JP2008135471A - ウエハ加工方法及びそれを用いた半導体チップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光を透過可能な支持基板21及び支持基板21の一主面上に被着され、光を透過可能な電極膜22から成る支持体2と、光の照射を受けると接着能が低下する光剥離性樹脂材3を介して支持体2に対して固着されたウエハ1と、を準備する工程と、支持体2を静電チャックに対して吸着させた状態で、ウエハ1の表面処理を行う工程と、光剥離性樹脂材3に対して支持体2を介して光を照射することにより、光剥離性樹脂材3の接着能を低下させ、ウエハ1を支持体2より剥離する工程と、を備える。
【選択図】図2−1
Description
なお、本実施形態においては、支持体2は、化合物半導体ウエハ1よりも剛性が高いため、静電チャック7より取り外す際に支持体2に外力を印加しても、支持体2の破損が良好に防止される。その結果、支持体2を再使用することができる。
1・・・・化合物半導体ウエハ
1a・・・化合物半導体ウエハの一主面
1b・・・化合物半導体ウエハの他主面
11・・・集積回路
12・・・貫通孔
2・・・・支持体
21・・・支持基板
22・・・電極膜
22a・・光導入口
23・・・保護基板
3・・・・光剥離性樹脂材
4・・・・レジストパターン
5・・・・CCD
6・・・・アノード・カソード電極
7・・・・静電チャック
8・・・・貫通導体
Claims (12)
- 光を透過可能な支持基板及び該支持基板の一主面上に被着され、光を透過可能な電極膜から成る支持体と、光の照射を受けると接着能が低下する光剥離性樹脂材を介して前記支持体に対して固着されたウエハと、を準備する工程と、
前記支持体を静電チャックに対して吸着させた状態で、前記ウエハの表面処理を行う工程と、
前記光剥離性樹脂材に対して前記支持体を介して光を照射することにより、前記光剥離性樹脂材の接着能を低下させ、前記ウエハを前記支持体より剥離する工程と、を備えたウエハ加工方法。 - 前記支持体は、前記支持基板との間で前記電極膜を挟み込むように配置され、且つ前記光を透過可能な保護基板を更に備えたことを特徴とする請求項1に記載のウエハ加工方法。
- 前記支持体は、前記電極膜が前記静電チャックに接するように配置されることを特徴とする請求項1に記載のウエハ加工方法。
- 前記支持基板および前記電極膜は、それぞれ透明材料により形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のウエハ加工方法。
- 前記光剥離性樹脂に照射される前記光の積算光量は1500mJ/cm2〜2000mJ/cm2であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のウエハ加工方法。
- 前記光剥離性樹脂は、グリシジルアジド重合体または3,3−ビスアジドメチルオキセタンであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のウエハ加工方法。
- 前記光は、紫外光であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のウエハ加工方法。
- 前記電極膜は、ITO、ZnOまたはSnOからなることを特徴とする請求項7に記載のウエハ加工方法。
- 前記電極膜の膜厚は、20nm〜200nmであることを特徴とする請求項8に記載のウエハ加工方法。
- 前記支持基板がサファイアからなることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載のウエハ加工方法。
- 前記ウエハは、複数の区画に区分され、各区画内に集積回路が形成された化合物半導体ウエハからなることを特徴とする請求項1乃至請求項11のいずれかに記載のウエハ加工方法。
- 請求項12に記載のウエハ加工方法によって加工されたウエハを得る工程と、
前記加工したウエハを区画毎に分割して複数の半導体チップを得る工程と、
を備えた半導体チップの製造方法。
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