JP2008189586A - ビニル基を有する遷移金属配位化合物及びその製造方法、並びに該遷移金属配位化合物を使用した遷移金属分子インプリントポリマーの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】カドミウム、銅、鉛、錫、水銀等の有害な特定重金属を選択的に認識・捕捉することができる分子インプリントポリマーを低コストで製造するためのモノマーとなる、新規なビニル基を有する遷移金属配位化合物及びその製造方法、並びに該遷移金属配位化合物を使用した遷移金属分子インプリントポリマーの製造方法を提供する。
【解決手段】下記の式(1)で表されるビニル基を有する遷移金属配位化合物。
MX2L4 (1)
(式中、Mは遷移金属、Lはビニルピリジン配位子、Xはハロゲン原子を表す。)
この化合物は、ビニルピリジンと式MX2(2)で表される遷移金属ハロゲン化物を反応させて得ることができる。また、この化合物を複数のビニル基を有する架橋剤の存在下に重合させて、得られた重合体から遷移金属を除去することにより遷移金属インプリントポリマーを製造することができる。
【選択図】なし
【解決手段】下記の式(1)で表されるビニル基を有する遷移金属配位化合物。
MX2L4 (1)
(式中、Mは遷移金属、Lはビニルピリジン配位子、Xはハロゲン原子を表す。)
この化合物は、ビニルピリジンと式MX2(2)で表される遷移金属ハロゲン化物を反応させて得ることができる。また、この化合物を複数のビニル基を有する架橋剤の存在下に重合させて、得られた重合体から遷移金属を除去することにより遷移金属インプリントポリマーを製造することができる。
【選択図】なし
Description
本発明は、ビニル基を有する遷移金属配位化合物及びその製造方法、並びに該遷移金属配位化合物を使用した遷移金属分子インプリントポリマーの製造方法に関する。
分子インプリント法は、分離、分析等の対象となる特定の化合物を鋳型分子とし、この鋳型分子と相補的な空隙や表面構造(選択認識性のある分子認識サイト)をポリマー中に形成する技術である。
従来、分子インプリントポリマーを製造する技術としては、(1)鋳型分子の存在下に、必要に応じて架橋剤を使用して、個々のモノマーを重合し、得られたポリマーから鋳型分子を除去して分子インプリントポリマーを得る方法(架橋重合法)、及び(2)溶解又は溶融したポリマーに鋳型分子を溶解させて、ポリマーの官能基と共有又は非共有結合させて固化した後、鋳型分子を除去する方法(相転換法)が知られている。(例えば、特許文献1、2及び非特許文献1参照)
従来、分子インプリントポリマーを製造する技術としては、(1)鋳型分子の存在下に、必要に応じて架橋剤を使用して、個々のモノマーを重合し、得られたポリマーから鋳型分子を除去して分子インプリントポリマーを得る方法(架橋重合法)、及び(2)溶解又は溶融したポリマーに鋳型分子を溶解させて、ポリマーの官能基と共有又は非共有結合させて固化した後、鋳型分子を除去する方法(相転換法)が知られている。(例えば、特許文献1、2及び非特許文献1参照)
しかしながら、これらの従来の分子インプリントポリマーでは、カドミウム、鉛、錫、水銀等の有害な特定重金属を選択的に認識・捕捉することは困難であり、また分子インプリントポリマーの製造コストが高くなるといった問題点があった。
したがって、本発明はカドミウム、銅、鉛、錫、水銀等の有害な特定重金属を選択的に認識・捕捉することができる分子インプリントポリマーを低コストで製造するためのモノマーとなる、新規なビニル基を有する遷移金属配位化合物及びその製造方法、並びに該遷移金属配位化合物を使用した遷移金属分子インプリントポリマーの製造方法を提供することを目的とする。
本発明では、上記課題を解決するために次の構成1〜5を採用する。
1.下記の式(1)で表されるビニル基を有する遷移金属配位化合物。
MX2L4 (1)
(式中、Mは遷移金属、Lはビニルピリジン配位子、Xはハロゲン原子を表す。)
2.Mがカドミウム、銅及びユウロピウムからなる群から選択されたものであり、Xがヨウ素又は塩素であることを特徴とする1に記載されたビニル基を有する遷移金属配位化合物。
3.ビニルピリジンと下記の式(2)で表される遷移金属ハロゲン化物を反応させることを特徴とする1又は2に記載のビニル基を有する遷移金属配位化合物の製造方法。
MX2 (2)
(式中、Mは遷移金属、Xはハロゲン原子を表す。)
4.1又は2に記載されたビニル基を有する遷移金属配位化合物を複数のビニル基を有する架橋剤の存在下に重合させて、得られた重合体から遷移金属を除去することを特徴とする遷移金属インプリントポリマーの製造方法。
5.前記架橋剤がジビニルベンゼン、エチレングリコールジメタクリレート及びN,N’−メチレンビスアクリルアミドから選択されたものであることを特徴とする4に記載の遷移金属インプリントポリマーの製造方法。
1.下記の式(1)で表されるビニル基を有する遷移金属配位化合物。
MX2L4 (1)
(式中、Mは遷移金属、Lはビニルピリジン配位子、Xはハロゲン原子を表す。)
2.Mがカドミウム、銅及びユウロピウムからなる群から選択されたものであり、Xがヨウ素又は塩素であることを特徴とする1に記載されたビニル基を有する遷移金属配位化合物。
3.ビニルピリジンと下記の式(2)で表される遷移金属ハロゲン化物を反応させることを特徴とする1又は2に記載のビニル基を有する遷移金属配位化合物の製造方法。
MX2 (2)
(式中、Mは遷移金属、Xはハロゲン原子を表す。)
4.1又は2に記載されたビニル基を有する遷移金属配位化合物を複数のビニル基を有する架橋剤の存在下に重合させて、得られた重合体から遷移金属を除去することを特徴とする遷移金属インプリントポリマーの製造方法。
5.前記架橋剤がジビニルベンゼン、エチレングリコールジメタクリレート及びN,N’−メチレンビスアクリルアミドから選択されたものであることを特徴とする4に記載の遷移金属インプリントポリマーの製造方法。
本発明によれば、新規なビニル基を有する遷移金属配位化合物を得ることができる。この遷移金属化合物は、カドミウム、銅、鉛、錫、水銀等の特定重金属を選択的に認識・捕捉することができる分子インプリントポリマーを低コストで製造するためのモノマーとして有用である。
また、このモノマーを複数のビニル基を有する架橋剤の存在下に重合させて、得られた重合体から遷移金属を除去することにより得られる遷移金属インプリントポリマーは、カドミウム、銅、鉛、錫、水銀等の有害な特定重金属を選択的に認識・捕捉することができる。
また、このモノマーを複数のビニル基を有する架橋剤の存在下に重合させて、得られた重合体から遷移金属を除去することにより得られる遷移金属インプリントポリマーは、カドミウム、銅、鉛、錫、水銀等の有害な特定重金属を選択的に認識・捕捉することができる。
本発明の新規なビニル基を有する遷移金属配位化合物は、下記の式(1)で表される。
MX2L4 (1)
(式中、Mは遷移金属、Lはビニルピリジン配位子、Xはハロゲン原子を表す。)
この遷移金属配位化合物(1)は、詳細には次のような構造式(A)を有する化合物である。
MX2L4 (1)
(式中、Mは遷移金属、Lはビニルピリジン配位子、Xはハロゲン原子を表す。)
この遷移金属配位化合物(1)は、詳細には次のような構造式(A)を有する化合物である。
これらの化合物は、下記の式(2)で表わされる遷移金属ハロゲン化物と、ビニルピリジンを反応させることにより得ることができる。
MX2 (2)
(式中、Mは遷移金属、Xはハロゲン原子を表す。)
例えば、上記の式(A)において、Mがカドミウム、Lが4−ビニルピリジン、Xがヨウ素であるビニル基を有する遷移金属配位化合物は、次の反応スキームにより得ることができる。
MX2 (2)
(式中、Mは遷移金属、Xはハロゲン原子を表す。)
例えば、上記の式(A)において、Mがカドミウム、Lが4−ビニルピリジン、Xがヨウ素であるビニル基を有する遷移金属配位化合物は、次の反応スキームにより得ることができる。
具体的には、例えば次の工程1)〜6)により目的とするカドミウムに4−ビニルピリジン(VPy)とヨウ素が配位した化合物を得ることができる。
1)4−ビニルピリジンをエタノールに溶解した溶液に、ヨウ化カドミウムCdI2を溶解すると、沈殿が生成する。
2)得られた沈殿を含む溶液を、冷凍庫中で1日保存して沈殿を熟成する。
3)沈殿を濾過し、残渣をプロパノールで洗浄後乾燥する。
4)一方、濾液は濃縮後、再度冷凍庫で保存して沈殿を熟成する。
5)4)で得られた沈殿を濾過し、残渣をプロパノールで洗浄後乾燥する。
6)3)及び5)で得られた乾燥物を合わせて、目的とする配位化合物CdI2(VPy)4の結晶を得る。
1)4−ビニルピリジンをエタノールに溶解した溶液に、ヨウ化カドミウムCdI2を溶解すると、沈殿が生成する。
2)得られた沈殿を含む溶液を、冷凍庫中で1日保存して沈殿を熟成する。
3)沈殿を濾過し、残渣をプロパノールで洗浄後乾燥する。
4)一方、濾液は濃縮後、再度冷凍庫で保存して沈殿を熟成する。
5)4)で得られた沈殿を濾過し、残渣をプロパノールで洗浄後乾燥する。
6)3)及び5)で得られた乾燥物を合わせて、目的とする配位化合物CdI2(VPy)4の結晶を得る。
次に、上記の式(1)で表されるビニル基を有する遷移金属配位化合物をモノマーとして使用し、遷移金属インプリントポリマーを製造する方法について説明する。
目的とする遷移金属インプリントポリマーは、モノマーとなるビニル基を有する遷移金属配位化合物を、ジビニルベンゼン、エチレングリコールジメタクリレート、N,N’−メチレンビスアクリルアミド等の複数のビニル基を有する架橋剤の存在下に重合させて、得られた重合体から遷移金属を除去することにより得ることができる。
目的とする遷移金属インプリントポリマーは、モノマーとなるビニル基を有する遷移金属配位化合物を、ジビニルベンゼン、エチレングリコールジメタクリレート、N,N’−メチレンビスアクリルアミド等の複数のビニル基を有する架橋剤の存在下に重合させて、得られた重合体から遷移金属を除去することにより得ることができる。
具体的には、例えば次の工程1)〜4)により目的とする遷移金属としてカドミウムをインプリントしたポリマーを得ることができる。
1)CdI2(VPy)4錯体と4〜32倍モル量のジビニルベンゼン(架橋剤)、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(重合開始剤)をテトラヒドロフランに溶解する。
2)窒素バブリング後、55℃で1昼夜振とうして重合させる。
3)得られた重合体を粉砕する。
4)DMSO及びテトラヒドロフランで洗浄し、カドミウムを除去後乾燥して、カドミウムをインプリントしたポリマーを得る。
1)CdI2(VPy)4錯体と4〜32倍モル量のジビニルベンゼン(架橋剤)、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(重合開始剤)をテトラヒドロフランに溶解する。
2)窒素バブリング後、55℃で1昼夜振とうして重合させる。
3)得られた重合体を粉砕する。
4)DMSO及びテトラヒドロフランで洗浄し、カドミウムを除去後乾燥して、カドミウムをインプリントしたポリマーを得る。
次に、実施例により本発明をさらに説明するが、以下の具体例は本発明を限定するものではない。
(実施例1)
4−ビニルピリジン(Vpy)12.5g(120mmol)をエタノール10gに溶解した溶液に、攪拌下にCdI23.70g(10mmol)を溶解すると、直ちに沈殿が生成した。この沈殿を含む溶液を温度約−18℃の冷凍庫中で24時間保存して沈殿を熟成後沈殿を濾過し、残渣をプロパノールで洗浄後乾燥させて、目的とするCdI2(Vpy)4錯体の結晶を得た。
また、濾液をエバポレーターを使用して濃縮後、再度冷凍庫で24時間保存して沈殿を熟成させた。この沈殿を濾過後、同様に残渣をプロパノールで洗浄後乾燥させて錯体の結晶を得た。はじめに得られた結晶と、濾液から得られた結晶を合わせた収量は4.92g(収率62.5%)であった。
得られたCdI2(VPy)4錯体のFT−IRスペクトルを図1に、またH1−NMR測定値を以下に示す。
H1−NMR(400MHz、DMSO−d6)δ5.53(d,J=8.0Hz,1H),6.12(d,J=17.2Hz,1H),6.74(m,J=9.3Hz,1H),7.46(d,J=8.1Hz,2H),8.53(d,J=8.2Hz,2H)
(実施例1)
4−ビニルピリジン(Vpy)12.5g(120mmol)をエタノール10gに溶解した溶液に、攪拌下にCdI23.70g(10mmol)を溶解すると、直ちに沈殿が生成した。この沈殿を含む溶液を温度約−18℃の冷凍庫中で24時間保存して沈殿を熟成後沈殿を濾過し、残渣をプロパノールで洗浄後乾燥させて、目的とするCdI2(Vpy)4錯体の結晶を得た。
また、濾液をエバポレーターを使用して濃縮後、再度冷凍庫で24時間保存して沈殿を熟成させた。この沈殿を濾過後、同様に残渣をプロパノールで洗浄後乾燥させて錯体の結晶を得た。はじめに得られた結晶と、濾液から得られた結晶を合わせた収量は4.92g(収率62.5%)であった。
得られたCdI2(VPy)4錯体のFT−IRスペクトルを図1に、またH1−NMR測定値を以下に示す。
H1−NMR(400MHz、DMSO−d6)δ5.53(d,J=8.0Hz,1H),6.12(d,J=17.2Hz,1H),6.74(m,J=9.3Hz,1H),7.46(d,J=8.1Hz,2H),8.53(d,J=8.2Hz,2H)
(実施例2)
実施例1において、4−ビニルピリジンに代えて2−ビニルピリジン12.5gを使用した以外は、実施例1と同様の手順で処理し、CdI2(VPy)4錯体の結晶5.02g(収率63.8%)を得た。
得られたCdI2(Vpy)4錯体のFT−IRスペクトルを図2に、またH1−NMR測定値を以下に示す。
H1−NMR(400MHz、DMSO−d6)δ5.53(d,J=8.0Hz,1H),6.12(d,J=17.2Hz,1H),6.74(m,J=9.3Hz,1H),7.46(d,J=8.1Hz,2H),8.53(d,J=8.2Hz,2H)
実施例1において、4−ビニルピリジンに代えて2−ビニルピリジン12.5gを使用した以外は、実施例1と同様の手順で処理し、CdI2(VPy)4錯体の結晶5.02g(収率63.8%)を得た。
得られたCdI2(Vpy)4錯体のFT−IRスペクトルを図2に、またH1−NMR測定値を以下に示す。
H1−NMR(400MHz、DMSO−d6)δ5.53(d,J=8.0Hz,1H),6.12(d,J=17.2Hz,1H),6.74(m,J=9.3Hz,1H),7.46(d,J=8.1Hz,2H),8.53(d,J=8.2Hz,2H)
(実施例3)
実施例1において、CdI2に代えてCuCl2・2H2O1.7g(10mmol)を使用した以外は、実施例1と同様の手順で処理し、CuCl2(VPy)4錯体の結晶3.5g(収率50.4%)を得た。
得られた錯体のFT−IRスペクトルを図3に、またXRDを図4に示す。XRDは、2θ=10〜90の範囲で測定したが、60以降ではピークは存在しなかった。
実施例1において、CdI2に代えてCuCl2・2H2O1.7g(10mmol)を使用した以外は、実施例1と同様の手順で処理し、CuCl2(VPy)4錯体の結晶3.5g(収率50.4%)を得た。
得られた錯体のFT−IRスペクトルを図3に、またXRDを図4に示す。XRDは、2θ=10〜90の範囲で測定したが、60以降ではピークは存在しなかった。
(実施例4)
実施例1において、CdI2に代えてEuCl3・6H2O、0.36g(1.39mmol)を使用した以外は、実施例1と同様の手順で処理し、EuCl2(VPy)4 錯体の結晶0.45g(収率50.3%)を得た。
得られた錯体のFT−IRスペクトルを図5に示す。
実施例1において、CdI2に代えてEuCl3・6H2O、0.36g(1.39mmol)を使用した以外は、実施例1と同様の手順で処理し、EuCl2(VPy)4 錯体の結晶0.45g(収率50.3%)を得た。
得られた錯体のFT−IRスペクトルを図5に示す。
(実施例5)
50mlのスクリュー管を使用し、実施例1で得られたCdI2(VPy)4錯体1.0g(1.27mmol)、架橋剤としてジビルベンゼン2.65g(120.4mmol)、重合開始剤として2,2’−アゾビスイソブチロニトル0.04gをテトラヒドロフラン3.65gに溶解した。窒素ガスを導入してバブリング後、55℃で1昼夜振とうして重合させた。得られた固体状の重合体を乳棒と乳鉢を用いて粉砕後、ジメチルスルホキサイド(DMSO)及びテトラヒドロフランで洗浄し、その後0.01M HCl(塩酸)で洗浄することによりカドミウムを除去し、乾燥することによってカドミウムをインプリントしたポリマー3.10g(収率約85%)を得た。塩酸洗浄前のCdI2(VPy)4−ジビニルベンゼンポリマーのFT−IRスペクトルを図6に、また塩酸洗浄後のポリマーのFT−IRスペクトルを図7に示す。
50mlのスクリュー管を使用し、実施例1で得られたCdI2(VPy)4錯体1.0g(1.27mmol)、架橋剤としてジビルベンゼン2.65g(120.4mmol)、重合開始剤として2,2’−アゾビスイソブチロニトル0.04gをテトラヒドロフラン3.65gに溶解した。窒素ガスを導入してバブリング後、55℃で1昼夜振とうして重合させた。得られた固体状の重合体を乳棒と乳鉢を用いて粉砕後、ジメチルスルホキサイド(DMSO)及びテトラヒドロフランで洗浄し、その後0.01M HCl(塩酸)で洗浄することによりカドミウムを除去し、乾燥することによってカドミウムをインプリントしたポリマー3.10g(収率約85%)を得た。塩酸洗浄前のCdI2(VPy)4−ジビニルベンゼンポリマーのFT−IRスペクトルを図6に、また塩酸洗浄後のポリマーのFT−IRスペクトルを図7に示す。
(実施例6)
実施例5において、架橋剤であるジビニルベンゼンに代えてエチレングリコールジメタクリレート4.03g(20.3mmol)、テトラヒドロフラン5.03gを使用した以外は、実施例5と同様の手順で処理し、カドミウムをインプリントしたポリマー4.31g(収率約86%)を得た。
得られたポリマーのFT−IRスペクトルを図8に示す。
実施例5において、架橋剤であるジビニルベンゼンに代えてエチレングリコールジメタクリレート4.03g(20.3mmol)、テトラヒドロフラン5.03gを使用した以外は、実施例5と同様の手順で処理し、カドミウムをインプリントしたポリマー4.31g(収率約86%)を得た。
得られたポリマーのFT−IRスペクトルを図8に示す。
(実施例7)
実施例5において、架橋剤であるジビニルベンゼンに代えてN,N’−メチレンビスアクリルアミド3.14g(20.3mmol)、テトラヒドロフランに代えてDMSO14.73gを使用した以外は、実施例5と同様の手順で処理し、カドミウムをインプリントしたポリマー3.92g(収率93%)を得た。
得られたポリマーのFT−IRスペクトルを図9に示す。
実施例5において、架橋剤であるジビニルベンゼンに代えてN,N’−メチレンビスアクリルアミド3.14g(20.3mmol)、テトラヒドロフランに代えてDMSO14.73gを使用した以外は、実施例5と同様の手順で処理し、カドミウムをインプリントしたポリマー3.92g(収率93%)を得た。
得られたポリマーのFT−IRスペクトルを図9に示す。
(実施例8)
実施例5において、架橋剤であるジビニルベンゼンに代えてアクリロニトリル1.44g(20.3mmol)を使用した以外は、実施例5と同様の手順で処理し、カドミウムをインプリントしたポリマー2.11g(収率約86%)を得た。
得られたポリマーのFT−IRスペクトルを図10に示す。
実施例5において、架橋剤であるジビニルベンゼンに代えてアクリロニトリル1.44g(20.3mmol)を使用した以外は、実施例5と同様の手順で処理し、カドミウムをインプリントしたポリマー2.11g(収率約86%)を得た。
得られたポリマーのFT−IRスペクトルを図10に示す。
(比較例1)
実施例5において、CdCl2(VPy)4錯体に代えてVPy0.15g(1.39mmol)を使用した以外は、実施例5と同様の手順で処理し、Cdノンインプリントポリマーを合成した。
実施例5において、CdCl2(VPy)4錯体に代えてVPy0.15g(1.39mmol)を使用した以外は、実施例5と同様の手順で処理し、Cdノンインプリントポリマーを合成した。
(比較例2)
実施例6において、CdCl2(VPy)4錯体に代えてVPy0.15g(1.39mmol)を使用した以外は、実施例5と同様の手順で処理し、Cdノンインプリントポリマーを合成した。
実施例6において、CdCl2(VPy)4錯体に代えてVPy0.15g(1.39mmol)を使用した以外は、実施例5と同様の手順で処理し、Cdノンインプリントポリマーを合成した。
(比較例3)
実施例7において、CdCl2(VPy)4錯体に代えてVPy0.15g(1.39mmol)を使用した以外は、実施例7と同様の手順で処理し、Cdノンインプリントポリマーを合成した。
実施例7において、CdCl2(VPy)4錯体に代えてVPy0.15g(1.39mmol)を使用した以外は、実施例7と同様の手順で処理し、Cdノンインプリントポリマーを合成した。
(比較例4)
実施例8において、CdCl2(VPy)4錯体に代えてVPy0.15g(1.39mmol)を使用した以外は、実施例8と同様の手順で処理し、Cdノンインプリントポリマーを合成した。
実施例8において、CdCl2(VPy)4錯体に代えてVPy0.15g(1.39mmol)を使用した以外は、実施例8と同様の手順で処理し、Cdノンインプリントポリマーを合成した。
(合成したポリマーに対する金属結合量能力評価)
実施例5において合成したCdインプリントポリマー粉末0.5gを、30℃の各20ppmCd、Zn、Cu、およびFe混合水溶液50ml中に浸し、24時間振とうした後、各金属の濃度変化を原子吸光分光光度計を用いて測定し、1g当りのCdインプリントポリマーに対する各金属結合量を算出した。
また、比較例1で合成したCdノンインプリントポリマーについても同様の結合実験を行い、結合量を算出した。得られた評価結果を表1に示す。
実施例5において合成したCdインプリントポリマー粉末0.5gを、30℃の各20ppmCd、Zn、Cu、およびFe混合水溶液50ml中に浸し、24時間振とうした後、各金属の濃度変化を原子吸光分光光度計を用いて測定し、1g当りのCdインプリントポリマーに対する各金属結合量を算出した。
また、比較例1で合成したCdノンインプリントポリマーについても同様の結合実験を行い、結合量を算出した。得られた評価結果を表1に示す。
実施例6において合成したCdインプリントポリマー粉末0.5gを、30℃の各20ppmCd、Zn、Cu、およびFe混合水溶液50ml中に浸し、24時間振とうした後、各金属の濃度変化を原子吸光分光光度計を用いて測定し、1g当りのCdインプリントポリマーに対する各金属結合量を算出した。
また、比較例2で合成したCdノンインプリントポリマーについても同様の結合実験を行い、結合量を算出した。得られた評価結果を表2に示す。
また、比較例2で合成したCdノンインプリントポリマーについても同様の結合実験を行い、結合量を算出した。得られた評価結果を表2に示す。
実施例7において合成したCdインプリントポリマー粉末0.5gを、30℃の各20ppmCd、Zn、Cu、およびFe混合水溶液50ml中に浸し、24時間振とうした後、各金属の濃度変化を原子吸光分光光度計を用いて測定し、1g当りのCdインプリントポリマーに対する各金属結合量を算出した。
また、比較例3で合成したCdノンインプリントポリマーについても同様の結合実験を行い、結合量を算出した。得られた評価結果を表3に示す。
また、比較例3で合成したCdノンインプリントポリマーについても同様の結合実験を行い、結合量を算出した。得られた評価結果を表3に示す。
実施例8において合成したCdインプリントポリマー粉末0.5gを、30℃の各20ppmCd、Zn、Cu、およびFe混合水溶液50ml中に浸し、24時間振とうした後、各金属の濃度変化を原子吸光分光光度計を用いて測定し、1g当りのCdインプリントポリマーに対する各金属結合量を算出した。
また、比較例4で合成したCdノンインプリントポリマーについても同様の結合実験を行い、結合量を算出した。得られた評価結果を表4に示す。
また、比較例4で合成したCdノンインプリントポリマーについても同様の結合実験を行い、結合量を算出した。得られた評価結果を表4に示す。
上記表1〜4によれば、本発明のCdインプリントポリマーは、カドミウムを選択的に認識・捕捉することができるものであることが判明した。
Claims (5)
- 下記の式(1)で表されるビニル基を有する遷移金属配位化合物。
MX2L4 (1)
(式中、Mは遷移金属、Lはビニルピリジン配位子、Xはハロゲン原子を表す。) - Mがカドミウム、銅及びユウロピウムからなる群から選択されたものであり、Xがヨウ素又は塩素であることを特徴とする請求項1に記載されたビニル基を有する遷移金属配位化合物。
- ビニルピリジンと下記の式(2)で表される遷移金属ハロゲン化物を反応させることを特徴とする請求項1又は2に記載のビニル基を有する遷移金属配位化合物の製造方法。
MX2 (2)
(式中、Mは遷移金属、Xはハロゲン原子を表す。) - 請求項1又は2に記載されたビニル基を有する遷移金属配位化合物を複数のビニル基を有する架橋剤の存在下に重合させて、得られた重合体から遷移金属を除去することを特徴とする遷移金属インプリントポリマーの製造方法。
- 前記架橋剤がジビニルベンゼン、エチレングリコールジメタクリレート及びN,N’−メチレンビスアクリルアミドから選択されたものであることを特徴とする請求項4に記載の遷移金属インプリントポリマーの製造方法。
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JP2010100708A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Mukogawa Gakuin | 分子インプリントポリマーおよびその製造方法 |
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2007
- 2007-02-05 JP JP2007024968A patent/JP2008189586A/ja active Pending
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US10617144B2 (en) | 2011-05-19 | 2020-04-14 | R.J. Reynolds Tobacco Company | Molecularly imprinted polymers for treating tobacco material and filtering smoke from smoking articles |
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