JP2008153209A - 荷電粒子ビーム用軌道補正器、及び荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ビーム軌道を輪帯状に制限し、電磁界をそのビーム軌道軸の中心方向に集中させる分布を作る。その結果、電子レンズの球面収差に代表される外側で大きな非線形の作用を打ち消す。具体的には、軸上に電極を置き電圧を印加すれば、容易に電界集中が発生する。また、磁界の場合は、回転方向に角度等分割した面に径方向に分布巻きしたコイルを形成すれば、磁束密度の集中を制御することができる。
【選択図】図1
Description
δ=Csα3+CcdV/V+・・・ (1)
と表せることが知られている。ここでCsは球面収差係数、Ccは色収差係数と呼ばれる。その他の寄与は軸外で発生する。ここでαに依存したビーム電流分布やエネルギー分散が発生すると、上式に従いビームぼけが発生する。一般に荷電粒子ビーム装置では、その信号量や加工速度を上げるためには大電流が必要であり、光源より発した荷電粒子ビームを広く取り込む必要がある。その結果、収束レンズ内の軌道分布が広がり、収差量の増加とトレードオフの条件となり、原理的な性能を規定する。
V1=V8=Vx,V2=V7=aVx,V3=V6=−aVx,V4=V5=−Vx (2)
となる補正電圧Vxを電圧加算すればよい。但し補正係数aは電極形状にも依存する。図16はX軸方向の軸ずれを補正する場合であるが、Y軸方向にも軸ずれがある一般の場合には、VxをVyに置き換えた(2)式の関係を90度回転して加算すればよい。また何らかの影響により発生する非点も
V1=V5=Vs,V3=V7=−Vs,V2=V6=Vt,V4=V8=−Vt (3)
と交互に反転した電圧Vs,Vtを加算すれば、補正可能である。磁場型コイルを8極子で配列して補正も可能である。その他、高次の非点も更なる多極子化で補正が可能である。
Claims (19)
- 荷電粒子ビームの入射軸上に配置された概略点状の軸上電極と、
前記軸上電極を取り囲むように配置された軸外電極と、
前記軸上電極と前記軸外電極とが固定された支持体とを有し、
前記支持体は、先端に前記軸上電極を絶縁して保持する支柱を有するとともに、前記支柱の周囲に前記荷電粒子ビームの入射範囲を制限する輪帯状の開口を有し、
前記軸上電極と前記軸外電極との間に発生される電界により、前記軸上電極と前記軸外電極との間を通る前記荷電粒子ビームの軌道を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム用軌道補正器。 - 請求項1に記載の荷電粒子ビーム用軌道補正器において、前記軸外電極は周方向に複数の部分電極に分割され、各部分電極に対して互いに独立に電圧が印加されることを特徴とする荷電粒子ビーム用軌道補正器。
- 請求項1に記載の荷電粒子ビーム用軌道補正器において、周囲に導電性のシールドが配置されていることを特徴とする荷電粒子ビーム用軌道補正器。
- 請求項1に記載の荷電粒子ビーム用軌道補正器において、周囲に磁場シールドが配置されていることを特徴とする荷電粒子ビーム用軌道補正器。
- 荷電粒子ビームの入射軸の周囲にトロイダル状に巻線され、前記巻線の間を前記荷電粒子ビームが通るコイルを有し、
前記コイルの発生する磁場によって前記荷電粒子ビームの軌道を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム用軌道補正器。 - 請求項5に記載の荷電粒子ビーム用軌道補正器において、前記コイルの巻線の絶縁層の表面に導電膜を有することを特徴とする荷電粒子ビーム用軌道補正器。
- 請求項5に記載の荷電粒子ビーム用軌道補正器において、前記入射軸から離れるほど前記コイルの巻線の数が多いことを特徴とする荷電粒子ビーム用軌道補正器。
- 請求項5に記載の荷電粒子ビーム用軌道補正器において、前記コイルの前記入射軸に平行な方向の長さは、前記入射軸に近い側より遠い側の方が長いことを特徴とする荷電粒子ビーム用軌道補正器。
- 荷電粒子ビーム源と、
前記荷電粒子ビーム源から放出された荷電粒子ビームを収束させるための収束光学系とを有する荷電粒子ビーム装置において、
前記収束光学系は磁界レンズと荷電粒子ビーム用軌道補正器とを含み、
前記荷電粒子ビーム用軌道補正器は、前記収束光学系の光軸上に配置された軸上電極と、前記軸上電極を取り囲むように配置された軸外電極とを有し、前記軸上電極と軸外電極の間に電界を発生して前記軸上電極と前記軸外電極との間を通る荷電粒子ビームの軌道を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 請求項9に記載の荷電粒子ビーム装置において、前記軸上電極は前記収束光学系の光軸上に配置された棒状電極であり、前記軸上電極の一端と前記軸外電極とが固定される支持体を有し、前記支持体は前記軸上電極の一端が固定された部分の周囲に前記荷電粒子ビームの入射範囲を制限する輪帯状の開口を有することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項9に記載の荷電粒子ビーム装置において、前記軸上電極は点状電極であり、前記軸上電極と前記軸外電極とが固定される支持体を有し、前記支持体は先端に前記軸上電極を絶縁して保持する支柱を有し、前記支柱の周囲に前記荷電粒子ビームの入射範囲を制限する輪帯状の開口を有することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項9に記載の荷電粒子ビーム装置において、前記軸外電極は周方向に複数の部分電極に分割され、各部分電極に独立に電圧が印加されることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項9に記載の荷電粒子ビーム装置において、前記荷電粒子ビーム用軌道補正器の周囲に導電性のシールドを配置したことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項9に記載の荷電粒子ビーム装置において、前記荷電粒子ビーム用軌道補正器の周囲に磁場シールドを配置したことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項9に記載の荷電粒子ビーム装置において、前記荷電粒子ビームのビーム入射角分布を補正する投射レンズと、ビーム入射方向を補正するアライナーとを有することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項9に記載の荷電粒子ビーム装置において、前記荷電粒子ビーム用軌道補正器を、前記磁界レンズの主面あるいはコマ無し面に配置したことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項9に記載の荷電粒子ビーム装置において、試料面の高さあるいは表面電位を測定する測定手段を有し、前記測定手段による測定値の関数として前記荷電粒子ビーム用軌道補正器の前記軸上電極あるいは軸外電極に印加する電圧を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項9に記載の荷電粒子ビーム装置において、前記荷電粒子ビーム用軌道補正器を加熱するヒータを有することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項9に記載の荷電粒子ビーム装置において、前記荷電粒子ビーム用軌道補正器の近傍にコールドトラップ機構を具備したことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013519980A (ja) * | 2010-02-10 | 2013-05-30 | モチイ,インコーポレイテッド(ディービーエー ヴォクサ) | 収差補正暗視野電子顕微鏡 |
WO2015045468A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
WO2016174891A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-11-03 | 国立大学法人名古屋大学 | 荷電粒子ビーム用電磁レンズの球面収差補正装置 |
WO2018122953A1 (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 収差補正器および電子顕微鏡 |
US10157723B2 (en) | 2016-08-03 | 2018-12-18 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and method of adjusting the same |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8134135B2 (en) * | 2006-07-25 | 2012-03-13 | Mapper Lithography Ip B.V. | Multiple beam charged particle optical system |
JP5153348B2 (ja) * | 2008-01-09 | 2013-02-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム軌道補正器及び荷電粒子ビーム装置 |
WO2011016182A1 (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子顕微鏡 |
US8389962B2 (en) * | 2011-05-31 | 2013-03-05 | Applied Materials Israel, Ltd. | System and method for compensating for magnetic noise |
US11348756B2 (en) * | 2012-05-14 | 2022-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Aberration correction in charged particle system |
JPWO2014185060A1 (ja) * | 2013-05-13 | 2017-02-23 | 国立大学法人神戸大学 | 荷電粒子光学レンズ装置及び荷電粒子光学レンズ装置の制御方法 |
JP6747687B2 (ja) * | 2014-08-25 | 2020-08-26 | ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール | 収差補正装置、これを有するデバイス、および荷電粒子の収差を補正するための方法 |
US20190096629A1 (en) * | 2016-05-06 | 2019-03-28 | National University Of Singapore | A corrector structure and a method for correcting aberration of an annular focused charged-particle beam |
US11004650B2 (en) * | 2017-08-28 | 2021-05-11 | Hitachi High-Tech Corporation | Multipole lens, aberration corrector using the same, and charged particle beam apparatus |
KR20240097977A (ko) * | 2017-09-29 | 2024-06-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자 빔 검사를 위한 샘플 사전-충전 방법들 및 장치들 |
JP7022815B2 (ja) | 2018-03-29 | 2022-02-18 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
WO2020230285A1 (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
KR102707980B1 (ko) * | 2019-11-22 | 2024-09-23 | 주식회사 히타치하이테크 | 하전 입자선 시스템 및 하전 입자선 장치의 제어 시스템에 의해 실행되는 방법 |
CN111261313B (zh) * | 2020-01-17 | 2021-01-05 | 桂林狮达技术股份有限公司 | 带电粒子束加工设备扫描系统校准标定方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3100260A (en) * | 1961-11-15 | 1963-08-06 | Philips Electronic Pharma | Electron lens for reduction of spherical aberration |
JPS62100936A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | Shimadzu Corp | 荷電粒子線を用いた分析装置の試料汚染防止方法 |
JPS6329436A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-08 | クラトス アナリティカル リミティド | 収差を補正する手段を有する荷電粒子光学システム |
JPH02247966A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Fujitsu Ltd | 静電偏向装置 |
JP2000100375A (ja) * | 1999-10-22 | 2000-04-07 | Hitachi Ltd | 質量分析計及びその静電レンズ |
JP2002279923A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Nikon Corp | トロイダル偏向器、その製造方法、及び荷電粒子線露光装置 |
JP2004071867A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Sony Corp | マスク付着量の測定方法 |
JP2004128248A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Nikon Corp | 磁気遮蔽部材、磁気シールドルーム及び露光装置 |
JP2004311472A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線描画装置 |
JP2005174568A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Ebara Corp | 対物レンズ、電子線装置及びこれらを用いたデバイス製造方法 |
JP2006120331A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Jeol Ltd | 集束イオンビーム装置および収差補正集束イオンビーム装置 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3151259A (en) * | 1959-08-18 | 1964-09-29 | Gen Electric | Plasma accelerator system |
US3452241A (en) * | 1966-09-06 | 1969-06-24 | Rca Corp | Electron gun suitable for electron microscope |
JPS4922351B1 (ja) * | 1969-12-25 | 1974-06-07 | ||
US3911321A (en) * | 1971-11-26 | 1975-10-07 | Ibm | Error compensating deflection coils in a conducting magnetic tube |
US4209698A (en) * | 1971-12-28 | 1980-06-24 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. | Transmission-type charged particle beam apparatus |
US5041731A (en) * | 1989-01-20 | 1991-08-20 | Fujitsu Limited | Deflection compensating device for converging lens |
EP0555492B1 (en) * | 1991-08-30 | 1998-10-28 | Hitachi, Ltd. | Magnetic electron lens and electron microscope using same |
KR100291787B1 (ko) * | 1993-09-23 | 2001-09-17 | 김순택 | 포커스특성을개선한컨버전스요크 |
JPH08212939A (ja) * | 1995-02-08 | 1996-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | Crtおよびその解像度改善装置 |
US5894124A (en) * | 1995-03-17 | 1999-04-13 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope and its analogous device |
DE69638126D1 (de) * | 1995-10-19 | 2010-04-01 | Hitachi Ltd | Rasterelektronenmikroskop |
JPH09237603A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-09-09 | Hitachi Ltd | 位相差電子顕微鏡およびその位相板 |
JPH09223475A (ja) * | 1996-02-19 | 1997-08-26 | Nikon Corp | 電磁偏向器、及び該偏向器を用いた荷電粒子線転写装置 |
JPH11224845A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Nikon Corp | 荷電ビーム投影光学系 |
US6441384B1 (en) * | 1998-04-08 | 2002-08-27 | Nikon Corporation | Charged particle beam exposure device exhibiting reduced image blur |
JP2000012454A (ja) | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Nikon Corp | 電子線露光装置 |
JP2000268756A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-29 | Toshiba Corp | 荷電ビーム装置および荷電ビームの制御方法 |
DE10044199B9 (de) * | 2000-09-07 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Ablenkanordnung und Projektionssystem für geladene Teilchen |
JP3987276B2 (ja) * | 2000-10-12 | 2007-10-03 | 株式会社日立製作所 | 試料像形成方法 |
JP2002175971A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Nikon Corp | 磁気レンズ、磁気シールド体の製造方法、荷電粒子線露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
WO2003007330A1 (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | Hitachi, Ltd. | Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus |
US6924488B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-08-02 | Jeol Ltd. | Charged-particle beam apparatus equipped with aberration corrector |
EP1489641B1 (en) * | 2003-06-18 | 2019-08-14 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle deflecting system |
JP4620981B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2011-01-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
JP3803105B2 (ja) | 2004-09-07 | 2006-08-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子ビーム応用装置 |
JP4851148B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2012-01-11 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡 |
JP4291827B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2009-07-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡又は測長semの調整方法 |
-
2007
- 2007-11-20 US US11/943,241 patent/US7947964B2/en active Active
- 2007-11-20 JP JP2007300847A patent/JP5097512B2/ja active Active
-
2012
- 2012-07-20 JP JP2012161163A patent/JP5437449B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3100260A (en) * | 1961-11-15 | 1963-08-06 | Philips Electronic Pharma | Electron lens for reduction of spherical aberration |
JPS62100936A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | Shimadzu Corp | 荷電粒子線を用いた分析装置の試料汚染防止方法 |
JPS6329436A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-08 | クラトス アナリティカル リミティド | 収差を補正する手段を有する荷電粒子光学システム |
JPH02247966A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Fujitsu Ltd | 静電偏向装置 |
JP2000100375A (ja) * | 1999-10-22 | 2000-04-07 | Hitachi Ltd | 質量分析計及びその静電レンズ |
JP2002279923A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Nikon Corp | トロイダル偏向器、その製造方法、及び荷電粒子線露光装置 |
JP2004071867A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Sony Corp | マスク付着量の測定方法 |
JP2004128248A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Nikon Corp | 磁気遮蔽部材、磁気シールドルーム及び露光装置 |
JP2004311472A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線描画装置 |
JP2005174568A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Ebara Corp | 対物レンズ、電子線装置及びこれらを用いたデバイス製造方法 |
JP2006120331A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Jeol Ltd | 集束イオンビーム装置および収差補正集束イオンビーム装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013519980A (ja) * | 2010-02-10 | 2013-05-30 | モチイ,インコーポレイテッド(ディービーエー ヴォクサ) | 収差補正暗視野電子顕微鏡 |
WO2015045468A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
JPWO2015045468A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-03-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
JP2018022703A (ja) * | 2013-09-30 | 2018-02-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
US10319558B2 (en) | 2013-09-30 | 2019-06-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam device |
WO2016174891A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-11-03 | 国立大学法人名古屋大学 | 荷電粒子ビーム用電磁レンズの球面収差補正装置 |
JPWO2016174891A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2017-10-26 | 国立大学法人名古屋大学 | 荷電粒子ビーム用電磁レンズの球面収差補正装置 |
US10096448B2 (en) | 2015-04-27 | 2018-10-09 | National University Corporation Nagoya University | Spherical aberration corrector for electromagnetic lens for charged particle beam |
US10157723B2 (en) | 2016-08-03 | 2018-12-18 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and method of adjusting the same |
WO2018122953A1 (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 収差補正器および電子顕微鏡 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5437449B2 (ja) | 2014-03-12 |
JP5097512B2 (ja) | 2012-12-12 |
US20080116391A1 (en) | 2008-05-22 |
JP2012227160A (ja) | 2012-11-15 |
US7947964B2 (en) | 2011-05-24 |
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