JPH04137720A - 荷電ビーム強度プロファイル測定装置およびこれを用いた測定方法 - Google Patents
荷電ビーム強度プロファイル測定装置およびこれを用いた測定方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims abstract description 110
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
びこれを用いた測定方法に係り、特に荷電ビーム装置等
におけるビーム強度プロファイルの測定に関する。
ターンの微細化の必要性が高まり、近年益々微細なパタ
ーンを高精度に形成する技術が要求されるようになって
きている。
形成するための最も有力な方法の一つとして注目されて
おり、中でもスルーブツトの向上を1指した可変成形ビ
ーム(VariableShaped Beam:V
SB)を用いた方式が採用されるようになってきた。
能としてビーム強度プロファイル、具体的にはビーム寸
法やビームのエツジ分解能を高精度に測定し制御するこ
とが必要である。例えば、最近の先端デバイス開発に必
要な0.2μm以下のパターンを形成するためには、0
.1μm以下のビームエツジ分解能が要求され、これを
高精度に測定することが重要な課題となっている。
プロファイルの測定には幾つかの方法が用いられている
。
をナイフェツジのようにシャープに薄くして荷電ビーム
の焦点位置に挿入し、そのエツジの下方にファラデーカ
ップを設け、ビームを走査させながらビーム電流の変化
を測定する。このビーム電流変化の微分をとったものが
ビーム強度プロファイルとなる。この方法は原理的には
優れているが、実際に矩形ビームの測定を行うときには
、矩形の一辺とエツジの方向との平行度を正確に測定で
きないと、その誤差がビームプロファイルの誤差として
現われるという問題かある。具体的には矩形ビームとエ
ツジの方向の平行度調整は次のように行う。ビームを徐
々に回転させながら、その都度ビームプロファイルを測
定し、最もビームエツジ分解能の小さい回転方向の位置
を、両者が平行になっているとするわけである。この平
行度調整方法は極めて煩雑であり、ビームエツジ分解能
が最も小さい回転方向の位置を判定するのは困難である
という問題があった。
ムなどの反射電子発生効率の低い基板の上に、微細な金
粒子をのせ、その上をビームで走査したときに発生する
反射電子や2次電子を検出する。このときの検出信号が
ビームのプロファイルである。この方法はビームの二次
元プロファイルを測定することができ、かつビームブロ
ファイル測定だけてなく、短形などのビームの焦点非点
調整や成形調整にも極めて有効であることはよく知られ
ている。この方法で用いる金粒子は直径0゜2〜0.5
μm程度であるか、ビーム寸法がこの粒子と同程度かあ
るいは小さい場合には、検出信号が真のビームプロファ
イルと異なってくるという問題があった。原理的には、
ビーム寸法より小さい金粒子を用いればよいが実際には
、粒子が小さくなるにつれて検出信号のSN比が著しく
低下し、測定できなくなるという問題があった。
ームで走査して、同時に反射電子あるいは2次電子を検
出する方法である。この方法は、ライン幅を小さくして
も、粒子の場合と異なり、検出信号のSN比が低下する
という問題はない。しかし、ナイフェツジ法と同様にビ
ームとラインの平行度の調整が煩雑であり、高精度の測
定が難しいという問題があった。
定方法では、ビーム寸法が微細になるにつれて、高精度
に測定するには限界があった。
順が極めて煩雑になり、逆に煩雑な放に高精度の測定が
困難であるという問題かあった。
サブミクロン以下の寸法をもつ成形ビームの強度プロフ
ァイルを、簡便かつ高精度に測定しつる荷電ビーム強度
プロファイル測定装置および方法を提供することを目的
とする。
一平面上に形成して、両者を用いて荷電ビーム強度プロ
ファイルを測定するようにしている。
るように設置され、表面に線状マーカーと点状マーカー
とを配置した測定板と、この測定板の荷電ビーム照射側
に配設され、荷電ビームが線状マーカーおよび点状マー
カーに照射されて発生する信号を検出する検出手段と、
点状マーカーによる検出信号から荷電ビームの回転を制
御し、荷電ビームを線状マーカーに平行となるようにす
る回転制御手段と、線状マーカーに平行に照射された荷
電ビームによる検出信号に基づく検出手段の出力から荷
電ビームのビーム強度プロファイルを算出する演算手段
とを具備している。
点状マーカーとを配置し、この平面に垂直となるように
荷電ビームを照射し、点状マーカー上を荷電ビームで走
査しビームの回転を制御し、線状マーカーと平行となる
ように調整したのち、このビームを線状マーカーの配置
方向に垂直に走査し強度プロファイルを測定するように
している。
す)あるいはビーム照射面の対向面側(以下下方と指称
す)に荷電ビームがマーカーに照射された際発生する信
号を検出する検出器を配置し、その検出信号を用いて強
度プロファイルを測定する。
用いて強度プロファイルを測定する。
ビームと線状マーカーとの平行度を調整し、平行度調整
後、線状マーカーからの信号を用いて、線状マーカーと
直角な方向の荷電ビームの強度プロファイルを高精度に
測定することができるため、高精度の強度プロファイル
測定が可能となる。
形成しておき、点状マーカーを用いた平行度の調整後、
ナイフェツジ法を用いて強度プロファイルを測定するよ
うにすれば、線状マーカーの線幅に依存することなく、
より高精度の強度プロファイル測定が可能となる。
者の設置高さが荷電ビームに対して異フることによる測
定時の集魚位置の差異にょるビ。
角の調整を行い、荷電ビームを線状マーカーに平行とな
るように調整した後、線状マーブ上を走査し強度プロフ
ァイルを測定するように(ているため、極めて短時間で
容易に高精度の測父を行うことが可能となる。
定方法について図面を参照しつつ詳細(:説明する。
ァイルの測定装置を示す側面図、第1図()は同装置の
測定板上の線状マーカー1及び点Vマーカー2の配置例
を示す平面図である。第1しく8)および第1図(b)
では、短形ビーム3が線杉マーカーおよび点状マーカー
近傍に照射されて(る状態を示している。線状マーカー
の線幅は0゜03um、点状マーカーは、1辺が0.3
μmの正方形である。矩形ビームはVSB(varia
ble 5haped beam)形の電子ビーム
描画装置を用いて形成するもので、短辺の長さは0,3
8m1長辺は1.5μm(設定値)である。
される線状マーカー1及び点状マーカー2を所定の間隔
を隔てて配設してなる測定板10と、荷電ビームをこの
測定板10に垂直な方向に照射し、線状マーカー1また
は点状マーカからの反射電子を検出する反射電子検出器
12と、この出力に基づいて画像処理を行う画像処理装
置13と、この画像処理装置の出力に基づいて荷電ビー
ムの回転を制御する荷電ビーム制御装置14と、画像処
理装置の出力に基づいて荷電ビーム像を表示するCR7
表示装置15とから構成されている。
って荷電ビーム駆動装置16の縮小レンズの励磁電流を
わずかづつ変化させ、ビームを回転させるようにしてい
る。
を用いた荷電ビーム強度プロファイルの測定方法につい
て説明する。
とが直交するように設置する(ステップ101)。
ー2上で走査し、反射電子を反射電子検出器12で検出
しくステップ102)、この検出信号を画像処理しCR
7表示装置15の出力として表示する(ステップ103
)。
2で検出した信号に基づいてCRT上に映し出された線
状及び点状マーカーの像である。
ー像5は、線状に観察される。ここで、線状マーカーは
、ビームの走査方向に対してあらかじめ直角に設定して
いる。
合、点状マーカー像は線状マーカー像に対して第3図(
b)に示すように平行にみえない。
なくなれば1.自動的にビームは線状マーカーに対して
平行に設定されることになる。
行でないと第3図(b)中矢印で示すように、CRT上
では線状像が太くなる。
像5と、点状マーカー2による点状マーカー像4との表
示画面上での平行度を測定し平行であるか否かを判断す
る(ステップ104)。
判断ステップ104で平行でないと判断されると、画像
処理装置13の出力に基づいて荷電ビーム制御装置14
がビーム駆動装置F16の駆動を制御し荷電ビームを回
転する(ステップ1o5)。すなわち、レンズの励磁電
流を微小に変化させると点状マーカー像もそれに伴って
回転方向が変化する。手動による調整は、CRT画面の
像を用いて行うことができる。
ーカー2上で走査し、反射電子を反射電子検出器12で
検出するステップ102に戻り、この検出信号を画像処
理しCR7表示装置15の出力として表示し、この表示
結果から、線状マーカー1による線状マーカー像5と、
点状マーカー2による点状マーカー像4との表示画面上
での平行度を測定し平行であるか否かを判断する工程を
繰り返す。
に平行であると判断されると、このときの線状マーカー
像5から画像処理装置を介してビーム強度プロファイル
を得て、ビーム幅およびビームエツジ分解能を測定する
(ステップ106)。
測定することができる。
分解能は0.05μ誼であった。
.03μ鋼である。線状マーカーはビーム幅に対して小
さいが線状であるため十分な信号を得ることができる。
め、十分な信号を得ることができる。点状マーカー像は
ビームプロファイルを示すものでなく平行度を調整する
ものであるため大きいのは同等問題はない。
り平行度を判断したが、画像処理装置によって第4図(
a)および第4図(b)に示すように点状マーカーの走
査出力プロファイルを作成し、平行度を自動的に判断す
るようにしてもよい。自動調整の際は、第4図(a)お
よび第4図(b)に示す点状マーカーの走査出力プロフ
ァイルを用いる。
わち正常な方位をとっているときは、第4図(a)に示
すようにフラットな信号となり、ビームが線状マーカー
と平行でない場合すなわち回転しているときは、第4図
(b)に示すようにピーク値をもち、これに対してフラ
ットな部分がなく傾斜した左右非対称の強度プロファイ
ルをとることになる。この差を読みとり、差の分だけ回
転すればよい。そして強度プロファイルの測定に対して
は前記実施例と同様にして測定する。
るため、より高精度の測定が可能となる。
、線状マーカーを用いた測定をナイフェツジ法で行うこ
とを特徴とするもので、前記実施例と同様、平行度の調
整については、ナイフェツジ21の先端と点状マーカー
22上の荷電ビームの平行度によって調整する。
材料からなるバッファ層Bを介して形成されたW薄膜パ
ターンで構成されるナイフェツジ21及び点状マーカー
22を所定の間隔を隔てて配設してなる測定板30と、
荷電ビームをこの測定板30に垂直な方向に照射し、点
状マーカーからの反射電子を検出する反射電子検出器3
2と、この出力に基づいて画像処理を行う画像処理装置
33と、この画像処理装置の出力に基づいて荷電ビーム
の回転を制御する荷電ビーム制御装置34と、画像処理
装置の出力に基づいて荷電ビーム像を表示するCRT表
示装置35と、ナイフェツジ21の下方に設置され、ビ
ーム強度に基づいて電流が出力されるように構成された
光電変換面を具備したファラデーカップ36と、ファラ
デーカップ36の出力を測定する電流測定手段37と、
電流測定手段37の出力を処理する画像処理装置38と
、これを表示する表示手段39・とから構成されている
。ここでは図示していないが荷電ビーム制御装置34に
よって荷電ビーム駆動装置40の縮小レンズの励磁電流
をわずかづつ変化させ、ビームを回転させるようにして
いる。
ったく同様にしておこなう。
から荷電ビームを走査し、ファラデーカツブ36で検出
された電流を表示手段39に出力する。
移動距離を示す。ここで0点は点状マーカー22上とす
る。この出力の微分値を算出した結果を第6図(b)に
示す。この値がエツジ分解能に相当する。
イルの測定を行うことかできる。
うようにしたが、ナイフェツジに代えて測定板上にスリ
ットを形成するようにしてもよい。
器32を用いておこなったが、測定板表面全体を反射膜
て被覆し、点状マーカーおよびスリット(il状マーカ
ー)を電子ビーム透過性パターンで構成し、両方をファ
ラデーカップで検出するようにしてもよい。
状マーカーとを同一平面上に配置し、荷電ビームを点状
マーカに照射して得られる信号を用いて、荷電ビームと
線状マーカーとの平行度調整を行うようにしているため
、両者が精度良く平行に調整され、線状マーカからの信
号を用いてビーム強度プロファイルを測定する際の誤差
が著しく低減し、高精度のプロファイル測定が可能とな
る。
の設置高さが荷電ビームに対して異なることによる測定
時の集魚位置の差異によるビームのボケの影響をなくす
ことが可能となり、高精度のプロファイル測定を簡便に
行うことができる。
施例荷電ビーム強度プロファイル測定装置を示す図、第
2図は同装置を用いた荷電ビーム強度プロファイル測定
方法を説明するためフローチャート図、第3図(a)お
よび第3図(b)は同装置のCRT画面上の像を示す図
、第4図(a)および第4図(b)は点状マーカの走査
出力プロファイルを示す図、第5図(a)および第5図
(b)は、本発明の第2の実施例荷電ビーム強度プロフ
ァイル測定装置を示す図、第6図(a)および第6図(
b)は同装置のファラデーカップで検出したビーム電流
の変化を示す図および検出信号を一次微分した信号を示
す図である。 1・・・線状マーカー 2・・・点状マーカー3・・・
矩形ビーム、 4.4′・・・CRT上の点状マーカー像、5.5′・
・・CRT上の線状マーカー像、10・・・測定板、
12・・・反射電子検出器、13・・・画像処理装
置、 14・・・荷電ビーム制御装置、 15・・・CRT表示装置、 16・・・荷電ビーム駆動装置、 21・・・ナイフェツジ、 22・・・点状マーカー 30・・・測定板、 32・・・反射電子検出器、3
3・・・画像処理装置、 34・・・荷電ビーム制御装置、 35・・・CRT表示装置、 36・・・ファラデーカップ、 37・・・電流測定手段、 38・−・画像処理装置、 3つ・・・表示手段、 40・・・荷電ビーム駆動装置
、B・・・後方散乱係数の小さい材料からなるバッファ
層。 第2図 図 altJ* 第6図
Claims (5)
- (1)荷電ビームに対して垂直となるように設置され、
表面に線状マーカーと点状マーカーとを配置した測定板
と、 前記測定板の荷電ビーム照射側に配設され、荷電ビーム
が前記線状マーカーおよび前記点状マーカーに照射され
て発生する信号を検出する検出手段と、 前記点状マーカーによる検出信号から前記荷電ビームの
回転を制御し、荷電ビームを前記線状マーカーに平行と
なるように調整する回転制御手段と、 前記線状マーカーに平行に照射された荷電ビームによる
検出信号による前記検出手段の出力から荷電ビームのビ
ーム強度プロファイルを算出する演算、手段とを具備し
たことを特徴とする荷電ビーム強度プロファイル測定装
置。 - (2)前記点状マーカーはビーム反射性材料から構成さ
れており、 前記検出手段は、前記測定板のビーム照射面側に配設さ
れ、荷電ビームが前記点状マーカーまたは前記線状マー
カーに照射されて発生する反射電子あるいは二次電子を
検出する電子検出手段であることを特徴とする請求項(
1)記載の荷電ビーム強度プロファイル測定装置。 - (3)前記点状マーカーはビーム反射性材料から構成さ
れると共に前記線状マーカーはビーム透過性材料から構
成されており、 前記検出手段は、 前記測定板のビーム照射面側に配設され、荷電ビームが
前記点状マーカーに照射されて発生する反射電子あるい
は二次電子を検出する第1の電子検出手段と、 前記測定板のビーム照射面に対向する側に配設され、前
記線状マーカーを透過した荷電ビームを検出する第2の
電子検出手段とから構成されていることを特徴とする請
求項(1)記載の荷電ビーム強度プロファイル測定装置
。 - (4)前記点状マーカーおよび前記線状マーカーはビー
ム透過性材料から構成されており、 前記検出手段は、 前記測定板のビーム照射面に対向する側に配設され、前
記点状マーカーまたは前記線状マーカーを透過した荷電
ビームを検出する電子検出手段から構成されていること
を特徴とする請求項(1)記載の荷電ビーム強度プロフ
ァイル測定装置。 - (5)荷電ビームに対して垂直となるように設置され、
表面に線状マーカーと点状マーカーとを配置した測定板
を用意し、 前記測定板の前記点状マーカーに測定すべき荷電ビーム
を照射し、この荷電ビームを前記線状マーカーに平行と
なるように調整する回転角調整工程と、 前記線状マーカーに平行となるように調整された前記荷
電ビームを、前記線状マーカー上で走査し、この線状マ
ーカーによる検出信号から荷電ビームのビーム強度プロ
ファイルを算出するビーム強度プロファイル演算工程と
を具備したことを特徴とする荷電ビーム強度プロファイ
ルの測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26170190A JP2952019B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 荷電ビーム強度プロファイル測定装置およびこれを用いた測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP26170190A JP2952019B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 荷電ビーム強度プロファイル測定装置およびこれを用いた測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04137720A true JPH04137720A (ja) | 1992-05-12 |
JP2952019B2 JP2952019B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=17365514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26170190A Expired - Lifetime JP2952019B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 荷電ビーム強度プロファイル測定装置およびこれを用いた測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2952019B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002237444A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法及び荷電粒子線露光装置 |
JP2003077813A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法、荷電粒子線露光装置の調整方法、ビームぼけ計測装置及び荷電粒子線露光装置 |
JP2003077814A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の計測方法及びその計測装置、荷電粒子線露光装置 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP26170190A patent/JP2952019B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2002237444A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法及び荷電粒子線露光装置 |
JP2003077813A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法、荷電粒子線露光装置の調整方法、ビームぼけ計測装置及び荷電粒子線露光装置 |
JP2003077814A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の計測方法及びその計測装置、荷電粒子線露光装置 |
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JP2952019B2 (ja) | 1999-09-20 |
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