JP2008187190A5 - - Google Patents
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| JP2008039913A JP4858461B2 (ja) | 2008-02-21 | 2008-02-21 | タングステンシリサイド膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
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| JP2008039913A JP4858461B2 (ja) | 2008-02-21 | 2008-02-21 | タングステンシリサイド膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10005520A Division JPH11200050A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | タングステンシリサイド膜の形成方法、半導体装置の製造方法、及び半導体ウェーハ処理装置 |
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| JP4858461B2 JP4858461B2 (ja) | 2012-01-18 |
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ID=39729975
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|---|---|---|---|
| JP2008039913A Expired - Lifetime JP4858461B2 (ja) | 2008-02-21 | 2008-02-21 | タングステンシリサイド膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
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Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH05182925A (ja) * | 1991-12-30 | 1993-07-23 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| JPH07111253A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-04-25 | Hitachi Ltd | シリサイド形成方法および半導体装置の製造方法 |
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- 2008-02-21 JP JP2008039913A patent/JP4858461B2/ja not_active Expired - Lifetime
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