JP2008135642A - 強誘電体キャパシタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】強誘電体キャパシタ100は、白金膜26を含む電極20と、電極20の上方に形成され、一般式A(B1−XCX)O3で表されるペロブスカイト型構造を有する酸化物からなるシード層28と、シード層28の上方に形成された強誘電体層30とを含み、Aは、Sr、Caの少なくとも一方からなり、Bは、Ti、Zr、Hfの少なくとも1からなり、Cは、Nb、Taの少なくとも一方からなり、Xは、0<X<1の範囲である。
【選択図】図1
Description
白金膜を含む電極と、
前記電極の上方に形成され、一般式A(B1−XCX)O3で表されるペロブスカイト型構造を有する酸化物からなるシード層と、
前記シード層の上方に形成された強誘電体層と、
を含み、
Aは、Sr、Caの少なくとも一方からなり、
Bは、Ti、Zr、Hfの少なくとも1からなり、
Cは、Nb、Taの少なくとも一方からなり、
Xは、0<X<1の範囲である。
Xは、0.01≦X≦0.20の範囲であることができる。
前記シード層の膜厚は、1.5nm以上であることができる。
前記シード層の膜厚は、5.0nm以下であることができる。
前記強誘電体層の上方に形成され、一般式A(B1−YCY)O3で表されるペロブスカイト型構造を有する酸化物からなるトップ層をさらに含み、
Aは、Sr、Caの少なくとも一方からなり、
Bは、Ti、Zr、Hfの少なくとも1からなり、
Cは、Nb、Taの少なくとも一方からなり、
Yは、0<Y<1の範囲であることができる。
Yは、0.01以上であることができる。
前記トップ層の膜厚は、1.5nm以上であることができる。
前記トップ層の膜厚は、5.0nm以下であることができる。
前記トップ層の上方に、白金膜を含む他の電極が形成されていることができる。
前記電極は、イリジウム膜と、イリジウム膜上に形成された酸化イリジウム膜と、酸化イリジウム膜上に形成された白金膜とを有し、
前記シード層は、前記白金膜上に形成され、
前記強誘電体層は、前記シード層上に形成されていることができる。
図1は、本実施の形態の強誘電体キャパシタ100を模式的に示す断面図である。強誘電体キャパシタ100は、基体10上に形成され、基体10側から順に形成されたTiAlN膜12、第1電極20、シード層28、強誘電体層30、および第2電極40とを含む。第1電極20は、基体10側から順に形成された、第1のイリジウム膜22と、第1の酸化イリジウム膜24と、第1の白金膜26とを有する。第2電極40は、強誘電体層30側から順に形成された、第2の白金膜42、第2の酸化イリジウム膜44、および第2のイリジウム膜46を有する。
〔Aは、Sr、Caの少なくとも一方からなり、Bは、Ti、Zr、Hfの少なくとも1からなり、Cは、Nb、Taの少なくとも一方からなり、Xは、0<X<1の範囲である。〕
まず、基体10し、その上方にTiAlN膜12、第1のイリジウム膜22、第1の酸化イリジウム膜24、および第1の白金膜26を順に形成する。
次に本実施の形態にかかる実験例を説明する。
実験例1〜3にかかる強誘電体キャパシタの製造方法は以下のとおりである。
実験例4では、シード層を形成せずに、第1の白金膜の上に直接強誘電体層を設けた。実験例4にかかる強誘電体キャパシタの製造方法は以下のとおりである。
実験例5では、シード層としてニオブをドープしていないSrTiO3を用いた。実験例5にかかる強誘電体キャパシタの製造方法は以下のとおりである。
サンプル1〜5の評価を行った。評価は、サンプル1〜5について残留分極値および疲労特性について行った。図2は、残留分極量(2Pr)の印加電圧依存性を示す図である。図2において、横軸は印加電圧値であり、縦軸は残留分極量である。図2では、シード層を設けていないサンプル4に比べて、シード層を設けているサンプル1〜3の残留分極量が大きく、低電圧で飽和していた。従って、本実施の形態にかかる強誘電体キャパシタは、低電圧で良好な特性を示すことができることが確認された。
実験例6にかかるサンプル6の製造方法は以下のとおりである。
実験例6では、シード層を形成せずに、第1の白金膜の上に直接強誘電体層を設けた。実験例6にかかるサンプル7の製造方法は以下のとおりである。
強誘電体層の下にシード層を設けたサンプル6と、シード層を設けなかったサンプル7についてX線回折分析を行った。
次に、本実施の形態にかかる強誘電体キャパシタを含む強誘電体メモリの一例について、説明する。図5は、適用例にかかる強誘電体メモリを説明するための断面図である。
次に本実施の形態にかかる変形例について説明する。変形例にかかる強誘電体キャパシタ200は、さらにトップ層を含む点で、本実施の形態にかかる強誘電体キャパシタ100と異なる。
〔Aは、Sr、Caの少なくとも一方からなり、Bは、Ti、Zr、Hfの少なくとも1からなり、Cは、Nb、Taの少なくとも一方からなり、Yは、0<Y<1の範囲である。〕
Claims (10)
- 白金膜を含む電極と、
前記電極の上方に形成され、一般式A(B1−XCX)O3で表されるペロブスカイト型構造を有する酸化物からなるシード層と、
前記シード層の上方に形成された強誘電体層と、
を含み、
Aは、Sr、Caの少なくとも一方からなり、
Bは、Ti、Zr、Hfの少なくとも1からなり、
Cは、Nb、Taの少なくとも一方からなり、
Xは、0<X<1の範囲である、強誘電体キャパシタ。 - 請求項1において、
Xは、0.01≦X≦0.20の範囲である、強誘電体キャパシタ。 - 請求項1または2において、
前記シード層の膜厚は、1.5nm以上である、強誘電体キャパシタ。 - 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
前記シード層の膜厚は、5.0nm以下である、強誘電体キャパシタ。 - 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記強誘電体層の上方に形成され、一般式A(B1−YCY)O3で表されるペロブスカイト型構造を有する酸化物からなるトップ層をさらに含み、
Aは、Sr、Caの少なくとも一方からなり、
Bは、Ti、Zr、Hfの少なくとも1からなり、
Cは、Nb、Taの少なくとも一方からなり、
Yは、0<Y<1の範囲である、強誘電体キャパシタ。 - 請求項5において、
Yは、0.01以上である、強誘電体キャパシタ。 - 請求項5または6において、
前記トップ層の膜厚は、1.5nm以上である、強誘電体キャパシタ。 - 請求項5ないし7のいずれかにおいて、
前記トップ層の膜厚は、5.0nm以下である、強誘電体キャパシタ。 - 請求項5ないし8のいずれかにおいて、
前記トップ層の上方に、白金膜を含む他の電極が形成されている、強誘電体キャパシタ。 - 請求項1ないし9のいずれかにおいて、
前記電極は、イリジウム膜と、イリジウム膜上に形成された酸化イリジウム膜と、酸化イリジウム膜上に形成された白金膜とを有し、
前記シード層は、前記白金膜上に形成され、
前記強誘電体層は、前記シード層上に形成されている、強誘電体キャパシタ。
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