JPH06169007A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH06169007A JPH06169007A JP34166592A JP34166592A JPH06169007A JP H06169007 A JPH06169007 A JP H06169007A JP 34166592 A JP34166592 A JP 34166592A JP 34166592 A JP34166592 A JP 34166592A JP H06169007 A JPH06169007 A JP H06169007A
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- Japan
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- wafer
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- wafer stage
- suction
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハの反りや裏面の異物に影響されること
なくウェハを水平に吸着できる半導体製造装置を得る。 【構成】 ウェハステージ１に上下動可能な筒状の支柱
４を設ける。ウェハステージ１にウェハ３が搬入され、
所定の位置に置かれると、センサ１００で反り等のウェ
ハ状態を確認し、その状態に応じて各々の筒状の支柱４
を上下動させる。ウェハ３裏面に異物５が付着している
場合でも同様にして異物５の高さにあわせてウェハ吸着
面を設定する。 【効果】 ウェハを水平に吸着することができるので、
プロセスが安定し、高い再現性を得ることのできる効果
がある。
なくウェハを水平に吸着できる半導体製造装置を得る。 【構成】 ウェハステージ１に上下動可能な筒状の支柱
４を設ける。ウェハステージ１にウェハ３が搬入され、
所定の位置に置かれると、センサ１００で反り等のウェ
ハ状態を確認し、その状態に応じて各々の筒状の支柱４
を上下動させる。ウェハ３裏面に異物５が付着している
場合でも同様にして異物５の高さにあわせてウェハ吸着
面を設定する。 【効果】 ウェハを水平に吸着することができるので、
プロセスが安定し、高い再現性を得ることのできる効果
がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体製造装置に関
し、特にウェハを水平に吸着保持する機構を有するもの
に関するものである。
し、特にウェハを水平に吸着保持する機構を有するもの
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来の半導体製造装置におけるウ
ェハステージを示す平面上面図であり、図９はウェハを
搭載した状態における図８のＣ−Ｃ’線での断面図であ
る。図において、１はウェハステージ、２はウェハステ
ージ１に設けられたウェハ吸着口、３はウェハステージ
１上に載置されたウェハである。
ェハステージを示す平面上面図であり、図９はウェハを
搭載した状態における図８のＣ−Ｃ’線での断面図であ
る。図において、１はウェハステージ、２はウェハステ
ージ１に設けられたウェハ吸着口、３はウェハステージ
１上に載置されたウェハである。
【０００３】次に動作について説明する。ウェハステー
ジ１上にウェハ３が搬入され、該ウェハステージ１上の
所定の位置にウェハ３が置かれると、該ウェハ３は吸着
口２により吸着力Ｆでもって真空吸着され、固定され
る。
ジ１上にウェハ３が搬入され、該ウェハステージ１上の
所定の位置にウェハ３が置かれると、該ウェハ３は吸着
口２により吸着力Ｆでもって真空吸着され、固定され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
におけるウェハステージは以上のように構成されている
が、その製造のために種々の工程を経てきたウェハに
は、反りが生じたり、裏面に異物が付着していたりする
ことがあり、このような場合ウェハとウェハステージと
の間に空間ができてしまう。しかるに、従来のウェハス
テージでは各吸着口とも同時に同強度で吸着するように
構成されているため、このウェハの反りを矯正すること
はできなかった。またウェハ吸着時にウェハ裏面の異物
によってウェハが反るなどの原因により、ウェハが水平
に保持されないこととなり、このような状態で半導体装
置の製造を行うと、そのパターン形成時等にパターン欠
陥等を生じるという問題点があった。
におけるウェハステージは以上のように構成されている
が、その製造のために種々の工程を経てきたウェハに
は、反りが生じたり、裏面に異物が付着していたりする
ことがあり、このような場合ウェハとウェハステージと
の間に空間ができてしまう。しかるに、従来のウェハス
テージでは各吸着口とも同時に同強度で吸着するように
構成されているため、このウェハの反りを矯正すること
はできなかった。またウェハ吸着時にウェハ裏面の異物
によってウェハが反るなどの原因により、ウェハが水平
に保持されないこととなり、このような状態で半導体装
置の製造を行うと、そのパターン形成時等にパターン欠
陥等を生じるという問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ウェハが反りを有する場合、あ
るいはその裏面への異物の付着がある場合にも、ウェハ
を水平に吸着保持することのできる半導体製造装置を得
ることを目的とする。
ためになされたもので、ウェハが反りを有する場合、あ
るいはその裏面への異物の付着がある場合にも、ウェハ
を水平に吸着保持することのできる半導体製造装置を得
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
製造装置は、ウェハの反り，ウェハへの異物の付着等の
ウェハ状態を検出するための検出手段を備え、かつその
検出された状態に応じてウェハステージ上の吸着口ごと
に吸着強度を変える手段を備えたものである。
製造装置は、ウェハの反り，ウェハへの異物の付着等の
ウェハ状態を検出するための検出手段を備え、かつその
検出された状態に応じてウェハステージ上の吸着口ごと
に吸着強度を変える手段を備えたものである。
【０００７】また、この発明は、上記ウェハステージ上
の吸着口が固定の筒状の支柱からなるものとし、上記吸
着口ごとに吸着強度を変える手段を、該各々の筒状の支
柱内のエアを上記ウェハ状態の検出結果に応じてリーク
するリーク手段としたものである。また、この発明は、
上記ウェハステージ上の吸着口が上下動可能な筒状の支
柱からなるものとし、上記吸着強度を変える手段を、該
各々の筒状の支柱を上記ウェハ状態の検出結果に応じて
上下動させるようにしたものである。
の吸着口が固定の筒状の支柱からなるものとし、上記吸
着口ごとに吸着強度を変える手段を、該各々の筒状の支
柱内のエアを上記ウェハ状態の検出結果に応じてリーク
するリーク手段としたものである。また、この発明は、
上記ウェハステージ上の吸着口が上下動可能な筒状の支
柱からなるものとし、上記吸着強度を変える手段を、該
各々の筒状の支柱を上記ウェハ状態の検出結果に応じて
上下動させるようにしたものである。
【０００８】
【作用】この発明においては、ウェハ状態を確認するセ
ンサを備え、ウェハの反り等が激しい部分を他の部分に
比べて強い吸着力に調節することにより、ウェハの反り
の補正を行うことができ、ウェハを水平に吸着すること
ができる。
ンサを備え、ウェハの反り等が激しい部分を他の部分に
比べて強い吸着力に調節することにより、ウェハの反り
の補正を行うことができ、ウェハを水平に吸着すること
ができる。
【０００９】また、この発明においては、吸着口形成部
を上下動可能な筒状の支柱からなるものとしたから、ウ
ェハの反りに大きな差がある場合、筒状の支柱の所要の
ものを上下動させることができる。あるいはウェハ裏面
に異物が付着している場合には、吸着する該筒状の支柱
を上げ、吸着面を異物の高さよりも高くすることによ
り、ウェハを水平に吸着固定することができる。
を上下動可能な筒状の支柱からなるものとしたから、ウ
ェハの反りに大きな差がある場合、筒状の支柱の所要の
ものを上下動させることができる。あるいはウェハ裏面
に異物が付着している場合には、吸着する該筒状の支柱
を上げ、吸着面を異物の高さよりも高くすることによ
り、ウェハを水平に吸着固定することができる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。 実施例１．図１は本発明の一実施例による半導体製造装
置のウェハステージの平面図を示し、図２はウェハを搭
載した状態における図１のＡ−Ａ’線での断面図であ
る。図において、１はウェハステージ、２はウェハステ
ージ１上に設けられたウェハ吸着口、３はウェハステー
ジ１上に搭載されたウェハである。
する。 実施例１．図１は本発明の一実施例による半導体製造装
置のウェハステージの平面図を示し、図２はウェハを搭
載した状態における図１のＡ−Ａ’線での断面図であ
る。図において、１はウェハステージ、２はウェハステ
ージ１上に設けられたウェハ吸着口、３はウェハステー
ジ１上に搭載されたウェハである。
【００１１】次に動作について説明する。ウェハステー
ジ１の上にウェハ３が搬入され、該ウェハステージ１上
の所定の位置にウェハ３が置かれると、ウェハステージ
１に設けられたセンサを用いてウェハ３の反り状態を確
認し、図２に示すようにウェハ３の状態に応じて吸着力
Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4 ，Ｆ5 を調節する。このように
反りの激しい部分は他の部分より強い吸着力にすること
によりウェハ３の反りを補正することができ、ウェハ３
を水平に吸着することができる。このようにウェハ３を
水平に吸着できた場合には、このウェハ３の上に各種の
膜を堆積する等のウェハプロセスを精度よく行うことが
できる。
ジ１の上にウェハ３が搬入され、該ウェハステージ１上
の所定の位置にウェハ３が置かれると、ウェハステージ
１に設けられたセンサを用いてウェハ３の反り状態を確
認し、図２に示すようにウェハ３の状態に応じて吸着力
Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4 ，Ｆ5 を調節する。このように
反りの激しい部分は他の部分より強い吸着力にすること
によりウェハ３の反りを補正することができ、ウェハ３
を水平に吸着することができる。このようにウェハ３を
水平に吸着できた場合には、このウェハ３の上に各種の
膜を堆積する等のウェハプロセスを精度よく行うことが
できる。
【００１２】また、図３は実施例１における半導体製造
装置のウェハの反りの状態，裏面に付着している異物等
を検出するセンサを示す構造図である。図３において、
１はウェハステージ、３は該ウェハステージ１上に搭載
されたウェハ、１１はレーザ光源、１２はプリズム、１
３は反射鏡、１４はレチクル、１５は縮小投影レンズを
備えた制御室、１６はレーザ検出によりウェハの反り，
裏面に付着している異物等を検出するウェハフラット検
知部、１７はレーザ光線、１８は反射量モニタであるＳ
ＰＤ（シリコンフォトダイオード）、１９は大気圧セン
サ・チャンバ温度センサ、２０はフォーカスコントロー
ル演算部、２１は圧力調節部、２２は圧力コントロール
演算部、２３はメインＣＰＵ、２４は表示パネル、１０
０は上記レーザ光源１１，プリズム１２，反射鏡１３，
レチクル１４，縮小投影レンズを備えた制御室１５，ウ
ェハフラット検知部１６，反射量モニタであるＳＰＤ
（シリコンフォトダイオード）１８，大気圧センサ・チ
ャンバ温度センサ１９，フォーカスコントロール演算部
２０，圧力調節部２１，圧力コントロール演算部２２，
メインＣＰＵ２３，及び表示パネル２４とからなるウェ
ハの反りの状態，裏面に付着している異物等を検出する
センサである。
装置のウェハの反りの状態，裏面に付着している異物等
を検出するセンサを示す構造図である。図３において、
１はウェハステージ、３は該ウェハステージ１上に搭載
されたウェハ、１１はレーザ光源、１２はプリズム、１
３は反射鏡、１４はレチクル、１５は縮小投影レンズを
備えた制御室、１６はレーザ検出によりウェハの反り，
裏面に付着している異物等を検出するウェハフラット検
知部、１７はレーザ光線、１８は反射量モニタであるＳ
ＰＤ（シリコンフォトダイオード）、１９は大気圧セン
サ・チャンバ温度センサ、２０はフォーカスコントロー
ル演算部、２１は圧力調節部、２２は圧力コントロール
演算部、２３はメインＣＰＵ、２４は表示パネル、１０
０は上記レーザ光源１１，プリズム１２，反射鏡１３，
レチクル１４，縮小投影レンズを備えた制御室１５，ウ
ェハフラット検知部１６，反射量モニタであるＳＰＤ
（シリコンフォトダイオード）１８，大気圧センサ・チ
ャンバ温度センサ１９，フォーカスコントロール演算部
２０，圧力調節部２１，圧力コントロール演算部２２，
メインＣＰＵ２３，及び表示パネル２４とからなるウェ
ハの反りの状態，裏面に付着している異物等を検出する
センサである。
【００１３】本実施例による半導体製造装置において用
いられるウェハの状態を検知するセンサ１００はレーザ
光源１１よりプリズム１２、反射鏡１３、レチクル１
４、縮小投影レンズを備えた制御室１５を経て、ウェハ
フラット検知部１６から発生したレーザ光線１７をウェ
ハ３に反射させ、その反射光を反射量モニタ１８で分析
することにより、ウェハ３の正確な位置を測定して、ウ
ェハ３の反り，裏面に付着している異物等を検出するも
のである。ここで、ウェハ３の精密で正確な位置を測定
する際、大気圧変化と温度変化によってレンズの微妙な
歪みが生じてレンズの焦点がずれると、正確な測定がで
きず、その補正が必要となる。このため、大気圧センサ
・チャンバ温度センサ１９により測定されたウェハステ
ージ１上の大気圧と温度の情報はフォーカスコントロー
ル演算部２０と圧力コントロール演算部２２とに送ら
れ、メインＣＰＵ２３を経た後、フォーカスコントロー
ル演算部２０は制御室１５内のレンズの焦点を調節し、
圧力コントロール演算部２２はメイン圧力調節部２１に
より制御室１５内の圧力を調節し、これによりウェハ３
の精密で正確な位置を測定する際の補正を行い、その結
果は表示パネル２４に表示される。
いられるウェハの状態を検知するセンサ１００はレーザ
光源１１よりプリズム１２、反射鏡１３、レチクル１
４、縮小投影レンズを備えた制御室１５を経て、ウェハ
フラット検知部１６から発生したレーザ光線１７をウェ
ハ３に反射させ、その反射光を反射量モニタ１８で分析
することにより、ウェハ３の正確な位置を測定して、ウ
ェハ３の反り，裏面に付着している異物等を検出するも
のである。ここで、ウェハ３の精密で正確な位置を測定
する際、大気圧変化と温度変化によってレンズの微妙な
歪みが生じてレンズの焦点がずれると、正確な測定がで
きず、その補正が必要となる。このため、大気圧センサ
・チャンバ温度センサ１９により測定されたウェハステ
ージ１上の大気圧と温度の情報はフォーカスコントロー
ル演算部２０と圧力コントロール演算部２２とに送ら
れ、メインＣＰＵ２３を経た後、フォーカスコントロー
ル演算部２０は制御室１５内のレンズの焦点を調節し、
圧力コントロール演算部２２はメイン圧力調節部２１に
より制御室１５内の圧力を調節し、これによりウェハ３
の精密で正確な位置を測定する際の補正を行い、その結
果は表示パネル２４に表示される。
【００１４】なお、このセンサ１００ではウェハ３の裏
面の異物を直接検知することはできないが、ウェハ３の
ふくらみ等のウェハ３の反りの状態の情報を検知して、
その部分の裏面に異物があるものと推測して検出するも
のである。
面の異物を直接検知することはできないが、ウェハ３の
ふくらみ等のウェハ３の反りの状態の情報を検知して、
その部分の裏面に異物があるものと推測して検出するも
のである。
【００１５】また、図４は実施例１における半導体製造
装置のウェハステージ１上の吸着口２ごとに吸着強度を
変える手段を示す図である。図において、２はウェハの
吸着口、３はウェハ、６は吸着口２ごとに取り付けられ
たニードルバルブ、７はウェハステージ１上の吸着口２
から空気を抜くリーク管である。ニードルバルブ６は電
子弁であり、上記センサ１００からの情報を受けて自動
的に開閉し、ウェハの吸着力を制御することができる。
装置のウェハステージ１上の吸着口２ごとに吸着強度を
変える手段を示す図である。図において、２はウェハの
吸着口、３はウェハ、６は吸着口２ごとに取り付けられ
たニードルバルブ、７はウェハステージ１上の吸着口２
から空気を抜くリーク管である。ニードルバルブ６は電
子弁であり、上記センサ１００からの情報を受けて自動
的に開閉し、ウェハの吸着力を制御することができる。
【００１６】この構成の吸着強度可変手段においては、
上記センサ１００からの情報に応じて、必要に応じ吸着
管２内のエアーをニードルバルブ６を用いてリークさせ
て吸着圧を下げることにより、相対的に吸着圧の強弱を
つけることができ、これによりウェハ３を水平に吸着す
ることができるものである。
上記センサ１００からの情報に応じて、必要に応じ吸着
管２内のエアーをニードルバルブ６を用いてリークさせ
て吸着圧を下げることにより、相対的に吸着圧の強弱を
つけることができ、これによりウェハ３を水平に吸着す
ることができるものである。
【００１７】実施例２．図５は本発明の実施例２による
半導体製造装置のウェハステージの平面図を示し、図６
はウェハ１を搭載した状態における図１のＢ−Ｂ’線で
の断面図である。図において、１はウェハステージ、２
は吸着口、３はウェハ、４は上下動可能な筒状の支柱、
５はウェハ３の裏面に付着した異物である。
半導体製造装置のウェハステージの平面図を示し、図６
はウェハ１を搭載した状態における図１のＢ−Ｂ’線で
の断面図である。図において、１はウェハステージ、２
は吸着口、３はウェハ、４は上下動可能な筒状の支柱、
５はウェハ３の裏面に付着した異物である。
【００１８】また、図７は本実施例２による半導体製造
装置の上下動可能な筒状の支柱４の移動量を変える手段
を示す図であり、図において、８は各々の筒状の支柱４
の近くにそれぞれ設けられたパルスモータ、９ａはパル
スモ−タ８に取り付けられたギア部、９ｂは上下動可能
な筒状の支柱４に取り付けられ、上記ギヤ部９ａと噛合
するギア部である。本構成の移動量可変手段において
は、センサ１００からの情報によりパルスモータ８が駆
動されると、パルスモータ８に取り付けられたギア部９
ａが回動し、これと噛合する筒状の支柱４に取り付けら
れたギア部９ａが上下動することにより、上下動可能な
筒状の支柱４の移動量を変えることができる構成となっ
ている。
装置の上下動可能な筒状の支柱４の移動量を変える手段
を示す図であり、図において、８は各々の筒状の支柱４
の近くにそれぞれ設けられたパルスモータ、９ａはパル
スモ−タ８に取り付けられたギア部、９ｂは上下動可能
な筒状の支柱４に取り付けられ、上記ギヤ部９ａと噛合
するギア部である。本構成の移動量可変手段において
は、センサ１００からの情報によりパルスモータ８が駆
動されると、パルスモータ８に取り付けられたギア部９
ａが回動し、これと噛合する筒状の支柱４に取り付けら
れたギア部９ａが上下動することにより、上下動可能な
筒状の支柱４の移動量を変えることができる構成となっ
ている。
【００１９】次に動作について説明する。ウェハステー
ジ１にこれを貫通して上下動可能な筒状の支柱４を設
け、その筒状の支柱４によりウェハ３を吸着できるよう
に吸着口２を各々設ける。ウェハステージ１上にウェハ
３が搬入されると、所定の位置に置かれ、上下動可能な
筒状の支柱４の吸着口２により所要の吸着力でもってウ
ェハ３は吸着され、固定される。一方、上記実施例１に
おけると同様のセンサ１００により、ウェハ３の反り等
の状態を検知し、ウェハ３が水平に固定されていること
を確認する。また、異物５が存在する等してウェハ３が
水平に固定されていない場合には、センサ１００により
異物５等によって最も高くなった位置を検出し、異物５
の存在しないより低い部分の上下動可能な筒状の支柱４
を全てその高さまで上げる。即ち、該センサ１００から
の情報により上下動可能な筒状の支柱４に各々対応して
設けられたパルスモータ８を駆動させ、これによりギア
部９ａと、ギア部９ｂとの噛合を介して上下動可能な筒
状の支柱４を上下動させるこ該支柱４の移動量、即ちウ
ェハステージの高さを変えることができる。
ジ１にこれを貫通して上下動可能な筒状の支柱４を設
け、その筒状の支柱４によりウェハ３を吸着できるよう
に吸着口２を各々設ける。ウェハステージ１上にウェハ
３が搬入されると、所定の位置に置かれ、上下動可能な
筒状の支柱４の吸着口２により所要の吸着力でもってウ
ェハ３は吸着され、固定される。一方、上記実施例１に
おけると同様のセンサ１００により、ウェハ３の反り等
の状態を検知し、ウェハ３が水平に固定されていること
を確認する。また、異物５が存在する等してウェハ３が
水平に固定されていない場合には、センサ１００により
異物５等によって最も高くなった位置を検出し、異物５
の存在しないより低い部分の上下動可能な筒状の支柱４
を全てその高さまで上げる。即ち、該センサ１００から
の情報により上下動可能な筒状の支柱４に各々対応して
設けられたパルスモータ８を駆動させ、これによりギア
部９ａと、ギア部９ｂとの噛合を介して上下動可能な筒
状の支柱４を上下動させるこ該支柱４の移動量、即ちウ
ェハステージの高さを変えることができる。
【００２０】このように本実施例の半導体製造装置で
は、センサ１００からの情報により、上下動可能な筒状
の支柱４に対して各々設けたパルスモータ８を駆動させ
て上下動可能な筒状の支柱４の高さを制御する機構を持
つものであり、これによりウェハ３を水平に吸着固定す
ることができ、上記実施例１と同様の効果が得られる。
は、センサ１００からの情報により、上下動可能な筒状
の支柱４に対して各々設けたパルスモータ８を駆動させ
て上下動可能な筒状の支柱４の高さを制御する機構を持
つものであり、これによりウェハ３を水平に吸着固定す
ることができ、上記実施例１と同様の効果が得られる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
製造装置において、ウェハ反り等のウェハ状態を確認す
るためのセンサを備え、その検出状態に応じてウェハス
テージの吸着口ごとにそれぞれ吸着強度を変えることと
により、あるいは、ウェハステージの吸着口形成部を上
下動可能な筒状の支柱からなるものとし、上記センサの
検出状態に応じて筒状の支柱の高さを制御することとに
より、ウェハの反りや異物に影響されることなくウェハ
を水平に吸着固定することができ、精度よい半導体製造
プロセスが得られる効果がある。
製造装置において、ウェハ反り等のウェハ状態を確認す
るためのセンサを備え、その検出状態に応じてウェハス
テージの吸着口ごとにそれぞれ吸着強度を変えることと
により、あるいは、ウェハステージの吸着口形成部を上
下動可能な筒状の支柱からなるものとし、上記センサの
検出状態に応じて筒状の支柱の高さを制御することとに
より、ウェハの反りや異物に影響されることなくウェハ
を水平に吸着固定することができ、精度よい半導体製造
プロセスが得られる効果がある。
【図１】この発明の実施例１による半導体製造装置のウ
ェハステージを示す平面図である。
ェハステージを示す平面図である。
【図２】この発明の実施例１による半導体製造装置のウ
ェハステージを示す断面図である。
ェハステージを示す断面図である。
【図３】この発明の実施例１による半導体製造装置のウ
ェハの反り，裏面に付着している異物等を検出するセン
サを示す構成図である。
ェハの反り，裏面に付着している異物等を検出するセン
サを示す構成図である。
【図４】この発明の実施例１による半導体製造装置のウ
ェハステージ上の吸着口ごとの吸着強度を変える手段を
示す図である。
ェハステージ上の吸着口ごとの吸着強度を変える手段を
示す図である。
【図５】この発明の実施例２による半導体製造装置のウ
ェハステージを示す平面図である。
ェハステージを示す平面図である。
【図６】この発明の実施例２による半導体製造装置のウ
ェハステージを示す断面図である。
ェハステージを示す断面図である。
【図７】この発明の実施例２による半導体製造装置の上
下動する筒状の支柱の移動量を変える手段を示す図であ
る。
下動する筒状の支柱の移動量を変える手段を示す図であ
る。
【図８】従来の技術による半導体製造装置のウェハステ
ージを示す平面図である。
ージを示す平面図である。
【図９】従来の技術による半導体製造装置のウェハステ
ージを示す断面図である。
ージを示す断面図である。
１ ウェハステージ ２ 吸着口 ３ ウェハ ４ 筒状の支柱 ５ 異物 ６ ニードルバルブ ７ リーク管 ８ パルスモータ ９ａ，９ｂ ギア部 １１ レーザ光源 １２ プリズム １３ 反射鏡 １４ レチクル １５ 縮小投影レンズを備えた制御室 １６ ウェハフラット検知部 １７ レーザ光線 １８ 反射量モニタであるＳＰＤ １９ 大気圧センサ・チャンバ温度センサ ２０ フォーカスコントロール演算部 ２１ 圧力調節部 ２２ 圧力コントロール演算部 ２３ メインＣＰＵ ２４ 表示パネル １００ ウェハ反り検出センサ
Claims (4)
- 【請求項１】 ウェハステージを有し、真空吸着によっ
てウェハステージ上にウェハを固定する半導体製造装置
において、 ウェハの反りの状態，裏面に付着している異物等を検出
する検出手段と、 そのセンサの出力信号に応じてウェハステージ上の吸着
口ごとに吸着強度を変える手段とを備えたことを特徴と
する半導体製造装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造装置におい
て、 上記検出手段は、上記ウェハにレーザ光を照射し、その
反射光を検出して上記ウェハの反りの分布を検出するも
のであることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体製造装置
において、 上記ウェハステージ上の吸着口が固定の筒状の支柱から
なり、 上記吸着口ごとに吸着強度を変える手段は、該各々の筒
状の支柱内のエアを上記検出手段の出力に応じてリーク
するリーク手段であることを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項４】 請求項１または２記載の半導体製造装置
において、 ウェハステージ上の吸着口が上下動可能な筒状の支柱か
らなり、 上記吸着口ごとに吸着強度を変える手段は、該各々筒状
の支柱を上記検出手段の出力に応じて上下動させる手段
であることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34166592A JPH06169007A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34166592A JPH06169007A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06169007A true JPH06169007A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18347845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34166592A Pending JPH06169007A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06169007A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1992
- 1992-11-27 JP JP34166592A patent/JPH06169007A/ja active Pending
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