JP2015126055A - 支持板 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体ウェハを水平に支持することができる技術を提供する。【解決手段】支持板1は、半導体ウェハ30を加工するときに半導体ウェハ30を支持するための支持板1であって、半導体ウェハ30を支持可能な本体2と、本体2の一方面に形成され、接着剤50を介して半導体ウェハ30が接着される凹部3と、を備えている。凹部3は、本体2の中央部に向かって深くなるように形成されている。【選択図】図2
Description
本明細書に開示の技術は、半導体ウェハを支持するための支持板に関する。
特許文献1には、半導体ウェハを支持するための支持板が開示されている。特許文献1の支持板では、支持板の一方面に接着剤を介して半導体ウェハが接着される。これにより半導体ウェハを支持し、半導体ウェハを加工するときに補強している。
特許文献1の技術では、支持板によって半導体ウェハを支持しているものの、接着剤を介して半導体ウェハを支持板に貼り付けるときに、半導体ウェハが傾いてしまうことがある。半導体ウェハが傾くと、半導体ウェハを加工するときに様々な問題が生じる。例えば、半導体ウェハが傾いた状態で半導体ウェハを薄板化のために研削すると、研削後の半導体ウェハの厚みに傾きが生じることがある。そこで本明細書は、半導体ウェハを水平に支持することができる支持板を提供することを目的とする。
本明細書に開示する支持板は、半導体ウェハを加工するときに前記半導体ウェハを支持するための支持板であって、前記半導体ウェハを支持可能な本体と、前記本体の一方面に形成され、接着剤を介して前記半導体ウェハが接着される凹部と、を備えている。前記凹部は、前記本体の中央部に向かって深くなるように形成されている。
このような構成によれば、半導体ウェハが支持板に接着されるとき、凹部が本体の中央部に向かって深くなっているので、半導体ウェハの中央部において接着剤の厚みが厚くなっていたとしても、厚い接着剤が深い凹部に良好に収まる。これにより、接着剤が凹部に良好に収まり、接着剤の厚みの違いの影響を抑制することができるので半導体ウェハを水平に支持することができる。
以下、実施形態について添付図面を参照して説明する。図1及び図2に示すように、支持板1は、板状の本体2と、本体2の一方面(上面)に形成された凹部3及び壁部4とを備えている。この支持板1は、半導体ウェハ30を加工するときに半導体ウェハ30を支持するためのものである。
半導体ウェハ30は、例えばシリコン(Si)や炭化ケイ素(SiC)等から形成されている。半導体ウェハ30の内部には、例えばダイオード、トランジスタ、又はサイリスタ等が形成されている。半導体ウェハ30は、平面視において円形状に形成されている。半導体ウェハ30は、表面301および裏面302を有している。半導体ウェハ30の表面301に接着剤50が塗布され、接着剤50を介して半導体ウェハ30が支持板1に接着される。半導体ウェハ30の裏面302は外部に露出する。なお、図1では半導体ウェハ30を点線で示している。
支持板1の材質としては、特に限定されるものではないが、例えばガラスや樹脂を用いることができる。また、接着剤50に紫外線を照射する観点から、支持板1は、紫外線透過性を有する材質から形成されていることが好ましい。
本体2は、平面視において円形状に形成されている。本体2の外径は、半導体ウェハ30の外径よりも大きい。本体2の厚みは、半導体ウェハ30を支持可能な厚みに設定されている。本体2の一方面(上面)に半導体ウェハ30が接着される。
凹部3は、平面視において円形状に形成されている。凹部3の径R1は、半導体ウェハ30の外径より大きい。凹部3の径R1は、壁部4の端部から壁部4の端部までの距離である。凹部3は本体2の上面側から下面側に向かって窪むように形成されている。また、凹部3は、本体2の中央部に向かって連続的に深くなるように形成されている。凹部3の底面5は、円錐面になっており、断面視においてV字状に形成されている。凹部3の中央部が周縁部より深くなっている(凹部3の周縁部が中央部より浅くなっている。)。凹部3の底面5は、断面視においてテーパ状に形成されており、凹部3の周縁部から中央部に向かって下方に傾斜している。底面5の傾斜角度は一定である。凹部3には、半導体ウェハ30を接着するための接着剤50が充填される。半導体ウェハ30が接着剤50を介して凹部3に接着される。
壁部4は、本体2の周縁部に形成されている。壁部4は、平面視において円環状に形成されている。壁部4は、凹部3の周囲に形成されており、凹部3を取り囲んでいる。壁部4よりも中央部側に凹部3が形成されている。壁部4は、凸状に形成されており、本体2から一方面側(上方)に向かって突出している。壁部4は、凹部3から接着剤50が外部に漏れることを防ぐために形成されている。壁部4の高さは、接着剤50が凹部3から漏れない高さに設定されている。例えば壁部4の高さは、60μm〜100μmに設定することが好ましい。半導体ウェハ30を凹部3に接着したときに、半導体ウェハ30の周縁部と壁部4の間に隙間が形成される。
接着剤50は、半導体ウェハ30を接着するための公知の接着剤を用いることができる。また、接着剤50としては、紫外線照射によって接着力が減少し、半導体ウェハ30を支持板1から剥がすことができる接着剤を用いることが好ましい。
次に、支持板1に半導体ウェハ30を接着する方法について説明する。支持板1に半導体ウェハ30を接着するときは、まず図3に示すように、半導体ウェハ30の表面301を上に向けた状態で、半導体ウェハ30の表面301に接着剤50を塗布する。接着剤50はスピンコート法により塗布することができる。接着剤50をスピンコート法により塗布すると、接着剤50が半導体ウェハ30の中央部において厚く塗布され、周縁部において薄く塗布される。スピンコート法は、回転する半導体ウェハ30の中央部に接着剤50を供給し、回転の遠心力により半導体ウェハ30の中央部から周縁部に接着剤50を塗り拡げる方法である。接着剤50は、半導体ウェハ30の周縁部より中央部において厚く盛り上がる。
次に、半導体ウェハ30および支持板1を加熱する。半導体ウェハ30を加熱すると、半導体ウェハ30に塗布された接着剤50が加熱される。これにより、接着剤50が高温になり、接着剤50の粘度を下げることができる。
次に、図4に示すように、半導体ウェハ30を接着剤50を介して支持板1に貼り付ける。接着剤50が支持板1の凹部3に充填され、半導体ウェハ30が凹部3に接着される。次に、支持板1と半導体ウェハ30を貼り付けた状態で、上下から両者を加圧し、加圧した状態で放置する。そうすると、接着剤50が冷却され固化する。このようにして半導体ウェハ30を支持板1に接着することにより、半導体ウェハ30を支持板1によって支持することができる。
また、支持板1によって半導体ウェハ30を支持した状態で、導体ウェハ30の裏面302を加工することができる。具体的には、半導体ウェハ30を薄板化するために半導体ウェハ30の裏面を研削および研磨する。例えば、砥石を用いたバックグラインドにより半導体ウェハ30の裏面を研削する。あるいは、研磨剤を用いたポリッシングにより半導体ウェハ30の裏面を研磨する。
上述の説明から明らかなように、本実施形態に係る支持板1によれば、半導体ウェハ30が支持板1に接着されると、接着剤50が凹部3に収容される。このとき、凹部3が本体2の中央部に向かって深くなっているので、接着剤50が凹部3に良好に収まる。すなわち、半導体ウェハ30に接着剤50が塗布されたときに半導体ウェハ30の中央部において接着剤50の厚みが厚くなっていたとしても、本体2の中央部において凹部3の深さが深くなっているので、厚い接着剤50が深い凹部3に良好に収まる。接着剤50が凹部3に良好に収まるので、半導体ウェハ30を水平に支持することができる。また、支持板1により半導体ウェハ30を水平に支持することができるので、半導体ウェハ30の裏面302を加工したときに、裏面302を平坦に加工することができる。半導体ウェハ30の面積が大きくなると半導体ウェハ30の傾きによる影響が大きくなるので、半導体ウェハ30を水平に支持することが効果的である。
以上、一実施形態について説明したが、具体的な態様は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では半導体ウェハ30に接着剤50をスピンコート法により塗布していたが、塗布方法は特に限定されるものではない。スピンコート法以外でも、接着剤50が半導体ウェハ30の中央部において厚く塗布され、周縁部において薄く塗布されることがある。
また、上記実施形態では凹部3の底面5がテーパ状に形成されていたが、この構成に限定されるものではなく、図5に示すように、凹部3の底面5が湾曲状に形成されていてもよい。底面5の傾斜角度は連続的に変化している。このような構成によっても本体2の中央部に向かって凹部3が深くなる。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
1;支持板
2;本体
3;凹部
4;壁部
5;底面
30;半導体ウェハ
50;接着剤
301;表面
302;裏面
2;本体
3;凹部
4;壁部
5;底面
30;半導体ウェハ
50;接着剤
301;表面
302;裏面
Claims (1)
- 半導体ウェハを加工するときに前記半導体ウェハを支持するための支持板であって、
前記半導体ウェハを支持可能な本体と、
前記本体の一方面に形成され、接着剤を介して前記半導体ウェハが接着される凹部と、を備え、
前記凹部は、前記本体の中央部に向かって深くなるように形成されている、支持板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013268633A JP2015126055A (ja) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | 支持板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013268633A JP2015126055A (ja) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | 支持板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015126055A true JP2015126055A (ja) | 2015-07-06 |
Family
ID=53536587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2013268633A Pending JP2015126055A (ja) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | 支持板 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2015126055A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017117965A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 半導体ウェハの保持方法及び半導体デバイスの製造方法 |
-
2013
- 2013-12-26 JP JP2013268633A patent/JP2015126055A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017117965A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 半導体ウェハの保持方法及び半導体デバイスの製造方法 |
KR20170076538A (ko) * | 2015-12-24 | 2017-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼의 보유 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR102615699B1 (ko) * | 2015-12-24 | 2023-12-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼의 보유 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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