JP2007305614A - 基板の反り測定装置及び基板処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】基板を反り測定装置内の基板載置台上の所定の位置に正確に載置することにより、基板の反りを正確に測定する。
【解決手段】ウェハＷを載置する載置台１１０に複数の貫通孔１２０ａ、１２０ｂを設ける。さらに載置台１１０の載置面上にウェハＷを支持する複数の支持ピン１２１を設ける。支持ピン１２１はＰＥＢ装置内の熱板上のピンと同一位置に配置されている。ウェハＷを下降させて載置台１１０に載置する際に、ウェハＷと載置台１１０の間の空気がこれらの複数の貫通孔１２０ａ、１２０ｂから抜け出るので、ウェハＷは水平方向にずれることがなく、載置台１１０の所定の位置に正確に載置される。また、ＰＥＢ装置内の熱板上の複数のピンに支持されることによって生じるウェハの微小な反りと同一の反りも測定することができ、ウェハＷの反りを正確に測定することができる。
【選択図】図４

Description

本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板の反りを測定する装置及び基板の処理システムに関する。

例えば半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させる加熱処理（ポストエクスポージャーベーキング）、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。

上述のポストエクスポージャーベーキングなどの加熱処理は、通常加熱処理装置で行われている。加熱処理装置は、ヒータによって昇温する熱板を備え、予め所定の温度に調整された熱板にウェハを載置することにより、熱処理が行われている。

ところで、加熱処理装置で加熱処理が行われるウェハには、前処理などの影響により反りが生じる場合がある。この反りのあるウェハを熱板上に載置すると、ウェハと熱板との距離がウェハ面内でばらつき、熱板からウェハに熱が均一に伝わらなくなる。この熱処理時におけるウェハの蓄積熱量は、最終的にウェハ上に形成されるレジストパターンの線幅に大きな影響を与えるので、上述したようにウェハに均一に熱が伝わらなくなると、レジストパターンの線幅均一性が低下する。

そこで、ウェハに反りがある場合でも所定の加熱処理を好適に実施するために、加熱処理前にウェハの反りを測定する必要がある。このウェハの反りの測定結果に基づいて、例えば、加熱処理装置内で、熱板とウェハの距離が長い場所では熱板からの加熱量を増加させ、熱板とウェハの距離が短い場所では熱板からの加熱量を減少させるなどの補正が行われる。このような熱板からの加熱量の補正を行い、ウェハを均一に加熱している。

このウェハの反りを測定する従来の測定装置としては、露光装置内に設けられたウェハを載置するウェハステージ、あるいは別途設けられた平板上に、ウェハを載置して、フォーカスセンサでウェハの反りを測定する反り測定装置が知られている。（特許文献１）

特開平１０−１９９９４７号公報

しかしながら、前記のウェハステージあるいは平板をウェハの載置台として用いる場合、ウェハを載置台に載置する際にウェハを下降させた時に、ウェハと載置台の間に存在する空気が圧縮され、ウェハは載置台の所定の位置から水平方向にずれて載置台に載置されることがあった。ウェハの反りを正確に測定するためには、ウェハを載置台の所定の位置に載置する必要があるが、このようにウェハが所定の位置から水平方向にずれて載置台に載置された場合、正確な反りを測定することができなかった。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、ウェハなどの基板を反り測定装置内の基板載置台上の所定の位置に正確に載置することにより、基板の反りを正確に測定することを目的とする。

前記目的を達成するため、本発明においては、基板の反りを測定する装置であって、基板が載置される基板載置台と、前記基板載置台に載置された基板の反りを測定する反り測定部材と、を有し、前記基板載置台は、載置面を貫通する複数の貫通孔を有することを特徴とする基板の反り測定装置が提供される。

本発明においては、基板載置台に複数の貫通孔が設けられていることによって、基板を載置台に載置する際に、基板と基板載置台の間に存在する空気は、これらの複数の貫通孔から抜け出る。したがって、基板を下降させても、基板は基板載置台上の所定の位置から水平方向にずれることがない。その結果、基板を正確に基板載置台に載置することができる。

前記複数の貫通孔は、同一円周上に等間隔に配置されていてもよい。これにより、基板と基板載置台の間に存在する空気は、これらの貫通孔から均等に抜け出る。したがって、基板載置台上の所定の位置から水平方向にずれることなく、より正確に基板載置台に基板を載置することができる。

前記複数の貫通孔は、２以上の円周上に配置され、さらに前記基板載置台の中心側にある貫通孔が周辺側にある貫通孔よりも大きくしてもよい。基板載置台の周辺側において、基板と基板載置台の間に存在する空気は、貫通孔から抜け出るだけでなく横方向からも抜け出る。一方、基板載置台の中心側では、基板と基板載置台の間の空気は貫通孔からのみ抜け出る。したがって、基板載置台の中心側の貫通孔を周辺側の貫通孔よりも大きくすることにより、基板と基板載置台の間の空気は、これらの貫通孔から均等に抜け出る。そして、基板を基板載置台上の所定の位置から水平方向にずらすことなく、さらに正確に基板載置台に載置することができる。

前記基板載置台は、基板を支持する複数の支持部材を載置面上に有し、当該複数の支持部材は、基板を加熱する加熱処理装置内の熱板上の複数の支持部材と同一の位置に配置してもよい。これにより、基板を加熱処理装置内の熱板に載置した際に、熱板上の複数の支持部材に支持されることによって生じる基板の微小な反りを、反り測定装置内の基板にも再現することができる。そして、この微小な反りも含めた基板の反りを正確に測定することにより、その後基板が搬送される加熱処理装置内において、この反りに応じた熱板からの加熱量の補正を行い、基板を好適に加熱することができる。

前記基板載置台はその周面に複数の鉛直方向の溝を有し、当該複数の溝は、基板の搬送体における基板を支持する複数の支持部が上下方向に通過できる形状であってもよい。この場合、搬送体の基板を支持する複数の支持部と基板載置台が干渉せず、基板処理システム内の基板の搬送体によって、基板を基板載置台に載置できる。したがって、昇降ピンによって基板を基板載置台に載置する場合と比較すると、昇降ピンが貫通するための所定のスペースを基板載置台に確保する必要がないため、基板載置台に設けられる貫通孔の大きさや位置をより自由に設けることができる。

前記基板載置台は、前記複数の溝の位置を周方向に移動可能としてもよい。これにより、基板を搬送する搬送体が基板載置台に対して異なる角度で進入した場合でも、搬送体の複数の支持部の位置に基づいて、基板載置台の複数の溝の位置を調整することができる。

前記基板の反り測定装置は、基板を加熱する加熱処理装置と同一の基板処理システム内に設置されていてもよい。これにより、基板の反りをインラインで測定することができ、円滑に基板の処理を行うことができる。

本発明によれば、ウェハなどの基板を基板載置台上の所定の位置に正確に載置することができ、基板の反りを正確に測定することができる。

以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる反り測定装置９５を搭載した塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり、図２は、塗布現像処理システム１の正面図であり、図３は、塗布現像処理システム１の背面図である。

塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり、カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と、フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を多段に配置している処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられている露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション２には、カセット載置台５が設けられ、当該カセット載置台５は、複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。カセットステーション２には、搬送路６上をＸ方向に向かって移動可能なウェハ搬送体７が設けられている。ウェハ搬送体７は、カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウェハＷに対して選択的にアクセスできる。

ウェハ搬送体７は、Ｚ軸周りのθ方向に回転可能であり、後述する処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属する温調装置６０やトランジション装置６１に対してもアクセスできる。

カセットステーション２に隣接する処理ステーション３は、複数の処理装置が多段に配置された、例えば５つの処理装置群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション３のＸ方向負方向（図１中の下方向）側には、カセットステーション２側から第１の処理装置群Ｇ１、第２の処理装置群Ｇ２が順に配置されている。処理ステーション３のＸ方向正方向（図１中の上方向）側には、カセットステーション２側から第３の処理装置群Ｇ３、第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理装置群Ｇ３と第４の処理装置群Ｇ４の間には、第１の搬送装置１０が設けられている。第１の搬送装置１０は、第１の処理装置群Ｇ１、第３の処理装置群Ｇ３及び第４の処理装置群Ｇ４内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。第４の処理装置群Ｇ４と第５の処理装置群Ｇ５の間には、第２の搬送装置１１が設けられている。第２の搬送装置１１は、第２の処理装置群Ｇ２、第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。

図２に示すように第１の処理装置群Ｇ１には、ウェハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置、例えばウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置２０、２１、２２、露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティング装置２３、２４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理装置群Ｇ２には、液処理装置、例えばウェハＷに現像液を供給して現像処理する現像処理装置３０〜３４が下から順に５段に重ねられている。また、第１の処理装置群Ｇ１及び第２の処理装置群Ｇ２の最下段には、各処理装置群Ｇ１、Ｇ２内の液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室４０、４１がそれぞれ設けられている。

例えば図３に示すように第３の処理装置群Ｇ３には、温調装置６０、ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置６１、精度の高い温度管理下でウェハＷを温度調節する高精度温調装置６２〜６４及びウェハＷを高温で加熱処理する高温度熱処理装置６５〜６８が下から順に９段に重ねられている。

第４の処理装置群Ｇ４では、例えば高精度温調装置７０、レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキング装置７１〜７４及び現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキング装置７５〜７９が下から順に１０段に重ねられている。

第５の処理装置群Ｇ５では、ウェハＷを熱処理する複数の熱処理装置、例えば高精度温調装置８０〜８３、ポストエクスポージャーベーキング装置８４〜８９が下から順に１０段に重ねられている。

図１に示すように第１の搬送装置１０のＸ方向正方向側には、複数の処理装置が配置されており、例えば図３に示すようにウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョン装置９０、９１、ウェハＷを加熱する加熱装置９２、９３が下から順に４段に重ねられている。図１に示すように第２の搬送装置１１のＸ方向正方向側には、例えばウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置９４、本発明にかかるウェハの反りを測定する反り測定装置９５が配置されている。

インターフェイス部４には、例えば図１に示すようにＸ方向に向けて延伸する搬送路１００上を移動するウェハ搬送体１０１と、バッファカセット１０２が設けられている。ウェハ搬送体１０１は、Ｚ方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり、インターフェイス部４に隣接した露光装置（図示せず）と、バッファカセット１０２及び第５の処理装置群Ｇ５に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。

次に、上述の反り測定装置９５の構成について説明する。例えば反り測定装置９５は、図４に示すように、その内部にウェハＷを載置する載置台１１０を有している。載置台１１０は、例えば反り測定装置９５の側壁９５ａに固定された載置台支持部１１１によって、水平に設置されている。載置台１１０の下方には、昇降ピン１１２が設けられている。昇降ピン１１２は昇降自在に構成されており、載置台１１０の下方から載置台１１０のピン用貫通孔１２２を通って上方に貫通する。ピン用貫通孔１２２は、図５に示すように、例えば３本の昇降ピン１１２が同一円周上に等間隔に配置されるように設けられている。昇降ピン１１２はブラケット１１３によって支持されており、ブラケット１１３の下方には、例えばシリンダなどを備えた駆動機構１１４が設けられている。したがって、駆動機構１１４の作動により昇降ピン１１２が昇降する。この昇降ピン１１２は、載置台１１０の上方でウェハＷを受け取って支持した後、下降してウェハＷを載置台１１０に載置する。

載置台１１０の上方には、例えば反り測定部材である２つのレーザ変位計１１５、１１６が、変位計支持部１１７によって側壁９５ａに固定されて設けられている。レーザ変位計１１５はウェハＷの中心部寄りの上方に、レーザ変位計１１６がウェハＷの外周部寄りの上方に設けられている。これらのレーザ変位計１１５、１１６は、ウェハＷの表面との距離を測定できる。各レーザ変位計１１５、１１６の測定結果は、測定制御部１１８に出力される。測定制御部１１８は、当該測定情報に基づいて、ウェハＷの中心部と外周部との高低差を算出し、ウェハＷの反り状態、例えばウェハＷの反り量と反り形状を測定できる。

載置台１１０には、複数の貫通孔１２０ａ、１２０ｂが載置台１１０を上下方向に貫通して設けられている。これらの貫通孔１２０ａ、１２０ｂは、図５に示すように、それぞれ同心円であって径の異なるＡ、Ｂの円周上に等間隔に配置されている。貫通孔１２０ａ、１２０ｂは、例えば円形の形状で、載置台１１０の中心側にある貫通孔１２０ａは、周辺側にある貫通孔１２０ｂよりも大きく設定されている。なお、貫通孔１２０ａ、１２０ｂは、ウェハＷと載置台１１０の間に存在する空気を逃がすことができればよく、したがって、その形状は円形に限らない。

また、載置台１１０の載置面上には、ウェハＷを支持する複数の支持ピン１２１が設けられている。これら支持ピン１２１は、例えばポストエクスポージャーベーキング装置（以下「ＰＥＢ装置」という。）８４〜８９内において、ウェハを加熱する熱板（図示せず）上に設けられたウェハを支持するピンと、同一の数、同一の位置に配置されている。支持ピン１２１は、図５に示すように、例えば複数の同一円周上に等間隔に配置されている。支持ピン１２１はＰＥＢ装置内の熱板上のピンと同一の位置に配置されているため、熱板上の複数のピンに支持されることによって生じるウェハの微小な反りと同一の反りが、載置台１１０に載置されたウェハＷ上にも再現できる。

本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１は以上のように構成されており、次にその塗布現像処理システム１で行われるウェハ処理について説明する。

先ず、ウェハ搬送体７によって、カセット載置台５上のカセットＣから未処理のウェハＷが一枚取り出され、第３の処理装置群Ｇ３の温調装置６０に搬送される。温調装置６０に搬送されたウェハＷは、所定温度に温度調節され、その後第１の搬送装置１０によってボトムコーティング装置２３に搬送され、反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウェハＷは、第１の搬送装置１０によって加熱装置９２、高温度熱処理装置６５、高精度温調装置７０に順次搬送され、各装置で所定の処理が施される。その後ウェハＷは、レジスト塗布装置２０に搬送される。

レジスト塗布装置２０においてウェハＷ上にレジスト膜が形成されると、ウェハＷは第１の搬送装置１０によってプリベーキング装置７１に搬送され、続いて第２の搬送装置１１によって周辺露光装置９４、高精度温調装置８３に順次搬送されて、各装置において所定の処理が施される。その後、本発明にかかる反り測定装置９５に搬送される。

第２の搬送装置１１によって反り測定装置９５に搬入されたウェハＷは、載置台１１０の上方に移動される。そこで昇降ピン１１２が上昇し、第２の搬送装置１１上のウェハＷが昇降ピン１１２に受け渡される（図６（ａ））。その後、ウェハＷを載置した昇降ピン１１２は、駆動機構１１４によって下降する（図６（ｂ））。この際、ウェハＷと載置台１１０の間に存在する空気１２３は、貫通孔１２０ａ、１２０ｂの間から抜け出る。したがって、ウェハＷは載置台１１０の所定の位置に対して水平方向にずれることない。そして、ウェハＷは、載置台１１０の支持ピン１２１上であって、レーザ変位計１１５、１１６によって測定されるべき所定の位置に正確に載置される（図６（ｃ））。昇降ピン１１２は、少なくとも載置台１１０の載置面より突起しない位置まで下降する。このようにして、ウェハＷは載置台１１０の所定の位置に対して正確に載置される。

ウェハＷが載置台１１０に載置された後、レーザ変位計１１５、１１６により各レーザ変位計１１５、１１６とウェハＷとの距離が測定される。この測定結果が測定制御部１１８に出力され、上に凸か下に凸かのウェハＷの反り形状と、ウェハＷの反り量が測定される。この際、支持ピン１２１はＰＥＢ装置内の熱板（図示せず）上に設けられたウェハを支持するピンと同一の位置に配置されているので、熱板上の複数のピンに支持されることによって生じるウェハの微小な反りと同一の反りも測定することができる。すなわち、ＰＥＢ装置内にて載置された時と同じ状態でウェハの反り量を正確に測定することができる。

反り測定装置９５で反り測定の終了したウェハＷは、インターフェイス部４のウェハ搬送体１０１によって露光装置（図示せず）に搬送され、露光される。露光処理の終了したウェハＷは、ウェハ搬送体１０１によってＰＥＢ装置８４に搬送され、所定の処理が施される。

ＰＥＢ装置８４における熱処理が終了すると、ウェハＷは第２の搬送装置１１によって高精度温調装置８１に搬送されて温度調節され、その後現像処理装置３０に搬送され、ウェハＷ上のレジスト膜が現像される。その後ウェハＷは、第２の搬送装置１１によってポストベーキング装置７５に搬送され、加熱処理が施された後、高精度温調装置６３に搬送され温度調節される。そしてウェハＷは、第１の搬送装置１０によってトランジション装置６１に搬送され、ウェハ搬送体７によってカセットＣに戻されて一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。

以上のように、本実施の形態の反り測定装置９５を塗布現像処理システム内に配置することにより、ウェハＷの反りをこのシステム内においてインラインで測定することができ、円滑にウェハＷの処理を行うことができる。また、載置台１１０には複数の貫通孔１２０ａ、１２０ｂが設けられているので、ウェハＷを載置台１１０に載置する際、ウェハＷと載置台１１０の間に存在する空気１２３はこれらの貫通孔１２０ａ、１２０ｂから抜け出ることができ、ウェハＷは水平方向にずれることがなく載置台１１０の所定の位置に正確に載置される。これにより、ウェハＷの反り量を正確に測定することができる。さらに、載置台１１０上にウェハＷを支持する複数の支持ピン１２１を設け、これらの支持ピン１２１をＰＥＢ装置８４内の熱板上のピンと同一の位置に配置させているので、ＰＥＢ装置８４内に載置されたウェハと同一の反りを、反り測定装置９５内のウェハＷ上に再現して測定することができる。このウェハＷの反りの測定結果に基づいて、ＰＥＢ装置８４内で熱板からの加熱量の補正を行い、ウェハＷを均一に加熱することができる。

次に他の実施の形態の反り測定装置について、図７に基づいて説明する。図７は他の実施の形態にかかる反り測定装置１３０の概略を示している。

反り測定装置１３０は、その内部にウェハＷを載置する載置台１３１を有している。載置台１３１の下面の中心には、回転部１３７が設けられている。回転部１３７の下方には、上下方向に延びるシャフト１３８を介して、回転駆動部１３９が反り測定装置１３０の底部１３０ａに固定されて設けられている。載置台１３１は、これら回転部１３７、シャフト１３８、回転駆動部１３９によって支持され、水平に設置されている。また、この回転部１３７は、回転駆動部１３９の駆動により、載置台１３１を周方向（θ方向）に移動、すなわちシャフト１３８を中心として載置台１３１を回動させることができる。

載置台１３１の周面には、溝部１３２が鉛直方向に設けられている。溝部１３２は、図８及び図９に示すように、ウェハ搬送体１３３のウェハＷを直接支持する支持部１３６が上下方向に通過できる位置に、例えば３箇所設けられている。

より詳しく言うと、ウェハ搬送体１３３は、図９に示すように、ウェハＷの周縁部を支持するために３／４円環状のＣ字型に構成されたフレーム部１３４と、このフレーム部１３４と一体に形成され、かつフレーム部１３４を支持するためのアーム部１３５から構成されている。フレーム部１３４には、ウェハＷを直接支持する支持部１３６が例えば３箇所設けられている。支持部１３６はフレーム部１３４の内円周に等間隔に設けられ、フレーム部１３４の内側に突出している。

載置台１３１には、複数の貫通孔１４０ａ、１４０ｂが載置台１３１の上下方向に貫通して設けられている。これらの貫通孔１４０ａ、１４０ｂは、図８に示すように、それぞれ同心円であって径の異なるＣ、Ｄの円周上に等間隔に配置されている。貫通孔１４０ａ、１４０ｂは、例えば円形の形状で、載置台１３１の中心側にある貫通孔１４０ａは、周辺側にある貫通孔１４０ｂよりも大きい。なお、貫通孔１４０ａ、１４０ｂの形状は円形に限らない。

載置台１３１の載置面上には、さらにウェハＷを支持する複数の支持ピン１４１が設けられている。上述の実施の形態の反り測定装置９５における載置台１１０上の支持ピン１２１と同じ仕様であり、かつ同一の位置に設けられている。

他の実施の形態にかかる反り測定装置１３０は以上のように構成されており、次にこの反り測定装置１３０内の載置台１３１に、ウェハＷが載置される方法について説明する。

ウェハＷを支持したウェハ搬送体１３３は、反り測定装置１３０内の載置台１３１の上方に進入する（図１０（ａ））。ウェハ搬送体１３３の載置台１３１の上方に進入する角度は予め設定されており、溝部１３２の位置は、ウェハ搬送体１３３が下降した際に、突起部１３６が載置台１３１に接触しない位置となるように予め調整されている。しかし、ウェハ搬送体１３３がこの設定されている角度と異なる角度で進入する場合もある。この場合には、回転駆動部１３９によって、シャフト１３８を介して回転部１３７が周方向に回動する。この回動によって、回転部１３７の上面に設けられた載置台１３１は、図１１に示すように、溝部１３２の位置と支持部１３６の位置が一致するように周方向に回動されて、溝部１３２の位置を調整することができる。

その後、ウェハ搬送体１３３は第２の搬送装置１１に設けられた駆動機構（図示せず）によって下降する（図１０（ｂ））。ウェハ搬送体１３３が下降している間、ウェハＷと載置台１３０の間に存在する空気１４３は、貫通孔１４０ａ、１４０ｂの間から抜け出る。これにより、ウェハＷは載置台１３１の所定の位置に対して水平方向にずれることがない。したがって、ウェハＷは、載置台１３０の支持ピン１２１に正確に載置される（図１０（ｃ））。ウェハＷを載置台１３１に載置し終えたウェハ搬送体１３３は、さらに載置台１３１を通過するまで下降する。この際、ウェハ搬送体１３３と載置台１３１は接触することなく、支持部１３６は溝部１３２を通過する。その後、ウェハ搬送体１３３は後退して、反り測定装置１３０から抜き出される。

以上のように、他の実施の形態の反り測定装置１３０によれば、ウェハ搬送体１３３は載置台１３１と接触することなく、ウェハＷはウェハ搬送体１３３によって直接載置台１３１に載置されるので、上述の反り測定装置９５における載置台１１０上の昇降ピン１１２を設ける必要がない。したがって、載置台１３１には昇降ピン用の孔を設ける必要がなく、この昇降ピン用の孔のスペースに貫通孔１４０ａ、１４０ｂを設けることができる。したがって、載置台１１０に設けられた貫通孔１２０ａ、１２０ｂに比べて、貫通孔１４０ａ、１４０ｂはその大きさや位置をより自由に設けることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハＷ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。

本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板を処理するシステム内の反り測定装置において、基板の反りを測定する際に有用である。

本実施の形態にかかる反り測定装置を搭載した、塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの正面図である。 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの背面図である。 本実施の形態にかかる反り測定装置の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施の形態にかかる載置台の平面図である。 ウェハが支持ピンによって載置台に載置される工程を示す説明図であり、（ａ）はウェハが支持ピンに支持された状態を示し、（ｂ）は支持ピンが下降する様子を示し、（ｃ）はウェハが載置台に載置された様子を示している。 他の実施の形態にかかる反り測定装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかる載置台の平面図である。 ウェハ搬送体の平面図である。 ウェハがウェハ搬送体によって載置台に載置される工程を示す説明図であり、（ａ）はウェハ搬送体が反り測定装置に進入した状態を示し、（ｂ）はウェハ搬送体が下降する様子を示し、（ｃ）はウェハが載置台に載置された様子を示している。 載置台が周方向に回動する様子を示す説明図である。

符号の説明

１ 塗布現像処理システム
８４〜８９ ポストエクスポージャーベーキング装置（ＰＥＢ装置）
９５ 反り測定装置
１１０ 載置台
１１２ 昇降ピン
１１５ レーザ変位計（ウェハＷの中心部上方）
１１６ レーザ変位計（ウェハＷの外周部上方）
１２０ 貫通孔
１２１ 支持ピン
１３１ 載置台
１３２ 溝部
１３３ ウェハ搬送体
１３６ 支持部
１３７ 回転部
Ｗ ウェハ

Claims (7)

1. 基板の反りを測定する装置であって、
   基板が載置される基板載置台と、
   前記基板載置台に載置された基板の反りを測定する反り測定部材と、を有し、
   前記基板載置台は、載置面を貫通する複数の貫通孔を有することを特徴とする、基板の反り測定装置。
2. 前記複数の貫通孔は、同一円周上に等間隔に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の基板の反り測定装置。
3. 前記複数の貫通孔は、２以上の円周上に配置され、さらに前記基板載置台の中心側にある貫通孔が周辺側にある貫通孔よりも大きいことを特徴とする、請求項２に記載の基板の反り測定装置。
4. 前記基板載置台は、基板を支持する複数の支持部材を載置面上に有し、当該複数の支持部材は、基板を加熱する加熱処理装置内の熱板上の複数の支持部材と同一の配置であることを特徴とする、請求項１〜３に記載の基板の反り測定装置。
5. 前記基板載置台はその周面に複数の鉛直方向の溝を有し、当該複数の溝は、基板の搬送体における基板を支持する複数の支持部が上下方向に通過できる形状であることを特徴とする、請求項１〜４に記載の基板の反り測定装置。
6. 前記基板載置台は、前記複数の溝の位置を周方向に移動可能であることを特徴とする、請求項１〜５に記載の基板の反り測定装置。
7. 前記請求項１〜６に記載の基板の反り測定装置と、前記基板を加熱する加熱処理装置と、を有することを特徴とする、基板処理システム。

Images