JP2008166823A

JP2008166823A - 半導体パッケージ及びこれを搭載するためのモジュールプリント回路基板

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Publication number: JP2008166823A
Application number: JP2007340931A
Authority: JP
Inventors: Shoyo Park; 昌用朴; Koko Sen; 光浩千; Dong-Chun Lee; 東春李; Yong-Hyun Kim; 容玄金
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2007-01-02
Filing date: 2007-12-28
Publication date: 2008-07-17
Anticipated expiration: 2027-12-28
Also published as: US20080157389A1; JP5426093B2; TWI439198B; US7675176B2; DE102008003112A1; KR100816762B1; TW200840439A

Abstract

【課題】半導体パッケージ及びこれを搭載するためのモジュールプリント回路基板を提供する。
【解決手段】基板と、基板の第１領域に形成された第１型パッド構造物と、基板の第２領域に形成された第２型パッド構造物と、を含む。第１型パッド構造物は、基板上に形成された第１導電性パッドと、基板上に塗布され、第１導電性パッドの側壁の一部分が露出されたオープニングを有し、第１導電性パッドの一部を覆う第１絶縁膜と、を含むことができる。第２型パッド構造物は、基板上に塗布され、第２オープニングを有する第２絶縁膜と、第２オープニング内の基板上に形成され、側壁が露出された第２導電性パッドと、を含むことができる。このような構造によれば、物理的ストレス及び熱的ストレスに対する信頼性の優れた構造を採択することで、半導体パッケージとモジュールプリント回路基板１００のストレスに対する信頼性を高めることができる。
【選択図】図１０

Description

本発明は、半導体装置に関し、より詳細には、半導体パッケージ及びこれを搭載するためのモジュールプリント回路基板に関する。

近来の半導体製品は、マルチメディア化及びデジタル化の拡大に伴い、大容量、高速動作、多機能、小型化及び低消費電力への要求が次第に高まっている。それによって、微細ピッチ（ｆｉｎｅｐｉｔｃｈ）及びハイピン（ｈｉｇｈｐｉｎ）化が進行されており、半導体パッケージ（ｐａｃｋａｇｅ）は、基板を使用するボールグリッドアレイ（ＢＧＡ：ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）パッケージに転換される傾向である。ＢＧＡパッケージには、マイクロＢＧＡ（ｍｉｃｒｏＢＧＡ）、ワイヤボンディングＢＧＡ（ＷＢＧＡ：ＷｉｒｅＢｏｎｄｉｎｇＢＧＡ）、ボードオンチップ（ＢＯＣ：ＢｏａｒｄＯｎＣｈｉｐ）などがある。

ボールアレイ（ｂａｌｌａｒｒａｙ）形態を有するパッケージは、外部リード（ｏｕｔｅｒｌｅａｄ）を使用して基板と連結する代わりに、ソルダボール（ｓｏｌｄｅｒｂａｌｌ）を基板に付着して製造され、一つのモジュールプリント回路基板に一般的に２〜３２個のＢＧＡ製品が装着される。

図１は、従来の半導体パッケージを搭載するためのモジュールプリント回路基板を示す図である。

図１を参照すると、プリント回路基板１０は、回路基板１２に半導体パッケージが在置されるマウント領域（ｍｏｕｎｔｒｅｇｉｏｎ）１４が形成されており、前記マウント領域１４には、半導体パッケージと接続される複数のパッド２０が形成されている。前記マウント領域１４のパッド配列は、搭載される半導体パッケージによって多様に変形設計されることができる。例えば、図示されたように、マウント領域１４の両側にパッドが一列に配列されることができ、中央に配列されたり、マトリックス形状でパッドが配列されることもできる。

プリント回路基板１０だけでなく半導体パッケージにも、プリント回路基板１０に配列されたパッド２０に対応する位置にパッドが形成されている。半導体パッケージとプリント回路基板との接続のためのパッドは、ＳＭＤ（ＳｏｌｄｅｒＭａｓｋＤｅｆｉｎｅｄ）構造とＮＳＭＤ（ＮｏｎＳｏｌｄｅｒＭａｓｋＤｅｆｉｎｅｄ）構造とに区分できる。

図２Ａ及び図２Ｂは、各々ＮＳＭＤ構造のパッドの平面図とそれのＩ−Ｉ’線断面図である。

図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、ＮＳＭＤ構造のパッド２０は、回路基板１２上にオープニングを有するように塗布されたＰＳＲ（ＰｈｏｔｏＳｏｌｄｅｒＲｅｓｉｓｔ）２２と前記オープニング内の回路基板１２に形成された導電性パッド２４とを含む。ＮＳＭＤ構造において、導電性パッド２４の側壁は、ＰＳＲ２２の側壁から所定間隔Ｗａ離隔して配置されることで、オープニング内に露出される。

ＮＳＭＤ構造のパッドは、導電性パッド２４がＰＳＲ２２から所定間隔Ｗａ離隔しているため、熱的ストレス（ｔｈｅｒｍａｌｓｔｒｅｓｓ）に対する信頼度が高い反面、導電性パッド２４の結合力が弱くて、物理的ストレスに対して弱いという短所がある。半導体パッケージが搭載されたモジュールプリント回路基板は、柔軟な材質で形成されるので、基板の曲がり（ｂｅｎｄｉｎｇ）及びツイスト（ｔｗｉｓｔ）により、ＮＳＭＤ構造のパッドにおいて、導電性パッドが分離されたり、パッドと接触した回路基板にクラックが発生する可能性がある。

図３Ａ及び図３Ｂは、各々ＳＭＤ構造のパッドの平面図とそれのＩＩ−ＩＩ’線断面図である。

図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、ＳＭＤ構造のパッドは、ＰＳＲ３２が塗布された回路基板１２に導電性パッド３４が形成されており、ＰＳＲ３２は導電性パッド３４の一部分上に重なっている。導電性パッド３４のエッジ部分の所定幅Ｗｂと側壁とがＰＳＲ３２で覆われているので、ＳＭＤ構造のパッド３０は、物理的ストレスに対する信頼度が高い反面、導電性パッド３４とＰＳＲ３２との接触面に熱的ストレスが集中され、信頼性が落ちるという短所がある。

本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、半導体パッケージとモジュールプリント回路基板のストレスに対する信頼性を高めるために、物理的ストレス及び熱的ストレスに対する信頼性の優れたパッド構造を有する半導体パッケージ及びモジュールプリント回路基板を提供することにある。

上記目的を達成すべく、本発明の好ましい実施の形態による半導体パッケージは、半導体チップとモジュールプリント回路基板とを接続するパッケージ基板と、前記パッケージ基板の第１領域に形成された第１型パッド構造物と、前記パッケージ基板の第２領域に形成された第２型パッド構造物と、を含む。前記第１型パッド構造物は、前記パッケージ基板上に形成された第１導電性パッドと、前記パッケージ基板上に塗布され、前記第１導電性パッドの側壁の一部分が露出されたオープニングを有し、前記第１導電性パッドの一部を覆う第１絶縁膜と、を含むことができる。

前記第２型パッド構造物は、前記パッケージ基板上に塗布され、第２オープニングを有する第２絶縁膜と、前記第２オープニング内の前記パッケージ基板上に形成され、側壁が露出された第２導電性パッドと、を含むことができる。

本発明の好ましい実施の形態によるモジュールプリント回路基板は、回路基板と、前記回路基板に形成され、半導体パッケージが在置されるマウント領域と、を含む。前記マウント領域の第１領域に第１型パッド構造物が形成されており、前記マウント領域の第２領域に第２型パッド構造物が形成されている。

前記第１型パッド構造物は、前記回路基板上に形成された第１導電性パッドと、前記回路基板上に塗布され、前記第１導電性パッドの側壁の一部分が露出された第１オープニングを有し、前記第１導電性パッドの一部を覆う第１絶縁膜と、を含むことができる。

前記第２型パッド構造物は、前記回路基板上に塗布され、第２オープニングを有する第２絶縁膜と、前記第２オープニング内の前記回路基板上に形成され、側壁が露出された第２導電性パッドと、を含むことができる。

本発明の一実施の形態で、前記回路基板は、複数のマウント領域を含むことができる。最外郭のマウント領域は、第１領域に第３型のパッド構造物が形成され、第２領域に第２型のパッド構造物が形成されることができる。前記第３型のパッド構造物は、前記回路基板上に形成された第３導電性パッド及び前記回路基板上に塗布され、前記第３導電性パッドのエッジ上に重なった第３絶縁膜とを含むことができる。一方、前記最外郭マウント領域の間の内側マウント領域には、第１領域に前記第１パッド構造物が形成されることができ、第２領域に前記第２パッド構造物が形成されることができる。

本発明によれば、物理的ストレス及び熱的ストレスに対する信頼性の優れた構造を採択することで、半導体パッケージとモジュールプリント回路基板のストレスに対する信頼性を高めることができる。

また、物理的ストレスに弱い領域には、物理的ストレスに対する信頼性の優れた構造のパッドを形成し、熱的ストレスに弱い領域には、熱的ストレスに対する信頼性の優れた構造のパッドを形成することで、半導体パッケージが搭載されたモジュールプリント回路基板のストレスに対する信頼性を高めることができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。しかしながら、本発明は、ここで説明される実施形態に限定されずに他の形態に具体化され得る。むしろ、ここで紹介される実施形態は、開示される内容が徹底且つ完全になるように、そして当業者に本発明の思想が十分に伝達されるように提供されるものである。図面において、層及び領域の厚さは、明確性のために誇張されている。尚、層が他の層または基板「上」にあると記載される場合、それは他の層または基板上に直接形成されるかまたはそれらの間に第３の層が介在され得る。明細書全体において、同じ参照符号で示す部分は、同じ構成要素を示す。

図４は、本発明の好ましい実施の形態による半導体パッケージ及びモジュールプリント回路基板のマウント領域を示す平面図である。

図４を参照すると、半導体パッケージ及びモジュールプリント回路基板のマウント領域は、基板５０にパッドが形成された第１領域及び第２領域を含むことができる。前記第１領域は、少なくとも基板５０の角領域５０ｅを含み、前記第２領域は、少なくとも基板５０の中央領域５０ｃを含むことができる。前記第１領域に配列されたパッドは、第１型のパッド構造６０（図５Ａ参照）を有することができ、第２領域に配列されたパッドは、第２型のパッド構造２０（図６参照）を有することができる。

前記角領域５０ｅの間の側面領域５０ｓは、場合によって第１領域になることもでき、第２領域になることもできる。前記基板５０には、複数のパッドが配列され得る。前記パッドは、一方向にコラム形状で配列されるか、またはマトリックス形状で配列され得る。例えば、前記側面領域５０ｓは、第２領域になり、第２型のパッド構造物２０が前記側面領域５０ｓに形成され得る。他の例として、前記側面領域５０ｓは第１領域になり、第１型のパッド構造物６０が形成され得る。本発明で、第１型のパッド構造物６０は、少なくとも物理的ストレスに対する信頼性の優れた構造であり、第２型のパッド構造物２０は、熱的ストレスに対する信頼性の優れた構造である。従って、物理的ストレスに弱い領域には、第１型のパッド構造物６０が形成され、熱的ストレスに弱い領域には、第２型のパッド構造物２０が形成される。

図５Ａは、第１実施の形態による第１型のパッド構造物を示す平面図であり、図５Ｂは、図５ＡのＩＩＩ-ＩＩＩ’線断面図である。

図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、第１型のパッド構造物６０は、基板５０上に形成された絶縁膜６２、導電性パッド６４を含む。前記導電性パッド６４は、円形の平面構造を有し得る。前記絶縁膜６２は、前記導電性パッド６４の一部分が露出されたオープニングを有する。前記オープニングは、前記絶縁膜６２の側壁６２ｅにより境界が定義される。前記絶縁膜６２は、前記導電性パッド６４の一部分上に所定幅Ｗ３だけ重なり、所定領域Ｒａで、前記導電性パッド６４の側壁６４ｅの一部分は前記絶縁膜の側壁６２ｅから所定間隔Ｗ２だけ離隔して、前記オープニング内に露出される。

第１型のパッド構造物６０は、ＳＭＤ構造とＮＳＭＤ構造が組み合わせられた構造である。即ち、前記導電性パッド６４上に絶縁膜６２が重なった部分はＳＭＤ構造に該当し、前記導電性パッド６４の側壁が露出された部分はＮＳＭＤ構造に該当し得る。従って、第１型のパッド構造物６０は、導電性パッド６４と絶縁膜６２とが接触して、物理的ストレスに対する信頼性を有することができ、所定領域Ｒａで前記導電性パッド６４に側壁の一部分が露出され、前記絶縁膜６２から離隔することで、この部分を介して熱的ストレスが緩和されて、ストレスに対する信頼性を有することもできる。

本発明において、前記第２型のパッド構造物２０は、熱的ストレスに対する信頼性の優れた従来のＮＳＭＤ構造と同一である。即ち、図２Ａ及び図２Ｂに図示されたように、導電性パッド２４は、ＰＳＲのような絶縁膜２２のオープニング内に形成されて、絶縁膜２２から所定間隔Ｗａだけ離隔する。

図６に示すように、本発明の半導体パッケージは、基板５０の少なくとも角領域５０ｅに形成された第１型のパッド構造物６０と他の領域に形成された第２型パッド構造物２０とを含むことができる。

図７Ａは、第２実施の形態による第１型のパッド構造物を示す平面図であり、図７Ｂは、図７ＡのＩＶ-ＩＶ’線断面図である。

図７Ａ及び図７Ｂを参照すると、第１型のパッド構造物７０は、パッケージ基板７１上に形成された導電性パッド７４と、前記パッケージ基板７１上に形成されて導電性パッド７４の一部分を覆う絶縁膜７２を含むことができる。前記導電性パッド７４は、銅及び前記銅上に形成されたニッケル及び金を含むことができる。前記導電性パッド７４は、中心部７４ａと前記中心部７４ａを囲む周辺部７４ｂとを含むことができる。前記周辺部７４ｂは、前記中心部７４ａに比べて薄い厚さを有し得る。前記絶縁膜７２は、前記周辺部７４ｂの一部分に重なり、前記絶縁膜７２の境界７２ｅは、前記中心部７４ａの側壁７４ｃから所定幅だけ離隔し、前記周辺部７４ｂの側壁７４ｅは、前記絶縁膜７２に覆われる。

第２実施の形態の第１型のパッド構造物７０で、前記導電性パッド７４が露出されたオープニングは、図５Ａ及び図５Ｂに図示されたように、導電性パッド７４の側壁７４ｅの一部分が露出された平面構造を有することができる。従って、前記周辺部７４ｂの側壁７４ｅの一部分は、前記絶縁膜７２で覆われ、他の一部分は前記絶縁膜７２から所定間隔だけ離隔して、オープニング内に露出され得る。

図８及び図９は、各々本発明の第３実施の形態及び第４実施の形態による第１型のパッド構造物を示す平面図である。

図８を参照すると、第３実施の形態による第１型のパッド構造物８０は、基板上に形成された導電性パッド８４と前記導電性パッド８４の一部分を覆う絶縁膜８２とを含む。前記導電性パッド８４は、中心から外部に伸びた複数のリード８４ａを含む。前記導電性パッド８４の側壁８４ｅの一部分は、前記絶縁膜８２の境界８２ｅから離隔して、前記絶縁膜８２により定義されたオープニング内に露出され得る。前記絶縁膜８２は、前記リード８４ａの端部に重なり、前記リード８４ａの端部で、前記導電性パッド８４の側壁８４ｅは前記絶縁膜８２に接触する。

図９を参照すると、第４実施の形態による第１型のパッド構造物９０は、前記第３実施の形態による第１型のパッド構造物８０と同様に、中央から外部に伸びた複数のリード９４ａを有する導電性パッド９４を含む。基板上に塗布された絶縁膜９２は、前記リード９４ａの端部と重なり、前記導電性パッド９４から所定間隔離隔した境界９２ｅを有する。前記絶縁膜９２の境界９２ｅはオープニングを定義し、前記オープニング内に前記導電性パッド９４の側壁の一部が露出される。

第３実施の形態とは異なり、第４実施の形態は、前記絶縁膜９２下部の前記リード９４ａの端部が連結されたことを特徴とする。

図１０を参照して後述するように、本発明の好ましい実施の形態によるモジュールプリント回路基板１００は、複数のマウント領域１０４ｃ、１０４ｅを含むことができ、前記モジュールプリント回路基板１００のマウント領域１０４ｃ、１０４ｅは、全て前記第１領域及び第２領域に区分でき、各々の第１領域には、第１〜第４実施の形態の第１型のパッド構造物６０−９０のうち何れか一つが形成され、各々の第２領域には、第２型のパッド構造物２０が形成されることができる。しかし、モジュールプリント回路基板１００に形成されたマウント領域１０４ｃ、１０４ｅの位置によって、形成されるパッド１０８ａ−１０８ｃの構造が異なり得る。

図１０は、本発明の好ましい実施の形態によるモジュールプリント回路基板を示す図である。

図１０を参照すると、モジュールプリント回路基板１００は、回路基板１０２と前記回路基板１０２に形成されて半導体パッケージが在置される複数のマウント領域１０４ｃ、１０４ｅとを含む。前記マウント領域１０４ｃ、１０４ｅは、各々前記第１型のパッド構造物６０−９０のうち何れか一つが形成される第１領域と前記第２型のパッド構造物２０が形成される第２領域とに区分できる。内側マウント領域１０４ｃに比べて回路基板１０２のエッジに位置する最外郭マウント領域１０４ｅは、回路基板１０２の曲がりまたはツイストによる物理的ストレスに弱い部分である。本発明において、最外郭マウント領域１０４ｅの角領域１０６ｂに形成されたパッド１０８ｂは、図３Ａ及び図３Ｂに図示されたＳＭＤ構造の第３型のパッド構造物３０であり、最外郭マウント領域１０４ｅの側面領域１０６ｄに形成されたパッド１０８ｄは、図２Ａ及び図２Ｂに図示されたＮＳＭＤ構造の第２型のパッド構造物２０であり得る。前記最外郭マウント領域１０４ｅの角領域１０６ｂに形成されたパッド１０８ｂは、ＳＭＤ構造でなく前記第１型のパッド構造物６０−９０のうち何れか一つでもあり得る。

前記最外郭マウント領域１０４ｅの間の前記内側マウント領域１０４ｃの角領域１０６ａに形成されるパッド１０８ａは、前記第１型のパッド構造物６０−９０のうち何れか一つであり、前記内側マウント領域１０４ｃの側面領域１０６ｃに形成されたパッド１０８ｃは、第２型のパッド構造物２０であり得る。

本発明において、第３型のパッド構造物３０が形成された最外郭マウント領域１０４ｅは、回路基板１０２のエッジ部分のマウント領域の一つまたはそれ以上でもあり得る。即ち、回路基板１０２が薄膜化し、搭載される半導体チップの個数が増加すると、回路基板１０２のエッジ部分で、複数の最外郭マウント領域１０４ｅを選択して、第３型のパッド構造物３０を配置できるであろう。

また、本発明において、前記内側マウント領域１０４ｃの側面領域１０６ｃと異なり、前記最外郭マウント領域１０４ｅの側面領域１０６ｄには、前記第１型パッド構造物６０−９０のうち何れか一つまたは前記第３型のパッド構造物３０が配置されるようにもできる。

図１０では、マウント領域１０４ｃ、１０４ｅのエッジに平行にコラム形状で配列されたパッド１０８ａ−１０８ｄが図示されているが、前記マウント領域１０４ｃ、１０４ｅには、パッド１０８ａ−１０８ｄがマトリックス形状で配列されるよう設計できる。後者の場合、各マウント領域１０４ｃ、１０４ｅのエッジに配置されるパッド１０８ａ−１０８ｄは、第１型のパッド構造物６０−９０のうち何れか一つであり、中央領域に配置されるパッド１０８ａ−１０８ｄは、第２型のパッド構造物２０であり得る。他の実施の形態として、回路基板１０２の最外郭マウント領域１０４ｅのエッジに配置されるパッド１０８ｂは、前記第３型のパッド構造物３０であり、内側マウント領域１０４ｃのエッジに配置されるパッド１０８ａは、第１型のパッド構造物６０−９０のうち何れか一つであり得る。さらに、前記最外郭マウント領域１０４ｅの中央部分に配置されるパッド１０８ｄも、第１型のパッド構造物６０−９０のうち一つであり得る。このようなパッド構造を有することで、回路基板１０２のエッジには、物理的ストレスに対する信頼性の優れた第１型のパッド構造物６０−９０または第３型のパッド構造物３０が形成されることができ、回路基板１０２の中央部分には、熱的ストレスに対する信頼性の優れた第２型のパッド構造物２０が形成され、物理的ストレスに弱い部分には、第１型のパッド構造物６０−９０が形成され得る。

上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。

一般的なモジュールプリント回路基板を示す図である。一般的なパッド構造を示す平面図である。図２Ａの断面図である。一般的なパッド構造を示す平面図である。図３Ａの断面図である。本発明の好ましい実施の形態による半導体パッケージまたはモジュールプリント回路基板のマウント領域を示す図である。本発明の第１実施の形態によるパッド構造を示す図である。本発明の第１実施の形態によるパッド構造を示す図である。本発明の好ましい実施の形態による半導体パッケージまたはモジュールプリント回路基板のマウント領域の一部を示す図である。本発明の第２実施の形態によるパッド構造を示す図である。本発明の第２実施の形態によるパッド構造を示す図である。本発明の第３実施の形態によるパッド構造を示す図である。本発明の第４実施の形態によるパッド構造を示す図である。本発明の好ましい実施の形態によるモジュールプリント回路基板を示す図である。

符号の説明

１００モジュールプリント回路基板
１０２回路基板
１０４ｃ、１０４ｅマウント領域
１０６ａ、１０６ｂ角領域
１０６ｃ、１０６ｄ側面領域
１０８ａ〜１０８ｄパッド

Claims

パッケージ基板と、
前記パッケージ基板の第１領域に形成された第１型パッド構造物と、
前記パッケージ基板の第２領域に形成された第２型パッド構造物と、を含み、
前記第１型パッド構造物は、前記パッケージ基板上に形成された第１導電性パッドと、前記パッケージ基板上に塗布され、前記第１導電性パッドの側壁の一部分が露出されたオープニングを有し、前記第１導電性パッドの一部を覆う第１絶縁膜と、を含み、
前記第２型パッド構造物は、前記パッケージ基板上に塗布され、第２オープニングを有する第２絶縁膜と、前記第２オープニング内の前記パッケージ基板上に形成され、側壁が露出された第２導電性パッドと、を含むことを特徴とする半導体パッケージ。
前記第１領域は、前記パッケージ基板のエッジ領域であり、
前記第２領域は、前記パッケージ基板の中央領域であることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
前記第１領域は、前記パッケージ基板の角領域であり、
前記第２領域は、前記角領域の間の側面領域であることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
前記第１導電性パッドは、中心から伸びた複数のリードを含み、
前記第１絶縁膜は、前記リード上に重なり、前記第１オープニングに前記リードの間の側壁が露出されることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
前記第１絶縁膜下部で、前記リードは互いに連結されることを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージ。
前記第１導電性パッドは、中心部、及び前記中心部の周りに前記中心部より低い周辺部を含み、
前記第１絶縁膜は、前記周辺部の一部と重なり、前記中心部の側壁は、前記第１オープニング内に露出されることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
回路基板と、
前記回路基板に形成され、半導体パッケージが在置されるマウント領域と、
前記マウント領域の第１領域に形成された第１型パッド構造物と、
前記マウント領域の第２領域に形成された第２型パッド構造物と、を含み、
前記第１型パッド構造物は、前記回路基板上に形成された第１導電性パッドと、前記回路基板上に塗布され、前記第１導電性パッドの側壁の一部分が露出された第１オープニングを有し、前記第１導電性パッドの一部を覆う第１絶縁膜と、を含み、
前記第２型パッド構造物は、前記回路基板上に塗布され、第２オープニングを有する第２絶縁膜と、前記第２オープニング内の前記回路基板上に形成され、側壁が露出された第２導電性パッドと、を含むことを特徴とするモジュールプリント回路基板。
前記第１領域は、前記マウント領域のエッジ領域であり、
前記第２領域は、前記マウント領域の中央領域であることを特徴とする請求項７に記載のモジュールプリント回路基板。
前記第１領域は、前記マウント領域の角領域であり、
前記第２領域は、前記角領域の間の側面領域であることを特徴とする請求項７に記載のモジュールプリント回路基板。
前記第１導電性パッドは、中心から伸びた複数のリードを含み、
前記第１絶縁膜は、前記リード上に重なり、前記第１オープニングに前記リードの間の側壁が露出されることを特徴とする請求項７に記載のモジュールプリント回路基板。
前記第１絶縁膜下部で前記リードは互いに連結されることを特徴とする請求項１０に記載のモジュールプリント回路基板。
前記第１導電性パッドは、中心部、及び前記中心部の周りに前記中心部より低い周辺部を含み、
前記第１絶縁膜は、前記周辺部の一部と重なり、前記中心部の側壁は、前記第１オープニング内に露出されることを特徴とする請求項７に記載のモジュールプリント回路基板。
回路基板と、
前記回路基板に形成され、半導体パッケージが在置される複数のマウント領域と、
最外郭マウント領域（ｏｕｔｅｒｍｏｓｔｍｏｕｎｔｒｅｇｉｏｎ）の第１領域に形成された第３型パッド構造物と、
前記最外郭マウント領域の第２領域に形成された第２型パッド構造物と、を含み、
前記第３型パッド構造物は、前記回路基板上に形成された第３導電性パッドと、前記回路基板上に塗布され、前記第３導電性パッドのエッジ上に重なった第３絶縁膜と、を含み、
前記第２型パッド構造物は、前記回路基板上に塗布され、第２オープニングを有する第２絶縁膜と、前記第２オープニング内の前記回路基板上に形成され、側壁が露出された第２導電性パッドと、を含むことを特徴とするモジュールプリント回路基板。
前記最外郭マウント領域の間の内側マウント領域の第１領域に形成された第１型パッド構造物をさらに含み、
前記第２型パッド構造物は、前記内側マウント領域の第２領域に形成され、
前記第１型パッド構造物は、前記回路基板上に形成された第１導電性パッドと、前記回路基板上に塗布され、前記第１導電性パッドの側壁の一部分が露出された第１オープニングを有し、前記第１導電性パッドの一部を覆う第１絶縁膜と、を含むことを特徴とする請求項１３に記載のモジュールプリント回路基板。
前記内側マウント領域の第１領域は、前記内側マウント領域のエッジ領域であり、
前記内側マウント領域の第２領域は、前記内側マウント領域の中央領域であることを特徴とする請求項１４に記載のモジュールプリント回路基板。
前記内側マウント領域の第１領域は、前記内側マウント領域の角領域であり、
前記内側マウント領域の第２領域は、前記角領域間の側面領域であることを特徴とする請求項１４に記載のモジュールプリント回路基板。
前記第１導電性パッドは、中心から伸びた複数のリードを含み、
前記第１絶縁膜は、前記リード上に重なり、前記第１オープニングにより前記リードの間の側壁が露出されることを特徴とする請求項１４に記載のモジュールプリント回路基板。
前記第１絶縁膜下部で、前記リードは互いに連結されることを特徴とする請求項１７に記載のモジュールプリント回路基板。
前記第１導電性パッドは、中心部、及び前記中心部の周りに前記中心部より低い周辺部を含み、
前記第１絶縁膜は、前記周辺部の一部と重なり、前記中心部の側壁は、前記第１オープニング内に露出されることを特徴とする請求項１４に記載のモジュールプリント回路基板。