JP2008118123A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 絶縁層にチューブを接して配置し、
   前記チューブより処理剤を吐出し前記絶縁層に開口を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 導電層を形成し、
   前記導電層上に絶縁層を形成し、
   前記絶縁層にチューブを接して配置し、
   前記チューブより処理剤を吐出し前記絶縁層に前記導電層に達する開口を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 導電層を形成し、
   前記導電層上に絶縁層を形成し、
   前記絶縁層にチューブを接して配置し、
   前記チューブより処理剤を吐出し前記絶縁層に前記導電層に達する開口を形成し、
   前記開口に前記導電層と接するように導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 導電層を形成し、
   前記導電層上に絶縁層を形成し、
   前記絶縁層にチューブを接して配置し、
   前記チューブより処理剤を吐出し前記絶縁層に前記導電層に達する開口を形成し、
   前記開口に前記チューブより導電性材料を含む組成物を吐出し前記導電層と接するように導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層にチューブを挿入し第１の開口を形成し、
   前記チューブより処理剤を吐出し前記第１の絶縁層に前記導電層に達する第２の開口を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 導電層を形成し、
   前記導電層上に第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層にチューブを挿入し第１の開口を形成し、
   前記チューブより処理剤を吐出し前記第１の絶縁層に前記導電層に達する第２の開口を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 導電層を形成し、
   前記導電層上に第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層にチューブを挿入し第１の開口を形成し、
   前記チューブより処理剤を吐出し前記第１の絶縁層に前記導電層に達する第２の開口を形成し、
   前記第１の開口及び前記第２の開口に前記導電層と接するように導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 導電層を形成し、
   前記導電層上に第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層にチューブを挿入し第１の開口を形成し、
   前記チューブより処理剤を吐出し前記第１の絶縁層に前記導電層に達する第２の開口を形成し、
   前記第１の開口及び前記第２の開口に前記チューブより導電性材料を含む組成物を吐出し前記導電層と接するように導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項において、
   前記処理剤を前記チューブより吐出後、前記チューブから吸引し除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項１乃至８のいずれか一項において、
    前記チューブは、第１のチューブと前記第１のチューブの内側に設けられた第２のチューブからなる二重構造を有し、
    前記第２のチューブから処理剤を吐出すると同時に、前記第１のチューブと前記第２のチューブとの間を通じて前記処理剤を吸引し除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一項において、
    前記チューブは、ドーム状、針状または柱状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一項において、
    前記処理剤は、エッチングガス、またはエッチング液を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。