JPS62100936A - 荷電粒子線を用いた分析装置の試料汚染防止方法 - Google Patents
荷電粒子線を用いた分析装置の試料汚染防止方法Info
- Publication number
- JPS62100936A JPS62100936A JP60242471A JP24247185A JPS62100936A JP S62100936 A JPS62100936 A JP S62100936A JP 60242471 A JP60242471 A JP 60242471A JP 24247185 A JP24247185 A JP 24247185A JP S62100936 A JPS62100936 A JP S62100936A
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- Japan
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- object lens
- charged particle
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は電子線マイクロアナライザとか走査型電子顕微
鏡等の粒子線を用いる分析装置における試料汚染防止方
法に関する。
鏡等の粒子線を用いる分析装置における試料汚染防止方
法に関する。
口、従来の技（・トｉ
電子線マイクロアナライザ等で試料に電子線を当てて分
析を行う場合、真空容器内の残留ガスの吸着によって試
料表面が汚染されることがある。
析を行う場合、真空容器内の残留ガスの吸着によって試
料表面が汚染されることがある。
特に試料を低温にして分析する場合、この吸着汚染が顕
著になり、分析上の障害になる。このような汚染を低減
する方法おしてｉ）を来から試料の近傍に試料より低温
の物体を配置してｒη染物質を試料よりも先にその低温
物体に吸着させてしまう、いわゆるコールドトラップを
配置する方１去が用いられている。第２図はそのコール
ドトラップの一例で、電子光学系の対物レンズＬの下に
環状のコールドトラップＣを対物レンズＬと同軸的に配
置し、コールドトラップを支持する腕棒を真空容器Ｖの
外に引き出し、液体窒素タンクＮに結合して、この腕棒
を冷却し、熱伝導によってコールドトラップＣを冷却す
ると云う構成である。
著になり、分析上の障害になる。このような汚染を低減
する方法おしてｉ）を来から試料の近傍に試料より低温
の物体を配置してｒη染物質を試料よりも先にその低温
物体に吸着させてしまう、いわゆるコールドトラップを
配置する方１去が用いられている。第２図はそのコール
ドトラップの一例で、電子光学系の対物レンズＬの下に
環状のコールドトラップＣを対物レンズＬと同軸的に配
置し、コールドトラップを支持する腕棒を真空容器Ｖの
外に引き出し、液体窒素タンクＮに結合して、この腕棒
を冷却し、熱伝導によってコールドトラップＣを冷却す
ると云う構成である。
上述したような構成で、試料から放射される分析情報線
のうちＸ線はコールドトラップＣ１対物レンズＬの中心
孔を通って対物レンズの上からＸ線分光器に入射上しめ
られる。また他の分析情報線である２次電子は試）１Ｓ
の側方に配置された２次電子検出器りに吸引される。こ
の２次電子の検出に当たってコールドトラップＣは２次
電子の検出器りに向かう径路内に位置することになるた
め、なるべく２次電子の検出を妨害しないよう、小さな
環形に作られることになる。
のうちＸ線はコールドトラップＣ１対物レンズＬの中心
孔を通って対物レンズの上からＸ線分光器に入射上しめ
られる。また他の分析情報線である２次電子は試）１Ｓ
の側方に配置された２次電子検出器りに吸引される。こ
の２次電子の検出に当たってコールドトラップＣは２次
電子の検出器りに向かう径路内に位置することになるた
め、なるべく２次電子の検出を妨害しないよう、小さな
環形に作られることになる。
ハ０発明が解決しようとする問題点
上述したコールドトラップを用いる従来の汚染防止法は
２次電子の検出を妨害しないと云う要請から形状が制限
され、表面積が小さく、外部からの熱伝導による冷却で
あるから充分に冷却することが困難で、表面積不足、低
温不充分であるため、充分な汚染防止効果は得られなか
った。
２次電子の検出を妨害しないと云う要請から形状が制限
され、表面積が小さく、外部からの熱伝導による冷却で
あるから充分に冷却することが困難で、表面積不足、低
温不充分であるため、充分な汚染防止効果は得られなか
った。
本発明は簡単な構成で強力な汚染防止効果の得られる方
法を提供しようとするものである。
法を提供しようとするものである。
二３問題点解決のための手段
電子光学系の対物レンズに冷媒流通手段を設けて、対物
レンズのヨークを冷却し対物レンズ自身をコールドトラ
ップとした◇ ポ８作用 対物レンズは試料に近接して対向しており、試料対向面
は広い面積を持っている。汚染防止能力はトラップの吸
着能力によって決まり、吸着能力は面積が大きい稈また
低温である程大きい。本発明の構成では対物レンズ自体
がコールドトラップとなるので面積は従来のコールドト
ラップに比し充分大であり、また対物レンズに冷媒流通
手段を設けて直接冷却するので容易に充分な低温が得ら
れ、しかも試料と対物レンズとの間に別の部材を配置す
るのではないから、２次電子検出に対して全く妨害作用
がない。
レンズのヨークを冷却し対物レンズ自身をコールドトラ
ップとした◇ ポ８作用 対物レンズは試料に近接して対向しており、試料対向面
は広い面積を持っている。汚染防止能力はトラップの吸
着能力によって決まり、吸着能力は面積が大きい稈また
低温である程大きい。本発明の構成では対物レンズ自体
がコールドトラップとなるので面積は従来のコールドト
ラップに比し充分大であり、また対物レンズに冷媒流通
手段を設けて直接冷却するので容易に充分な低温が得ら
れ、しかも試料と対物レンズとの間に別の部材を配置す
るのではないから、２次電子検出に対して全く妨害作用
がない。
へ、実施例
第１図は本発明の一実施例を示す。図は電子光学系の対
物レンズだけを示し、Ｌが対物レンズで、１はそのヨー
ク、２は励磁巻線、４はヨークに設けられた磁気ギャッ
プである。Ｓは試料であって、Ｄは２次電子検出器、ｅ
は電子光学系の光軸を示す。ヨーク１の周側内面には銅
管５が沿わせてあって、ヨーク１の内面にロー付けされ
ている。鋼管５の両端はヨーク周側壁から外へ引き出さ
れ、一端が真空容ｅＶの外にある冷媒タンクＮに接続さ
れている。冷媒タンクＮには液体窒素が入れてあり、調
節弁Ｂを介して適量ずつ銅管５に送出される。気化した
窒素ガスは銅管５の他端から放出される。Ｔはヨーク１
に接触させた温度センサで、Ｍは温度表示計であり、こ
の温度表示が所望の温度を指すように手動的に調節弁を
調節する。もちろんこの調節は自動化してもよい。また
冷媒は上例では液体窒素を直接用いているが、本発明で
は冷媒効果が良いので、鋼管５には液体窒素そのもので
なく、液体窒素その他で冷却された他の冷媒を循環させ
るようにしても良い。
物レンズだけを示し、Ｌが対物レンズで、１はそのヨー
ク、２は励磁巻線、４はヨークに設けられた磁気ギャッ
プである。Ｓは試料であって、Ｄは２次電子検出器、ｅ
は電子光学系の光軸を示す。ヨーク１の周側内面には銅
管５が沿わせてあって、ヨーク１の内面にロー付けされ
ている。鋼管５の両端はヨーク周側壁から外へ引き出さ
れ、一端が真空容ｅＶの外にある冷媒タンクＮに接続さ
れている。冷媒タンクＮには液体窒素が入れてあり、調
節弁Ｂを介して適量ずつ銅管５に送出される。気化した
窒素ガスは銅管５の他端から放出される。Ｔはヨーク１
に接触させた温度センサで、Ｍは温度表示計であり、こ
の温度表示が所望の温度を指すように手動的に調節弁を
調節する。もちろんこの調節は自動化してもよい。また
冷媒は上例では液体窒素を直接用いているが、本発明で
は冷媒効果が良いので、鋼管５には液体窒素そのもので
なく、液体窒素その他で冷却された他の冷媒を循環させ
るようにしても良い。
ト、効果
電子線マイクロアナライザ等の対物レンズ（他のレンズ
ら同様）は励磁電流によって発熱するので、従来からそ
の温度上昇を抑えるため種々な方法が用いられている。
ら同様）は励磁電流によって発熱するので、従来からそ
の温度上昇を抑えるため種々な方法が用いられている。
（足って対物レンズを強制的に冷却することは対物レン
ズのレンズ機能上回等の支障もなく、本発明は試料の汚
染防止の効果を得ている上、対物レンズの冷却と云う通
常的な効果も得ている所に一つの特徴があり、対物レン
ズは試料に近接して大きな面積で対向しているので、試
料に対する位置関係から見てもコールドトラップとして
最適の物体であり、情報線検出を妨害することなく、高
い汚染防止効果が（すられる。
ズのレンズ機能上回等の支障もなく、本発明は試料の汚
染防止の効果を得ている上、対物レンズの冷却と云う通
常的な効果も得ている所に一つの特徴があり、対物レン
ズは試料に近接して大きな面積で対向しているので、試
料に対する位置関係から見てもコールドトラップとして
最適の物体であり、情報線検出を妨害することなく、高
い汚染防止効果が（すられる。
第１図は本発明の一実施例の要部縦断側面図、第２図は
従来例の縦断側面図である。
従来例の縦断側面図である。
Claims (1)
- 荷電粒子線の対物レンズのヨークに冷媒流通手段を設け
、対物レンズを強制的に冷却することを特徴とする荷電
粒子線を用いた分析装置の試料汚染防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60242471A JPH0687409B2 (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 荷電粒子線を用いた分析装置の試料汚染防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60242471A JPH0687409B2 (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 荷電粒子線を用いた分析装置の試料汚染防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62100936A true JPS62100936A (ja) | 1987-05-11 |
| JPH0687409B2 JPH0687409B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=17089574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60242471A Expired - Lifetime JPH0687409B2 (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 荷電粒子線を用いた分析装置の試料汚染防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687409B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08273585A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Nec Corp | 二次イオン質量分析装置 |
| WO2002001596A1 (en) * | 2000-06-27 | 2002-01-03 | Ebara Corporation | Charged particle beam inspection apparatus and method for fabricating device using that inspection apparatus |
| WO2002001597A1 (fr) * | 2000-06-27 | 2002-01-03 | Ebara Corporation | Appareil d'inspection a faisceau de particules chargees et procede de fabrication d'un dispositif utilisant cet appareil d'inspection |
| WO2002013227A1 (fr) * | 2000-07-27 | 2002-02-14 | Ebara Corporation | Appareil d'analyse a faisceau plan |
| WO2002037526A1 (fr) * | 2000-11-02 | 2002-05-10 | Ebara Corporation | Appareil a faisceau electronique et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur comprenant ledit appareil |
| WO2002049065A1 (fr) * | 2000-12-12 | 2002-06-20 | Ebara Corporation | Dispositif a faisceau d'electrons et procede de production de dispositifs a semi-conducteur utilisant ledit dispositif a faisceau d'electrons |
| JP2008153209A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-07-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム用軌道補正器、及び荷電粒子ビーム装置 |
| JP2009205937A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子装置および使用手法 |
| JP2009245907A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5981850A (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-11 | Internatl Precision Inc | 電子レンズ |
-
1985
- 1985-10-28 JP JP60242471A patent/JPH0687409B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5981850A (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-11 | Internatl Precision Inc | 電子レンズ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2002037526A1 (fr) * | 2000-11-02 | 2002-05-10 | Ebara Corporation | Appareil a faisceau electronique et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur comprenant ledit appareil |
| US7745784B2 (en) | 2000-11-02 | 2010-06-29 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the apparatus |
| WO2002049065A1 (fr) * | 2000-12-12 | 2002-06-20 | Ebara Corporation | Dispositif a faisceau d'electrons et procede de production de dispositifs a semi-conducteur utilisant ledit dispositif a faisceau d'electrons |
| JP2012227160A (ja) * | 2006-11-21 | 2012-11-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム用軌道補正器、及び荷電粒子ビーム装置 |
| JP2008153209A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-07-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム用軌道補正器、及び荷電粒子ビーム装置 |
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| JP2009245907A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0687409B2 (ja) | 1994-11-02 |
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