの研磨方法 | |
JP2004335723A (ja) | 半導体ウェハ研磨用組成物 | |
KR20220070289A (ko) | 연마용 조성물 | |
JP5580441B2 (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
CN116648328A (zh) | 研磨用组合物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100121 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130830 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5357396 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |