KR20170076538A - 반도체 웨이퍼의 보유 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 보유 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼 보유 방법을 얻는 것이다. 범프를 갖는 반도체 웨이퍼를 이송가공 시에는 지지체에 강하게 보유시키고, 가공완료 후에는 지지체와 반도체 웨이퍼를 간편하게 분리하는 것이 양립될 수 있다. 본 발명의 반도체 웨이퍼 보유 방법은 범프를 갖는 반도체 웨이퍼의 범프가 형성된 면에 상기 범프를 채우기 위해 경화성 수지를 도포하는 도포 공정과, 상기 경화성 수지를 경화하는 경화 공정과, 경화된 상기 경화성 수지의 상기 반도체 웨이퍼와는 반대 측의 면에 지지 기판을 흡착하는 흡착 공정을 가진다.

Description

반도체 웨이퍼의 보유 방법 및 반도체 장치의 제조 방법{RETENTION METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER AND FABRICATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 웨이퍼의 보유 방법 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼의 박막화 요구는 메모리 장치의 용량의 증가와 데이터 전송 속도의 고속화 대응 필요성을 배경으로 하여 강력하게 추진되고 있다. 한편, 반도체 웨이퍼가 얇아지면 반도체 웨이퍼의 이송 시에 반도체 웨이퍼에 변형이 생기는 등의 문제가 발생한다.
반도체 웨이퍼 이송 시에 변형 등을 방지하는 수단으로서 반도체 웨이퍼를 지지하는 지지 기판을 이용하는 방법이 알려져 있다.
예를 들어 특허 문헌 1에는 반도체 웨이퍼와 지지 기판을 접착제를 통해 접착하여 이송 및 가공하는 것이 기재되어있다. 특허 문헌 1은 일본특허 공개공보 2005-116610호이다.
또한, 예를 들어 특허 문헌 2에는 반도체 웨이퍼를 베이스 기재에 흡착 파지하는 것이 기재되어 있다. 특허 문헌 2는 일본특허 공개공보 2005-116610호이다.
그러나 지금까지의 방법으로는 범프를 갖는 반도체 웨이퍼를 이송 가공시 에는 지지체에 강하게 보유시키되, 가공완료 후에는 지지체와 반도체 웨이퍼를 간편하게 분리하는 것이 양립될 수 없었다.
예를 들어, 특허 문헌 1에 기재된 바와 같이 접착제를 사용하여 지지 기판과 접착한 경우에는, 지지 기판에 반도체 웨이퍼를 강하게 보유시킬 수 있다. 그러나, 지지 기판과 반도체 웨이퍼를 간편하게 분리할 수 없다는 문제가 있다.
접착제를 반도체 웨이퍼로부터 박리 시, 지지 기판으로부터 분리 방법으로는 열에 의한 박리법, 레이저를 이용한 박리법, 약액으로 용해하는 박리 법, 화학적 박리법 등이 알려져 있다. 그러나 어떤 방식으로든 점착제의 박리 시에 범프가 누락(범프 손상)될 수 있다. 또한 지지 기판은 재사용될 것이 요구되고 있지만, 지지 기판 측에 남아있는 접착제를 완전히 제거하기 위한 세정 공정 등에는 시간과 비용이 소요된다.
예를 들어, 특허 문헌 2에 기재된 바와 같이 반도체 웨이퍼를 지지 기판에 흡착하는 방법을 이용한 경우, 접착제 등을 사용하지 않기 때문에 지지 기판과 반도체 웨이퍼를 쉽게 제거할 수 있다. 그러나, 지지 기판에 반도체 웨이퍼를 충분히 강하게 보유하지 못한다. 반도체 웨이퍼의 뒷면을 박막화하기 위해서는 범프가 형성된 면을 지지 기판에 흡착시킬 필요가 있다. 범프에 의한 요철과 흡착하는 지지 기판 사이에 틈새가 발생한다. 즉 충분한 보유력을 유지시키는 것이 어렵다. 또한 그 틈에 파티클 등이 침입하여 반도체 웨이퍼를 오염시킬 우려가 있다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 양립 가능한 반도체 웨이퍼의 보유 방법 및 반도체 장치의 제조 방법을 얻는 것을 목적으로 한다.
상기 양립은 범프를 갖는 반도체 웨이퍼를 이송 압력가공 시에는 지지체에 강하게 보유하되, 가공 완료 후에는 지지체와 반도체 웨이퍼를 간편하게 분리하는 것을 의미한다.
본 발명자는 예의(銳意)검토 결과, 반도체 웨이퍼 범프가 형성된 면에 반도체 장치의 제작 프로세스의 다음 공정에서 사용되는 소정의 수지로써 범프를 덮는 것에 의해, 양립성을 발견하였다. 즉, 범프를 갖는 반도체 웨이퍼를 이송 가공 시에는 지지체에 강하게 보유하고 가공 완료 후에는 지지체와 반도체 웨이퍼를 간편하게 분리하는 것이 양립될 수 있다. 그러한 양립성의 발견에 의해 발명이 완성된다. 본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 다음과 같은 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼의 보유 방법은, 범프를 갖는 반도체 웨이퍼의 범프가 형성된 면에 상기 범프를 채우기 위해 경화성 수지를 도포하는 도포 공정과, 상기 경화성 수지를 경화하는 경화 공정과, 경화된 상기 경화성 수지의 상기 반도체 웨이퍼와는 반대측 면에 지지 기판을 흡착하는 흡착 공정을 가진다.
본 발명의 실시 예에 따라 상기 경화성 수지는 열경화성 수지일 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따라 상기 경화 공정에서 상기 경화성 수지는 B 스테이지 상태로 경화될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따라 상기 흡착 공정에서 상기 지지 기판은 정전 흡착에 의해 흡착될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따라 상기 도포 공정에서 상기 경화성 수지는 스프레이 코팅될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따라 상기 지지 기판의 흡착면의 외주부가 중앙부에 대하여 솟아 있을 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 장치의 제조방법은, 범프를 갖는 반도체 웨이퍼의 범프가 형성된 면에 상기 범프를 채우기 위해 경화성 수지를 도포하는 도포 공정, 상기 경화성 수지를 경화하는 경화 공정, 및 경화된 상기 경화성 수지의 상기 반도체 웨이퍼와는 반대측 면에 지지 기판을 흡착하는 흡착 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 보유 방법을 이용하여 반도체 웨이퍼를 보유하는 공정을 포함하고, 또한, 보유된 상기 반도체 웨이퍼의 상기 지지 기판을 흡착하고 있지 않는 측면을 박막화하는 공정을 포함한다.
본 발명의 반도체 웨이퍼의 보유 방법에 따르면 범프를 갖는 반도체 웨이퍼를 이송 가공 시에는 지지체에 강하게 보유하되 가공 완료 후에는 지지체와 반도체 웨이퍼를 간편하게 분리하는 것이 양립될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따라 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따라 경화성 수지가 도포된 반도체 웨이퍼의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따라 경화성 수지를 경화한 후 반도체 웨이퍼의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따라 지지 기판을 흡착한 반도체 웨이퍼의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 종래의 반도체 웨이퍼의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼의 보유 방법 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 대하여, 필요에 따라 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.
이하의 설명에서 예시되는 재료, 치수 등은 일 예로서, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 변경하지 않는 범위에서 적절하게 변경하여 실시하는 것이 가능하다.
(반도체 웨이퍼의 보유 방법)
본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼의 보유 방법은 범프를 갖는 반도체 웨이퍼의 범프가 형성된 면에 상기 범프를 채우기 위해 경화성 수지를 도포하는 도포 공정과, 상기 경화성 수지를 경화하는 경화 공정과, 경화된 상기 경화성 수지의 상기 반도체 웨이퍼와는 반대측 면에 지지 기판을 흡착하는 흡착 공정을 가진다.
도 1은 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 단면도이다. 반도체 웨이퍼 (1)의 일면에는 관통 공이 형성되고, 관통 공에는 범프 (2)가 형성되어있다.
반도체 웨이퍼 (1)는 실리콘, 갈륨 비소 등의 다양한 재질로 이루어진 것을 사용할 수 있다. 또한 그 일면 및 내부에 소정의 배선 패턴이 형성된 패턴 웨이퍼로 되어 있을 수 있다.
범프 (2)는 공지의 재질로 이루어진 것을 사용할 수 있으며, 예를 들면, 땜납, 은, 구리 등이 사용될 수 있다. 범프 (2)가 반도체 웨이퍼 (1)의 일면 (1a)에서 돌출되는 높이는 특별히 묻지 않는다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼 (1)의 일면(1a)에 대해 1 ~ 350μm 등으로 돌출되어 있는 것이 사용될 수 있다.
반도체 웨이퍼 (1)에 소정의 배선 패턴 및 범프를 형성하는 방법은 공지의 방법을 이용할 수 있다. 예를 들어, 포토 리소그래피 기술 등이 이용될 수 있다.
(도포 공정)
도포 공정에서는 범프 (2)가 형성된 반도체 웨이퍼 (1)의 일면 (1a)에 경화성 수지 (3)를 도포한다. 도 2는 경화성 수지가 도포된 반도체 웨이퍼의 단면도이다. 반도체 웨이퍼 (1)의 일면 (1a)은 범프 (2)가 형성된 면이다.
경화성 수지 (3)는 범프 (2)를 채우도록 도포된다. 범프 (2)를 채우도록 도포하면 도포된 경화성 수지 (3)의 반도체 웨이퍼 (1)와는 반대쪽 면을 평탄화할 수 있다. 범프 (2)는 후술하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 전기적인 접점으로 되기 때문에, 범프 (2)는 완전히 매립되지 않고, 표면의 일부가 노출되도록 가공될 수도 있다.
도포 방법으로는, 공지의 다양한 방법이 사용될 수 있다. 예를 들어, 반도체 실장용에 이용되는 필름 형태의 비 도전성 필름을 라미네이팅하는 방법, 경화성 수지 (3)를 스핀 코팅하는 방법, 스프레이 코팅하는 방법 등을 이용하는 것일 수 있다. 특히, 도포 방법으로서는 스프레이 코팅이 이용될 수 있다.
스프레이 코팅을 이용하면, 도포된 경화성 수지 (3)의 반도체 웨이퍼 (1)와는 반대측 면을 더 평탄하게 할 수 있다. 예를 들어, 비 도전성 필름을 라미네이트하는 경우에는, 범프 (2)의 위에서 열에 의해 라미네이트를 하기 때문에, 라미네이트 후의 표면이 일부 범프 (2)의 형상을 반영하게 되어 버린다. 또한 스핀 코팅의 경우 범프 (2)에 의해, 도포되는 경화성 수지 (3)의 확산이 일부 저해될 수 있다. 이에 비해 스프레이 코팅은 범프 (2)에 의한 요철 형상의 영향을 받지 않고 도포할 수 있다. 경화성 수지 (3)의 반도체 웨이퍼 (1)와는 반대쪽 면을 평탄하게 할 수 있으면, 후술하는 흡착 공정에 있어서 흡착되는 지지 기판과의 밀착성을 높일 수 있다.
경화성 수지 (3)는, 반응 후 경화 시에 반도체 웨이퍼 (1)에 밀착하는 것이 사용될 수 있다. 여기서 '밀착'은 이후의 공정에서 박리되지 않는 것임을 의미한다. 종래의 반도체 웨이퍼의 보유 방법에서 사용되는 접착제는 박리하는 것을 고려한 것이다. 그 때문에 반응에 의해 경화하는 것은 사용할 수 없다. 이에 비해 경화성 수지 (3)은 벗겨 분리하는 것(박리)을 고려하지 않기 때문에 본 발명의 실시 예에서는 경화성 수지가 사용될 수 있다. 예를 들어, 반도체 실장 공정에서 사용되는 봉지 재료 등이 사용될 수 있다. 구체적으로는 나믹스 회사 제품의 NCF (Non-Conductive Film) 등이 이용될 수 있다.
경화성 수지 (3)는 소정의 처리를 실시한 후 경화하는 재료일 수도 있고, 공지의 것이 이용될 수 있다. 예를 들어, 열경화성 수지, 광경화성 수지 등이 사용될 수 있다. 이들 중에서도 열경화성 수지 (3)가 바람직하다. 열경화성 수지는 열이 전해지는 환경이라면 경화될 수 있으므로, 열경화성 수지 (3)에 밀착되는 부재의 종류 등을 제한하지 않는다.
(경화 공정)
이어서 도포한 경화성 수지 (3)을 경화시켜 경화성 수지층 (4)을 형성한다. 도 3은 경화성 수지를 경화한 후의 반도체 웨이퍼의 단면도이다. 경화 성 수지층 (4)은 후술될 것이지만, 반도체 장치(디바이스)의 제조 방법에 있어서 의 봉지층일 수 있다. 경화성 수지 (3)을 경화하는 방법으로는 사용되는 재료의 종류에 따라 공지의 방법이 사용될 수 있다.
경화성 수지 (3)는 완전히 경화시키지 않고 반경화시키는 것이 바람직하다. 구체적으로는 B 스테이지 상태로 경화시키는 것이 바람직하다. 여기서 B 스테이지는 전자 회로 기판 등의 분야에서 일반적으로 사용되는 용어이며, 경화성 수지에 있어서 경화 반응의 중간 단계에 있는 것을 말한다. B 스테이지 상태의 경화성 수지 층 (4)는 C 스테이지 (완전 경화) 상태의 경화성 수지 층 (4)보다 부드럽다. 따라서 후술되는 지지 기판과의 밀착성이 높아지므로, 지지 기판에 대한 반도체 웨이퍼 (1)의 보유력(붙어서 유지되는 능력)을 더 높일 수 있다.
(흡착 공정)
흡착 공정에서는 경화성 수지 층 (4)의 양 면들 중에, 반도체 웨이퍼와는 반대쪽인 면에서 지지 기판 (5)이 흡착된다. 도 4는 지지 기판을 흡착한 반도체 웨이퍼의 단면도이다.
흡착 방법은 진공 흡착, 정전 흡착 등의 방법이 이용될 수 있다. 방법들 중에서 특히 무급전의 정전 흡착을 이용하는 것이 바람직하다. 무급전의 정전 흡착 방식을 이용하면, 한번 지지 기판 (5)과 반도체 웨이퍼 (1)를 흡착시킨 후에는 외부에서 힘을 가하지 않고서도 단독으로 흡착한 상태를 유지할 수 있다. 따라서 지지 기판 (5)이 흡착된 반도체 웨이퍼 (1)를 이송하기가 쉬워진다.
지지 기판 (5)은, 진공 흡착을 할 경우에는 특히 문제가 없다. 경화성 수 지층 (4)과 높은 밀착성을 유지할 수 있는 유리 기판 등이 이용될 수 있다. 정전 흡착하는 경우에는 쿨롱 력에 의해 경화성 수지 층 (4)를 갖는 반도체 웨이퍼 (1)와 지지 기판 (5)를 흡착하기 위해 소정의 베이스 플레이트를 이용할 수 있다.
지지 기판 (5)의 흡착 면은 외주부가 중앙부에 대해 솟아있는 것일 수 있다. 지지 기판 (5)를 경화성 수지 층 (4)에 흡착시킬 때에, 지지 기판 (5) 외주부가 솟아 있게 되면, 지지 기판 (5)의 외주부와 경화성 수지 층 (4)이 먼저 밀착한다. 따라서 지지 기판 (5)의 그 다른 부분에 대해 외주부의 밀착성을 높일 수 있다. 지지 기판 (5)의 외주부와 경화성 수지 층 (4)의 밀착성이 높아지면, 경화성 수지 층 (4)이 파티클 등에 의해 오염되는 것을 억제할 수 있다. 파티클 등은 지지 기판 (5) 외주부로부터 침입하기 때문이다. 여기서 경화 성 수지 층 (4)은 지지 기판 (5)를 흡착시킬 때 어느 정도의 형상변화를 가질 수 있다. 따라서 외주부가 중앙부에 솟아 있어도 충분히 추종 가능하며 접착성이 현저히 저하되는 것은 아니다.
지지 기판 (5) 외주부가 중앙부에 대하여 솟아있는 정도로는, 중앙부에 대하여 5μm~ 10μm로서, 외주부가 솟아 있는 것이 바람직하다. 외주부의 고조의 정도가 너무 크면 밀착성이 저하되고, 너무 적으면 오염 방지 효과가 적어지기 때문이다.
위의 절차를 통해 지지 기판 부착 웨이퍼 (10)를 얻을 수 있다. 지지 기판 부착 웨이퍼 (10)는 독립적으로 이송 가능하게 된다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼의 보유 방법을 이용하면, 경화성 수지 층 (4)에 의해 반도체 웨이퍼 (1)의 범프 (2)가 형성된 측의 일면이 평탄화되기 때문에 지지 기재 (5)와의 밀착성을 높일 수 있다. 또한 반도체 웨이퍼 (1)의 일면 (1a) 및 범프 (2)가 경화성 수지 층 (4)에 의해 덮여 있기 때문에 파티클에 의해 반도체 웨이퍼 (1) 등이 오염되는 것이 방지될 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼의 보유 방법을 이용하면, 지지 기판 (5)은 경화성 수지 층 (4)가 형성된 반도체 웨이퍼 (1)에 흡착되어 있다. 따라서 예를 들어 진공 상태를 개방하거나 쿨롱 력을 개방함으로써 간편하게, 지지 기판 (5)과, 경화성 수지 층 (4)가 형성된 반도체 웨이퍼 (1)을 분리 할 수 있다.
(반도체 웨이퍼의 제조 방법)
이어서, 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 대하여 설명한다. 반도체 웨이퍼의 제조 방법은 상기 반도체의 보유 방법을 이용하여 반도체 웨이퍼를 보유하는 공정과, 보유된 상기 반도체 웨이퍼의 상기 지지 기판을 흡착하지 않는 면을 박막화하는 공정을 포함한다.
상술한 바와 같이 반도체 웨이퍼의 보유 방법을 이용함으로써 지지 기판 부착 웨이퍼 (10)를 얻을 수 있다. 도 5는 반도체 웨이퍼의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
지지 기판 장착 웨이퍼 (10)는 일체형으로 이송된다. 이송된 지지 기판 부착 웨이퍼의 지지 기판 (5)가 흡착되어 있는 면과는 반대쪽 면을 박막화한다.
박막화 방법은 불문하지만, 도 5 (a)에 나타낸 바와 같이, 그라인더 (9) 등으로 연마하는 것일 수 있다. 이 외에도 화학 연마 등이 이용될 수도 있다. 박막화는 범프 (2)에 연결되어 반도체 웨이퍼 (1)의 연직 방향으로 연장된 배선의 일단이 노출될 때까지 실시된다. 박막화 처리를 실시하는 것으로, 반도체 웨이퍼 (1)의 두께는 5μm ~ 100μm 정도까지 얇게 될 수 있다.
이어서, 도 5 (b)에 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (1)의 범프와 는 반대쪽 면에 노출된 배선에 전극 (2a)을 형성 한 후, 흡착을 해제하여 지지 기판 (5)과, 경화성 수지 층 (4)이 형성된 반도체 웨이퍼 (1)를 떨어지게 한다. 흡착에 의해 지지 기판 (5)과, 경화성 수지 층 (4)이 형성된 반도체 웨이퍼 (1)가 밀착되어 있기 때문에, 수지와 접착제 등이 잔존하는 것은 아니다.
마지막으로, 도 5 (c)에 나타낸 바와 같이, 범프 (2)와 반도체 회로 기판 (6)의 전극 (6a)을 접합하고, 경화 수지 층을 본 경화(C 스테이지 상태 화)함에 의해 반도체 장치가 제작된다. 또한, 도 5 (c)는 이해를 쉽게 하기 위해 반도체 회로 기판 (6)과, 경화성 수지 층(4)이 형성된 반도체 웨이퍼 (1)를 분리적으로 나타내고 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 이용하면 종래의 반도체 웨이퍼의 보유 방법에서 필요했던 접착 층의 도포 공정, 접착 층의 박리 공정 및 실장 시의 봉지 공정을 없앨 수 있다. 종래의 반도체 출시 제품의 제조 방법을 설명하면서 이에 대해 자세히 설명한다.
도 6은 종래의 반도체 웨이퍼의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다. 종래의 반도체 웨이퍼의 제조 방법에서는 먼저 도 6 (a)에 나타낸 바와 같이, 지지 기판 부착 웨이퍼 (20)의 지지 기판 (15)과는 반대쪽 면을 박막화한다. 지지 기판 부착 웨이퍼 (20)는 범프 (2)가 형성된 반도체 웨이퍼 (1)과, 범프를 채우기 위해 마련된 접착 층 (14)과, 접착 층 (14)과 접착하는 지지 기판 (15)를 가진다. 반도체 웨이퍼 (1)와 지지 기판 (15)를 접착하는 층이 접착 층 (14)인 점이 상술한 지지 기판 부착 웨이퍼 (10)와는 다르다. 이하, 상기 지지 기판 부착 웨이퍼 (10)와 동일하게 이루어진 것에 대해서는 동일한 부호를 이용하며 상세한 설명을 생략한다.
다음으로, 도 6 (b)에 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (1)의 범프와는 반대쪽의 면에 노출되는 배선에 전극 (2a)을 형성 한 후, 흡착을 해제하여 지지 기판 (15)과, 접착 층(14)이 형성된 반도체 웨이퍼 (1)을 서로 떨어지게 한다. 지지 기판 (15)과, 접착 층 (14)이 형성된 반도체 웨이퍼 (1)는 접착 층 (14)에 의해 접착되어 있기 때문에, 접착제가 지지 기판 (15) 측에 잔존할 수 있다. 이 때문에 지지 기판 (15)를 재사용하고자 하는 경우에 잔존하는 접착제가 오염의 원인이 될 수 있다. 남아있는 접착제를 완전히 제거하려면 세정 등의 작업이 필요하며, 시간과 비용이 소요된다.
다음으로, 도 6 (c)에 나타낸 바와 같이, 지지 기판 (15)를 박리 후 접착 층 (14)이 접착된 반도체 웨이퍼 (1)로부터 접착 층 (14)을 박리한다. 접착 층 (14)은 완전히 경화되는 것이 아니어서 반도체 장치의 봉지 재료로서 충분한 밀착성 및 내구성을 갖지 못한다. 따라서 일단 박리할 필요가 있다. 이 박리 공정에서는 접착 층 (14)에 의해 범프 (2)가 손상되어 버리는 경우가 있다.
접착 층 (14)이 제거됨으로써 범프 (2)가 노출된다. 노출된 범프 (2)에는 도6 (d)에 나타낸 바와 같이, 반도체 회로 기판 (6)의 전극 (6a)가 접합된다.
마지막으로, 도 6 (e)에 나타낸 바와 같이, 반도체 회로 기판 (6)과 반도체 웨이퍼 (1)을 접합한 후에 반도체 회로 기판 (6)과 반도체 웨이퍼 (1) 사이에 밀봉 재료를 충진 및 경화하여, 봉지 층 (17)을 형성한다. 봉지 층(17)은 반도체 회로 기판 (6)과 반도체 웨이퍼 (1) 사이에 주입되어 형성된다. 또한 봉지 층(17)은 반도체 회로 기판 (6) 측에 사전에 재료를 도포함으로써 형성되는 것이 일반적이다
이와 같이, 종래의 반도체 장치의 제조 방법에서는 접착 층의 도포 공정, 반도체 웨이퍼 박막화 공정, 지지 기판과의 박리 공정, 접착 층의 제거 공정, 반도체 회로 기판과의 접합 공정, 및 실장시의 봉지 공정이라는 공정들이 필요했다. 이에 비해 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법을 이용함으로써, 3개의 공정들, 즉 접착 층의 도포 공정, 접착 층의 제거 공정, 및 실장시의 봉지 공정을 없앨 수 있다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법을 이용하면, 지지 기판에 접착제 등이 잔존하는 것을 회피할 수 있어 지지 기판의 재사용을 도모 할 수 있다.
1: 반도체 웨이퍼
1a: 일면
2: 범프
3: 경화성 수지
4: 경화성 수지층
5: 지지 기판
9: 그라인더
10,20: 지지기판 부착 웨이퍼
14: 접착층
17: 봉지층

Claims (7)

  1. 범프를 갖는 반도체 웨이퍼의 범프가 형성된 면에 상기 범프를 채우기 위해 경화성 수지를 도포하는 도포 공정;
    상기 경화성 수지를 경화하는 경화 공정; 및
    경화된 상기 경화성 수지의 상기 반도체 웨이퍼와는 반대측 면에 지지 기판을 흡착하는 흡착 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 보유 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 경화성 수지는 열경화성 수지인 반도체 웨이퍼의 보유 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 경화 공정에서 상기 경화성 수지를 B 스테이지 상태로 경화하는 반도체 웨이퍼의 보유 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 흡착 공정에서 상기 지지 기판을 정전 흡착에 의해 흡착하는 반도체 웨이퍼의 보유 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 도포 공정에서 상기 경화성 수지를 스프레이 코팅하는 반도체 웨이퍼의 보유 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 지지 기판의 흡착면의 외주부가 중앙부에 대하여 솟아있는 반도체 웨이퍼의 보유 방법.
  7. 범프를 갖는 반도체 웨이퍼의 범프가 형성된 면에 상기 범프를 채우기 위해 경화성 수지를 도포하는 도포 공정, 상기 경화성 수지를 경화하는 경화 공정, 및 경화된 상기 경화성 수지의 상기 반도체 웨이퍼와는 반대측 면에 지지 기판을 흡착하는 흡착 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 보유 방법을 이용하여 반도체 웨이퍼를 보유하는 공정; 및
    보유된 상기 반도체 웨이퍼의 상기 지지 기판을 흡착하고 있지 않는 측면을 박막화하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
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