JP2008106045A - 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
RC(=O)R1−COOCH(CF3)CF2SO3 - H+ (1a)
(Rは水酸基、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基又はヘテロアリールオキシ基。R1は酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を持つ置換基を有してもよい二価有機基で、Rと共に環状構造を形成してもよい。)
【効果】本発明の光酸発生剤は、レジスト材料中の樹脂類との相溶性がよく、酸拡散制御を行うことができる。また、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。
【選択図】なし
Description
更に従来の光酸発生剤を用いたレジスト材料では解像性の劣化を伴わず、疎密依存性、ラインエッジラフネスの問題を解決できない。
請求項1:
紫外線、遠紫外線、電子線、EUV、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式(1a)で示されるスルホン酸を発生することを特徴とする化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
RC(=O)R1−COOCH(CF3)CF2SO3 - H+ (1a)
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。)
請求項2:
下記一般式(2)で示されるスルホニウム塩。
RC(=O)−R1−COOCH(CF3)CF2SO3 - R2R3R4S+ (2)
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。R2、R3及びR4は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。)
請求項3:
下記一般式(2a)で示されるスルホニウム塩。
RC(=O)−R1−COOCH(CF3)CF2SO3 - (R5(O)n)mPh’S+Ph2
(2a)
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。R5は置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜14のアリール基を示す。mは1〜5の整数、nは0(零)又は1を示す。Phはフェニル基を示す。Ph’はフェニル基の水素原子m個をR5(O)n−基に置換した基を示す。)
請求項4:
下記一般式(2b)で示されるヨードニウム塩。
RC(=O)−R1−COOCH(CF3)CF2SO3 - ((R5(O)n)mPh’)2I+
(2b)
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。R5は置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜14のアリール基を示す。mは1〜5の整数、nは0(零)又は1を示す。Ph’はフェニル基の水素原子m個をR5(O)n−基に置換した基を示す。)
請求項5:
下記一般式(3a)で示されるN−スルホニルオキシイミド化合物。
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。X、Yは相互に独立に水素原子又は置換もしくは非置換の炭素数1〜6のアルキル基を示すか、あるいはX及びYが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に飽和もしくは不飽和の炭素数6〜12の環を形成してもよい。Zは単結合、二重結合、メチレン基、又は酸素原子を示す。)
請求項6:
下記一般式(3b)で示されるオキシムスルホネート化合物。
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。qは0又は1を示すが、qが0の場合、pは置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基を示し、qが1の場合には、pは単結合、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキレン基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリーレン基を示す。EWGはシアノ基、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、5H−パーフルオロペンチル基、6H−パーフルオロヘキシル基、ニトロ基又はメチル基を示し、qが1の場合、互いのEWGが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数6の環を形成してもよい。)
請求項7:
ベース樹脂、酸発生剤及び有機溶剤を含有してなるレジスト材料において、前記酸発生剤が、請求項1記載の式(1a)で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤であることを特徴とするレジスト材料。
請求項8:
ベース樹脂が、ポリ(メタ)アクリル酸及びその誘導体、シクロオレフィン誘導体−無水マレイン酸交互重合体、シクロオレフィン誘導体と無水マレイン酸とポリアクリル酸又はその誘導体との3あるいは4元以上の共重合体、シクロオレフィン誘導体−α−トリフルオロメチルアクリル酸誘導体共重合体、ポリノルボルネン、開環メタセシス重合体、並びに開環メタセシス重合体水素添加物から選択される1種又は2種以上の高分子重合体であることを特徴とする請求項7記載のレジスト材料。
請求項9:
ベース樹脂が、珪素原子を含有する高分子構造体であることを特徴とする請求項7記載のレジスト材料。
請求項10:
ベース樹脂が、フッ素原子を含有する高分子構造体であることを特徴とする請求項7記載のレジスト材料。
請求項11:
請求項8、9又は10記載のベース樹脂、請求項1記載の一般式(1a)で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤及び溶剤を含有し、上記ベース樹脂が現像液に不溶あるいは難溶であって、酸の作用によって現像液に可溶となる化学増幅ポジ型レジスト材料。
請求項12:
更に、クエンチャーを添加してなることを特徴とする請求項11記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。
請求項13:
更に、溶解阻止剤を含有することを特徴とする請求項11又は12記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。
請求項14:
請求項7乃至13のいずれか1項記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
請求項15:
波長193nmのArFエキシマレーザーを用い、レジスト材料が塗布された基板と投影レンズの間に水、グリセリン、エチレングリコールなどの液体を挿入する液浸リソグラフィー法であることを特徴とする請求項14記載のパターン形成方法。
本発明の光酸発生剤は、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、オキシムスルホネート、スルホニルオキシイミドに代表される化合物であり、これは紫外線、遠紫外線、電子線、EUV、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式(1a)で示されるスルホン酸を発生するもので、化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤として用いられるものである。
RC(=O)R1−COOCH(CF3)CF2SO3 -H+ (1a)
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。)
本発明に係るスルホニウム塩は、下記一般式(2)で示されるものである。
RC(=O)−R1−COOCH(CF3)CF2SO3 - R2R3R4S+ (2)
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。R2、R3及びR4は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。)
RC(=O)−R1−COOCH(CF3)CF2SO3 - (R5(O)n)mPh’S+Ph2
(2a)
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。R5は置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜14のアリール基を示す。mは1〜5の整数、nは0(零)又は1を示す。Phはフェニル基を示す。また、Ph’はフェニル基の水素原子m個をR5(O)n−基に置換した基を示す。)
本発明は、ヨードニウム塩をも提供するが、本発明のヨードニウム塩は、下記一般式(2b)で示されるものである。
RC(=O)−R1−COOCH(CF3)CF2SO3 - ((R5(O)n)mPh’)2I+
(2b)
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。R5は置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜14のアリール基を示す。mは1〜5の整数、nは0(零)又は1を示す。Ph’は上記の通りである。)
本発明は、下記一般式(3a)で示されるN−スルホニルオキシイミド化合物をも提供する。
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。X、Yは相互に独立に水素原子又は置換もしくは非置換の炭素数1〜6のアルキル基を示すか、あるいはX及びYが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に飽和もしくは不飽和の炭素数6〜12の環を形成してもよい。Zは単結合、二重結合、メチレン基、又は酸素原子を示す。)
また、本発明は、下記一般式(3b)で示されるオキシムスルホネート化合物を提供する。
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。qは0又は1を示すが、qが0の場合、pは置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基を示し、qが1の場合には、pは単結合、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキレン基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリーレン基を示す。EWGはシアノ基、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、5H−パーフルオロペンチル基、6H−パーフルオロヘキシル基、ニトロ基又はメチル基を示し、qが1の場合、互いのEWGが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数6の環を形成してもよい。)
中井らにより1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノールを出発原料として開発された1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロペン−2−イルベンゾエートに代表される1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロペン−2−イル脂肪族カルボン酸エステルあるいは芳香族カルボン酸エステルを亜硫酸水素ナトリウムあるいは亜硫酸ナトリウムとアゾビスイソブチロニトリルや過酸化ベンゾイル等のラジカル開始剤存在下、溶剤として水あるいはアルコール及びその混合物中で反応させることにより、対応する1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−アシルオキシプロパンスルホン酸塩あるいは1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−アレーンカルボニルオキシプロパンスルホン酸塩を得た後に、適宜スルホニウム塩とイオン交換することにより、トリフェニルスルホニウム 1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−アシルオキシプロパンスルホネートあるいはトリフェニルスルホニウム 1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−アレーンカルボニルオキシプロパンスルホネートを得ることができ、更にスルホネートのカルボン酸エステル部位を水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリを用いて加水分解又はアルコールと塩基を用いて加溶媒分解しすることで、目的のトリフェニルスルホニウム 1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−ヒドロキシプロパンスルホネートを得ることができる。
トリフェニルスルホニウム以外のスルホニウム、ヨードニウムの合成も同様に行うことができる。
1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−アシルオキシプロパンスルホン酸塩あるいは1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−アレーンカルボニルオキシプロパンスルホン酸塩を塩化チオニル、オキシ塩化リン、五塩化リン等のクロル化剤と反応させることで、対応するスルホニルクロリドあるいはスルホン酸無水物とし、常法によりN−ヒドロキシジカルボキシルイミドや、オキシム類と反応させ、1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−アシルオキシプロパンスルスルホネートあるいは1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−アレーンカルボニルオキシプロパンスルホネートを得る。次いでアシルオキシ基あるいはアレーンカルボニルオキシ基の加水分解を行うことで、目的の中間原料である、1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−ヒドロキシプロパンスルホネート部位を有するイミドスルホネートやオキシムスルホネート得ることができる。
(A)上記光酸発生剤(即ち、式(1a)のスルホン酸を発生する光酸発生剤)、
(B)有機溶剤、
(C)酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が変化するベース樹脂、
必要により
(D)クエンチャー、
更に必要により
(E)上記光酸発生剤以外の光酸発生剤、
更に必要により
(F)有機酸誘導体及び/又はフッ素置換アルコール、
更に必要により
(G)重量平均分子量3,000以下の溶解阻止剤
を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料、
あるいは
(A)上記光酸発生剤、
(B)有機溶剤、
(C’)アルカリ可溶性樹脂であって、架橋剤によってアルカリ難溶となるベース樹脂、
(H)酸によって架橋する架橋剤、
必要により
(D)クエンチャー、
更に必要により
(E)上記光酸発生剤以外の光酸発生剤
を含有することを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト材料である。
これらは、特開2005−8765号公報、特開2004−354417号公報、特開2004−352743号公報、特開2004−331854号公報、特開2004−331853号公報、特開2004−292781号公報、特開2004−252405号公報、特開2004−190036号公報、特開2004−115762号公報、特開2004−83873号公報、特開2004−59844号公報、特開2004−35671号公報、特開2004−83900号公報、特開2004−99689号公報、特開2004−145048号公報、特開2004−217533号公報、特開2004−231815号公報、特開2004−244439号公報、特開2004−256562号公報、特開2004−307447号公報、特開2004−323422号公報、特開2005−29527号公報、特開2005−29539号公報などに記載のものが挙げられる。
(式中、kは1、2又は3である。側鎖Rxは同一でも異なっていてもよく、下記一般式(Rx−1)、(Rx−2)又は(Rx−3)で表すことができる。側鎖Ryは同一又は異種の、水素原子、又は直鎖状、分岐状又は環状の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基を示し、エーテル基もしくはヒドロキシル基を含んでもよい。また、Rx同士が結合して環を形成してもよい。)
(式中、R301、R303、R306は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R302、R305は水素原子、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基又はラクトン環を1あるいは複数含んでいてもよい。R304は単結合、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R307は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基又はラクトン環を1あるいは複数含んでいてもよい。)
(式中、Rxは前述の通り、R308は炭素数2〜20の直鎖状又は分岐状の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよいアルキレン基であり、カルボニル基、エーテル基、エステル基又はスルフィドを1個あるいは複数個含んでいてもよい。)
(式中、Rx、R308、kは前述の式(Am−1)の通り、R309、R310は同一又は異種の炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。)
(式中、R311は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数2〜20の直鎖状、分岐状、又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としては水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基、シアノ基、アセタール基のいずれかを1個あるいは複数個含む。R312、R313、R314は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。)
(式中、R315は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としてエステル基、アセタール基、シアノ基を一つ以上含み、その他に水酸基、カルボニル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基のいずれかを一つ以上含んでいてもよい。R316は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。)
(式中、Jは窒素原子又は≡C−R323である。Kは窒素原子又は≡C−R324である。R317は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数2〜20の直鎖状、分岐状、又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としては水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基、シアノ基又はアセタール基を一つ以上含む。R318、R319、R320、R321は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアリール基であるか、又はR318とR319、R320とR321はそれぞれ結合してベンゼン環、ナフタレン環あるいはピリジン環を形成してもよい。R322は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアリール基である。R323、R324は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアリール基である。R322とR324は結合してベンゼン環又はナフタレン環を形成してもよい。)
(式中、R325は炭素数6〜20のアリール基又は炭素数4〜20のヘテロ芳香族基であって、水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜20のアラルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数1〜10のアシルオキシ基、又は、炭素数1〜10のアルキルチオ基で置換されていてもよい。R326はCO2R327、OR328又はシアノ基である。R327は一部のメチレン基が酸素原子で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基である。R328は一部のメチレン基が酸素原子で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基又はアシル基である。R329は単結合、メチレン基、エチレン基、硫黄原子又は−O(CH2CH2O)h−基である。h=0,1,2,3又は4である。R330は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基である。Tは窒素原子又はCR331である。Uは窒素原子又はCR332である。Vは窒素原子又はCR333である。R331、R332、R333はそれぞれ独立に水素原子、メチル基又はフェニル基であるか、あるいはR331とR332又はR332とR333が結合して、炭素数6〜20の芳香環又は炭素数2〜20のヘテロ芳香環を形成してもよい。)
(式中、R334は水素又は炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基である。R335及びR336はそれぞれ独立に、エーテル、カルボニル、エステル、アルコール、スルフィド、ニトリル、アミン、イミン、アミドなどの極性官能基を一つ又は複数含んでいてもよい炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜20のアラルキル基であって水素原子の一部がハロゲン原子で置換されていてもよい。R335とR336は互いに結合して、炭素数2〜20のヘテロ環又はヘテロ芳香環を形成してもよい。)
(上記式中、R401は置換又は非置換の炭素数1〜10のハロアルキルスルホニル、ハロベンゼンスルホニル基を表す。R402は炭素数1〜11のハロアルキル基を表す。Ar401は置換又は非置換の芳香族基又はヘテロ芳香族基を表す。)
ここで強酸を発生するオニウム塩と弱酸を発生するオニウム塩を混合して用いた場合、上記のように強酸が弱酸に交換することはできるが、弱酸は未反応の強酸を発生するオニウム塩と衝突して塩交換を行うことはできない。これらはオニウムカチオンがより強酸のアニオンとイオン対を形成し易いとの現象に起因する。
本発明においては、特に露光時に波長193nmのArFエキシマレーザーを用い、基板と投影レンズの間に水、グリセリン、エチレングリコールなどの液体を挿入する液浸リソグラフィー法が好適に採用される。
ジフェニルスルホキシド40g(0.2モル)をジクロロメタン400gに溶解させ、氷冷下撹拌した。トリメチルシリルクロリド65g(0.6モル)を20℃を超えない温度で滴下し、更にこの温度で30分間熟成を行った。次いで、金属マグネシウム14.6g(0.6モル)とクロロベンゼン67.5g(0.6モル)、テトラヒドロフラン(THF)168gから別途調製したGrignard試薬を、20℃を超えない温度で滴下した。反応の熟成を1時間行った後、20℃を超えない温度で水50gを加えて反応を停止し、更に水150gと12規定塩酸10gとジエチルエーテル200gを加えた。
水層を分取し、ジエチルエーテル100gで洗浄し、トリフェニルスルホニウムクロリド水溶液を得た。これは、これ以上の単離操作をせず水溶液のまま次の反応に用いた。
合成例1のクロロベンゼンの代わりに4−tert−ブチルブロモベンゼンを用い、抽出の際の水の量を増やす以外は合成例1と同様にして目的物を得た。
合成例1のクロロベンゼンの代わりに4−tert−ブトキシクロロベンゼンを、溶剤にトリエチルアミンを5質量%含むジクロロメタン溶剤を用い、抽出の際の水の量を増やす以外は合成例1と同様にして目的物を得た。
合成例1のジフェニルスルホキシドの代わりにビス(4−メチルフェニル)スルホキシドを用い、クロロベンゼンの代わりに4−クロロトルエンを用い、抽出の際の水の量を増やす以外は合成例1と同様にして目的物を得た。
合成例1のジフェニルスルホキシドの代わりにビス(4−tert−ブチルフェニル)スルホキシドを、クロロベンゼンの代わりに4−tert−ブチルブロモベンゼンを用い、抽出の際の水の量を増やす以外は合成例1と同様にして目的物を得た。
tert−ブチルベンゼン84g(0.5モル)、ヨウ素酸カリウム53g(0.25モル)、無水酢酸50gの混合物を氷冷下撹拌し、無水酢酸35gと濃硫酸95gの混合物を30℃を超えない温度で滴下した。次いで室温で3時間熟成を行い、再度氷冷して水250gを滴下し、反応を停止した。この反応液をジクロロメタン400gを用いて抽出し、有機層に亜硫酸水素ナトリウム6gを加えて脱色した。更にこの有機層を水250gで洗浄することを3回繰り返した。洗浄した有機層を減圧濃縮することで、目的の粗生成物を得た。これ以上の精製はせずこのまま次の反応に用いた。
フェナシルブロミド88.2g(0.44モル)、テトラヒドロチオフェン39.1g(0.44モル)をニトロメタン220gに溶解し、室温で4時間撹拌を行った。反応液に水800gとジエチルエーテル400gを加え、分離した水層を分取し、目的のフェナシルテトラヒドロチオフェニウムブロミド水溶液を得た。
チオアニソール6.2g(0.05モル)とジメチル硫酸6.9g(0.055モル)を室温で12時間撹拌した。反応液に水100gとジエチルエーテル50mlを加えて水層を分取し、目的のジメチルフェニルスルホニウム硫酸塩水溶液を得た。
常法により合成した1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−プロパン−2−イル ベンゾエート10.0gを水72gに分散させ、亜硫酸水素ナトリウム12.0gと過酸化ベンゾイル1.24gを加えて85℃で65時間反応を行った。反応液を放冷後、トルエンを加えて分液操作を行い、分取した水層に飽和塩化ナトリウム水溶液を加えて析出した白色結晶を濾別した。この結晶を少量の飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、減圧乾燥を行うことで目的の2−ベンゾイルオキシ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホン酸ナトリウムを得た[白色結晶5.85g(収率43%)]。
合成例1のトリフェニルスルホニウムクロリド水溶液0.011モル相当の水溶液と合成例9で合成した2−ベンゾイルオキシ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホン酸ナトリウム3.6g(0.01モル)をジクロロメタン50g中で撹拌した。有機層を分取し、水50gで3回有機層を洗浄した。有機層を濃縮し、残渣にジエチルエーテル25gを加えて結晶化させた。結晶を濾過、乾燥することで目的物を得た[白色結晶4.5g(収率75%)]。
合成例10のトリフェニルスルホニウム 2−ベンゾイルオキシ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート34.4gをメタノール72gに溶解させ、氷冷下撹拌した。そこへ5%水酸化ナトリウム水溶液54.0gを10℃を超えない温度で滴下した。この温度で4時間熟成した後、10℃を超えない温度で12規定塩酸6.8gを加えて反応停止し、メタノールを減圧除去した。ジクロロメタン270gを加え、水40gで3回有機層を洗浄した後、有機層を濃縮し、残渣にジエチルエーテル60gを加えて結晶化させた。その結晶を濾過、乾燥することで目的物を得た[白色結晶24.3g(収率85%)]。
合成例2〜8で調製したスルホニウム塩を用いる以外は合成例10及び合成例11と同様にして目的物を合成した。これらのオニウム塩(PAG2〜PAG8)を下記に示す。
合成例11のトリフェニルスルホニウム 2−ヒドロキシ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート4.9g(0.01モル)、トリエチルアミン1.0g(0.01モル)、N,N−ジメチルアミノピリジン0.24g(0.002モル)をアセトニトリル20gに溶解し、cis−シクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸無水物1.85g(0.012モル)を添加し、50℃で24時間加熱撹拌した。12規定塩酸2gと水20gから調製した希塩酸水溶液を加えた後に、アセトニトリルを減圧留去した。残渣にジクロロメタン50gと水20gを加えて有機層を分取し、次いでこの有機層を水20gで洗浄し、ジクロロメタンを減圧留去した。残渣にエーテルを加えることで再結晶精製を行い、ろ過乾燥して目的物を得た。白色結晶3.8g(収率59%)
得られた目的物のスペクトルデータを示す。核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR,19F−NMR/DMSO−d6)を図1、図2に示す。
3066、2940、2859、1768、1733、1477、1448、1371、1326、1276、1251、1232、1189、1166、1145、1112、1074、995、750、682、642、503
飛行時間型質量分析(TOFMS;MALDI)
POSITIVE M+263((C6H5)3S+相当)
NEGATIVE M-383(CF3CH(OCO−C6H10−CO2H)CF2SO3 -相当)
合成例11のトリフェニルスルホニウム 2−ヒドロキシ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート4.9g(0.01モル)、トリエチルアミン1.0g(0.01モル)、N,N−ジメチルアミノピリジン0.24g(0.002モル)をアセトニトリル20gに溶解し氷冷した。3−シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボニルクロリド3.4g(0.012モル)を5℃を超えない温度で添加し、室温で1時間撹拌した。12規定塩酸1gと水10gから調製した希塩酸水溶液を加えた後に、アセトニトリルを減圧留去した。残渣にジクロロメタン100gと水20gを加えて有機層を分取し、次いでこの有機層を水20gで洗浄し、ジクロロメタンを減圧留去した。残渣にエーテルを加え、分離した油状物をデカンテーションすることを3回繰り返した。油状物を減圧乾固してガラス状固体の目的物を5.8g得た(収率82%)。
得られた目的物のスペクトルデータを示す。核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR,19F−NMR/DMSO−d6)を図3、図4に示す。
2940、1762、1720、1477、1448、1371、1265、1251、1214、1184、1116、1087、1072、995、750、684、642、530
飛行時間型質量分析(TOFMS;MALDI)
POSITIVE M+263((C6H5)3S+相当)
NEGATIVE M-383(CF3CH(OCO−C7H10−CO2C6H11)CF2SO3 -相当)
合成例20の3−シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボニルクロリドの代わりにヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2−オキソ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボン酸クロリド2.0g(0.01モル)を用いる以外は合成例20と同様にして目的物をガラス状固体として得た。
得られた目的物のスペクトルデータを示す。核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR,19F−NMR/DMSO−d6)を図5、図6に示す。
2973、1779、1477、1448、1369、1315、1253、1216、1186、1166、1135、1101、1087、1070、1035、995、983、950、840、750、684、640、578、551、522、501
飛行時間型質量分析(TOFMS;MALDI)
POSITIVE M+263((C6H5)3S+相当)
NEGATIVE M-393(CF3CH(OCO−C8H9O2)CF2SO3 -相当)
合成例12〜18で合成したPAG2〜PAG8を用いて合成例19〜21と同様な手法で[PAG D]〜[PAG X]を合成した。
5−ヒドロキシ−2−アダマンタノンと硫酸、蟻酸による反応で合成した4−アダマンタノン−1−カルボン酸をオキザリルクロリドにより対応するカルボン酸クロリドとした。
合成例11のトリフェニルスルホニウム 2−ヒドロキシ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート4.9g(0.01モル)、トリエチルアミン1.0g(0.01モル)、N,N−ジメチルアミノピリジン0.24g(0.002モル)をアセトニトリル20gに溶解し氷冷した。上述したこの4−アダマンタノン−1−カルボニルクロリド2.6g(0.012モル)を5℃を超えない温度で添加し、室温で1時間撹拌した。12規定塩酸1gと水10gから調製した希塩酸水溶液を加えた後に、アセトニトリルを減圧留去した。残渣にジクロロメタン50g、メチルイソブチルケトン50gと水20gを加えて有機層を分取し、次いでこの有機層を水20gで洗浄し、溶剤を減圧留去した。残渣にエーテルを加え、分離した油状物をデカンテーションすることを3回繰り返した。油状物を減圧乾固して油状の目的物を4.3g得た(収率65%)。
得られた目的物のスペクトルデータを示す。核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR,19F−NMR/DMSO−d6)を図7、図8に示す。なお、1H−NMRでは僅かにジクロロメタンとメチルイソブチルケトンの残留が認められた。
2937、2861、1758、1724、1687、1477、1448、1373、1326、1251、1218、1186、1162、1089、1074、1033、995、917、750、684、640、574、551、516、503
飛行時間型質量分析(TOFMS;MALDI)
POSITIVE M+263((C6H5)3S+相当)
NEGATIVE M-405((C10H13O−COO)CH(CF3)CF2SO3 -相当)
合成例11のトリフェニルスルホニウム 2−ヒドロキシ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート4.9g(0.01モル)をテトラヒドロフラン20gに溶解し、ドライアイス/メタノール浴により冷却した。n−ブチルリチウムヘキサン溶液(0.01モル)を添加し、次いでフタル酸無水物3.0g(0.02モル)を5℃を超えない温度で添加し、室温で1時間撹拌した。次いで、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン0.1g(0.001モル)を添加し、更に1時間撹拌した。12規定塩酸1gと水10gから調製した希塩酸水溶液を加えた後に、テトラヒドロフランを減圧留去した。残渣にジクロロメタン50g、メチルイソブチルケトン50gと水20gを加えて有機層を分取し、次いでこの有機層を水20gで洗浄し、溶剤を減圧留去した。残渣にエーテルを加え、結晶化を行い、目的物を白色結晶として3.4g得た(収率50%)。
得られた目的物のスペクトルデータを示す。核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR,19F−NMR/DMSO−d6)を図9、図10に示す。
3064、2969、2935、1772、1727、1477、1448、1394、1371、1324、1280、1259、1228、1193、1168、1135、1110、1079、993、906、777、754、748、684、642、580、553、522、503
飛行時間型質量分析(TOFMS;MALDI)
POSITIVE M+263((C6H5)3S+相当)
NEGATIVE M-377((C7H5O2−COO)CH(CF3)CF2SO3 -相当)
合成例19のシクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸無水物に替えてコハク酸無水物を用いる以外は合成例19と同様に行い、目的物を白色結晶として得た(収率76%)。
得られた目的物のスペクトルデータを示す。核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR,19F−NMR/DMSO−d6)を図11、図12に示す。
3093、3068、1776、1733、1477、1448、1421、1373、1321、1276、1238、1184、1170、1128、1076、995、948、906、838、752、684、642、512、503
飛行時間型質量分析(TOFMS;MALDI)
POSITIVE M+263((C6H5)3S+相当)
NEGATIVE M-329((C3H5O2−COO)CH(CF3)CF2SO3 -相当)
合成例19のシクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸無水物に替えて3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物を用いる以外は合成例19と同様に行い、目的物を白色結晶として得た(収率70%)。
得られた目的物のスペクトルデータを示す。核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR,19F−NMR/DMSO−d6)を図13、図14に示す。
3064、2971、1768、1735、1477、1448、1371、1324、1274、1249、1224、1189、1135、1072、995、750、684、642、503
飛行時間型質量分析(TOFMS;MALDI)
POSITIVE M+263((C6H5)3S+相当)
NEGATIVE M-381((C7H9O2−COO)CH(CF3)CF2SO3 -相当)
トリフェニルスルホニウム 4−シクロヘキサノンカルボン酸=1−(ジフルオロスルホメチル)−2,2,2−トリフルオロエチルの合成[PAG Z4]
合成例43の4−アダマンタノン−1−カルボニルクロリドに替えて4−シクロヘキサノンカルボニルクロリドを用いる以外は合成例43と同様に行い、目的物を油状物として得た(収率69%)。
得られた目的物のスペクトルデータを示す。核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR,19F−NMR/DMSO−d6)を図15、図16に示す。
1766、1712、1477、1448、1373、1324、1251、1216、1186、1116、1072、995、925、875、838、750、684、642
飛行時間型質量分析(TOFMS;MALDI)
POSITIVE M+263((C6H5)3S+相当)
NEGATIVE M-353((C6H9O−COO)CH(CF3)CF2SO3 -相当)
レジスト材料の解像性の評価
上記合成例で示した光酸発生剤と、下記式で示されるポリマー(Polymer1〜Polymer8)をベース樹脂として使用し、クエンチャーを表1に示す組成でKH−20(セイミケミカル(株)製)0.01質量%を含む溶媒中に溶解してレジスト材料を調合し、更にレジスト材料を0.2μmのテフロン(登録商標)製フィルターで濾過することにより、レジスト液をそれぞれ調製した。
各レジスト材料の組成を表1、評価結果を表2に示す。
溶剤A:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
溶剤B:シクロヘキサノン
クエンチャーA:トリエタノールアミン
クエンチャーB:トリスメトキシメトキシエチルアミン
TPS−NfO:トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−1−ブタンスルホネート
TPS−BzOPFPS:トリフェニルスルホニウム 2−ベンゾイルオキシ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート
欠陥密度(個/cm2)=検出された総欠陥数/検査面積
形成したパターン:
80nm/ピッチ160nmラインアンドスペースの繰り返しパターン
欠陥検査条件:
光源UV、検査ピクセルサイズ0.125μm、セルツーセルモード
また、走査型電子顕微鏡を用いてレジスト断面のパターンの形状を観察した。結果を表3に示す。
Claims (15)
- 紫外線、遠紫外線、電子線、EUV、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式(1a)で示されるスルホン酸を発生することを特徴とする化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
RC(=O)R1−COOCH(CF3)CF2SO3 - H+ (1a)
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。) - 下記一般式(2)で示されるスルホニウム塩。
RC(=O)−R1−COOCH(CF3)CF2SO3 - R2R3R4S+ (2)
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。R2、R3及びR4は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。) - 下記一般式(2a)で示されるスルホニウム塩。
RC(=O)−R1−COOCH(CF3)CF2SO3 - (R5(O)n)mPh’S+Ph2
(2a)
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。R5は置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜14のアリール基を示す。mは1〜5の整数、nは0(零)又は1を示す。Phはフェニル基を示す。Ph’はフェニル基の水素原子m個をR5(O)n−基に置換した基を示す。) - 下記一般式(2b)で示されるヨードニウム塩。
RC(=O)−R1−COOCH(CF3)CF2SO3 - ((R5(O)n)mPh’)2I+
(2b)
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。R5は置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜14のアリール基を示す。mは1〜5の整数、nは0(零)又は1を示す。Ph’はフェニル基の水素原子m個をR5(O)n−基に置換した基を示す。) - 下記一般式(3a)で示されるN−スルホニルオキシイミド化合物。
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。X、Yは相互に独立に水素原子又は置換もしくは非置換の炭素数1〜6のアルキル基を示すか、あるいはX及びYが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に飽和もしくは不飽和の炭素数6〜12の環を形成してもよい。Zは単結合、二重結合、メチレン基、又は酸素原子を示す。) - 下記一般式(3b)で示されるオキシムスルホネート化合物。
(式中、Rは水酸基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基又は炭素数4〜15のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリールオキシ基又は炭素数4〜15のヘテロアリールオキシ基を示す。R1は酸素原子、窒素原子又は硫黄原子などのヘテロ原子を持つ置換基を有していてもよい炭素数1〜20の二価の有機基を示し、Rと共に単数もしくは複数の環状構造を形成していてもよい。qは0又は1を示すが、qが0の場合、pは置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基を示し、qが1の場合には、pは単結合、置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキレン基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリーレン基を示す。EWGはシアノ基、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、5H−パーフルオロペンチル基、6H−パーフルオロヘキシル基、ニトロ基又はメチル基を示し、qが1の場合、互いのEWGが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数6の環を形成してもよい。) - ベース樹脂、酸発生剤及び有機溶剤を含有してなるレジスト材料において、前記酸発生剤が、請求項1記載の式(1a)で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤であることを特徴とするレジスト材料。
- ベース樹脂が、ポリ(メタ)アクリル酸及びその誘導体、シクロオレフィン誘導体−無水マレイン酸交互重合体、シクロオレフィン誘導体と無水マレイン酸とポリアクリル酸又はその誘導体との3あるいは4元以上の共重合体、シクロオレフィン誘導体−α−トリフルオロメチルアクリル酸誘導体共重合体、ポリノルボルネン、開環メタセシス重合体、並びに開環メタセシス重合体水素添加物から選択される1種又は2種以上の高分子重合体であることを特徴とする請求項7記載のレジスト材料。
- ベース樹脂が、珪素原子を含有する高分子構造体であることを特徴とする請求項7記載のレジスト材料。
- ベース樹脂が、フッ素原子を含有する高分子構造体であることを特徴とする請求項7記載のレジスト材料。
- 請求項8、9又は10記載のベース樹脂、請求項1記載の一般式(1a)で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤及び溶剤を含有し、上記ベース樹脂が現像液に不溶あるいは難溶であって、酸の作用によって現像液に可溶となる化学増幅ポジ型レジスト材料。
- 更に、クエンチャーを添加してなることを特徴とする請求項11記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。
- 更に、溶解阻止剤を含有することを特徴とする請求項11又は12記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。
- 請求項7乃至13のいずれか1項記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 波長193nmのArFエキシマレーザーを用い、レジスト材料が塗布された基板と投影レンズの間に水、グリセリン、エチレングリコールなどの液体を挿入する液浸リソグラフィー法であることを特徴とする請求項14記載のパターン形成方法。
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---|---|
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---|---|
JP (1) | JP5083528B2 (ja) |
Cited By (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009192735A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Fujifilm Corp | 電子線、x線またはeuv用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2009258695A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-11-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2009294394A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP2010061018A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物および酸発生剤 |
JP2011046694A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-03-10 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いられる塩 |
JP2011126870A (ja) * | 2009-11-18 | 2011-06-30 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸発生剤用の塩及びレジスト組成物 |
JP2011126869A (ja) * | 2009-11-18 | 2011-06-30 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸発生剤用の塩及びレジスト組成物 |
JP2011138060A (ja) * | 2009-12-29 | 2011-07-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びパターン形成方法 |
WO2012033145A1 (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-15 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2012111753A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-14 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ラクトン光酸発生剤、これを含む樹脂およびフォトレジスト |
JP2012136507A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-07-19 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 塩基反応性光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト |
JP2013092618A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、酸発生剤 |
JPWO2011093280A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2013-06-06 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2013114085A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Fujifilm Corp | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
WO2013099662A1 (en) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | Fujifilm Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and, resist film, pattern forming method, electronic device manufacturing method, and electronic device, each using the composition |
EP2631253A2 (en) | 2012-02-27 | 2013-08-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Preparation of polymer, resulting polymer, resist composition, and patterning process |
EP2664633A1 (en) | 2012-02-27 | 2013-11-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer, making method, resist composition, and patterning process |
US8597869B2 (en) | 2010-10-25 | 2013-12-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, resist composition, and patterning process |
US8609889B2 (en) | 2009-07-02 | 2013-12-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoacid generator, resist composition, and patterning process |
US8691490B2 (en) | 2010-02-02 | 2014-04-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, polymer, method for producing the polymer, resist composition and patterning process |
US8815492B2 (en) | 2011-10-26 | 2014-08-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Chemically amplified positive resist composition for ArF immersion lithography and pattern forming process |
US8835097B2 (en) | 2011-05-30 | 2014-09-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, polymer, chemically amplified resist composition using said polymer, and resist patterning process |
JP2014209203A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-11-06 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物 |
US8900793B2 (en) | 2011-05-30 | 2014-12-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer, chemically amplified resist composition, and patterning process using said chemically amplified resist composition |
US8956803B2 (en) | 2013-01-11 | 2015-02-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, resist composition, and patterning process |
WO2015025859A1 (ja) * | 2013-08-20 | 2015-02-26 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤、酸拡散制御剤及び化合物 |
US8980527B2 (en) | 2012-01-13 | 2015-03-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pattern forming process and resist compostion |
JP2015062057A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-04-02 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤及び化合物 |
US9091918B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-07-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, polymer, resist composition, and patterning process |
US9104110B2 (en) | 2012-06-04 | 2015-08-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer, resist composition and patterning process |
US9122155B2 (en) | 2013-01-11 | 2015-09-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, resist composition and patterning process |
US9146464B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-09-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, polymer, polymer making method, resist composition, and patterning process |
US9164384B2 (en) | 2013-04-26 | 2015-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process and resist composition |
US9162967B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, polymer, resist composition, and patterning process |
US9221742B2 (en) | 2013-09-11 | 2015-12-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, chemically amplified resist composition, and pattern forming process |
US9250518B2 (en) | 2013-11-05 | 2016-02-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
US9366958B2 (en) | 2014-04-22 | 2016-06-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoacid generator, chemically amplified resist composition, and patterning process |
EP3088955A2 (en) | 2015-04-28 | 2016-11-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
WO2017130629A1 (ja) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 |
KR101771390B1 (ko) | 2009-11-18 | 2017-08-25 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 염 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 |
KR101813915B1 (ko) | 2009-11-18 | 2018-01-02 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 염 및 이를 함유한 포토레지스트 조성물 |
US9989847B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-06-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Onium salt compound, resist composition, and pattern forming process |
JP2019014704A (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-31 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US10754248B2 (en) | 2017-03-22 | 2020-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, resist composition, and patterning process |
CN111868038A (zh) * | 2018-10-11 | 2020-10-30 | 株式会社Lg化学 | 化合物、包含其的光致抗蚀剂组合物、包含其的光致抗蚀剂图案和用于制造光致抗蚀剂图案的方法 |
JP2021512854A (ja) * | 2018-10-11 | 2021-05-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 化合物、これを含むフォトレジスト組成物、これを含むフォトレジストパターン及びフォトレジストパターンの製造方法 |
US11579526B2 (en) | 2019-03-22 | 2023-02-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
WO2024106020A1 (ja) * | 2022-11-15 | 2024-05-23 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
US12013639B2 (en) | 2020-08-13 | 2024-06-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive resist material and patterning process |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6090585B2 (ja) | 2013-12-18 | 2017-03-08 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6062878B2 (ja) | 2014-03-07 | 2017-01-18 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6248882B2 (ja) | 2014-09-25 | 2017-12-20 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6515831B2 (ja) | 2015-02-25 | 2019-05-22 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6298022B2 (ja) | 2015-08-05 | 2018-03-20 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物、積層体、及びレジストパターン形成方法 |
US10416558B2 (en) | 2016-08-05 | 2019-09-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive resist composition, resist pattern forming process, and photomask blank |
JP7009978B2 (ja) | 2016-12-28 | 2022-01-26 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6722145B2 (ja) | 2017-07-04 | 2020-07-15 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6922849B2 (ja) | 2018-05-25 | 2021-08-18 | 信越化学工業株式会社 | 単量体、ポリマー、ネガ型レジスト組成物、フォトマスクブランク、及びレジストパターン形成方法 |
JP6874738B2 (ja) | 2018-05-25 | 2021-05-19 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP7067271B2 (ja) | 2018-05-25 | 2022-05-16 | 信越化学工業株式会社 | オニウム塩、化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP7031537B2 (ja) | 2018-09-05 | 2022-03-08 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム化合物、ポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法 |
JP7099250B2 (ja) | 2018-10-25 | 2022-07-12 | 信越化学工業株式会社 | オニウム塩、ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP7415973B2 (ja) | 2021-02-12 | 2024-01-17 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2023177038A (ja) | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2023177071A (ja) | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006121096A1 (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Jsr Corporation | 新規化合物および重合体、ならびに感放射線性樹脂組成物 |
JP2007145804A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-06-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2007145797A (ja) * | 2005-04-06 | 2007-06-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2007145803A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-06-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
-
2007
- 2007-09-20 JP JP2007243560A patent/JP5083528B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007145797A (ja) * | 2005-04-06 | 2007-06-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
WO2006121096A1 (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Jsr Corporation | 新規化合物および重合体、ならびに感放射線性樹脂組成物 |
JP2007145804A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-06-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2007145803A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-06-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
Cited By (67)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009192735A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Fujifilm Corp | 電子線、x線またはeuv用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2009258695A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-11-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2009294394A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP2010061018A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物および酸発生剤 |
US8609889B2 (en) | 2009-07-02 | 2013-12-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoacid generator, resist composition, and patterning process |
JP2011046694A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-03-10 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いられる塩 |
JP2011126869A (ja) * | 2009-11-18 | 2011-06-30 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸発生剤用の塩及びレジスト組成物 |
KR101813915B1 (ko) | 2009-11-18 | 2018-01-02 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 염 및 이를 함유한 포토레지스트 조성물 |
JP2011126870A (ja) * | 2009-11-18 | 2011-06-30 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸発生剤用の塩及びレジスト組成物 |
KR101771390B1 (ko) | 2009-11-18 | 2017-08-25 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 염 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 |
JP2011138060A (ja) * | 2009-12-29 | 2011-07-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5708500B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2015-04-30 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
US9104102B2 (en) | 2010-01-29 | 2015-08-11 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
JPWO2011093280A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2013-06-06 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
US8691490B2 (en) | 2010-02-02 | 2014-04-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, polymer, method for producing the polymer, resist composition and patterning process |
US8889335B2 (en) | 2010-09-09 | 2014-11-18 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
WO2012033145A1 (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-15 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP5716747B2 (ja) * | 2010-09-09 | 2015-05-13 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JPWO2012033145A1 (ja) * | 2010-09-09 | 2014-01-20 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
US8597869B2 (en) | 2010-10-25 | 2013-12-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, resist composition, and patterning process |
JP2012111753A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-14 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ラクトン光酸発生剤、これを含む樹脂およびフォトレジスト |
JP2012136507A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-07-19 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 塩基反応性光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト |
US8900793B2 (en) | 2011-05-30 | 2014-12-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer, chemically amplified resist composition, and patterning process using said chemically amplified resist composition |
US8835097B2 (en) | 2011-05-30 | 2014-09-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, polymer, chemically amplified resist composition using said polymer, and resist patterning process |
JP2013092618A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、酸発生剤 |
US8815492B2 (en) | 2011-10-26 | 2014-08-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Chemically amplified positive resist composition for ArF immersion lithography and pattern forming process |
JP2013114085A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Fujifilm Corp | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
US9291892B2 (en) | 2011-12-27 | 2016-03-22 | Fujifilm Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and, resist film, pattern forming method, electronic device manufacturing method, and electronic device, each using the composition |
KR101469695B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2014-12-05 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 그 조성물을 각각 사용한 레지스트 필름, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스 |
JP2013137339A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-11 | Fujifilm Corp | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
WO2013099662A1 (en) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | Fujifilm Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and, resist film, pattern forming method, electronic device manufacturing method, and electronic device, each using the composition |
US8980527B2 (en) | 2012-01-13 | 2015-03-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pattern forming process and resist compostion |
US10234757B2 (en) | 2012-02-27 | 2019-03-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer, making method, resist composition, and patterning process |
US8957160B2 (en) | 2012-02-27 | 2015-02-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Preparation of polymer, resulting polymer, resist composition, and patterning process |
EP2631253A2 (en) | 2012-02-27 | 2013-08-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Preparation of polymer, resulting polymer, resist composition, and patterning process |
EP2664633A1 (en) | 2012-02-27 | 2013-11-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer, making method, resist composition, and patterning process |
US9104110B2 (en) | 2012-06-04 | 2015-08-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer, resist composition and patterning process |
US9162967B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, polymer, resist composition, and patterning process |
US9146464B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-09-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, polymer, polymer making method, resist composition, and patterning process |
US8956803B2 (en) | 2013-01-11 | 2015-02-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, resist composition, and patterning process |
US9122155B2 (en) | 2013-01-11 | 2015-09-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, resist composition and patterning process |
US9091918B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-07-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, polymer, resist composition, and patterning process |
JP2014209203A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-11-06 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物 |
JP2018076323A (ja) * | 2013-03-27 | 2018-05-17 | 東京応化工業株式会社 | 化合物 |
US9164384B2 (en) | 2013-04-26 | 2015-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process and resist composition |
WO2015025859A1 (ja) * | 2013-08-20 | 2015-02-26 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤、酸拡散制御剤及び化合物 |
JP2015062057A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-04-02 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤及び化合物 |
US9221742B2 (en) | 2013-09-11 | 2015-12-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, chemically amplified resist composition, and pattern forming process |
US9250518B2 (en) | 2013-11-05 | 2016-02-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
US9366958B2 (en) | 2014-04-22 | 2016-06-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoacid generator, chemically amplified resist composition, and patterning process |
US9989847B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-06-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Onium salt compound, resist composition, and pattern forming process |
EP3088955A2 (en) | 2015-04-28 | 2016-11-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
WO2017130629A1 (ja) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 |
JPWO2017130629A1 (ja) * | 2016-01-25 | 2018-11-15 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 |
US10754248B2 (en) | 2017-03-22 | 2020-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, resist composition, and patterning process |
JP2019014704A (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-31 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP7135457B2 (ja) | 2017-07-07 | 2022-09-13 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
CN111868038A (zh) * | 2018-10-11 | 2020-10-30 | 株式会社Lg化学 | 化合物、包含其的光致抗蚀剂组合物、包含其的光致抗蚀剂图案和用于制造光致抗蚀剂图案的方法 |
JP2021512854A (ja) * | 2018-10-11 | 2021-05-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 化合物、これを含むフォトレジスト組成物、これを含むフォトレジストパターン及びフォトレジストパターンの製造方法 |
JP2021517151A (ja) * | 2018-10-11 | 2021-07-15 | エルジー・ケム・リミテッド | 化合物、これを含むフォトレジスト組成物、これを含むフォトレジストパターン及びフォトレジストパターンの製造方法 |
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JP7067831B2 (ja) | 2018-10-11 | 2022-05-16 | エルジー・ケム・リミテッド | 化合物、これを含むフォトレジスト組成物、これを含むフォトレジストパターン及びフォトレジストパターンの製造方法 |
US11834419B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-12-05 | Lg Chem, Ltd. | Compound, photoresist composition comprising same, photoresist pattern comprising same, and method for manufacturing photoresist pattern |
CN111868038B (zh) * | 2018-10-11 | 2024-03-12 | 株式会社Lg化学 | 化合物、包含其的光致抗蚀剂组合物、包含其的光致抗蚀剂图案和用于制造光致抗蚀剂图案的方法 |
US11579526B2 (en) | 2019-03-22 | 2023-02-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
US12013639B2 (en) | 2020-08-13 | 2024-06-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive resist material and patterning process |
WO2024106020A1 (ja) * | 2022-11-15 | 2024-05-23 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
Also Published As
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