JPH0221553A - 電子線測長装置 - Google Patents

電子線測長装置

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JPH0221553A
JPH0221553A JP63170616A JP17061688A JPH0221553A JP H0221553 A JPH0221553 A JP H0221553A JP 63170616 A JP63170616 A JP 63170616A JP 17061688 A JP17061688 A JP 17061688A JP H0221553 A JPH0221553 A JP H0221553A
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JP
Japan
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wafer
electron beam
sample
length measuring
length
Prior art date
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Pending
Application number
JP63170616A
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English (en)
Inventor
Shinichi Horiba
堀場 信一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH0221553A publication Critical patent/JPH0221553A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子線を用いてパターンの寸法を正確に再現性
良く測長を行なう電子線測長装置に関する。
〔従来の技術〕
近年、リソグラフィー技術、エツチング技術等の微細加
工技術の進歩によりLSIの設計寸法は年々小さくなり
、サブミクロンの領域に達している。このサブミクロン
の精度に対して、プロセス管理レベルも厳しくなり、評
価装置に要求される測定精度も年々高くなっている。L
SIの特性等に影響を及ぼすパターン寸法変化のプロセ
ス管理レベルを設計寸法の±1/10程度であると考え
ると、測定精度を管理寸法の115と見積ってもサブミ
クロンの設計寸法では、0.02μm以上の測定精度が
要求されることになる。このような精度レベルでプロセ
スを管理するなめには、高精度の寸法測長が必要である
第4図は従来の電子線測長装置の一例の構成図である。
この装置は防諜台15と、この防震台15上に設置され
かつ真空ポンプ16,17によって真空引きされた真空
鏡筒部1と、この真空鏡筒部1の内に設置された電子光
学系及びステージ系を制御する制御部1つ及び測長部パ
ターンを表示するCRT18とから構成されている。
この鏡筒部1の電子銃2から放射され制限アパチャー3
を通過した電子ビーム4は、縮少レンズ5.7によって
縮少され、さらに制限アパチャー8を通過した後、対物
レンズ11によって縮少することにより、像への焦点合
せが行われウェハー12上に照射される。このウェハー
12上に照射された直径100Å以下の電子ビームは、
操作偏向電極9によってウェハー12上を走査され、こ
れにより照射部より発生した2次電子はシンチレータ1
0によって補集され、得られた信号が制御部1つで処理
されその寸法が求まる。
このときウェハー12はウェハー台13に載せられ、ウ
ェハー台13はステージ14上に設置されている。この
ステージ14はZ方向に垂直な面内での回転方向及びX
−Y方向に移動可能であるが、対物レンズ11と試料表
面の距離が変化することにより生じる倍率変化によって
測長値に誤差がでないように、Z方向への移動及びX軸
の回転はできないようになっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の電子線測長装置は、対物レンズ11とウ
ェハー12の試料表面との距離が変化しないように、ス
テージ14のZ方向の移動及びX方向の回転が行えない
ようになっているが、測長場所のX−Y方向への移動を
行なった際に、ウェハー12の反り、ウェハー裏面のゴ
ミ、ウェハー台の13の反り等によりワーキングデイス
タンスが測長場所により異なり、そのため倍率変化(誤
差)を生じ、測長場所により測長値が倍率変化の影響で
変わってしまい高精度、高再現性の測長を行えないとい
う欠点がある。
本発明は、このような欠点を除き、Z方向の移動を行な
うことにより電子線を集束し焦点合せを行なうための対
物レンズと測長を必要とする試料表面との距離を常に一
定にして、高精度、高再現性の測長を行なえるようにし
た電子線測長装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の構成は、電子線源から放射された電子線を、対
物レンズにより試料台上の試料に集束して焦点合わせを
行うと共に、その試料上に前記電子線を走査してこの試
料上のパターン寸法の測長を行う電子線測長装置におい
て、前記試料上に前記電子線と平行にレーザ光を照射し
てその試料表面からの反射光を光学系により検出してそ
の焦点位置を検出する光学検出手段と、前記試料台を上
下して前記対物レンズと前記試料表面との距離を一定に
保つ試料台移動手段とを備え、この試料台移動手段の位
置を正確な焦点位置となるように前記光学検出手段によ
りモニターすることを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を説明する模式的構成図であ
る。本実施例は、従来の構成に対しレーザ光源21、ミ
ラー20、ハーフミラ−23、レンズ24、ディテクタ
25が付加されている。本実施例は、装置による電子線
測長前に、レーザ光源21からレーザビーム22が出射
してミラー20により反射されウェハー12上に照射さ
れる。
このウェハー12上に照射されたレーザービーム22は
反射され、その後ミラー20及びハーフミラ−23によ
り反射されレンズ24によってディテクタ25上に結像
され、この結像したレーザービームの形状と強度から正
確なフォーカス位置をステージ14を動かして検出する
。これにより測長時のウェハー12表面と対物レンズ1
1の距離は常に一定に保たれる。
次に、電子銃1より出射した電子ビーム3は制限アパチ
ャ2を通過し縮少レンズ4,7によって縮少され、さら
に100μm径程度の制限アパチャー8を通過した後、
電子ビーム3の通過を邪魔しないように150μm径程
度の大の空いているレーザービーム22反射のためのミ
ラー20を通過し対物レンズ11によって縮少されるこ
とにより像への焦点合せが行われ、ウェハー12上に照
射される。
このウェハー12上に照射された電子ビーム3は、走査
偏向電極9によってウェハー12上を走査し、これによ
り照射部より発生した2次電子はシンチレータ10によ
って捕集され、得られた信号は制御部1つで処理寸法が
求まり繰り返し測長が行われる。
この測長は、−回の測長ごとに対物レンズ11とウェハ
ー12の表面の距離を一定にしているので、測定場所で
の試料表面の上下による倍率変化(誤差)はなく高精度
、高再現性の測長が可能である。
さらに、この装置の場合、Z方向の移動及びX軸の回転
が行えるため、従来の電子線測長機では行えなかった試
料を傾けてウェハーを観察するといった観察用SEMと
しても利用できる。
第2図は本発明の第2の実施例を説明するための構成図
、第3図は本実施例のウェハーをみな上面図である。ウ
ェハー12は、寸法測定前に電子線測長装置30のチャ
ンバー33と接続されたチャンバー32内のステージ1
4上に設置される。
このチャンバー32では、第3図のように、ステージ1
4上にはウェハー12が固定され、ステージ14測定表
面の基準となる基準マーク36が取り付けられている。
このステージ14上にウェハー12を設置した後、ステ
ージ14上の基準マーク36のベストフォーカス位置の
検出を行なうため、レーザ光源21、ハーフミラ−23
、レンズ34.24.ディテクタ25が設けられている
レーザ光源21から出射したレーザビーム22はハーフ
ミラ−23を透過し、対物レンズ34によって基準マー
ク36上に集光照射され、その反射光はハーフミラ−2
3により反射されレンズ24によりディテクタ25上に
結像され、その結像したレーザビームの形状と強度から
基準マークの正確なフォーカス位置をステージ14を上
下に移動することにより検出する。
次に、実際に寸法測定を行う場所にステージ14を移動
し、基準マークと同様の測定方法でベストフォーカス位
置を検出する。測定点食てのベストフォーカス位置検出
が終了した後、ステージ14とウェハー12は電子線測
長装置30のチャンバー33内にロードされて測長が行
われる。各測定点での測長値は、基準マーク36とのベ
ストフォーカス位置の差から求められる倍率変化による
測長値の誤差を制御系31のソフト処理により補正され
る。これにより、高精度、高再現性の測長が可能である
。本実施例も第1の実施例と同様に観察用SEMとして
も利用できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の電子線測長装置は、電子線
を集束し、焦点合せを行なうための対物レンズと測長を
必要とする試料表面との距離を常に一定にする機能を有
することにより、ウェハーの反り、裏面のゴミ等により
生じる倍率変化により測長値の誤差をなくし、高精度、
高再現性の測長ができ、高品質の半導体装置を安価で大
量に製造できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の構成図、第2図は本発明の第
2の実施例の構成図、第3図は第2の実施例を説明する
ウェハーの上面図、第4図は従来の電子線測長装置の一
例の構成図である。 1・・・鏡筒部、2・・・電子銃、3,8・・・制限ア
パチャー、4・・・電子ビーム、5,7・・・縮少レン
ズ、6・・・ブランキング電極、9・・・走査偏向電極
、10・・・シンチレータ、11.34・・・対物レン
ズ、12・・・ウェハー、13・・・ウェハー台、14
・・・ステージ、15・・・防諜台、16.17・・・
真空ポンプ、18・・・CRT、19.31・・・制御
部、20・・・ミラー21・・・レーザ光源、22・・
・レーザビーム、23・・・ハーフミラ−124・・・
レンズ、25・・・ディテクタ、30・・・電子線測長
装置、32.33・・・チャンバ、36・・・基準マー
ク。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電子線源から放射された電子線を、対物レンズにより試
    料台上の試料に集束して焦点合わせを行うと共に、その
    試料上に前記電子線を走査してこの試料上のパターン寸
    法の測長を行う電子線測長装置において、前記試料上に
    前記電子線と平行にレーザ光を照射してその試料表面か
    らの反射光を光学系により検出してその焦点位置を検出
    する光学検出手段と、前記試料台を上下して前記対物レ
    ンズと前記試料表面との距離を一定に保つ試料台移動手
    段とを備え、この試料台移動手段の位置を正確な焦点位
    置となるように前記光学検出手段によりモニターするこ
    とを特徴とする電子線測長装置。
JP63170616A 1988-07-08 1988-07-08 電子線測長装置 Pending JPH0221553A (ja)

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JP63170616A JPH0221553A (ja) 1988-07-08 1988-07-08 電子線測長装置

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JP63170616A JPH0221553A (ja) 1988-07-08 1988-07-08 電子線測長装置

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ID=15908169

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JP63170616A Pending JPH0221553A (ja) 1988-07-08 1988-07-08 電子線測長装置

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JP (1) JPH0221553A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5209813A (en) * 1990-10-24 1993-05-11 Hitachi, Ltd. Lithographic apparatus and method
WO2001095364A1 (fr) * 2000-06-09 2001-12-13 Advantest Corporation Dispositif de production de faisceaux d'electrons et procede permettant l'irradiation par faisceaux d'electrons
JP2016011896A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 株式会社ホロン 荷電粒子線装置における高さ測定装置およびオートフォーカス装置
KR20210105839A (ko) * 2020-02-18 2021-08-27 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 높이 측정을 위한 간섭계를 갖는 대전 입자 빔 디바이스

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