JP2007059541A - 半導体装置及びその組立方法 - Google Patents

半導体装置及びその組立方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007059541A
JP2007059541A JP2005241427A JP2005241427A JP2007059541A JP 2007059541 A JP2007059541 A JP 2007059541A JP 2005241427 A JP2005241427 A JP 2005241427A JP 2005241427 A JP2005241427 A JP 2005241427A JP 2007059541 A JP2007059541 A JP 2007059541A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
main surface
semiconductor chip
pad portion
substrate
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005241427A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Shiba
弘史 芝
Makoto Segawa
真 瀬川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2005241427A priority Critical patent/JP2007059541A/ja
Priority to US11/503,129 priority patent/US20070045864A1/en
Publication of JP2007059541A publication Critical patent/JP2007059541A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657Stacked arrangements of devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0651Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H01L2225/06562Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking at least one device in the stack being rotated or offset
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract


【課題】 半導体装置の小型化及び薄型化が容易に実現可能な半導体装置及びその組立方法が提供できる。
【解決手段】 チップ実装面に第1及び第2基板側パッド部12c,13cを有するパッケージ基板1と、チップ実装面1に固定された第1主面及び第1主面に対向する第2主面を有し、第2主面の矩形の1辺に沿って配置された複数の第1パッド部22cを有する第1半導体チップ2と、第1パッド部22cと第1基板側パッド部12cとを接続する第1ボンディングワイヤ15cと、第2主面上に固定された第3主面及び第3主面に対向する第4主面を有し、第1半導体チップ2の直上を避けた第4主面上の矩形の一辺に沿って配置された複数の第2パッド部23cを有し、第1半導体チップ2の直上からずらして配置された矩形の第2半導体チップ3と、第2パッド部23cと第2基板側パッド部13cとを接続する第2ボンディングワイヤ16cとを備える。
【選択図】 図1

Description

本発明は半導体装置に係り、特に、複数の半導体チップを三次元方向に積層可能な半導体装置及びその組立方法に関する。
半導体装置の高集積化要求や高機能化要求に伴い、複数の半導体チップを三次元方向に積層するマルチチップパッケージ(MCP)が注目されている。MCPの実装方法としては、実装基板上に第1のチップを搭載し、第1のチップ上に中間基板を介して第2のチップを搭載する実装方法がある。第1及び第2のチップは、ボンディングワイヤにより実装基板上の電極に電気的に接続される(例えば、特許文献1参照。)。
しかし、ボンディングワイヤを用いて複数のチップを三次元方向に積層する場合は、チップを接続するワイヤのループの高さを確保するために、複数のチップ間に中間基板或いはダミーチップを配置しなければならない。このため、同一形状の4枚のチップを積層する場合には、実装基板上に4枚のチップと3枚の中間基板或いはダミーチップを組み立てなければならず、半導体装置の小型化及び薄型化が困難になる。
特開平2004−71997号公報
本発明は、小型化及び薄型化が可能な半導体装置及びその組立方法を提供する。
本発明の一態様によれば、チップ実装面とこのチップ実装面に対向した外部接続面を有し、チップ実装面に第1及び第2基板側パッド部を有するパッケージ基板と;チップ実装面に固定された第1主面及びこの第1主面に対向する第2主面を有し、第2主面上の矩形の1辺に沿って配置された複数の第1パッド部を有する矩形の第1半導体チップと;第1パッド部と第1基板側パッド部とを接続する第1ボンディングワイヤと;第2主面上に固定された第3主面及びこの第3主面に対向する第4主面を有し、第1半導体チップの直上を避けた第4主面上の矩形の一辺に沿って配置された複数の第2パッド部を有し、第1パッド部の直上を避けるように第1半導体チップの直上からずらして配置された矩形の第2半導体チップと;第2パッド部と第2基板側パッド部とを接続する第2ボンディングワイヤとを備える半導体装置が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、チップ実装面とこのチップ実装面に対向した外部接続面を有し、チップ実装面に第1及び第2基板側パッド部を有するパッケージ基板と;チップ実装面に固定された第1主面及びこの第1主面に対向する第2主面を有し、第2主面上の矩形の1辺に沿って配置された複数の第1パッド部を有する矩形の第1半導体チップと;第1パッド部と第1基板側パッド部とを接続する第1ボンディングワイヤと;第2主面上に固定された第3主面及びこの第3主面に対向する第4主面を有し、第1パッド部に隣接する第4主面上の矩形の一辺に沿って配置された複数の第2パッド部を有し、第1パッド部の直上を避けるように第1半導体チップの直上からずらして配置された第2半導体チップと;第2パッド部と第2基板側パッド部とを接続する第2ボンディングワイヤとを備える半導体装置が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、チップ実装面とこのチップ実装面に対向した外部接続面を有し、チップ実装面に第1及び第2基板側パッド部を有するパッケージ基板のチップ実装面に、第1主面及びこの第1主面に対向する第2主面を有し、第2主面上の矩形の1辺に沿って配置された複数の第1パッド部を有する矩形の第1半導体チップの第1主面を固定するステップと;第1パッド部と第1基板側パッド部とを第1ボンディングワイヤにより接続するステップと;第3主面及びこの第3主面に対向する第4主面を有し、第1半導体チップの直上を避けた第4主面上の矩形の一辺に沿って配置された複数の第2パッド部を有する矩形の第2半導体チップの第3主面を、第1パッド部の直上を避けるように第1半導体チップの直上からずらして第2主面上に固定するステップと;第2パッド部と第2基板側パッド部とを第2ボンディングワイヤにより接続するステップとを含む半導体装置の組立方法が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、チップ実装面とこのチップ実装面に対向した外部接続面を有し、チップ実装面に第1及び第2基板側パッド部を有するパッケージ基板のチップ実装面に、第1主面及びこの第1主面に対向する第2主面を有し、第2主面上の矩形の1辺に沿って配置された複数の第1パッド部を有する矩形の第1半導体チップの第1主面を固定するステップと;第1パッド部と第1基板側パッド部とを第1ボンディングワイヤにより接続するステップと;第3主面及びこの第3主面に対向する第4主面を有し、第1パッド部に隣接する第4主面上の矩形の一辺に沿って配置された複数の第2パッド部を有する矩形の第2半導体チップの第3主面を、第1パッド部の直上を避けるように第1半導体チップの直上からずらして第2主面上に固定するステップと;第2パッド部と第2基板側パッド部とを第2ボンディングワイヤにより接続するステップとを含む半導体装置の組立方法が提供される。
本発明によれば、小型化及び薄型化が可能な半導体装置及びその組立方法が提供できる。
次に、図面を参照して、本発明の第1及び第2の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、厚みと平均寸法の関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において種々の変更を加えることができる。
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置は、図1に示すように、チップ実装面とこのチップ実装面に対向した外部接続面を有し、チップ実装面に第1及び第2基板側パッド部12c,13cを有するパッケージ基板1と、チップ実装面に固定された第1主面及びこの第1主面に対向する第2主面を有し、第2主面上の矩形の1辺に沿って配置された複数の第1パッド部22cを有する矩形の第1半導体チップ2と、第1パッド部22cと第1基板側パッド部12cとを接続する第1ボンディングワイヤ15cと、第2主面上に固定された第3主面及びこの第3主面に対向する第4主面を有し、第1半導体チップ2の直上を避けた第4主面上の矩形の一辺に沿って配置された複数の第2パッド部23cを有し、第1パッド部22cの直上を避けるように第1半導体チップ2の直上からずらして配置された矩形の第2半導体チップ3と、第2パッド部23cと第2基板側パッド部13cとを接続する第2ボンディングワイヤ16cとを備える。
図1に示す半導体装置は、更に、パッケージ基板のチップ実装面に配置された第3基板側パッド部14cと、第4主面上に固定された第5主面及び該第5主面に対向する第6主面を有し、第2半導体チップ3の直上を避けた第6主面上の矩形の一辺に沿って配置された複数の第3パッド部24cを有し、第2パッド部23cの直上を避けるように第2半導体チップ3の直上からずらして配置された第3半導体チップ4と、第3パッド部24cと第3基板側パッド部14cとを接続する第3ボンディングワイヤ17cと備える。第3半導体チップ4は、図2に示すように、平面上、第1半導体チップ2と重なるように配置されている。
パッケージ基板1としては、有機系の種々な合成樹脂、セラミック、及びガラス等の無機系の材料が採用可能である。有機系の樹脂材料としては、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、及びフッ素樹脂等が使用可能で、また板状にする際の芯となる基材は、紙、ガラス布、及びガラス基材などが使用される。パッケージ基板1としては、銅(Cu)などの金属上に耐熱性の高いポリイミド系の樹脂板を積層して多層化したリードフレーム等でもかまわない。また、パッケージ基板1は、ビルドアップ多層配線板でも構わない。パッケージ基板1のチップ実装面は、第1〜第3半導体チップ2,3,4が実装される側の面として定義される。パッケージ基板1のチップ実装面は保護膜(パッシベーション膜)により被覆されていてもよい。パッケージ基板1の内部には、図示を省略した複数の配線層と配線層間を接続するビアが形成されている。
第1〜第3基板側パッド部12c,13c,14cは、図2の平面図に示すように、例えばパッケージ基板1のチップ実装面上にそれぞれ1列に並んで配置される。第1基板側パッド部12a,12b,12c,・・・は、第1ボンディングワイヤ15a,15b,15cにより、図2の平面図からは見えない第1半導体チップ2の第1パッド部にそれぞれ電気的に接続されている。なお図1及び図2に示す半導体装置においては、第1パッド部は、平面上、第3パッド部24a,24b,24c,・・・と同一位置に同数個配置されている。
第2基板側パッド部13a,13b,13c,・・・は、第1基板側パッド部12a,12b,12c,・・・から離間して配置されている。第2基板側パッド部13a,13b,13c,・・・は、第2ボンディングワイヤ16a,16b,16cにより、第2パッド部23a,23b,23c,・・・にそれぞれ電気的に接続されている。第2パッド部23a,23b,23c,・・・は、第2半導体チップ3の外形を定義する矩形の1辺に沿って1列に並んで形成されている。
第3基板側パッド部14a,14b,14c,・・・は第1基板側パッド部12a,12b,12c,・・・に隣接して配置されている。第3基板側パッド部14a,14b,14c,・・・は、第3ボンディングワイヤ17a,17b,17cにより、第3パッド部24a,24b,24c,・・・にそれぞれ電気的に接続されている。第3パッド部24a,24b,24c,・・・は、第3半導体チップ4の外形を定義する矩形の1辺に沿って1列に並んで形成されている。
図1に示す第1〜第3基板側パッド部12c,13c,14cは、パッケージ基板1の内部に形成された配線等を介して(図示省略)、パッケージ基板1の外部接続面に配置された外部接続端子6a,6b,6c,6d,6e,6fに接続されている。外部接続端子6a,6b,6c,6d,6e,6fは、実装基板(ボード)等にパッケージ基板1を接続するための端子である。外部接続端子6a,6b,6c,6d,6e,6fとしては、共晶半田の他に、錫−銀(Sn−Ag)等の鉛を使わない半田材料等を用いることができる。
第1〜第3固定樹脂層11,21,31は、第1〜第3半導体チップ2,3,4の外形に沿った大きさに成形されている。第1〜第3固定樹脂層11,21,31としては、エポキシ系、又はアクリル系の有機系の合成樹脂等が好適である。なお、合成樹脂には液状の樹脂とシート(フィルム)状の樹脂がある。シート状の樹脂は、液状の樹脂に比べて取り扱いが容易な上、樹脂層の厚さと制御が容易である。図1に示す半導体装置においては、シート状の樹脂を用いることにより半導体装置の薄型化が実現し易くなる。
第1〜第3半導体チップ2,3,4は、それぞれ同一形状の半導体チップが採用される。第1〜第3半導体チップ2,3,4の周囲には封止樹脂層5が配置されている。封止樹脂層5の材料としては、エポキシ系、又はアクリル系の有機系の液状の合成樹脂等が採用可能である。第1〜第3固定樹脂層11,21,31及び封止樹脂層5は、剥離による信頼性の低下や界面における接着強度等を考慮すれば、それぞれ同一の材料を用いるのが好ましい。
図1に示す半導体装置によれば、外形を定義する矩形の1辺に沿うように並んで形成された複数の第1パッド部22cを有する第1半導体チップ2上に、第1半導体チップ2と同一形状の第2半導体チップ3が実装される。第2半導体チップ3は、第1パッド部22cの直上を避けるように、第1パッド部22cが形成された領域分だけ第1半導体チップ2の直上からずらして配置される。この結果、第1パッド部22cと第1基板側パッド部12cを第1ボンディングワイヤ15cで接続する際に必要な第1ボンディングワイヤ15cのループの高さ分の領域を第2半導体チップ3により確保できるため、第1半導体チップ2上に中間基板或いはダミーチップを配置する必要がなく、半導体装置の薄型化が実現できる。
第3半導体チップ4は、第2パッド部23cの直上を避けるように、第2パッド部23cが形成された領域分だけ第2半導体チップ3の直上からずらして配置される。このため、第2パッド部23cと第2基板側パッド部13cを第2ボンディングワイヤ16cにより接続する際に必要な第2ボンディングワイヤ16cのループの高さ分の領域を第3半導体チップ4により確保でき、半導体装置の薄型化が実現できる。なお、第3半導体チップ4上に更に半導体チップを実装する場合には、第2半導体チップ3と重ね合わせるように、第3半導体チップ4の直上から第3パッド部24cが形成された領域分だけ第3半導体チップ4の直上からずらして配置すればよい。
次に、図3〜図9を用いて、第1の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を説明する。
(a)図3に示すように、チップ実装面に第1〜第3基板側パッド部12c,13c,14cを有するパッケージ基板1を用意する。そして、パッケージ基板1のチップ実装面上にシート状の第1固定樹脂層11を配置する。第1固定樹脂層11は、第1半導体チップ2の外形に沿うように予め個片状に成形して直接貼り付けてもよい。また、パッケージ基板1のチップ実装面上に樹脂層を配置し、この樹脂層の一部を選択的に打ち抜くことにより第1固定樹脂層11を形成してもよい。
(b)第1主面及びこの第1主面に対向する第2主面を有する矩形の第1半導体チップ2を用意する。第1半導体チップ2の第2主面には、矩形の1辺に沿って並ぶように選択的に配置された複数の第1パッド部22cが形成されている。図4に示すように、第1固定樹脂層11上に第1半導体チップ2の第1主面を固定する。
(c)図5に示すように、第1ボンディングワイヤ15cの一端を第1基板側パッド部12cに接続し、第1ボンディングワイヤ15cの他端を、熱圧着法又は超音波ボンディング法により、第1パッド部22cに接続する。このようにパッケージ基板1上の第1基板側パッド部12cから第1ボンディングワイヤ15cを引き上げて第1パッド部22cに接続することにより、第1ボンディングワイヤ15cのループの高さを低くでき、半導体装置の薄型化が実現し易くなる。第2主面上には、例えばシート状の第2固定樹脂層21を配置する。
(d)第3主面及びこの第3主面に対向する第4主面を有する矩形の第2半導体チップ3を用意する。第2半導体チップ3の第4主面には、図2に示すように、矩形の1辺に沿って並ぶように配置された複数の第2パッド部23a,23b,23c,・・・が形成されている。図6に示すように、第2半導体チップ3を第2パッド部23a,23b,23c,・・・が形成された領域分だけ第1半導体チップ2の直上からずらして配置し、第2固定樹脂層21上に第2半導体チップ3の第3主面を固定する。
(e)第2ボンディングワイヤ16cの一端を第2基板側パッド部13cに接続し、第2ボンディングワイヤ16cの他端を、熱圧着法又は超音波ボンディング法により、第2パッド部23cに接続する。更に、第4主面上に、例えばシート状の第3固定樹脂層31を配置する。第5主面及びこの第5主面に対向する第6主面を有する矩形の第3半導体チップ4を用意する。第3半導体チップ4の第6主面には、図2に示すように、矩形の1辺に沿って並ぶように選択的に配置された複数の第3パッド部24a,24b,24c,・・・が形成されている。図8に示すように、第3半導体チップ4を第3パッド部24a,24b,24c,・・・が形成された領域分だけ第1半導体チップ2の直上からずらして配置し、第3固定樹脂層31上に第3半導体チップ4の第5主面を固定する。
(f)図9に示すように、第2ボンディングワイヤ16cの一端を第2基板側パッド部13cに接続し、第3ボンディングワイヤ17cの他端を、熱圧着法又は超音波ボンディング法により、第3パッド部24cに接続する。更に、第1〜第3半導体チップ2,3,4の周囲に封止樹脂層5を配置し、パッケージ基板1の外部接続面上に外部接続端子6a,6b,6c,6d,6e,6fを配置すれば、図1に示す半導体装置が完成する。
第1の実施の形態に係る半導体装置の組立方法によれば、図2に示すように、外形を定義する矩形の1辺に沿って選択的に形成された複数の第2パッド部23a,23b,23c,・・・を有する第2半導体チップ3を用意し、この第2半導体チップ3を第1半導体チップ2上に、第2パッド部23a,23b,23c,・・・が形成された領域分だけ第1半導体チップ2の直上からずらして配置する。これにより、第1半導体チップ2と第2半導体チップ3との間に中間基板又はダミーチップを挿入しなくても、第2半導体チップ3により第2ボンディングワイヤ16cを配置するための空間が確保できるため、半導体装置の薄型化が図れる。また、第2ボンディングワイヤ16cを、パッケージ基板1側から第1半導体チップ2に向かって接続することにより、第2ボンディングワイヤ16cを第1半導体チップ2側からパッケージ基板1側に向かって接続する場合に比べて第2ボンディングワイヤ16cのループの高さを低くできるため、半導体装置の薄型化が図れる。
(変形例)
第1の実施の形態の変形例に係る半導体装置は、図10の平面図に示すように、第2半導体チップ3の第2パッド部23a,23b,23c,・・・が、第2半導体チップ3の外形を定義する矩形の1辺に沿って二列に交互に並んで形成されている点が、図2に示す半導体装置と異なる。第3半導体チップ4の第3パッド部24a,24b,24c,・・・は、第3半導体チップ4の外形を定義する矩形の1辺に沿って2列に交互に並んで形成されている。図10に示す平面図からは見えないが、第1半導体チップ2の第1パッド部も、第3パッド部24a,24b,24c,・・・と同様に、第1半導体チップ2の外形を定義する矩形の1辺に沿って2列に交互に並んで形成される。図10に示す半導体装置によれば、第1〜第3半導体チップ2,3,4の間にそれぞれ中間基板又はダミーチップを配置することなく、第1〜第3半導体チップ2,3,4とパッケージ基板1上の第1〜第3基板側パッド部12c,13c,14cと電気的に接続できるので、半導体装置の薄型化が図れる。
(第2の実施の形態)
第2の実施の形態に係る半導体装置は、図11に示すように、チップ実装面とチップ実装面に対向した外部接続面を有し、チップ実装面に第1及び第2基板側パッド部12c,13cを有するパッケージ基板1と、チップ実装面に固定された第1主面及び第1主面に対向する第2主面を有し、第2主面上の矩形の1辺に沿って配置された複数の第1パッド部22cを有する矩形の第1半導体チップ2と、第1パッド部22cと第1基板側パッド部12cとを接続する第1ボンディングワイヤ15cと、第2主面上に固定された第3主面及び第3主面に対向する第4主面を有し、第1パッド部22cに隣接する第4主面上の矩形の一辺に沿って配置された複数の第2パッド部23cを有し、第1パッド部22cの直上を避けるように第1半導体チップ2の直上からずらして配置された第2半導体チップ3と、第2パッド部23cと第2基板側パッド部13cとを接続する第2ボンディングワイヤ16cとを備える。
第2半導体チップ3の第4主面上には、第3固定樹脂層31が配置されている。第3半導体チップ4の第5主面は第3固定樹脂層31に固定されている。第3半導体チップ4の第6主面には、第2パッド部23cに隣接する第3半導体チップ4の矩形の1辺に沿って並んで配置された複数の第3パッド部24cが配置されている。パッケージ基板1上の第3基板側パッド部14cは、第3ボンディングワイヤ17cにより、第3パッド部24cと接続されている。第1〜第3半導体チップ2,3,4の周囲は封止樹脂層5が配置される。
図12の平面図に示すように、第1パッド部22a,22b,22c,・・・は、第1半導体チップ2の外形を定義する矩形の1辺に沿って並んで配置されている。第2パッド部23a,23b,23c,・・・は、第1パッド部22a,22b,22c,・・・に隣接する第2半導体チップ3の矩形の1辺に沿って並んで配置されている。第3パッド部24a,24b,24c,・・・は、第2パッド部23a,23b,23c,・・・に隣接する第3半導体チップ4の矩形の1辺に沿って並んで配置されている。第1基板側パッド部12a,12b,12c,・・・、第2基板側パッド部13a,13b,13c,・・・、及び第3基板側パッド部14a,14b,14c,・・・はそれぞれ互いに隣接して配置されている。他は図1及び図2に示す半導体装置と同様であるので、説明を省略する。
図11に示す半導体装置によれば、第2及び第3半導体チップ3,4を第1及び第2半導体チップ2,3上に少しずつずらしながら階段状に積層していくことにより、第1〜第3ボンディングワイヤ15c,16c,17cをループの高さを確保するための空間を確保できるので、中間基板又はダミーチップの配置を省略でき、半導体装置を薄型化できる。
図13〜図18を用いて、第1の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を説明する。
(a)図13に示すように、第1〜第3基板側パッド部12c,13c,14cを有するパッケージ基板1を用意する。パッケージ基板1のチップ実装面上にシート状の第1固定樹脂層11を配置する。第1固定樹脂層11は、第1半導体チップ2の外形に沿うように予め個片状に成形して直接貼り付けてもよい。また、パッケージ基板1のチップ実装面上に樹脂層を配置し、この樹脂層の一部を選択的に打ち抜くことにより第1固定樹脂層11を形成してもよい。
(b)第1主面及びこの第1主面に対向する第2主面を有する矩形の第1半導体チップ2を用意する。第1半導体チップ2の第2主面には、矩形の1辺に沿って並ぶように選択的に配置された複数の第1パッド部22cが形成されている。図14に示すように、第1固定樹脂層11上に第1半導体チップ2の第1主面を固定する。第2主面上には、例えばシート状の第2固定樹脂層21を配置する。
(c)第3主面及びこの第3主面に対向する第4主面を有する矩形の第2半導体チップ3を用意する。第2半導体チップ3の第4主面には、図12に示すように、矩形の1辺に沿って並ぶように選択的に配置された複数の第2パッド部23a,23b,23c,・・・が形成されている。図15に示すように、第2半導体チップ3を第2パッド部23a,23b,23c,・・・が形成された領域分だけ第1半導体チップ2の直上からずらして配置し、第2固定樹脂層21上に第2半導体チップ3の第3主面を固定する。第4主面上には、例えばシート状の第3固定樹脂層31を配置する。
(d)第5主面及びこの第5主面に対向する第6主面を有する矩形の第3半導体チップ4を用意する。第3半導体チップ4の第6主面には、図12に示すように、矩形の1辺に沿って並ぶように選択的に配置された複数の第3パッド部24a,24b,24c,・・・が形成されている。図15に示すように、第3半導体チップ4を第3パッド部24a,24b,24c,・・・が形成された領域分だけ第1半導体チップ2の直上からずらして配置し、第3固定樹脂層31上に第3半導体チップ4の第5主面を固定する。このようにして、第1〜第3半導体チップ2,3,4をパッケージ基板1上に階段状に積層していく。
(e)図16に示すように、第1ボンディングワイヤ15cの一端を第1基板側パッド部12cに接続し、第1ボンディングワイヤ15cの他端を、熱圧着法又は超音波ボンディング法により、第1パッド部22cに接続する。図17に示すように、第2ボンディングワイヤ16cの一端を第2基板側パッド部13cに接続し、第2ボンディングワイヤ16cの他端を、熱圧着法又は超音波ボンディング法により、第2パッド部23cに接続する。
(f)図18に示すように、第2ボンディングワイヤ16cの一端を第2基板側パッド部13cに接続し、第3ボンディングワイヤ17cの他端を、熱圧着法又は超音波ボンディング法により、第3パッド部24cに接続する。更に、第1〜第3半導体チップ2,3,4の周囲に封止樹脂層5を配置し、パッケージ基板1の外部接続面上に外部接続端子6a,6b,6c,6d,6e,6fを配置すれば、図11に示す半導体装置が完成する。
第2の実施の形態に係る半導体装置の組立方法によれば、第1〜第3半導体チップ2,3,4をパッケージ基板1上に階段状に積層していき、その後、第1〜第3基板側パッド部12c,13c,14cと22c,23c,24cとを電気的に接続する。図13〜図18に示すように組み立てることにより、第1〜第3半導体チップ2,3,4間にそれぞれ中間基板又はダミーチップを挿入しなくても第1〜第3ボンディングワイヤ15c,16c,17cを配置するための空間を確保できるため、半導体装置の薄型化が図れる。また、第1〜第3半導体チップ2,3,4を積層した後に、第1〜第3半導体チップ2,3,4とパッケージ基板1上の第1基板側パッド部12c,13c,14cとの電気的接続を一括して行えるため、半導体装置の製造に必要な工程を少なくできる。
(その他の実施の形態)
上記のように、本発明は第1及び第2の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。第1及び第2の実施の形態に係る半導体装置の組立方法においては、第1〜第3ボンディングワイヤ15c,16c,17cをパッケージ基板1側から第1〜第3パッド部22c,23c,24cへ引き上げる接続方法(逆ボンディング)を説明したが、第1〜第3ボンディングワイヤ15c,16c,17cを第1〜第3パッド部22c,23c,24cからパッケージ基板1側へ引き下ろす接続方法(順ボンディング)でも組立可能であることは勿論である。また、第1〜第3パッド部22c,23c,24cの配置位置は、図2,図10及び図12に示す形態に限られず、他にも様々な配置があることは勿論である。このように、本発明は、ここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。 本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の第3半導体チップの第6主面側からみた平面図の一例である。 本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を示す工程断面図である。 本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を示す工程断面図である。 本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を示す工程断面図である。 本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を示す工程断面図である。 本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を示す工程断面図である。 本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を示す工程断面図である。 本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を示す工程断面図である。 本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を示す工程断面図である。 本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。 本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の第3半導体チップの第6主面側からみた平面図の一例である。 本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を示す工程断面図である。 本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を示す工程断面図である。 本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を示す工程断面図である。 本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を示す工程断面図である。 本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を示す工程断面図である。 本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の組立方法の一例を示す工程断面図である。
符号の説明
1…パッケージ基板
2…第1半導体チップ
3…第2半導体チップ
4…第3半導体チップ
5…封止樹脂層
11…第1固定樹脂層
12c…第1基板側パッド部
13c…第2基板側パッド部
14c…第3基板側パッド部
15a,15b,15c…第1ボンディングワイヤ
16a,16b,16c…第2ボンディングワイヤ
17a,17b,17c…第3ボンディングワイヤ
21…第2固定樹脂層
22c…第1パッド部
23c…第2パッド部
24c…第3パッド部
31…第3固定樹脂層

Claims (5)

  1. チップ実装面と該チップ実装面に対向した外部接続面を有し、前記チップ実装面に第1及び第2基板側パッド部を有するパッケージ基板と、
    前記チップ実装面に固定された第1主面及び該第1主面に対向する第2主面を有し、前記第2主面上の前記矩形の1辺に沿って配置された複数の第1パッド部を有する矩形の第1半導体チップと、
    前記第1パッド部と前記第1基板側パッド部とを接続する第1ボンディングワイヤと、
    前記第2主面上に固定された第3主面及び該第3主面に対向する第4主面を有し、前記第1半導体チップの直上を避けた前記第4主面上の矩形の一辺に沿って配置された複数の第2パッド部を有し、前記第1パッド部の直上を避けるように前記第1半導体チップの直上からずらして配置された矩形の第2半導体チップと、
    前記第2パッド部と前記第2基板側パッド部とを接続する第2ボンディングワイヤ
    とを備えることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記パッケージ基板は、前記チップ実装面に更に第3基板側パッド部を有し、
    前記第4主面上に固定された第5主面及び該第5主面に対向する第6主面を有し、前記第2半導体チップの直上を避けた前記第6主面上の矩形の一辺に沿って配置された複数の第3パッド部を有し、前記第2パッド部の直上を避けるように前記第2半導体チップの直上からずらして配置された第3半導体チップと、
    前記第3パッド部と前記第3基板側パッド部とを接続する第3ボンディングワイヤ
    とを更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  3. チップ実装面と該チップ実装面に対向した外部接続面を有し、前記チップ実装面に第1及び第2基板側パッド部を有するパッケージ基板と、
    前記チップ実装面に固定された第1主面及び該第1主面に対向する第2主面を有し、前記第2主面上の前記矩形の1辺に沿って配置された複数の第1パッド部を有する矩形の第1半導体チップと、
    前記第1パッド部と前記第1基板側パッド部とを接続する第1ボンディングワイヤと、
    前記第2主面上に固定された第3主面及び該第3主面に対向する第4主面を有し、前記第1パッド部に隣接する前記第4主面上の矩形の一辺に沿って配置された複数の第2パッド部を有し、前記第1パッド部の直上を避けるように前記第1半導体チップの直上からずらして配置された第2半導体チップと、
    前記第2パッド部と前記第2基板側パッド部とを接続する第2ボンディングワイヤ
    とを備えることを特徴とする半導体装置。
  4. チップ実装面と該チップ実装面に対向した外部接続面を有し、前記チップ実装面に第1及び第2基板側パッド部を有するパッケージ基板の前記チップ実装面に、第1主面及び該第1主面に対向する第2主面を有し、前記第2主面上の前記矩形の1辺に沿って配置された複数の第1パッド部を有する矩形の第1半導体チップの前記第1主面を固定するステップと、
    前記第1パッド部と前記第1基板側パッド部とを第1ボンディングワイヤにより接続するステップと、
    第3主面及び該第3主面に対向する第4主面を有し、前記第1半導体チップの直上を避けた前記第4主面上の矩形の一辺に沿って配置された複数の第2パッド部を有する矩形の第2半導体チップの前記第3主面を、前記第1パッド部の直上を避けるように前記第1半導体チップの直上からずらして前記第2主面上に固定するステップと、
    前記第2パッド部と前記第2基板側パッド部とを第2ボンディングワイヤにより接続するステップ
    とを含むことを特徴とする半導体装置の組立方法。
  5. チップ実装面と該チップ実装面に対向した外部接続面を有し、前記チップ実装面に第1及び第2基板側パッド部を有するパッケージ基板の前記チップ実装面に、第1主面及び該第1主面に対向する第2主面を有し、前記第2主面上の前記矩形の1辺に沿って配置された複数の第1パッド部を有する矩形の第1半導体チップの前記第1主面を固定するステップと、
    前記第1パッド部と前記第1基板側パッド部とを第1ボンディングワイヤにより接続するステップと、
    第3主面及び該第3主面に対向する第4主面を有し、前記第1パッド部に隣接する前記第4主面上の矩形の一辺に沿って配置された複数の第2パッド部を有する矩形の第2半導体チップの前記第3主面を、前記第1パッド部の直上を避けるように前記第1半導体チップの直上からずらして前記第2主面上に固定するステップと、
    前記第2パッド部と前記第2基板側パッド部とを第2ボンディングワイヤにより接続するステップ
    とを含むことを特徴とする半導体装置の組立方法。
JP2005241427A 2005-08-23 2005-08-23 半導体装置及びその組立方法 Pending JP2007059541A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005241427A JP2007059541A (ja) 2005-08-23 2005-08-23 半導体装置及びその組立方法
US11/503,129 US20070045864A1 (en) 2005-08-23 2006-08-14 Semiconductor device including a plurality of semiconductor chips stacked three-dimensionally, and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005241427A JP2007059541A (ja) 2005-08-23 2005-08-23 半導体装置及びその組立方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007059541A true JP2007059541A (ja) 2007-03-08

Family

ID=37802948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005241427A Pending JP2007059541A (ja) 2005-08-23 2005-08-23 半導体装置及びその組立方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20070045864A1 (ja)
JP (1) JP2007059541A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008244388A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Nec Electronics Corp 半導体装置
JP2009129967A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Spansion Llc 半導体装置及びその製造方法
US7989960B2 (en) 2008-02-08 2011-08-02 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009182104A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Toshiba Corp 半導体パッケージ
KR20110124065A (ko) * 2010-05-10 2011-11-16 하나 마이크론(주) 적층형 반도체 패키지

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001196526A (ja) * 2000-01-06 2001-07-19 Seiko Epson Corp マルチベアチップ実装体、マルチチップパッケージ、半導体装置、ならびに電子機器
JP2002217356A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6843421B2 (en) * 2001-08-13 2005-01-18 Matrix Semiconductor, Inc. Molded memory module and method of making the module absent a substrate support
US20050067694A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Pon Florence R. Spacerless die stacking
JP3880572B2 (ja) * 2003-10-31 2007-02-14 沖電気工業株式会社 半導体チップ及び半導体装置
JP2005150456A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001196526A (ja) * 2000-01-06 2001-07-19 Seiko Epson Corp マルチベアチップ実装体、マルチチップパッケージ、半導体装置、ならびに電子機器
JP2002217356A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008244388A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Nec Electronics Corp 半導体装置
JP2009129967A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Spansion Llc 半導体装置及びその製造方法
US7989960B2 (en) 2008-02-08 2011-08-02 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
CN102693746A (zh) * 2008-02-08 2012-09-26 瑞萨电子株式会社 半导体器件
US8319352B2 (en) 2008-02-08 2012-11-27 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
US8754534B2 (en) 2008-02-08 2014-06-17 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
US9377825B2 (en) 2008-02-08 2016-06-28 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US20070045864A1 (en) 2007-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100266693B1 (ko) 적층가능한 비지에이 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법
JP4950693B2 (ja) 電子部品内蔵型配線基板及びその実装部品
US20050230814A1 (en) Semiconductor packaging substrate and method of producing the same
JP2008177407A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2010080572A (ja) 電子装置
JP2008166823A (ja) 半導体パッケージ及びこれを搭載するためのモジュールプリント回路基板
JP2006295119A (ja) 積層型半導体装置
JP2006114604A (ja) 半導体装置及びその組立方法
JP2007059541A (ja) 半導体装置及びその組立方法
JP2006086149A (ja) 半導体装置
JP2011171411A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2006013465A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2006134912A (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法、ならびにフィルムインターポーザ
JP3490303B2 (ja) 半導体装置の実装体
US6369331B1 (en) Printed circuit board for semiconductor package and method of making same
JP2008103725A (ja) 可撓性フィルム、並びにこれを用いた半導体パッケージ及び製造方法
JP2006237337A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2006190834A (ja) 半導体パッケージ及びフレキシブルサーキット基板
JP2008182163A (ja) 配線基板及びその製造方法と半導体装置
JP5075424B2 (ja) 電子部品内蔵型配線基板の製造方法
JP2007165836A (ja) 半導体装置
JP2008047662A (ja) 半導体装置
JP4830493B2 (ja) 半導体装置、その実装構造およびその実装方法
KR100512810B1 (ko) 스택 패키지 및 그 제조방법
KR101150385B1 (ko) 다층기판 간 상호 결합 구조 제조 방법 및 그 구조

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080716

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100514

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100518

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100928