JP2017034128A - 被加工物の加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】デバイスチップへの砥粒の付着を防止した被加工物の加工方法を提供する。【解決手段】被加工物の加工方法であって、被加工物（１１）の表面（１１ａ）から分割予定ラインに沿ってデバイスチップ（１７）の仕上がり厚さに相当する深さの分割溝（１５）を形成し、被加工物の裏面（１１ｂ）を研削して分割溝を裏面側に表出させることで、被加工物を個々のデバイスチップに分割する分割工程と、分割工程を実施した後、砥粒を含まない研磨液を被加工物に供給しながら砥粒を含む研磨パッド（４４）を用いて被加工物の裏面を研磨することで、被加工物の裏面の研削歪を除去するとともに、分割された個々のデバイスチップのエッジ部（１７ａ）を曲面状に加工する研磨工程と、を含む。【選択図】図１
Description
本発明は、板状の被加工物を複数のデバイスチップへと分割する被加工物の加工方法に関する。
携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器では、電子回路（デバイス）を備えるデバイスチップが必須の構成要素になっている。デバイスチップは、例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハの表面を複数の分割予定ライン（ストリート）で区画し、各領域に電子回路を形成した後、この分割予定ラインに沿ってウェーハを分割することによって製造される。
近年では、デバイスチップの小型化、軽量化等を目的として、上述のようなウェーハを研削等の方法で薄く加工する機会が増えている。例えば、デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝をウェーハの表面側に形成し、裏面側を研削して分割溝を表出させるＤＢＧ（Dicing Before Grinding）を用いれば、ウェーハを薄く加工しながら複数のデバイスチップへと分割できる（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
ところで、ウェーハを研削によって薄くすると、被研削面である裏面に研削歪が発生してデバイスチップの抗折強度は低下してしまう。そこで、ウェーハを研削した後には、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等の方法でウェーハを研磨して研削歪を除去している。
しかしながら、上述のＤＢＧによって研削、分割されたウェーハをＣＭＰで研磨すると、研磨液に含まれる遊離砥粒が分割溝に侵入してデバイスチップの側面に付着する。デバイスチップの側面に砥粒が付着すると、その後の工程において不具合が発生し易くなってしまう。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、デバイスチップへの砥粒の付着を防止した被加工物の加工方法を提供することである。
本発明によれば、板状の被加工物を分割予定ラインに沿って複数のデバイスチップに分割する被加工物の加工方法であって、該被加工物の表面から該分割予定ラインに沿って該デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成し、該被加工物の裏面を研削して該分割溝を該裏面側に表出させることで、該被加工物を個々の該デバイスチップに分割する分割工程と、該分割工程を実施した後、砥粒を含まない研磨液を該被加工物に供給しながら砥粒を含む研磨パッドを用いて該被加工物の裏面を研磨することで、該被加工物の該裏面の研削歪を除去するとともに、分割された個々の該デバイスチップのエッジ部を曲面状に加工する研磨工程と、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法が提供される。
本発明において、該研磨工程を実施した後、該被加工物の該裏面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程を更に備えることが好ましい。
また、本発明において、該研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）は、５５度〜９０度であり、該研磨パッドの圧縮率は、２％〜１５％であり、該研磨パッドに含まれる該砥粒の材質は、ダイヤモンド、グリーンカーボランダム、ホワイトアランダム、セリア又はジルコニアであり、該研磨パッドに含まれる該砥粒の粒径は、０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
また、本発明において、該研磨液は、アルカリ溶液であることが好ましい。
本発明に係る被加工物の加工方法では、研磨工程において、砥粒を含まない研磨液を被加工物に供給しながら砥粒を含む研磨パッドを用いて被加工物を研磨するので、砥粒を含む研磨液を用いる従来の方法のように、デバイスチップの側面に砥粒が付着することはない。
また、本発明に係る被加工物の加工方法では、研磨工程において、デバイスチップのエッジ部を曲面状に加工するので、デバイスチップの抗折強度を十分に高めることができる。
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態に係る被加工物の加工方法は、分割工程（図１、図２、図３（Ａ）、及び図３（Ｂ）参照）、研磨工程（図４（Ａ）、及び図４（Ｂ）参照）、及びゲッタリング層形成工程を含む。
分割工程では、被加工物の表面から分割予定ライン（ストリート）に沿ってデバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成した後、被加工物の裏面を研削して分割溝を裏面側に表出させる。これにより、被加工物は薄く加工され、複数のデバイスチップに分割される。
研磨工程では、砥粒を含まない研磨液を被加工物に供給しながら、砥粒を含む研磨パッドを用いて被加工物の裏面を研磨する。これにより、被加工物の裏面の研削歪は除去され、更に、デバイスチップのエッジ部が曲面状に加工される。ゲッタリング層形成工程では、被加工物の裏面にゲッタリング層を形成する。以下、本実施形態に係る被加工物の加工方法について詳述する。
まず、被加工物を複数のデバイスチップに分割する分割工程を実施する。図１は、分割工程において、被加工物に分割溝が形成される様子を模式的に示す斜視図であり、図２は、分割工程において、被加工物に保護部材が貼り付けられる様子を模式的に示す斜視図であり、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、分割工程において、被加工物が研削される様子を模式的に示す一部断面側面図である。
図１に示すように、本実施形態の被加工物１１は、例えば、シリコン等の半導体材料でなる円盤状のウェーハであり、その表面１１ａ側は、中央のデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域とに分けられている。デバイス領域は、格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）でさらに複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１３が形成されている。
なお、本実施形態では、シリコン等の半導体材料でなるウェーハを被加工物１１として用いるが、被加工物１１の材質、形状等に制限はない。例えば、セラミック、樹脂、金属等の材料でなる基板を被加工物１１として用いることもできる。同様に、分割予定ラインの配置やデバイス１３の種類等にも制限はない。
本実施形態に係る分割工程では、まず、この被加工物１１の表面１１ａ側に分割溝を形成する。分割溝は、例えば、図１に示す切削装置２を用いて形成される。切削装置２は、被加工物１１を吸引、保持するチャックテーブル４を備えている。チャックテーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
また、チャックテーブル４の下方には、テーブル移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４は、このテーブル移動機構で水平方向に移動する。チャックテーブル４の上面は、被加工物１１の裏面１１ｂ側を吸引、保持する保持面となっている。この保持面には、チャックテーブル４の内部に形成された流路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、被加工物１１を吸引するための吸引力が発生する。
チャックテーブル４の上方には、被加工物１１を切削する切削ユニット６が配置されている。切削ユニット６は、切削ユニット移動機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング８を備えている。スピンドルハウジング８の内部には、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されたスピンドル（不図示）が収容されている。
スピンドルは、回転駆動源から伝達される回転力によって水平方向に概ね平行な回転軸の周りに回転し、切削ユニット移動機構によってスピンドルハウジング８と共に移動する。また、スピンドルの一端部は、スピンドルハウジング８の外部に露出している。このスピンドルの一端部には、円環状の切削ブレード１０が装着されている。
分割溝を形成する際には、まず、被加工物１１の裏面１１ｂをチャックテーブル４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、被加工物１１は、表面１１ａが上方に露出した状態でチャックテーブル４に吸引、保持される。
次に、チャックテーブル４と切削ブレード１０とを相対的に移動、回転させて、切削ブレード１０を加工対象の分割予定ラインに対応する位置に合わせる。その後、回転させた切削ブレード１０をデバイスチップの仕上がり厚さに相当する高さまで下降させて、チャックテーブル４を加工対象の分割予定ラインと平行な方向に移動させる。
これにより、被加工物１１の表面１１ａ側を加工対象の分割予定ラインに沿って切削し、デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝１５を形成できる。この手順を繰り返し、全ての分割予定ラインに沿って分割溝１５が形成されると、分割溝の形成工程は終了する。
被加工物１１に分割溝１５を形成した後には、図２に示すように、被加工物１１の表面１１ａ側に保護部材２１を貼り付ける。保護部材２１は、例えば、被加工物１１と概ね同形の粘着テープ、樹脂基板、被加工物１１と同種又は異種のウェーハ等であり、その第１面２１ａ側には、接着剤等でなる接着層が設けられる。
よって、被加工物１１の表面１１ａ側に保護部材２１の第１面２１ａ側を接触させることで、保護部材２１を被加工物１１に貼り付けることができる。このように被加工物１１に保護部材２１を貼り付けることで、研削時に加わる荷重等によるデバイス１３の破損を防止できる。
被加工物１１に保護部材２１を貼り付けた後には、被加工物１１の裏面１１ｂを研削して分割溝１５を表出させる。被加工物１１の研削は、例えば、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す研削装置１２で実施される。研削装置１２は、被加工物１１を吸引、保持するチャックテーブル１４を備えている。
チャックテーブル１４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル１４の下方には、テーブル移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル１４は、このテーブル移動機構で水平方向に移動する。
チャックテーブル１４の上面は、被加工物１１に貼り付けられた保護部材２１の第２面２１ｂ側を吸引、保持する保持面１４ａとなっている。この保持面１４ａには、チャックテーブル１４の内部に形成された流路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、保護部材２１を吸引するための吸引力が発生する。
チャックテーブル１４の上方には、研削ユニット１６が配置されている。研削ユニット１６は、研削ユニット昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング１８を備える。スピンドルハウジング１８には、スピンドル２０が収容されており、スピンドル２０の下端部には、円盤状のマウント２２が固定されている。
マウント２２の下面には、マウント２２と概ね同径の研削ホイール２４が装着されている。研削ホイール２４は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台２６を備えている。ホイール基台２６の下面には、複数の研削砥石２８が環状に配列されている。
スピンドル２０の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。研削ホイール２４は、この回転駆動源から伝達される回転力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
被加工物１１の裏面１１ｂ側を研削する際には、まず、被加工物１１に貼り付けられた保護部材２１の第２面２１ｂをチャックテーブル１４の保持面１４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、被加工物１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル１４に吸引、保持される。
次に、チャックテーブル１４を研削ホイール２４の下方に移動させる。そして、図３（Ａ）に示すように、チャックテーブル１４と研削ホイール２４とをそれぞれ回転させて、純水等の研削液を供給しながらスピンドルハウジング１８を下降させる。スピンドルハウジング１８の下降量は、被加工物１１の裏面１１ｂに研削砥石２８の下面が押し当てられる程度に調整される。これにより、被加工物１１の裏面１１ｂ側を研削できる。
この研削は、例えば、被加工物１１の厚さを測定しながら行われる。図３（Ｂ）に示すように、被加工物１１が仕上がり厚さまで薄くなり、裏面１１ｂ側に分割溝１５が表出すると、分割工程は終了する。この分割工程によって、被加工物１１は、各デバイス１３に対応する複数のデバイスチップ１７に分割される。
分割工程の後には、被加工物１１の裏面１１ｂを研磨する研磨工程を実施する。図４（Ａ）は、研磨工程を模式的に示す一部断面側面図である。研磨工程は、例えば、図４（Ａ）に示す研磨装置３２で実施される。研磨装置３２は、被加工物１１を吸引、保持するチャックテーブル３４を備えている。
チャックテーブル３４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル３４の下方には、テーブル移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル３４は、このテーブル移動機構で水平方向に移動する。
チャックテーブル３４の上面は、被加工物１１に貼り付けられた保護部材２１の第２面２１ｂ側を吸引、保持する保持面３４ａとなっている。この保持面３４ａには、チャックテーブル３４の内部に形成された流路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、保護部材２１を吸引するための吸引力が発生する。
チャックテーブル３４の上方には、研磨ユニット３６が配置されている。研磨ユニット３６は、研磨ユニット昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング３８を備える。スピンドルハウジング３８には、スピンドル４０が収容されており、スピンドル４０の下端部には、円盤状のマウント４２が固定されている。
マウント４２の下面には、マウント４２と概ね同径の研磨パッド４４が装着されている。この研磨パッド４４は、例えば、不織布や発泡ウレタン等でなる研磨布と、研磨布に固定された砥粒とで構成される。研磨パッド４４の厚さは、例えば、３ｍｍ以上であり、研磨パッド４４の下面（研磨面）全体には、深さが２．５ｍｍ以上の溝が格子状に形成されている。
研磨パッド４４の硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）は、５５度〜９０度であることが望ましく、研磨パッド４４の圧縮率は、２％〜１５％であることが望ましい。なお、圧縮率は、３００ｇ／ｃｍ２の荷重をかけた場合の研磨パッド４４の厚さをｔ１、２０００ｇ／ｃｍ２の荷重をかけた場合の研磨パッド４４の厚さをｔ２として、（ｔ１−ｔ２）/ｔ１×１００で求められる。研磨パッド４４の圧縮率を２％〜１５％とすることで、高い研磨レートを維持しながら被加工物１１のエッジの欠けを抑制できる。
また、砥粒の材質は、例えば、ダイヤモンド、グリーンカーボランダム、ホワイトアランダム、セリア、ジルコニア等であり、砥粒の粒径は、例えば、０．０１μｍ〜１０μｍ、望ましくは、０．１μｍ〜２μｍである。ただし、砥粒の材質や砥粒の粒径は、被加工物１１の材質等に応じて任意に変更できる。
スピンドル４０の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。研磨パッド４４は、この回転駆動源から伝達される回転力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
被加工物１１の裏面１１ｂを研磨する際には、まず、被加工物１１に貼り付けられた保護部材２１の第２面２１ｂをチャックテーブル３４の保持面３４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、被加工物１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル３４に吸引、保持される。
次に、チャックテーブル３４を研磨パッド４４の下方に移動させる。そして、図４（Ａ）に示すように、チャックテーブル３４と研磨パッド４４とをそれぞれ回転させて、研磨液を供給しながらスピンドルハウジング３８を下降させる。スピンドルハウジング３８の下降量は、被加工物１１の裏面１１ｂに研磨パッド４４の下面（研磨面）が押し当てられる程度に調整される。これにより、被加工物１１の裏面１１ｂを研磨して研削歪を除去できる。
研磨液としては、例えば、砥粒を含まないアルカリ溶液を用いる。研磨液に砥粒を含ませると、裏面１１ｂ側に表出した分割溝１５に砥粒が残留し易くなるためである。本実施形態では、砥粒を含む研磨パッド４４を用いるので、研磨液に砥粒を含ませなくても被加工物１１を適切に研磨できる。なお、アルカリ溶液としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等を用いることができる。
図４（Ｂ）は、研磨工程後の被加工物１１を模式的に示す断面図である。本実施形態の研磨工程では、上述のように、砥粒を含まない研磨液を用いて被加工物１１を研磨するので、分割溝１５に相当するデバイスチップ１７の側面に砥粒が付着することはない。また、本実施形態の研磨工程では、下面に溝が形成された研磨パッド４４を用いるので、エッジ部１７ａを曲面状に加工してデバイスチップ１７の抗折強度を更に高めることができる。
研磨工程の後には、被加工物１１の裏面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程を実施する。ゲッタリング層形成工程は、例えば、研磨工程で使用された研磨装置３２を用いて、研磨工程と同様の方法で実施される。ただし、このゲッタリング層形成工程では、研磨パッド４４の下面（研磨面）を被加工物１１の裏面１１ｂに押し当てることなく接触させる。つまり、研磨パッド４４から被加工物１１に圧力をかけない。
このように、被加工物１１の裏面１１ｂを研磨パッド４４によって僅かに擦ることで、微細な歪を含むゲッタリング層が形成される。このゲッタリング層によって、金属元素等によるデバイス１３の汚染を防止できる。なお、分割工程で形成される研削歪を僅かに残存させて、ゲッタリング層とすることもできる。この場合には、研磨工程の後にゲッタリング層形成工程を実施する必要はない。
以上のように、本実施形態に係る被加工物の加工方法では、研磨工程において、砥粒を含まない研磨液を被加工物１１に供給しながら砥粒を含む研磨パッド４４を用いて被加工物１１を研磨するので、砥粒を含む研磨液を用いる従来の方法のように、デバイスチップ１７の側面に砥粒が付着することはない。
また、本実施形態に係る被加工物の加工方法では、研磨工程において、デバイスチップ１７のエッジ部１７ａを曲面状に加工するので、デバイスチップ１７の抗折強度を十分に高めることができる。
なお、本発明は、上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。また、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
１１ 被加工物
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ デバイス
１５ 分割溝
１７ デバイスチップ
１７ａ エッジ部
２１ 保護部材
２１ａ 第１面
２１ｂ 第２面
２ 切削装置
４ チャックテーブル
６ 切削ユニット
８ スピンドルハウジング
１０ 切削ブレード
１２ 研削装置
１４ チャックテーブル
１４ａ 保持面
１６ 研削ユニット
１８ スピンドルハウジング
２０ スピンドル
２２ マウント
２４ 研削ホイール
２６ ホイール基台
２８ 研削砥石
３２ 研磨装置
３４ チャックテーブル
３４ａ 保持面
３６ 研磨ユニット
３８ スピンドルハウジング
４０ スピンドル
４２ マウント
４４ 研磨パッド
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ デバイス
１５ 分割溝
１７ デバイスチップ
１７ａ エッジ部
２１ 保護部材
２１ａ 第１面
２１ｂ 第２面
２ 切削装置
４ チャックテーブル
６ 切削ユニット
８ スピンドルハウジング
１０ 切削ブレード
１２ 研削装置
１４ チャックテーブル
１４ａ 保持面
１６ 研削ユニット
１８ スピンドルハウジング
２０ スピンドル
２２ マウント
２４ 研削ホイール
２６ ホイール基台
２８ 研削砥石
３２ 研磨装置
３４ チャックテーブル
３４ａ 保持面
３６ 研磨ユニット
３８ スピンドルハウジング
４０ スピンドル
４２ マウント
４４ 研磨パッド
Claims (4)
- 板状の被加工物を分割予定ラインに沿って複数のデバイスチップに分割する被加工物の加工方法であって、
該被加工物の表面から該分割予定ラインに沿って該デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成し、該被加工物の裏面を研削して該分割溝を該裏面側に表出させることで、該被加工物を個々の該デバイスチップに分割する分割工程と、
該分割工程を実施した後、砥粒を含まない研磨液を該被加工物に供給しながら砥粒を含む研磨パッドを用いて該被加工物の裏面を研磨することで、該被加工物の該裏面の研削歪を除去するとともに、分割された個々の該デバイスチップのエッジ部を曲面状に加工する研磨工程と、
を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。 - 該研磨工程を実施した後、該被加工物の該裏面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の被加工物の加工方法。
- 該研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）は、５５度〜９０度であり、
該研磨パッドの圧縮率は、２％〜１５％であり、
該研磨パッドに含まれる該砥粒の材質は、ダイヤモンド、グリーンカーボランダム、ホワイトアランダム、セリア又はジルコニアであり、
該研磨パッドに含まれる該砥粒の粒径は、０．０１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の被加工物の加工方法。 - 該研磨液は、アルカリ溶液であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の被加工物の加工方法。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019140387A (ja) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | 株式会社ディスコ | ウェハの処理方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005311025A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Naoetsu Electronics Co Ltd | シリコンウエーハの製造方法及びそれにより製造されたシリコンウエーハ |
| JP2006080329A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 化学的機械的研磨装置 |
| JP2007194471A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研磨方法 |
| JP2010182753A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| JP2013235876A (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2015046550A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 株式会社ディスコ | 研磨パッドおよびウエーハの加工方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS624341A (ja) | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3464388B2 (ja) | 1998-07-01 | 2003-11-10 | 株式会社東芝 | 半導体ウェーハの分割加工方法 |
-
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005311025A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Naoetsu Electronics Co Ltd | シリコンウエーハの製造方法及びそれにより製造されたシリコンウエーハ |
| JP2006080329A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 化学的機械的研磨装置 |
| JP2007194471A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研磨方法 |
| JP2010182753A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| JP2013235876A (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2015046550A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 株式会社ディスコ | 研磨パッドおよびウエーハの加工方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019140387A (ja) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | 株式会社ディスコ | ウェハの処理方法 |
| KR20190098722A (ko) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼 처리 방법 |
| US10727128B2 (en) | 2018-02-14 | 2020-07-28 | Disco Corporation | Method of processing a wafer |
| KR102351842B1 (ko) * | 2018-02-14 | 2022-01-18 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼 처리 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| CN106409761A (zh) | 2017-02-15 |
| KR20170016284A (ko) | 2017-02-13 |
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