JP2008126152A - 塗布装置 - Google Patents

Abstract

【課題】塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮可能な塗布装置を提供する。
【解決手段】制御装置６１は、ステージ３２に配置された複数の距離センサ５１ｅ，５１ｊ，５１ｏから入力される第２の測定信号に基づいてステージ３２からの基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さを算出し、その高さが高いところほど吸着力を大きくすべく、基板Ｗ１をステージ３２上に吸着固定するための吸着装置を制御する。その後、制御装置６１は、新たに入力された第２の測定信号に基づき、基板Ｗ１の上面Ｗ１ａのステージ３２からの高さを基板Ｗ１全体に渡って算出し、該高さが所定の上面許容範囲に含まれる場合には、該高さの平均値の、上面基準高さに対するずれ量を補正値として算出した後に、塗布ノズル４２を、ノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせてシール材Ｒの塗布を行う。
【選択図】図２

Description

本発明は、塗布ノズルから液体材料を吐出させて基板の上面に該液体材料を塗布する塗布装置に関するものである。

ステージと、該ステージの上方に配置され液体材料を吐出する塗布ノズルとを相対移動させて、ステージ上に配置されたガラス基板等の上面に連続的に若しくは断続的に当該液体材料を塗布する塗布装置では、基板に歪みが生じていると、液体材料が一定の高さとなるように該液体材料を基板の上面に塗布することが困難である。そこで、特許文献１に記載されている塗布装置では、先端に塗布ノズルが装着されたシリンジに高さセンサが固定されている。そして、液体材料を連続的に基板の上面に塗布する場合には、塗布ノズルの先端から液体材料を吐出させるとともに、塗布ノズルとステージとを相対移動させる。同時に、高さセンサによって、塗布ノズルの前方側でステージ上の基板の上面からの塗布ノズルの先端の高さを測定するとともに、測定結果に基づいて、制御装置が、塗布ノズルの先端の高さが基板の上面に対して一定となるようにシリンジを昇降させて塗布ノズルの高さを調整する。

また、特許文献１に記載の塗布装置では、基板の上面に液体材料にて複数のパターンを描画する場合、基板上面における各パターンの中央となる代表計測点からの塗布ノズルの先端の高さを、シリンジに設けられた高さセンサにて測定する。その後、その測定結果に基づいて塗布ノズルの先端の高さが基板の上面に対して一定となるように塗布ノズルを昇降させて、基板の上面に液体材料にて所望のパターンを描画する。
特開平９−９９２６８号公報

しかしながら、特許文献１に記載の塗布装置では、液体材料の塗布を行いながら、ステージ上の基板の上面からの塗布ノズルの先端の高さを高さセンサにて測定し、その測定結果に基づいて塗布ノズルを昇降させる場合、制御装置は、高さセンサと塗布ノズルの先端との間の距離だけ塗布ノズルが進む間に、高さセンサによる測定結果に基づいて塗布ノズルの昇降量を算出するとともに、算出した昇降量だけ塗布ノズルを昇降させることになる。従って、昇降量の算出及び塗布ノズルの昇降に一定の時間を要し、高さセンサによる測定から液体材料を塗布可能な状態とするまでにタイムラグが発生するため、液体材料を塗布する速度の高速化には限界がある。

また、特許文献１に記載の塗布装置において、基板の上面に複数のパターンを描画する場合、パターンが大型化されて１つのパターン当たりの代表計測点の数が増大すると、各代表計測点にシリンジを移動させて、代表計測点からの塗布ノズルの先端の高さを順に測定することになるため、測定に要する時間が長くなってしまう。その結果、各パターンを描画するために要する時間が長くなってしまう。

本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる塗布装置を提供することにある。

上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、前記ステージに配置され、前記基板の上面の前記ステージからの高さに応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の固定測定手段と、前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、複数の前記測定信号に基づいて前記基板の上面の前記ステージからの高さを算出し、算出した該高さが高いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて前記基板の上面の前記ステージからの高さを前記基板全体に渡って算出し、算出した該高さが、前記基板の上面の前記ステージからの基準の高さである上面基準高さに基づいて設定された上面許容範囲に含まれる場合には、算出した該高さの平均値の、前記上面基準高さに対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことをその要旨としている。

同構成によれば、制御手段は、複数の固定測定手段がそれぞれ出力する測定信号に基づいて基板の上面のステージからの高さを算出し、吸着手段を制御して、算出した高さが高いところほど該基板に対する吸着力を大きくする。一般的に、基板に歪みが生じていると、歪みが大きいところほど基板の上面のステージからの高さが高くなる。従って、算出した高さが高いところほど基板に対する吸着力を大きくすることにより、基板において歪みが生じている部分は、より大きな吸着力でステージ側に引き寄せられるため、基板の歪みが減少される。そして、基板への液体材料の塗布は、基板の上面のステージからの高さが上面許容範囲に含まれる場合、即ち基板の歪みが一定以下になっている場合にのみ行われることから、制御手段が、塗布ノズルの高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さとして基板の上面への液体材料の塗布を行うことにより、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保って液体材料の塗布を行うことができる。また、従来のように、液体材料の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を測定して塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を一定に保つための塗布ノズルの昇降量を算出しなくてもよいとともに、液体材料の塗布中には、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離に応じて塗布ノズルが昇降されない。従って、液体材料を基板の上面に塗布する速度、即ち基板に対する塗布ノズルの移動速度を従来よりも高速化することができる。これらのことから、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本塗布装置においては、基板の上面と塗布ノズルの先端との間の距離がほぼ一定に保たれることから、基板の上面に塗布された液体材料の形状が安定される。

請求項２に記載の発明は、ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、前記ステージに配置され、前記基板の上面及び下面の前記ステージからの高さに応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の固定測定手段と、前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、複数の前記測定信号に基づいて前記基板の下面の前記ステージからの高さを算出し、算出した該高さが高いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて前記基板の上面の前記ステージからの高さを前記基板全体に渡って算出し、算出した該高さが、前記基板の上面の前記ステージからの基準の高さである上面基準高さに基づいて設定された上面許容範囲に含まれる場合には、算出した該高さの平均値の、前記上面基準高さに対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことをその要旨としている。

同構成によれば、制御手段は、複数の固定測定手段がそれぞれ出力する測定信号に基づいて基板の下面のステージからの高さを算出し、吸着手段を制御して、算出した高さが高いところほど該基板に対する吸着力を大きくする。一般的に、基板に歪みが生じていると、歪みが大きいところほど基板の下面のステージからの高さが高くなる。従って、算出した高さが高いところほど基板に対する吸着力を大きくすることにより、基板において歪みが生じている部分は、より大きな吸着力でステージ側に引き寄せられるため、基板の歪みが減少される。そして、基板への液体材料の塗布は、基板の上面のステージからの高さが上面許容範囲に含まれる場合、即ち基板の歪みが一定以下になっている場合にのみ行われることから、制御手段が、塗布ノズルの高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さとして基板の上面への液体材料の塗布を行うことにより、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保って液体材料の塗布を行うことができる。また、従来のように、液体材料の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を測定して塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を一定に保つための塗布ノズルの昇降量を算出しなくてもよいとともに、液体材料の塗布中には、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離に応じて塗布ノズルが昇降されない。従って、液体材料を基板の上面に塗布する速度、即ち基板に対する塗布ノズルの移動速度を従来よりも高速化することができる。これらのことから、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本塗布装置においては、基板の上面と塗布ノズルの先端との間の距離がほぼ一定に保たれることから、基板の上面に塗布された液体材料の形状が安定される。

請求項３に記載の発明は、ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、前記ステージ上に架け渡され前記ステージに対して相対移動される移動手段と、前記移動手段に配置され、前記ステージに対する前記移動手段の相対移動に伴って前記ステージに対して相対移動されるとともに、前記ステージ上の前記基板を走査して前記基板の上面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の移動測定手段と、前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、複数の前記移動測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から、前記基板の上面までの距離を算出し、算出した該距離が短いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて、前記ノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から前記基板の上面までの距離を前記基板全体に渡って算出し、算出した該距離が、前記塗布ノズルと前記基板の上面との間の基準の距離である基準距離に基づいて設定された距離許容範囲に含まれる場合には、算出した該距離の平均値の、前記基準距離に対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記ノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことをその要旨としている。

同構成によれば、制御手段は、複数の移動測定手段がそれぞれ出力する測定信号に基づいて、ノズル基準高さにある塗布ノズルの先端から、基板の上面までの距離を算出し、吸着手段を制御して、算出した距離が短いところほど該基板に対する吸着力を大きくする。一般的に、基板に歪みが生じていると、歪みが大きいところほどステージと基板の上面との間の距離が大きくなるため、歪みが大きいところほど、ノズル基準高さにある塗布ノズルの先端から基板の上面までの距離が短くなる。従って、算出した距離が短いとろころほど吸着力を大きくすることにより、基板において歪みが生じている部分は、より大きな吸着力でステージ側に引き寄せられるため、基板の歪みが減少される。そして、基板への液体材料の塗布は、ノズル基準高さにある塗布ノズルの先端から基板の上面までの距離が距離許容範囲に含まれる場合、即ち基板の歪みが一定以下になっている場合にのみ行われることから、制御手段が、塗布ノズルの高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さとして基板の上面への液体材料の塗布を行うことにより、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保って液体材料の塗布を行うことができる。また、従来のように、液体材料の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を測定して塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を一定に保つための塗布ノズルの昇降量を算出しなくてもよいとともに、液体材料の塗布中には、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離に応じて塗布ノズルが昇降されない。従って、液体材料を基板の上面に塗布する速度、即ち基板に対する塗布ノズルの移動速度を従来よりも高速化することができる。これらのことから、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本塗布装置においては、基板の上面と塗布ノズルの先端との間の距離がほぼ一定に保たれることから、基板の上面に塗布された液体材料の形状が安定される。

請求項４に記載の発明は、ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、前記ステージ上に架け渡され前記ステージに対して相対移動される移動手段と、前記移動手段に配置され、前記ステージに対する前記移動手段の相対移動に伴って前記ステージに対して相対移動されるとともに、前記ステージ上の前記基板を走査して該基板の上面及び下面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の移動測定手段と、前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、複数の前記移動測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から、前記基板の下面までの距離を算出し、算出した該距離が短いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて、前記ノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から前記基板の上面までの距離を前記基板全体に渡って算出し、算出した該距離が、前記塗布ノズルと前記基板の上面との間の基準の距離である基準距離に基づいて設定された距離許容範囲に含まれる場合には、算出した該距離の平均値の、前記基準距離に対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記ノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことをその要旨としている。

同構成によれば、制御手段は、複数の移動測定手段がそれぞれ出力する測定信号に基づいて、ノズル基準高さにある塗布ノズルの先端から、基板の下面までの距離を算出し、吸着手段を制御して、算出した距離が短いところほど該基板に対する吸着力を大きくする。一般的に、基板に歪みが生じていると、歪みが大きいところほどステージと基板の下面との間の距離が大きくなるため、歪みが大きいところほど、ノズル基準高さにある塗布ノズルの先端から基板の下面までの距離が短くなる。従って、算出した距離が短いとろころほど吸着力を大きくすることにより、基板において歪みが生じている部分は、より大きな吸着力でステージ側に引き寄せられるため、基板の歪みが減少される。そして、基板への液体材料の塗布は、ノズル基準高さにある塗布ノズルの先端から基板の上面までの距離が距離許容範囲に含まれる場合、即ち基板の歪みが一定以下になっている場合にのみ行われることから、制御手段が、塗布ノズルの高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さとして基板の上面への液体材料の塗布を行うことにより、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保って液体材料の塗布を行うことができる。また、従来のように、液体材料の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を測定して塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を一定に保つための塗布ノズルの昇降量を算出しなくてもよいとともに、液体材料の塗布中には、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離に応じて塗布ノズルが昇降されない。従って、液体材料を基板の上面に塗布する速度、即ち基板に対する塗布ノズルの移動速度を従来よりも高速化することができる。これらのことから、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本塗布装置においては、基板の上面と塗布ノズルの先端との間の距離がほぼ一定に保たれることから、基板の上面に塗布された液体材料の形状が安定される。

請求項５に記載の発明は、請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の塗布装置において、前記制御手段は、前記液体材料を前記基板の上面に塗布する場合には、予め測定した前記ステージの上面の平坦度に基づいて設定されたステージ補正量の分だけ前記塗布ノズルを昇降させることをその要旨としている。

同構成によれば、液体材料の塗布中に制御手段によってステージ補正量の分だけ塗布ノズルが昇降されることにより、ステージの上面と塗布ノズルの先端との間の距離が一定に保たれる。その結果、ステージ上に配置された基板の上面と塗布ノズルの先端との間の距離をより一定に近い状態に保つことができる。尚、本発明における「平坦度」には、ステージの上面の傾斜の度合いも含まれるものとする。

請求項６に記載の発明は、請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の塗布装置において、前記制御手段は、前記基板の中央から周囲に向かって順に該基板が前記ステージ上に吸着されるように前記吸着手段を制御することをその要旨としている。

同構成によれば、基板の中央から周囲に向かって順に吸着することにより、基板の平坦化が容易となる。

本発明によれば、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離をほぼ一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することが可能な塗布装置を提供することができる。

（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図面に従って説明する。
図１は、液晶表示装置の製造工程のうち、セル製造工程における液晶注入及び貼合わせを行う工程を実施する貼合わせ基板製造装置の概略構成図である。

貼合わせ基板製造装置２１は、供給される２種類の基板Ｗ１，Ｗ２の間に液晶を封入して液晶表示パネルを製造する。尚、本実施形態の装置にて製造される液晶表示パネルは、例えばアクティブマトリクス液晶表示パネルである。そして、下基板Ｗ１は、ガラス基板上にＴＦＴ等が形成されたアレイ基板（ＴＦＴ基板）であり、上基板Ｗ２は、ガラス基板上にカラーフィルタや遮光膜等が形成されたカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）である。これらの下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２は、それぞれの工程によって作成され供給される。

貼合わせ基板製造装置２１は、制御装置２２と、該制御装置２２が制御する塗布装置としてのシール描画装置２３と液晶滴下装置２４と貼合わせ装置２５と検査装置２６とを備えている。貼合わせ装置２５は、プレス装置２７と硬化装置２８とから構成されるとともに、これら装置２７，２８は、制御装置２２により制御される。また、貼合わせ基板製造装置２１は、供給される下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２を搬送する搬送装置２９ａ〜２９ｄを備えている。そして、制御装置２２は、搬送装置２９ａ〜２９ｄを制御し、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２とそれにより製造された貼合わせ基板Ｗ３とを搬送する。

貼合わせ基板製造装置２１について詳述すると、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２は、まずシール描画装置２３に供給される。シール描画装置２３は、下基板Ｗ１の上面にシール材を枠状に塗布する。シール材には、少なくとも光硬化性接着剤を含む接着剤が用いられる。そして、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２は搬送装置２９ａに供給されるとともに、該搬送装置２９ａは下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２を一組にして液晶滴下装置２４に搬送する。

液晶滴下装置２４は、搬送された下基板Ｗ１の予め設定された複数の位置に液晶を滴下する。そして、液晶が滴下された下基板Ｗ１と、上基板Ｗ２とは、搬送装置２９ｂによりプレス装置２７に搬送される。

プレス装置２７は、処理室としてのチャンバ（図示略）を備えている。下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２は、搬送装置２９ｂによりチャンバ内に搬送されるとともに、チャンバ内で互いに対向するように且つ水平に配置される。プレス装置２７は、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２がチャンバ内に搬送された後に、チャンバ内の真空引きを行う。次いで、プレス装置２７は、位置合わせマーク（アライメントマーク）を用いて光学的に下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２の位置合わせを非接触にて（少なくとも下基板Ｗ１の上面のシール材に上基板Ｗ２の下面が接触しない状態で）行う。そして、プレス装置２７は、下基板Ｗ１と上基板Ｗ２との間隔が、前記シール材が密着する所定の間隔となるまで加圧した後に、チャンバを大気開放する。これにより、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２は、大気圧との圧力差により、所定のセル厚（セルギャップ）とする最終の基板間隔まで圧縮されるとともに、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２が密着されて両基板Ｗ１，Ｗ２の相対的な位置ズレが生じ難くなる。

貼り合わせられた下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２、即ち貼合わせ基板Ｗ３は、搬送装置２９ｃにより硬化装置２８に搬送される。この時、前記制御装置２２は、下基板Ｗ１と上基板Ｗ２とが貼り合わせられてからの時間経過を監視しており、予め定めた時間が経過すると搬送装置２９ｃを駆動して貼合わせ基板Ｗ３を硬化装置２８に供給する。硬化装置２８は、貼合わせ基板Ｗ３に所定の波長を有する光を照射して前記シール材を硬化させる。

このように、貼り合わせられた下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２には、貼り合わせから所定時間経過後にシール材を硬化させるための光が照射される。この所定時間は、液晶の拡散速度と、貼り合わせ時に両基板Ｗ１，Ｗ２に加えられる圧力により貼合わせ基板Ｗ３に残留する応力の開放に要する時間に基づいて予め実験により求められている。また、プレス装置２７により下基板Ｗ１と上基板Ｗ２との間に封入された液晶は、基板Ｗ１，Ｗ２の貼り合わせ時に加えられる圧力及び大気圧によって拡散する。そして、この液晶の拡散が終了した後に、シール材を硬化させる。

シール材が硬化された貼合わせ基板Ｗ３は、搬送装置２９ｄにより検査装置２６に搬送される。検査装置２６は、搬送された貼合わせ基板Ｗ３における下基板Ｗ１と上基板Ｗ２との位置ズレ（位置ズレの方向及び位置ズレの量）を測定し、その測定値を制御装置２２に出力する。制御装置２２は、検査装置２６の検査結果に基づいて、プレス装置２７における位置合わせに補正を加える。即ち、シール材が硬化した貼合わせ基板Ｗ３における下基板Ｗ１と上基板Ｗ２とのズレ量を、その位置ズレの方向と反対方向に予めずらしておくことで、次に製造される貼合わせ基板Ｗ３における下基板Ｗ１と上基板Ｗ２との位置ズレを制御する。

次に、シール描画装置２３について詳述する。
図２は、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにシール材Ｒを塗布するシール描画装置２３を側方から見た概略図である。

図２に示すように、シール描画装置２３を構成する直方体状の基台３１上には、基台３１よりも小さめの直方体状をなすステージ３２が載置されるとともに、同基台３１には、ステージ３２を跨ぐようにガントリ３３が設けられている。ガントリ３３は、基台３１から上方に向かって互いに平行に延びる一対の支持脚３３ａと、２つの支持脚３３ａ間に掛け渡され該支持脚３３ａの上端同士を連結する連結部３３ｂとが一体に形成されてなり、側方から見た形状がコ字状をなしている。一対の支持脚３３ａの基端部は、基台３１の上面においてステージ３２の両側に該ステージ３２に沿って平行に形成された一対の案内溝３１ａ内にそれぞれ挿入されている。そして、ガントリ３３は、基台３１内に一対の支持脚３３ａにそれぞれ対応して設けられたｙ軸アクチュエータ３４により、案内溝３１ａに沿ってｙ方向に移動される。尚、図２においては、紙面垂直方向がｙ方向となっている。

前記連結部３３ｂには、ｘ軸アクチュエータ３５の駆動力により該連結部３３ｂに沿ってｘ方向に移動されるｘ軸ベース３６が設けられるとともに、該ｘ軸ベース３６には、ｚ軸アクチュエータ３７の駆動力によりｚ方向に沿って移動されるｚ軸ベース３８が設けられている。尚、ｘ方向はｙ方向と直交する方向であるとともに、ｚ方向はｙ方向及びｘ方向の両方向と直交する方向である。そして、図２においては、左右方向がｘ方向、上下方向がｚ方向となっている。

前記ｚ軸ベース３８には、略円筒状のシリンジ４１が該ｚ軸ベース３８と一体移動可能に取り付けられるとともに、該シリンジ４１内には、下基板Ｗ１に塗布するためのシール材Ｒが充填されている。このシール材Ｒは、前述したように、少なくとも光硬化性接着剤を含む接着剤である。また、シリンジ４１の下端部は、下端に向かうに連れてその直径が小さくなる円錐形状に形成されるとともに、その下端には、塗布ノズル４２が取着されている。

また、ｚ軸ベース３８の下端には、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を測定するための距離センサ４３が固定されている。距離センサ４３は、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに垂直に光を照射してその反射光を受光することにより、受光した反射光に基づいて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離に応じた第１の測定信号Ｓ１を出力する。

前記ステージ３２は、その上面３２ａが水平に形成されるとともに、図３に示すように、ステージ３２の上面３２ａに対し、複数（本実施形態では３２個）の吸着領域Ａが設定されている。３２個の吸着領域Ａは、それぞれ四角形状をなすとともに、ステージ３２の上面３２ａにおいて下基板Ｗ１が配置される範囲に均等に設定されている。また、各吸着領域Ａ内には、複数（本実施形態では１２個）の吸引孔３２ｂがマトリクス状に形成されている。そして、ステージ３２内に設けられた吸着装置４５（図６参照）は、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１とステージ３２との間の気体を吸引孔３２ｂから吸引することにより、ステージ３２と下基板Ｗ１との間に真空吸着力を発生させ、該真空吸着力によりステージ３２上に下基板Ｗ１を固定する。また、吸着装置４５は、ステージ３２上の下基板Ｗ１に対する真空吸着力の大きさを吸着領域Ａごとに変化可能に構成されている。

図４に示すように、ステージ３２の上面３２ａには、複数（本実施形態では１５個）の収容凹部３２ｃが形成されている。これら１５個の収容凹部３２ｃは、ステージ３２の上面に下基板Ｗ１が配置された場合に、該下基板Ｗ１とｚ方向に対向する位置に形成されている。詳述すると、１５個の収容凹部３２ｃは、ステージ３２の長手方向に沿って５個ずつ３列に並ぶように形成されている。また、各列を構成する５個ずつの収容凹部３２ｃはｙ方向に等間隔に設けられるとともに、収容凹部３２ｃが構成する３つの列は、ｘ方向に等間隔となるように設けられている。そして、１５個の収容凹部３２ｃ内には、それぞれ１つずつ距離センサ５１ａ〜５１ｏが収容されている。これら距離センサ５１ａ〜５１ｏは、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａのステージ３２の上面３２ａからの高さ、及び同下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂのステージ３２の上面３２ａからの高さを測定するためのものである。

図５に示すように、各距離センサ５１ａ〜５１ｏの上端部は、三角形状に切り込まれており、切り込み部分に、互いに対向する２つの斜面５２，５３が形成されている。これら斜面５２，５３のうち、一方の斜面５２には発光素子５４が設けられるとともに、他方の斜面５３には受光素子５５が設けられている。発光素子５４は下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに光（図５中、破線参照）を照射するものであり、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにて反射した反射光及び下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂにて反射した反射光を受光素子５５が受光する。この受光素子５５は、例えばＰＳＤ（Position Sensitive Detector ）にて構成されるとともに、該受光素子５５における前記反射光の受光位置に応じた第２の測定信号Ｓ２を出力する。尚、図５においては、歪みの無い下基板Ｗ１を実線にて図示するとともに、歪みの無い下基板Ｗ１にて反射した反射光を破線にて図示している。また、歪みのある下基板Ｗ１を二点鎖線にて図示するとともに、歪みのある下基板Ｗ１にて反射した反射光を一点鎖線にて図示している。

図６に示すように、前記ｙ軸アクチュエータ３４、ｘ軸アクチュエータ３５、ｚ軸アクチュエータ３７、距離センサ４３、吸着装置４５、及び距離センサ５１ａ〜５１ｏは、制御装置６１によって制御される。

詳述すると、制御装置６１は、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにシール材Ｒにて所望のパターンを描画すべく、前記ｙ軸アクチュエータ３４、ｘ軸アクチュエータ３５及びｚ軸アクチュエータ３７を制御する。また、制御装置６１は、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１のステージ３２に対する固定及び固定解除を行うべく前記吸着装置４５を制御するとともに、吸着領域Ａごとに下基板Ｗ１を吸着する真空吸着力を調整する。

更に、制御装置６１は、前記距離センサ４３から入力される第１の測定信号Ｓ１、及び前記距離センサ５１ａ〜５１ｏから入力される第２の測定信号Ｓ２に基づいて、種々の値を算出する。例えば、制御装置６１は、第１の測定信号Ｓ１に基づいて、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を算出する。また、制御装置６１は、距離センサ５１ａ〜５１ｏからそれぞれ入力される第２の測定信号Ｓ２に基づいて、三角測量方式により、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａのステージ３２の上面３２ａからの高さや、同下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂのステージ３２の上面３２ａからの高さを算出する。

尚、制御装置６１は、ステージ３２の上面３２ａの平坦度（傾斜の度合いを含む）を事前に測定し、その測定結果に基づいて算出されたステージ補正量を持っている。ステージ補正量は、完全に平坦（水平）な状態のステージの上面に対するステージ３２の上面３２ａのずれ量（ｚ方向のずれ量）であるとともに、ステージ３２の上面３２ａ全体に対応して算出されている。そして、このステージ補正量は、最初にステージ３２を設置した場合に、該ステージ３２の上面３２ａの平坦度を測定して算出される他、シール描画装置２３のメンテナンス等の際に、上面３２ａの平坦度を測定して算出され更新される。

次に、上記のようなシール描画装置２３にて行われる、下基板Ｗ１へのシール材Ｒの塗布について詳述する。
［第１工程］
まず、ステージ３２上の所定位置に下基板Ｗ１が配置される。この時、制御装置６１は、塗布ノズル４２の先端とステージ３２の上面３２ａとの間に下基板Ｗ１の厚さ以上の間隔が設けられる位置にシリンジ４１を配置している。

［第２工程］
次に、制御装置６１は、吸着装置４５を駆動して、下基板Ｗ１を真空吸着力によりステージ３２上に固定（仮固定）する。この時、制御装置６１は、下基板Ｗ１の中央から周囲に向かって順に該下基板Ｗ１を吸着するように吸着装置４５を制御する。またこの時、制御装置６１は、各吸着領域Ａにおける真空吸着力が等しくなるように吸着装置４５を制御するとともに、当該真空吸着力の大きさが、下基板Ｗ１のステージ３２に対する相対移動を最低限阻止する程度の大きさとなるように吸着装置４５を制御している。

［第３工程］
次に、制御装置６１は、距離センサ５１ａ〜５１ｏを駆動して、各距離センサ５１ａ〜５１ｏにより、各距離センサ５１ａ〜５１ｏが配置された１５箇所の点における、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さを測定する。

［第４工程］
次に、制御装置６１は、各距離センサ５１ａ〜５１ｏから入力された第２の測定信号Ｓ２に基づいて、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さを、下基板Ｗ１の上面全体に渡って演算により求める。

［第５工程］
次に、制御装置６１は、算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さに応じて、吸着領域Ａごとの真空吸着力を調整する。

ここで、一般的に、下基板Ｗ１に歪みが生じていると、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１は、部分的に盛り上がった形状を有することになる。そのため、下基板Ｗ１において歪みが生じている部分では、下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂとステージ３２の上面３２ａとの間に隙間が生じることになる。そこで、制御装置６１は、算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さに応じて、当該高さが高いところほど真空吸着力が大きくなるように、吸着装置４５を制御して吸着領域Ａごとに真空吸着力を制御する。即ち、制御装置６１は、算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さが高い部分に対応する吸着領域Ａの真空吸着力が大きくなるように、吸着装置４５を制御する。この時、制御装置６１は、第２工程で下基板Ｗ１をステージ３２上に固定した真空吸着力を維持したまま、算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さに応じた大きさの真空吸着力を、下基板Ｗ１全体に渡って同時に発生させるように吸着装置４５を制御する。これにより、ステージ３２上の下基板Ｗ１において盛り上がっていた部分がステージ３２側に吸い寄せられ、該下基板Ｗ１は、歪みが減少するように矯正される。

［第６工程］
次に、制御装置６１は、再度、距離センサ５１ａ〜５１ｏを駆動して、各距離センサ５１ａ〜５１ｏにより、各距離センサ５１ａ〜５１ｏが配置された１５箇所の点における、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さ、及びステージ３２の上面３２ａからの同下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さを測定する。

［第７工程］
次に、制御装置６１は、各距離センサ５１ａ〜５１ｏから新たに入力される第２の測定信号Ｓ２に基づいて、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さを、下基板Ｗ１の上面全体に渡って演算により求める。そして、制御装置６１は、演算により求めた上面３２ａからの上面Ｗ１ａの高さが、所定の上面許容範囲に含まれるか否かを判定する。尚、本実施形態において、上面許容範囲とは、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａのステージ３２の上面３２ａからの基準の高さである上面基準高さに対して許容される誤差を加えた範囲であり、例えば上面基準高さを中心とした所定の領域である。また、上面基準高さは、厚さに誤差が無く且つ歪みの無い下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａのステージ３２の上面３２ａからの高さである。

そして、算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さが上面許容範囲内に含まれる場合には、制御装置６１は、上面３２ａからの上面Ｗ１ａの高さの平均値を算出し、当該平均値の上面基準高さに対するずれ量を補正値として算出する。その後、制御装置６１は、ｚ軸アクチュエータ３７を制御して、塗布ノズル４２の高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さに合わせる。尚、「ノズル基準高さ」は、予め設定された値であり、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに対して塗布するシール材Ｒが所望の高さ且つ幅となるように考慮して設定された塗布ノズル４２の高さである。

一方、算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さが上面許容範囲内に含まれない場合には、制御装置６１は、新たに入力された第２の測定信号Ｓ２に基づいてステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さを算出する。そして、制御装置６１は、第５工程に戻り、再度算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さに基づいて、当該高さが高いところほど更に真空吸着力が大きくなるように、吸着装置４５を制御して吸着領域Ａごとに真空吸着力を制御する。この時、制御装置６１は、前回の吸着装置４５の制御のときよりも大きな真空吸着力が発生するように吸着装置４５を制御する。その後、第６工程及び当該第７工程を再度行う。尚、予め設定された回数だけ、第５乃至第７工程を繰り返しても、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さが上面許容範囲に含まれない場合には、製造を中断する。

［第８工程］
次に、制御装置６１は、ｙ軸アクチュエータ３４及びｘ軸アクチュエータ３５を駆動して、先端に塗布ノズル４２を有するシリンジ４１をステージ３２に対して移動させ、塗布ノズル４２から吐出されるシール材Ｒを下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに連続的に塗布する。これにより、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに、シール材Ｒにて所望のパターンが描画される。そして、真空吸着力を調整することにより下基板Ｗ１の歪みが矯正されて同下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａのステージ３２の上面３２ａからの高さが上面許容範囲内の値となっていることから、塗布ノズル４２の高さがノズル基準高さに補正値を加えた高さとされることにより、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離がほぼ一定に保たれる。

尚、同工程において、制御装置６１は、シリンジ４１のｘ方向及びｙ方向の位置に応じて、前記ステージ補正量の分だけ塗布ノズル４２を昇降させる。また、制御装置６１は、同工程中において、距離センサ４３を駆動して、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を測定するとともに、距離センサ４３から入力される第１の測定信号Ｓ１に基づいて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を算出する。そして、制御装置６１は、算出した下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が、予め設定された閾値を越えた場合には、塗布ノズル４２からのシール材Ｒの吐出及び各アクチュエータ３４，３５，３７の駆動を停止する。尚、「閾値」は、塗布ノズル４２の先端がノズル基準高さにある場合における塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離を中心とした所定の領域の上限値と下限値に該当する。そして、「閾値を越える」とは、第１の測定信号Ｓ１に基づいて算出した下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が上限値よりも長くなる場合、若しくは同距離が下限値よりも短くなる場合を意味する。

［第９工程］
下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａへのシール材Ｒの塗布が終了すると、制御装置６１は、ｚ軸アクチュエータ３７を駆動して、塗布ノズル４２の先端とステージ３２の上面３２ａとの間に下基板Ｗ１の厚さ以上の間隔が設けられる位置にシリンジ４１を配置する。次いで、制御装置６１は、下基板Ｗ１のステージ３２上への固定を解除すべく吸着装置４５を制御する。その後、下基板Ｗ１は、図１に示すように、搬送装置２９ａによって、シール描画装置２３から液晶滴下装置２４へ移動される。

上記したように、本第１実施形態によれば、以下の作用効果を有する。
（１）制御装置６１は、１５個の距離センサ５１ａ〜５１ｏがそれぞれ出力する第２の測定信号Ｓ２に基づいて下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂのステージ３２の上面３２ａからの高さを算出し、吸着装置４５を制御して、算出した高さが高いところほど該下基板Ｗ１に対する真空吸着力を大きくする。このように、算出した高さが高いところほど下基板Ｗ１に対する真空吸着力を大きくすることにより、下基板Ｗ１において歪みが生じている部分は、より大きな真空吸着力でステージ３２側に引き寄せられるため、下基板Ｗ１の歪みが減少される。そして、下基板Ｗ１へのシール材Ｒの塗布は、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａのステージ３２の上面３２ａからの高さが上面許容範囲に含まれる場合、即ち下基板Ｗ１の歪みが一定以下になっている場合にのみ行われることから、制御装置６１が、塗布ノズル４２の高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さとして下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａへのシール材Ｒの塗布を行うことにより、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離をほぼ一定に保って液体材料の塗布を行うことができる。また、従来のように、シール材の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を測定して塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を一定に保つための塗布ノズルの昇降量を算出しなくてもよいとともに、シール材Ｒの塗布中には、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離に応じて塗布ノズル４２が昇降されない。従って、シール材Ｒを下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに塗布する速度、即ち下基板Ｗ１に対する塗布ノズル４２の移動速度を従来よりも高速化することができる。これらのことから、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離をほぼ一定に保ちつつシール材Ｒの塗布を行うとともに、シール材Ｒの塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本シール描画装置２３においては、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離がほぼ一定に保たれることから、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに塗布されたシール材Ｒの形状が安定される。

（２）シール材Ｒの塗布中に制御装置６１によってステージ補正量の分だけ塗布ノズル４２が昇降されることにより、ステージ３２の上面３２ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が一定に保たれる。その結果、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離をより一定に近い状態に保つことができる。

（３）第２工程において、制御装置６１は、下基板Ｗ１の中央から周囲に向かって順に下基板Ｗ１を吸着するように吸着装置４５を制御するため、下基板Ｗ１の平坦化をより容易に行うことができる。

（４）第５工程では、下基板Ｗ１において歪みのある部位に対して同時に真空吸着力が大きくなるように吸着装置４５が制御されるため、下基板Ｗ１の歪みの矯正をより短時間で行うことができる。

（５）第７工程において、制御装置６１は、算出したステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さが、上面許容範囲に含まれる場合にのみ、補正値を算出し、塗布ノズル４２の高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さに合わせて第８及び第９工程を行う。そして、下基板Ｗ１の厚さが、許容される厚さよりも厚い場合及び許容される厚さよりも薄い場合には、当該下基板Ｗ１に対するシール材Ｒの塗布は行われない。従って、貼合わせ基板製造装置２１にて不良品を製造する率が低減される。

（第２実施形態）
以下、本発明を具体化した第２実施形態を図面に従って説明する。尚、上記第１実施形態と同一の構成については同一の符号を付してその説明を省略する。

図７は、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにシール材Ｒを塗布するシール描画装置７１を側方から見た概略図である。本第２実施形態のシール描画装置７１は、上記第１実施形態においてステージ３２に設けられた距離センサ５１ａ〜５１ｏ（図４参照）に替えて、ガントリ３３の連結部３３ｂに固定される複数（本実施形態では４個）の距離センサ７２ａ〜７２ｄを備えている。

距離センサ７２ａ〜７２ｄは、各距離センサ７２ａ〜７２ｄからステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離、及び各距離センサ７２ａ〜７２ｄから同下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を測定するために設けられている。これら距離センサ７２ａ〜７２ｄは、連結部３３ｂの下面に固定されてステージ３２の上面３２ａと対向している。そして、４個の距離センサ７２ａ〜７２ｄのうち、両端に配置された２つの距離センサ７２ａ，７２ｄは、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１のｘ方向の両端部よりも若干内側で、該下基板Ｗ１とｚ方向に対向可能な位置に配置されている。また、図９に示すように、シリンジ４１が連結部３３ｂの長手方向の中央に配置された状態、即ち、距離センサ４３が連結部３３ｂの長手方向の中央に配置された状態では、シリンジ４１に固定された距離センサ４３を含む５個の距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄは、連結部３３ｂの長手方向（ｘ方向に同じ）に等間隔となる。これら距離センサ７２ａ〜７２ｄは、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１に光を照射して、同下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにて反射した反射光及び同下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂにて反射した反射光を受光し、受光した反射光に応じた第３の測定信号Ｓ３をそれぞれ出力する。

また、図８に示すように、前記ｙ軸アクチュエータ３４、ｘ軸アクチュエータ３５、ｚ軸アクチュエータ３７、距離センサ４３、吸着装置４５、及び距離センサ７２ａ〜７２ｄは、制御装置７３によって制御される。

詳述すると、制御装置７３は、上記第１実施形態の制御装置６１と同様に、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにシール材Ｒにて所望のパターンを描画すべく、前記ｙ軸アクチュエータ３４、ｘ軸アクチュエータ３５及びｚ軸アクチュエータ３７を制御する。また、制御装置７３は、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１のステージ３２に対する固定及び固定解除を行うべく前記吸着装置４５を制御するとともに、吸着領域Ａごとに下基板Ｗ１を吸着する真空吸着力を調整する。

更に、制御装置７３は、前記距離センサ４３から入力される第１の測定信号Ｓ１、及び前記距離センサ７２ａ〜７２ｄから入力される第３の測定信号Ｓ３に基づいて、種々の値を算出する。例えば、制御装置７３は、第１の測定信号Ｓ１に基づいて、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離を算出する。また、制御装置７３は、距離センサ７２ａ〜７２ｄから入力される第３の測定信号Ｓ３に基づいて、各距離センサ７２ａ〜７２ｄからステージ３２上の下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離や、各距離センサ７２ａ〜７２ｄから同下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を算出する。尚、本実施形態の制御装置７３は、上記実施形態の制御装置６１と同様に、ステージ３２の上面３２ａの平坦度（傾斜の度合いを含む）を事前に測定し、その測定結果に基づいて算出されたステージ補正量を持っている。

次に、上記のようなシール描画装置７１にて行われる、下基板Ｗ１へのシール材Ｒの塗布について説明する。
［第１工程］
まず、ステージ３２上の所定位置に下基板Ｗ１が配置される。この時、制御装置７３は、塗布ノズル４２の先端とステージ３２の上面３２ａとの間に下基板Ｗ１の厚さ以上の間隔が設けられる位置にシリンジ４１を配置している。

［第２工程］
次に、制御装置７３は、吸着装置４５を駆動して、下基板Ｗ１を真空吸着力によりステージ３２上に固定（仮固定）する。この時、制御装置７３は、下基板Ｗ１の中央から周囲に向かって順に該下基板Ｗ１を吸着するように吸着装置４５を制御する。またこの時、制御装置７３は、各吸着領域Ａにおける真空吸着力が等しくなるように吸着装置４５を制御するとともに、当該真空吸着力の大きさが、下基板Ｗ１のステージ３２に対する相対移動を最低限阻止する程度の大きさとなるように吸着装置４５を制御している。

［第３工程］
次に、制御装置７３は、図９に示すように、ｙ軸アクチュエータ３４（図７参照）を駆動して、ガントリ３３をステージ３２のｙ方向の一端部（図９では左側の端部）まで移動させる。また、制御装置２２は、ｘ軸アクチュエータ３５を駆動して、ｘ軸ベース３６を移動させ（図７参照）、距離センサ４３が連結部３３ｂの長手方向の中央に配置される位置にシリンジ４１を配置するとともに、ｚ軸アクチュエータ３７を駆動してｚ軸ベース３８を移動させ、シリンジ４１（距離センサ４３）の高さを所定の高さ（例えば塗布ノズル４２がノズル基準高さとなる高さ）とする。

次に、制御装置７３は、距離センサ４３及び距離センサ７２ａ〜７２ｄを駆動するとともに、ｙ軸アクチュエータ３４を駆動してガントリ３３をステージ３２のｙ方向の一端から他端まで移動させる。これにより、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄは、図９に二点鎖線にて示すように、ｙ方向に沿って下基板Ｗ１を操作するように移動される。そして、ガントリ３３がステージ３２のｙ方向の一端から他端まで移動する間に、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄは、ガントリ３３が所定距離だけ移動するごとに、即ち各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄが所定の測定ポイントＰ１〜Ｐ２５に到達するごとに、下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を測定し、第１の測定信号Ｓ１若しくは第３の測定信号Ｓ３を出力する。尚、本実施形態では、測定ポイントＰ１〜Ｐ２５は、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄに対して５箇所ずつ設定されるとともに、ｙ方向において等間隔となる位置に設定されている。

［第４工程］
次に、制御装置７３は、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄから入力された第１及び第３の測定信号Ｓ１，Ｓ３に基づいて、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を、下基板Ｗ１全体に渡って演算により求める。

［第５工程］
次に、制御装置７３は、算出したノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離に応じて、吸着領域Ａごとの真空吸着力を調整する。詳述すると、塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離が短い部分ほど、下基板Ｗ１においてステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さが高くなっている。従って、制御装置７３は、下基板Ｗ１においてステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さが高いところほど、即ち、算出した距離が短いところほど吸着力が大きくなるように、算出した距離が短い部分に対応する吸着領域Ａの真空吸着力を大きくすべく吸着装置４５を制御する。この時、制御装置７３は、第２工程で下基板Ｗ１をステージ３２上に固定した真空吸着力を維持したまま、算出した距離に応じた大きさの真空吸着力を、下基板Ｗ１全体に渡って同時に発生させるように吸着装置４５を制御する。これにより、ステージ３２上の下基板Ｗ１において盛り上がっていた部分がステージ３２側に吸い寄せられ、該下基板Ｗ１は、歪みが減少するように矯正される。

［第６工程］
次に、制御装置７３は、ｙ軸アクチュエータ３４（図７参照）を駆動して、ガントリ３３をステージ３２のｙ方向の一端部まで移動させる。そして、制御装置７３は、再度、距離センサ４３及び距離センサ７２ａ〜７２ｄを駆動するとともに、ｙ軸アクチュエータ３４を駆動してガントリ３３をステージ３２のｙ方向の一端から他端まで移動させ（図７参照）、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄにて、測定ポイントＰ１〜Ｐ２５における、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離及び同下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を測定する。

［第７工程］
次に、制御装置７３は、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄから新たに入力された第１及び第３の測定信号Ｓ１，Ｓ３に基づいて、基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａ全体に渡って演算により求める。そして、制御装置７３は、演算により求めた、基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が、所定の距離許容範囲に含まれるか否かを判定する。尚、本実施形態において、距離許容範囲とは、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端と、厚さに誤差が無く且つ歪みの無い下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離である基準距離に対して許容される誤差を加えた範囲であり、例えば基準距離を中心とした所定の領域である。

そして、算出したノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が、距離許容範囲に含まれる場合には、制御装置７３は、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離の平均値を算出し、当該平均値の前記基準距離に対するずれ量を補正値として算出する。その後、制御装置７３は、ｚ軸アクチュエータ３７を制御して、塗布ノズル４２の高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さに合わせる。

一方、算出したノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が、距離許容範囲に含まれない場合には、制御装置７３は、新たに入力された第１及び第３の測定信号Ｓ１，Ｓ３に基づいて、算出したノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を算出する。そして、制御装置７３は、第５工程に戻り、再度算出したノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離に基づいて、当該距離が長いところほど真空吸着力が大きくなるように、吸着装置４５を制御して吸着領域Ａごとに真空吸着力を制御する。この時、制御装置７３は、前回の吸着装置４５の制御のときよりも大きな真空吸着力が発生するように吸着装置４５を制御する。その後、第６工程及び当該第７工程を再度行う。予め設定された回数だけ、第５乃至第７工程を繰り返しても、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が距離許容範囲に含まれない場合には、製造を中断する。

［第８工程］
次に、制御装置７３は、ｙ軸アクチュエータ３４及びｘ軸アクチュエータ３５を駆動して、先端に塗布ノズル４２を有するシリンジ４１をステージ３２に対して移動させ、塗布ノズル４２から吐出されるシール材Ｒを下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに連続的に塗布する。これにより、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに、シール材Ｒにて所望のパターンが描画される。そして、真空吸着力を調整することにより基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が距離許容範囲内の値となっていることから、塗布ノズル４２の高さがノズル基準高さに補正値を加えた高さとされることにより、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離がほぼ一定に保たれる。

尚、同工程において、制御装置７３は、シリンジ４１のｘ方向及びｙ方向の位置に応じて、前記ステージ補正量の分だけ塗布ノズル４２を昇降させる。また、制御装置７３は、同工程中において、距離センサ４３を駆動して、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を測定するとともに、距離センサ４３から入力される第１の測定信号Ｓ１に基づいて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を算出する。そして、制御装置７３は、上記第１実施形態の制御装置６１と同様に、算出した下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が、予め設定された閾値を越えた場合には、塗布ノズル４２からのシール材Ｒの吐出及び各アクチュエータ３４，３５，３７の駆動を停止する。

［第９工程］
下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａへのシール材Ｒの塗布が終了すると、制御装置７３は、ｚ軸アクチュエータ３７を駆動して、塗布ノズル４２の先端とステージ３２の上面３２ａとの間に下基板Ｗ１の厚さ以上の間隔が設けられる位置にシリンジ４１を配置する。次いで、制御装置７３は、下基板Ｗ１のステージ３２への固定を解除すべく吸着装置４５を制御する。その後、下基板Ｗ１は、搬送装置２９ａによって、シール描画装置２３から液晶滴下装置２４へ移動される（図１参照）。

上記したように、本第２実施形態によれば、上記第１実施形態の（２）乃至（４）の作用効果に加えて、以下の作用効果を有する。
（１）制御装置７３は、合計５個の距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄがそれぞれ出力する第１及び第３の測定信号Ｓ１，Ｓ３に基づいて、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を算出し、吸着装置４５を制御して、算出した距離が短いところほど該下基板Ｗ１に対する真空吸着力を大きくする。一般的に、下基板Ｗ１に歪みが生じていると、歪みが大きいところほどステージ３２の上面３２ａと下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂとの間の距離が大きくなるため、歪みが大きいところほど、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離が短くなる。従って、算出した距離が短いとろころほど真空吸着力を大きくすることにより、下基板Ｗ１において歪みが生じている部分は、より大きな真空吸着力でステージ３２側に引き寄せられるため、下基板Ｗ１の歪みが減少される。そして、下基板Ｗ１へのシール材Ｒの塗布は、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下Ｗ１基板の上面Ｗ１ａまでの距離が距離許容範囲に含まれる場合、即ち下基板Ｗ１の歪みが一定以下になっている場合にのみ行われることから、制御装置７３が、塗布ノズル４２の高さを、ノズル基準高さに補正値を加えた高さとして下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａへのシール材Ｒの塗布を行うことにより、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離をほぼ一定に保ってシール材Ｒの塗布を行うことができる。また、従来のように、シール材の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を測定して塗布ノズルの先端と基板の上面との間の距離を一定に保つための塗布ノズルの昇降量を算出しなくてもよいとともに、シール材Ｒの塗布中には、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離に応じて塗布ノズル４２が昇降されない。従って、シール材Ｒを下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに塗布する速度、即ち下基板Ｗ１に対する塗布ノズル４２の移動速度を従来よりも高速化することができる。これらのことから、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離をほぼ一定に保ちつつシール材Ｒの塗布を行うとともに、シール材Ｒの塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本シール描画装置７１においては、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離がほぼ一定に保たれることから、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに塗布されたシール材Ｒの形状が安定される。

尚、本発明の実施形態は、以下のように変更してもよい。
・上記各実施形態では、制御装置６１，７３は、第５工程において、第２工程で下基板Ｗ１をステージ３２上に固定（仮固定）した真空吸着力を維持したまま、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さ（ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離）に応じた大きさの真空吸着力を下基板Ｗ１全体に渡って同時に発生させるように吸着装置４５を制御する。しかしながら、第５工程における真空吸着力の大きさの調整は、これに限らない。

例えば、制御装置６１，７３は、第５工程において、下基板Ｗ１において歪みにより盛り上がった部分ごとに、その部分の周囲の真空吸着力を小さくした後に、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さ（ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離）に応じた真空吸着力を発生させるように吸着装置４５を制御するものであってもよい。尚、下基板Ｗ１において、どの部分が盛り上がった形状となっているかは、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さ（ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離）に基づいて制御装置６１，７３により判断される。このようにすると、よりスムーズに下基板Ｗ１の歪みを矯正することができる。

また例えば、制御装置６１，７３は、第５工程において、第２工程で下基板Ｗ１をステージ３２上に固定（仮固定）した真空吸着力を解除した後に、下基板Ｗ１の中央から周囲に向かって順に該下基板Ｗ１がステージ３２上に固定されるように、且つステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さが高いところほど真空吸着力が大きくなるように、吸着装置４５を制御するものであってもよい。このようにすると、よりスムーズに下基板Ｗ１の歪みを矯正することができる。

また例えば、制御装置６１，７３は、第５工程において、第２工程で下基板Ｗ１をステージ３２上に仮固定した真空吸着力を解除した後に、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂの高さに応じた大きさの真空吸着力を下基板Ｗ１全体に渡って同時に発生させるように吸着装置４５を制御するものであってもよい。

・上記各実施形態では、第２工程において、制御装置６１，７３は、下基板Ｗ１の中央から周囲に向かって順に該下基板Ｗ１を吸着するように吸着装置４５を制御する。しかしながら、第２工程における下基板Ｗ１のステージ３２の上面３２ａへの吸着は、下基板Ｗ１の何れの部分から行われてもよい。また、制御装置６１，７３は、下基板Ｗ１の全面を同時に吸着するように吸着装置４５を制御してもよい。

・上記第２実施形態では、測定ポイントＰ１〜Ｐ２５は、２５箇所設定されている。しかしながら、測定ポイントの数は、複数個所に設定されるのであれば、２５箇所より多く設定されてもよいし、少なく設定されてもよい。また、距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄは、ガントリ３３のｙ方向の移動とともに下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を連続的に測定するものであってもよい。

・上記各実施形態では、吸着領域Ａは、ステージ３２の上面３２ａにおいて、３２箇所設定されている。しかしながら、ステージ３２の上面３２ａに設定される吸着領域Ａの数は、複数であればよく、３２箇所より多くてもよいし、３２箇所より少なくてもよい。そして、複数の吸着領域Ａは、ステージ３２の上面３２ａにおいて均等となるように設定されなくてもよい。また、吸着領域Ａの形状も、四角形状に限らず、四角形以外の多角形状や、円形状であってもよい。更に、各吸着領域Ａ内に設けられる吸引孔３２ｂの数や、吸引孔３２ｂの形成位置も適宜変更してもよい。

・上記各実施形態では、吸着装置４５は、真空吸着力により下基板Ｗ１をステージ３２の上面３２ａに固定するが、静電吸着力により下基板Ｗ１をステージ３２の上面３２ａに固定するものであってもよい。この場合、ステージ３２には、各吸着領域Ａに対応して静電チャックが設けられる。

・上記第１実施形態では、ステージ３２には１５個の距離センサ５１ａ〜５１ｏが配置されている。しかしながら、ステージ３２に配置される距離センサ５１ａ〜５１ｏの数は、１５個に限らず、複数であればよい。尚、ステージ３２に配置される複数の距離センサは、ステージ３２の上面３２ａにおいて下基板Ｗ１が配置される部位に、均等若しくは規則的に配置されることが望ましい。そして、ステージ３２に配置される距離センサの数が多いほど、制御装置６１による、第２の測定信号Ｓ２に基づく種々の値の算出精度が向上する。

・上記第２実施形態では、ガントリ３３の連結部に、４個の距離センサ７２ａ〜７２ｄが設けられている。しかしながら、連結部３３ｂに設けられる距離センサ７２ａ〜７２ｄの数は、４個に限らず、複数であればよい。そして、連結部３３ｂに設けられる距離センサの数が多いほど、制御装置７３による、第３の測定信号Ｓ３に基づく種々の値の算出精度が向上する。

・上記第１実施形態では、制御装置６１は、第２の測定信号Ｓ２に基づいて下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂのステージ３２の上面３２ａからの高さを算出し、算出した高さに基づいて、その高さが高いところほど、ステージ３２上に下基板Ｗ１を固定するための真空吸着力が大きくなるように吸着装置４５を制御する。ところで、一般的に、下基板Ｗ１に歪みが生じていると、該下基板Ｗ１は部分的に盛り上がった形状を有することになるため、歪みが生じている部位では、歪みの度合いが大きいほど、下基板Ｗ１においてステージ３２の上面３２ａからの上面Ｗ１ａの高さが高くなる。従って、制御装置６１は、第４工程において、第２の測定信号Ｓ２に基づいて、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さを、下基板Ｗ１全体に渡って算出し、第５工程において、算出した高さが高いところほど真空吸着力が大きくなるように吸着装置４５を制御してもよい。このようにしても、上記第１実施形態の（１）と同様の作用効果を得ることができる。

・上記第２実施形態では、制御装置７３は、第１及び第３の測定信号Ｓ１，Ｓ３に基づいて、基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の下面Ｗ１ｂまでの距離を算出し、算出した距離に基づいて、その距離が短いところほどステージ３２上に下基板Ｗ１を固定するための真空吸着力が大きくなるように吸着装置４５を制御する。一般的に、下基板Ｗ１に歪みが生じていると、歪みが生じている部位では、歪みの度合いが大きいほど、基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が短くなる。従って、制御装置７３は、第４工程において、第１及び第３の測定信号Ｓ１，Ｓ３に基づいて、基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を下基板Ｗ１全体に渡って算出し、第５工程において、算出した距離が短いところほど真空吸着力が大きくなるように吸着装置４５を制御してもよい。このようにしても、上記第２実施形態の（１）と同様の作用効果を得ることができる。

・上記各実施形態において、制御装置６１，７３は、第８工程において、シリンジ４１のｘ方向及びｙ方向の位置に応じて、塗布ノズル４２をステージ補正量の分だけ昇降させる。しかしながら、制御装置６１，７３は、塗布ノズル４２を、ノズル基準高さに補正値を加えた高さに保ったまま、ステージ補正量の分だけ昇降させることなくシール材Ｒの塗布を行ってもよい。このようにすると、ｚ方向の制御が更に省略され、下基板Ｗ１に対する塗布ノズル４２のｘ方向及びｙ方向の移動速度をより高速化することができる。

・距離センサ５１ａ〜５１ｏの構成は、上記第１実施形態の構成に限らない。例えば、受光素子５５として、イメージセンサ等を用いてもよい。
・上記第１実施形態の第７工程において、予め設定された回数だけ第５乃至第７工程を繰り返しても、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さが上面許容範囲に含まれない場合には、制御装置６１は、従来のように、距離センサ４３にて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を測定し、その測定結果に基づいて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が一定となるように塗布ノズル４２を昇降させながら上面Ｗ１ａへのシール材Ｒの塗布を行ってもよい。また、上記第２実施形態においても同様に、第７工程において、予め設定された回数だけ第５乃至第７工程を繰り返しても、ノズル基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が距離許容範囲に含まれない場合には、制御装置７３は、従来のように、距離センサ４３にて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を測定し、その測定結果に基づいて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が一定となるように塗布ノズル４２を昇降させながら上面Ｗ１ａへのシール材Ｒの塗布を行ってもよい。

・上記各実施形態のシール描画装置２３，７１は、塗布ノズル４２を有するシリンジ４１をそれぞれ１つ備えている。しかしながら、このようなシリンジ４１は、ｘ軸アクチュエータ３５によりｘ方向移動されるｘ軸ベース３６及びｚ軸アクチュエータ３７によりｚ方向に移動されるｚ軸ベース３８とともに、連結部３３ｂに複数設けられてもよい。

・上記各実施形態のシール描画装置２３，７１は、ガントリ３３、ｘ軸ベース３６及びｚ軸ベース３８が移動されることにより、固定されたステージ３２に対して塗布ノズル４２が移動される構成となっている。しかしながら、ステージ３２と塗布ノズル４２とが、ｘ方向、ｙ方向及びｚ方向に相対移動可能であれば、この他の構成であってもよい。例えば、固定された塗布ノズル４２に対して、ステージ３２がｘ方向、ｙ方向及びｚ方向に移動されるように構成してもよい。また、ステージ３２、ガントリ３３の両方が移動するように構成してもよい。更に、ステージ３２をθ方向（ｚ軸回りに回転する方向）に回転可能に構成してもよい。

・上記各実施形態では、下基板Ｗ１と上基板Ｗ２との間に液晶を封入するためのシール材Ｒを塗布するシール描画装置２３，７１に本発明を具体化して説明したが、このようなシール描画装置２３，７１に限らず、平板に対して液体材料を所望の形状に塗布する塗布装置であればどのような塗布装置に本発明を具体化してもよい。例えば、基板の上面にはんだを塗布する塗布装置等に本発明を具体化してもよい。

上記各実施形態、及び上記各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。
（イ）請求項１乃至請求項６の何れか１項に記載の塗布装置において、前記制御手段は、前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御するときには、前記ステージ上に前記基板を仮固定している前記吸着力を維持したまま、前記基板の上面及び下面の何れか一方の前記ステージからの高さに応じた前記吸着力を、前記基板の全面に渡って同時に発生させるように前記吸着手段を制御することを特徴とする塗布装置。同構成によれば、基板において歪みのある部位に対して同時に吸着力が大きくなるように吸着手段が制御されることから、基板の歪みの矯正をより短時間で行うことができる。

（ロ）請求項１乃至請求項６の何れか１項に記載の塗布装置において、前記制御手段は、前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御する前に、前記ステージ上に前記基板を仮固定すべく前記吸着手段を制御しており、前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御するときには、前記基板における歪みにより盛り上がった部分ごとに、その部分の周囲の前記吸着力を小さくした後に、前記基板の上面及び下面の何れか一方の前記ステージからの高さに応じた前記吸着力を発生させるように前記吸着手段を制御することを特徴とする塗布装置。同構成によれば、よりスムーズに基板の歪みを矯正することができる。

（ハ）請求項１乃至請求項６の何れか１項に記載の塗布装置において、前記制御手段は、前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御するときには、前記ステージ上に前記基板を仮固定している前記吸着力を解除した後に、前記基板が、前記基板の中央から周囲に向かって順に前記ステージ上に固定されるように、且つ前記基板の上面及び下面の何れか一方の前記ステージからの高さが高いところほど前記吸着力が大きくなるように、前記吸着手段を制御することを特徴とする塗布装置。同構成によれば、よりスムーズに基板の歪みを矯正することができる。

貼り合わせ基板製造装置の概略構成図。 第１実施形態のシール描画装置の概略構成図。 ステージの平面図。 第１実施形態のシール描画装置における基板及びステージの平面図。 第１実施形態のシール描画装置における距離センサ付近の拡大図。 第１実施形態のシール描画装置の電気的構成を示すブロック図。 第２実施形態のシール描画装置の概略構成図。 第２実施形態のシール描画装置の電気的構成を示すブロック図。 第２実施形態のシール描画装置における基板及びステージの平面図。

符号の説明

２３，７１…塗布装置としてのシール描画装置、３２…ステージ、３２ａ…ステージの上面、４２…塗布ノズル、４３…移動測定手段としての距離センサ、４５…吸着手段としての吸着装置、５１ａ〜５１ｏ…固定測定手段としての距離センサ、６１，７３…制御手段としての制御装置、７２ａ〜７２ｄ…移動測定手段としての距離センサ、Ｒ…液体材料としてのシール材、Ｓ１…測定信号としての第１の測定信号、Ｓ２…測定信号としての第２の測定信号、Ｓ３…測定信号としての第３の測定信号、Ｗ１…基板としての下基板、Ｗ１ａ…基板の上面、Ｗ１ｂ…下面。

Claims (6)

1. ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、
   前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、
   前記ステージに配置され、前記基板の上面の前記ステージからの高さに応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の固定測定手段と、
   前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、
   前記制御手段は、複数の前記測定信号に基づいて前記基板の上面の前記ステージからの高さを算出し、算出した該高さが高いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて前記基板の上面の前記ステージからの高さを前記基板全体に渡って算出し、算出した該高さが、前記基板の上面の前記ステージからの基準の高さである上面基準高さに基づいて設定された上面許容範囲に含まれる場合には、算出した該高さの平均値の、前記上面基準高さに対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことを特徴とする塗布装置。
2. ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、
   前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、
   前記ステージに配置され、前記基板の上面及び下面の前記ステージからの高さに応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の固定測定手段と、
   前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、
   前記制御手段は、複数の前記測定信号に基づいて前記基板の下面の前記ステージからの高さを算出し、算出した該高さが高いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて前記基板の上面の前記ステージからの高さを前記基板全体に渡って算出し、算出した該高さが、前記基板の上面の前記ステージからの基準の高さである上面基準高さに基づいて設定された上面許容範囲に含まれる場合には、算出した該高さの平均値の、前記上面基準高さに対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことを特徴とする塗布装置。
3. ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、
   前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、
   前記ステージ上に架け渡され前記ステージに対して相対移動される移動手段と、
   前記移動手段に配置され、前記ステージに対する前記移動手段の相対移動に伴って前記ステージに対して相対移動されるとともに、前記ステージ上の前記基板を走査して前記基板の上面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の移動測定手段と、
   前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、
   前記制御手段は、複数の前記移動測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から、前記基板の上面までの距離を算出し、算出した該距離が短いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて、前記ノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から前記基板の上面までの距離を前記基板全体に渡って算出し、算出した該距離が、前記塗布ノズルと前記基板の上面との間の基準の距離である基準距離に基づいて設定された距離許容範囲に含まれる場合には、算出した該距離の平均値の、前記基準距離に対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記ノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことを特徴とする塗布装置。
4. ステージ上に固定した基板と塗布ノズルとを相対的に移動させ、該塗布ノズルの先端から吐出させた液体材料を前記基板の上面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、
   前記基板を前記ステージ上に固定するための吸着力を発生させる吸着手段と、
   前記ステージ上に架け渡され前記ステージに対して相対移動される移動手段と、
   前記移動手段に配置され、前記ステージに対する前記移動手段の相対移動に伴って前記ステージに対して相対移動されるとともに、前記ステージ上の前記基板を走査して該基板の上面及び下面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する複数の移動測定手段と、
   前記吸着手段を制御する制御手段と、を備え、
   前記制御手段は、複数の前記移動測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、前記塗布ノズルの基準の高さであるノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から、前記基板の下面までの距離を算出し、算出した該距離が短いところほど前記吸着力を大きくするように前記吸着手段を制御した後に、新たに入力された複数の前記測定信号に基づいて、前記ノズル基準高さにある前記塗布ノズルの先端から前記基板の上面までの距離を前記基板全体に渡って算出し、算出した該距離が、前記塗布ノズルと前記基板の上面との間の基準の距離である基準距離に基づいて設定された距離許容範囲に含まれる場合には、算出した該距離の平均値の、前記基準距離に対するずれ量を補正値として算出し、その後、前記塗布ノズルを、前記ノズル基準高さに前記補正値を加えた高さに合わせて、前記液体材料の前記基板への塗布を行うことを特徴とする塗布装置。
5. 請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の塗布装置において、
   前記制御手段は、前記液体材料を前記基板の上面に塗布する場合には、予め測定した前記ステージの上面の平坦度に基づいて設定されたステージ補正量の分だけ前記塗布ノズルを昇降させることを特徴とする塗布装置。
6. 請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の塗布装置において、
   前記制御手段は、前記基板の中央から周囲に向かって順に該基板が前記ステージ上に吸着されるように前記吸着手段を制御することを特徴とする塗布装置。

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